缺陷態(tài)對(duì)半導(dǎo)體光電性能的影響

1、缺陷態(tài)對(duì)半導(dǎo)體光電性能的影響姓名：顏世琪專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)號(hào)：201812323導(dǎo)師：辛倩2020.10.201缺陷的種類(lèi)缺陷對(duì)能級(jí)的影響目錄缺陷對(duì)光電性能的影響（示例）010203Types of defectsThe effect of defects on energy levelsEffects of defects on photoelectrical properties2缺陷的種類(lèi)Types of defects31Types of defects缺陷的種類(lèi)原子的空位起受主作用4原子的填隙起施主作用替位式缺陷元素半導(dǎo)體1Types of defects缺陷的種類(lèi)5負(fù)離子

2、空位，產(chǎn)生正電中心，起施主作用化合物半導(dǎo)體正離子填隙，產(chǎn)生正電中心，起施主作用正離子空位，產(chǎn)生負(fù)電中心，起受主作用負(fù)離子填隙，產(chǎn)生負(fù)電中心，起受主作用1Types of defects缺陷的種類(lèi)6EFG方法制備4英寸Ga2O3單晶，出現(xiàn)孿晶TEM方法觀察蝕坑，可以看到蝕坑下方的刃位錯(cuò)氧化物半導(dǎo)體 Ga2O3目前利用 EFG 和 CZ 法制備的 -Ga2O3 晶體，體缺陷密度約為 103 cm-3量級(jí)PPT模板下載：/moban/ 行業(yè)PPT模板：/hangye/ 節(jié)日PPT模板：/jieri/ PPT素材下載：/sucai/PPT背景圖片：/beijing/ PPT圖表下載：/tubiao/

3、優(yōu)秀PPT下載：/xiazai/ PPT教程： /powerpoint/ Word教程： /word/ Excel教程：/excel/ 資料下載：/ziliao/ PPT課件下載：/kejian/ 范文下載：/fanwen/ 試卷下載：/shiti/ 教案下載：/jiaoan/ 字體下載：/ziti/ 缺陷對(duì)能級(jí)的影響The effect of defects on energy levels72Defects on energy levels缺陷對(duì)能級(jí)的影響8施主能級(jí)施主電離能受主電離能2Defects on energy levels缺陷對(duì)能級(jí)的影響9能帶的躍遷Si單晶受主雜質(zhì)使得吸收峰以

4、及吸收強(qiáng)度發(fā)生變化2Defects on energy levels缺陷對(duì)能級(jí)的影響10點(diǎn)缺陷對(duì)半導(dǎo)體性質(zhì)的影響1)缺陷處晶格畸變，周期性勢(shì)場(chǎng)被破壞，致使在禁帶中產(chǎn)生能級(jí)2)點(diǎn)缺陷對(duì)材料的導(dǎo)電類(lèi)型起到一定的作用3)對(duì)載流子有散射作用，使載流子遷移率和壽命降低（聲子散射）位錯(cuò)對(duì)半導(dǎo)體性質(zhì)的影響1)位錯(cuò)線處晶格變形，導(dǎo)致能帶變形2)位錯(cuò)線影響雜質(zhì)分布均勻性3)位錯(cuò)線若接受電子變成負(fù)電中心，對(duì)載流子有散射作用缺陷對(duì)光電性能的影響（示例）Effects of defects on photoelectrical properties113Effect of defects on optoelectro

5、nics缺陷對(duì)光電的影響12孿晶缺陷黑色虛線代表晶體硅超胞的能帶圖，紅色實(shí)線代表孿晶超胞的能帶圖，能量范圍選擇為-2.50至3.00 eV。計(jì)算使用了sX-LDA泛函3Effect of defects on optoelectronics缺陷對(duì)光電的影響13界面態(tài)（孿晶）導(dǎo)致價(jià)帶與導(dǎo)帶之間的躍遷變得很強(qiáng)烈，孿晶界在增強(qiáng)光學(xué)吸收的同時(shí)沒(méi)有降低光伏的性能。不同于雜質(zhì)與空位等缺陷，他沒(méi)有引入懸掛鍵，僅僅改變了特定方向的對(duì)稱(chēng)性，沒(méi)有引入深能級(jí)，不會(huì)產(chǎn)生有效的載流子復(fù)合中心。3Effect of defects on optoelectronics缺陷對(duì)光電的影響14靜態(tài)介電常數(shù)1( 0) 從10.04 eV增大到32.39 eV,比未含Si空位缺陷Ca2Si值增大了22.25 eV。3Effect of defects on optoelectronics缺陷對(duì)光電的影響15CdS及其S和Cd空位缺陷體系介電函數(shù)虛部 (a) , 實(shí)部 (b) , 吸收譜 (c) , 反射譜 (d) S, Cd空位缺陷會(huì)引起周?chē)拥某谠? 使得晶格常數(shù)減小;S, Cd空位缺陷引起體系能隙變化, S空位缺陷使得能帶變窄;而Cd空位卻使帶隙變寬3Effect of defects on optoelectronics缺陷對(duì)光電的影響16398 nm峰來(lái)源于導(dǎo)帶與Zn空位之間的躍遷, 而470 nm峰