元器件知識培訓資料

1、元器件知識(zh shi)2008年11月28日共九十六頁第一節(jié) 電阻(dinz)(一)電阻定義:電阻是指電荷在電場力的作用下流過導體時，所受到的阻力(二)電阻種類:電阻可分為固定電阻器與可變電阻器(1)固定電阻器根據制作的材料(cilio)不同，又可分為碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、水泥電阻等共九十六頁(2)可變電阻器：可分為半可調電阻器和電位器兩類。(三)電阻作用:電阻器在各種( zhn)電路中阻礙電流的通過，起到降壓、分壓、穩(wěn)定和調節(jié)電流的作用，與電容組合還可起濾波的作用(四)常用電阻類型介紹共九十六頁(1)表貼電阻a什么是表貼電阻?表貼電阻是金屬玻璃鈾電阻的一種形式，它的電阻體是高可

2、靠的釕系列玻璃鈾材料經過高溫燒結而成，電極采用銀鈀合金漿料。b.表貼電阻的特點:體積小，精度高，穩(wěn)定性好，由于其為片狀元件，所以高頻(o pn)性能好共九十六頁c.貼片電阻封裝英制和公制(gngzh)的關系及詳細的尺寸 共九十六頁英制(inch)公制(mm)長(L)(mm)寬(W)(mm)高(t)(mm)a(mm)b(mm)020106030.600.050.300.050.230.050.100.050.150.05040210051.000.100.500.100.300.100.200.100.250.10060316081.600.150.800.150.400.100.300.200

3、.300.20080520122.000.201.250.150.500.100.400.200.400.20120632163.200.201.600.150.550.100.500.200.500.20121032253.200.202.500.200.550.100.500.200.500.20181248324.500.203.200.200.550.100.500.200.500.20201050255.000.202.500.200.550.100.600.200.600.20251264326.400.203.200.200.550.100.600.200.600.20共九十六頁

4、d:表貼電阻的讀數(dsh) abc=ab*10c例如:103=10*103=10k 472=47*102=4.7k共九十六頁共九十六頁共九十六頁(2)金屬膜電阻a.什么是金屬膜電阻?金屬膜電阻器就是(jish)以特種金屬或合金作電阻材料，用真空蒸發(fā)或濺射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成電阻膜層的電阻器。這類電阻器一般采用真空蒸發(fā)工藝制得。金屬膜電阻器的制造工藝比較靈活，不僅可以調整它的材料成分和膜層厚度，也可通過刻槽調整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范圍較寬的電阻器 b.金屬膜電阻的特點:金屬膜電阻精度高，穩(wěn)定性好，噪聲， 溫度系數小。在儀器儀表及通訊設備中大量采用 共九十六頁共九十六頁(3

5、)金屬氧化膜電阻a.什么是金屬氧化膜電阻?這種電阻器是由能水解的金屬鹽類溶液（如四氯化錫和三氯化銻）在熾熱的玻璃(b l)或陶瓷的表面分解覺積而成。b.金屬氧化膜電阻的特點耐高溫，工作溫度范圍為+140235在短時間內可超負荷使用；電阻溫度系數為310-4/；化學穩(wěn)定性好。這種電阻器的電阻率較低，小功率電阻器的阻值不超過100千歐，因此應用范圍受到限制，但可用作補充金屬膜電阻器的低阻部分 共九十六頁共九十六頁(4)水泥電阻a.什么是水泥電阻?水泥電阻器是將電阻線繞在無堿性耐熱瓷件上，外面加上耐熱、耐濕及耐腐蝕的材料保護固定并把繞線電阻體放入方形瓷器框內，用特殊不燃性耐熱水泥充填密封而成。b.水

6、泥電阻特點：1. 體積小、耐震、耐濕、耐熱及良好散熱，低價格等特性。2. 完全絕緣，適用于印刷電路板。3. 瓷棒上繞線然后(rnhu)接頭電焊，制出精確電阻值及延長壽命。4. 高電阻值采用金屬氧化皮膜體(MO)代替繞線方式制成。5. 耐熱性優(yōu)，電阻溫度系數小，呈直線變化。6. 耐短時間超負載，低雜音，阻值經年無變化。共九十六頁共九十六頁(5)玻璃鈾電阻器 a.什么是玻璃鈾電阻器 將金屬粉和玻璃鈾粉混合，采用(ciyng)絲網印刷法印在基板上。 b.玻璃鈾電阻器的特點耐潮濕， 高溫， 溫度系數小，主要應用于厚膜電路 共九十六頁共九十六頁(6)波紋(bwn)電阻在圓柱形的瓷管上固定了兩個引出端子，

7、陶瓷管表面上纏繞了扁帶波浪形狀的合金電阻絲，并在其表面涂覆一層具有(jyu)阻燃，耐高溫特性的涂層。陶瓷管作為電阻絲骨架的同時，又具有(jyu)散熱器的功效優(yōu)勢: 高電壓工作劣勢: 抗震性較差共九十六頁(7)高壓電阻高壓電阻器是適合(shh)在高電壓、高電壓沖擊、高壓高頻環(huán)境使用的電阻器。共九十六頁高壓電阻分類:高阻電阻、棒狀玻璃釉膜高壓電阻器、片狀玻璃釉膜高壓電阻器、晶圓高壓電阻無引線高壓電阻器超高頻氧化膜高壓電阻真空合成膜高壓電阻,金屬陶瓷(jn sh to c)阻尼高壓電阻,無引線阻尼晶圓高壓電阻器等 高壓電阻器是適合在高電壓、高電壓沖擊、高壓高頻環(huán)境使用的電阻器。 共九十六頁 真空合成

8、膜高壓電阻器,主要是用于微電流測量電路中.棒狀玻璃釉膜高壓電阻、片狀玻璃釉膜高壓電阻器主要是用于交直流或脈沖電路及高壓設備中.金屬陶瓷阻尼高壓電阻器優(yōu)越的耐高壓高電流突波特性,比繞線型及薄膜型的電阻器更具安定性.高頻電阻氧化膜高頻高壓電阻器主要用作超高頻電路中的負載.無引線阻尼晶圓高壓電阻器-rmc(rmca,rmcb)金屬陶瓷阻尼電阻器是采用金屬氧化物和陶瓷材料混合(hnh)在高溫下燒結而成的電阻器.具有體積小、負荷能力強,能承受瞬間高溫高壓的作用,作為汽車、摩托車點火用的高壓阻尼電阻,也可用在其它交、直流及脈沖電路中. 共九十六頁(8)壓敏電阻a.什么是壓敏電阻?“壓敏電阻的意思是在一定電

9、流(dinli)電壓范圍內電阻值隨電壓而變，或者是說電阻值對電壓敏感的阻器。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體，所以它是半導體電阻器的一個品種。現在大量使用的氧化鋅（ZnO）壓敏電阻器，它的主體材料有二價元素（Zn）和六價元素氧（O）所構成。 共九十六頁共九十六頁b.壓敏電阻電路的“安全閥”作用 壓敏電阻有什么用？壓敏電阻的最大特點(tdin)是當加在它上面的電壓低于它的閥值UN時，流過它的電流極小，相當于一只關死的閥門，當電壓超過UN時，流過它的電流激增，相當于閥門打開。利用這一功能，可以抑制電路中經常出現的異常過電壓，保護電路免受過電壓的損害。 共九十六頁(9) 電位器a.電位器是一種可調的電

10、子元件。它是由一個電阻體和一個轉動或滑動(hudng)系統(tǒng)組成。當電阻體的兩個固定觸電之間外加一個電壓時，通過轉動或滑動(hudng)系統(tǒng)改變觸點在電阻體上的位置，在動觸點與固定觸點之間便可得到一個與動觸點位置成一定關系的電壓。 b.電位器大多是用作分壓器，這是電位器是一個四端元件 共九十六頁共九十六頁(10)電阻排所謂排阻就是若干個參數完全相同的電阻，它們的一個引腳都連到一起，作為公共引腳。其余引腳正常(zhngchng)引出。所以如果一個排阻是由n個電阻構成的，那么它就有n+1只引腳，一般來說，最左邊的那個是公共引腳。它在排阻上一般用一個色點標出來。排阻一般應用在數字電路上 共九十六頁符號

11、誤差（%）符號誤差（%）Y 0.001D 0.5X 0.002F 1E 0.005C 2L 0.01J 5P 0.02K 10W 0.05M 20B 0.1N 30C 0.25(五 )電阻字母與偏差(pinch)的關系共九十六頁第二節(jié) 電感(din n)什么是電感?電感器（電感線圈）和變壓器均是用絕緣導線（例如漆包線、紗包線等）繞制而成的電磁感應元件(yunjin)，也是電子電路中常用的元器件之一。 共九十六頁當閉合回路中的電流發(fā)生變化時，由這個電流產生并穿過回路本身的磁通也發(fā)生變化，回路中將產生感應電動勢，這種現象稱為“自感”；如果兩個線圈(xinqun)互相靠近，當其中一個線圈(xinqu

12、n)中電流所產生的磁通有一部分與另-個線圈(xinqun)的磁通相環(huán)鏈，那么，這個線圈(xinqun)中的電流發(fā)生變化時，會在另一個線圈(xinqun)中產生感應電動勢，這種現象稱為互感。 共九十六頁共模(n m)電感(Common mode Choke)也叫共模扼流圈，常用于電腦的開關電源中過濾共模的電磁干擾信號。在板卡設計中，共模電感也是起EMI濾波的作用，用于抑制高速信號線產生的電磁波向外輻射發(fā)射。共九十六頁電感作用(zuyng)電感是用線圈制作的，它的作用多是扼流濾波和濾除高頻雜波，它的外形有很多種：有的像電阻、有的像二極管、有的一看上去就是線圈。 共九十六頁我公司(n s)常用電感L

13、1001 200匝 1.788mH0.1mHL1002 135匝 833.6uH20uHL1003 23匝 28uH2uHL1004 25匝 30uH2uHL1005 14匝 8.5uH2uHL0201 160匝 1.82mH0.04mHUF10.5 =10mH共九十六頁開關電源變壓器 工作頻率高，輸出功率大，溫化小。 共九十六頁R型鐵芯電源(dinyun)變壓器 磁性(cxng)能優(yōu)良。 共九十六頁第三節(jié) 電容(dinrng)(一)電容(dinrng)定義是一種貯能元件，是組成電子電路的基本元件之一(二)電容分類共九十六頁1、按照結構分三大類：固定電容器、可變電容器和微調電容器。2、按電解質

14、分類：有機介質電容器、無機介質電容器、電解電容器和空氣介質電容器等。3、按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調諧(tioxi)、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。4、按制造材料的不同可以分為：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進的聚丙烯電容等共九十六頁(三)電容的作用電容器的作用主要有：耦合、濾波、隔直流、調諧以及與電感元件組成振蕩電路等。在電力系統(tǒng)中，它可以用以改善(gishn)系統(tǒng)的功率參數，提高電能的利用率；在機械加工藝中可用以進行電火花加工等。共九十六頁(四)常用電容類型(lixng)介紹共九十六頁(1)電解電容電解電容是電容的一種介質有電解液涂層有極性，分正負不可接錯。電容

15、(Electric capacity)，由兩個金屬極，中間夾有絕緣材料（介質）構成電解電容器通常(tngchng)是由金屬箔（鋁/鉭）作為正電極，金屬箔的絕緣氧化層（氧化鋁/鉭五氧化物）作為電介質，電解電容器以其正電極的不同分為鋁電解電容器和鉭電解電容器。鋁電解電容器的負電極由浸過電解質液（液態(tài)電解質）的薄紙/薄膜或電解質聚合物構成；鉭電解電容器的負電極通常(tngchng)采用二氧化錳 共九十六頁電解電容作用(zuyng)隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。 旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。 耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸到下一級電路。 濾波

16、：將整流以后的鋸齒波變?yōu)槠交拿}動波，接近于直流。 儲能：儲存(chcn)電能，用于必須要的時候釋放。 共九十六頁電解電容特點(tdin)電解電容器特點一：單位體積的電容量非常大，比其它種類的電容大幾十到數百倍。 電解電容器特點二：額定的容量可以做到非常大，可以輕易做到幾萬f甚至幾f（但不能和雙電層電容比電解電容器特點三：價格比其它種類具有壓倒性優(yōu)勢，因為電解電容的組成材料都是普通的工業(yè)材料，比如鋁等等。制造電解電容的設備也都是普通的工業(yè)設備，可以大規(guī)模生產(shngchn)，成本相對比較低 共九十六頁電解電容應用(yngyng)電解電容器通常在電源電路或中頻(zhngpn)、低頻電路中起電源

17、濾波、退耦、信號耦合及時間常數設定、隔直流等作用。一般不能用于交流電源電路，在直流電源電路中作濾波電容使用時，其陽極（正極）應與電源電壓的正極端相連接，陰極（負極）與電源電壓的負極端相連接，不能接反，否則會損壞電容器。共九十六頁(2)安規(guī)電容(dinrng)安規(guī)電容是指用于這樣的場合，即電容器失效后，不會導致電擊，不危及人身安全. 它包括了X電容和Y電容 x電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用(xunyng)金屬薄膜電容；Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對出現?；诼╇娏鞯南拗疲琘電容值不能太大，一般X電容是uF級，Y電容是nF級。共九十六

18、頁安規(guī)電容作用(zuyng)X電容抑制差模干擾，Y電容抑制共模干擾 共九十六頁 (3)金屬化聚酯薄膜電容其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量(rngling)的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量(rngling)大的電容 共九十六頁(4)薄膜電容器薄膜電容器是將鋁等金屬箔當成電極和塑料薄膜重疊(chngdi)后卷繞在一起制成特點無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應寬廣)，而且介質損失很小 應用被使用在模擬信號的交連，電源噪聲的旁路(反交連)等地方 共九十六頁(5)金屬化聚丙烯薄膜電容 金屬化聚酯薄膜電容薄膜電容的一

19、種，只不過它使用的薄膜是聚丙烯或聚乙酯金屬化聚酯薄膜電容應用:對穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻(dpn)電路 金屬化聚丙烯薄膜電容應用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路 共九十六頁(6)瓷片電容瓷片電容只要針對于高頻，高壓瓷片電容取決于你使用在什么場合，典型作用可以消除高頻干擾。 優(yōu)點(yudin) 1.容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性 2.特殊的串聯(lián)結構適合于高電壓極長期工作可靠性 3.高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結構 . 共九十六頁(7)鉭電容主要特點：損耗、漏電小于鋁電容(dinrng)應用：在要求高的電路中代替鋁電容(dinrng) 共九十六頁(五)電容字母(zm)與偏差

20、關系電容器的容量誤差通常用字符表示： 第一種，絕對誤差，通常以電容量的值的絕對誤差表示，以PF為單位，即：B代表0.1PF、C代表0.25PF、D代表0.5PF，Y代表1PF，A代表1.5PF,V代表5PF。這種表達方式通常用于小容量電容。 共九十六頁第二種，相對誤差，以電容量標稱(bio chn)值的偏差百分數表示，即：D代表0.5%，P代表0.625%、F代表1%，R代表1.25%，G代表2%，U代表3.5%，J代表5%，K代表10%，M代表20%，S代表50%/-20%、Z代表80%/-20%。 共九十六頁第三節(jié) 二極管(一 )二極管的原理晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p

21、-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度(qingd)達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。 共九十六頁(二) 二極管的類型二極管種類:

22、按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同(b tn)用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關二極管等。按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。共九十六頁(三 )二極管的導電特性二極管最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能(zh nn)從二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。 共九十六頁(1)正向(zhn xin)特性 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極

23、管仍然(rngrn)不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降” 共九十六頁2.反向(fn xin)特性 在電子電路中，二極管的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極管中幾乎(jh)沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將

24、失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。 共九十六頁(四)二極管的主要參數 用來表示二極管的性能(xngnng)好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數： 共九十六頁1、額定正向工作電流 是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的最大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為140左右，鍺管為90左右）時，就會使管芯過熱而損壞(snhui)。所以，二極管使用中不要超過二極管額定正向工作電流值。例如，常用的IN40014007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。 共九十六頁2、最高反向工

25、作電壓 加在二極管兩端(lin dun)的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。 共九十六頁3、反向電流 反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度(wnd)和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度(wnd)有著密切的關系，大約溫度(wnd)每升高10，反向電流增大一倍。共九十六頁(五)常用(chn yn)二極管類型介紹 共九十六頁(1)穩(wěn)壓(wn y)二極管什么是穩(wěn)壓二極管?共九十六頁穩(wěn)壓二極管是一個

26、特殊的面接觸型的半導體硅二極管，其V-A特性曲線與普通二極管相似，但反向擊穿曲線比較陡穩(wěn)壓二極管工作于反向擊穿區(qū)，由于它在電路中與適當電阻配合后能起到穩(wěn)定電壓的作用(zuyng)，故稱為穩(wěn)壓管。穩(wěn)壓管反向電壓在一定范圍內變化時，反向電流很小，當反向電壓增高到擊穿電壓時，反向電流突然猛增，穩(wěn)壓管從而反向擊穿，此后，電流雖然在很大范圍內變化，但穩(wěn)壓管兩端的電壓的變化卻相當小，利于這一特性，穩(wěn)壓管就在電路到起到穩(wěn)壓的作用(zuyng)了。而且，穩(wěn)壓管與其它普能二極管不同之反向擊穿是可逆性的，當去掉反向電壓穩(wěn)壓管又恢復正常，但如果反向電流超過允許范圍，二極管將會發(fā)熱擊穿，所以，與其配合的電阻往往起到限

27、流的作用(zuyng)。共九十六頁型號穩(wěn)壓范圍工作結溫1N4740A/10V/1WVZ=105%2001N4744A/15V/1WVZ=155%2001N4751A/30V/1WVZ=305%2001N4757A/51V/1WVZ=515%2001N4733A/5.1V/1WVZ=5.15%20015V/0.5WVZ=15IN5378B/100V/5WVZ=1005V-65200共九十六頁穩(wěn)壓二極管應用1、浪涌保護電路:穩(wěn)壓管在準確的電壓下?lián)舸?這就使得它可作為限制或保護之元件來使用,因為各種電壓的穩(wěn)壓二極管都可以(ky)得到,故對于這種應用特別適宜. 2、電視機里的過壓保護電路3、電弧抑制電

28、路4、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路共九十六頁(2) 快恢復二極管什么是快恢復二極管? 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成(guchng)PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。 共九十六頁 快恢復、超快恢復二極管的結構特點 由于基區(qū)很薄，反向(fn xin)恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向(fn xin)工作電壓?？旎謴投O管的反向(fn xin)恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向

29、電流是幾安培至幾千安培，反向(fn xin)峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管的反向(fn xin)恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。 共九十六頁名稱型號反向耐壓(v)恢復時間(ns)工作結溫快恢復二極管FR1071000300-50150快恢復二極管FR3071000300-50150快恢復二極管MUR162020035-65175快恢復二極管DSDI60-16A1600300-40150快恢復二極管DH60-16A1600150-40150快恢復二極管DH60-18A1800150-40150快恢復二極管DSEI2X1011200 4060-40150超快恢復二極管BYV

30、27-20020025-55175超快恢復二極管BYV28-20020030-55175超快恢復二極管BYV26E100075-55175共九十六頁快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為(zuwi)高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。共九十六頁(3)肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱(jinchng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。 30CTQ045 VRR

31、M=45V TRR=10ns共九十六頁特點(tdin)SBD的主要優(yōu)點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間(shjin)只是肖特基勢壘電容的充、放電時間(shjin)，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間(shjin)。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非?？?，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容

32、易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。共九十六頁應用 SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出(shch)場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被廣泛采用。共九十六頁(4)TVS(瞬態(tài)抑制二極管）1、概述： TVS管是瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）的簡稱。瞬態(tài)抑制二極管是一種限壓型的過電壓保護器件,它又叫TVS，它能以pS級的速度把過高的電壓限制在一個(y )安全范圍之內，從而起到

33、保護后面電路的作用。廣泛應用在半導體及敏感的電子零件過電壓、ESD保護上 P6KE250A/DO-15 VRRM=214V,TRR=1 pS共九十六頁特點特點是：響應速度特別(tbi)快（為ps級）；耐浪涌沖擊能力較放電管和壓敏電阻差共九十六頁(5)整流橋整流橋的原理 整流橋就是將整流管封在一個(y )殼內.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起.半橋是將兩個二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個半橋可組成一個(y )橋式整流電路,一個(y )半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 共九十六頁整流橋的作用就是能夠通過二極管的單向(dn xin)導通的特性將電平在零

34、點上下浮動的交流電轉換為單向(dn xin)的直流電，通常電源中采用的整流橋除了這種單顆集成式的還有采用四顆二極管實現的，它們的原理完全相同 共九十六頁第四節(jié) 三極管(一)晶體三極管的結構和類型晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件(yunjin)。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。共九十六頁(二)晶體三極管的電流放大作用晶體三極管具有電流放大作用

35、，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。電流放大倍數對于某一只三極管來說是一個定值，但隨著三極管工作(gngzu)時基極電流的變化也會有一定的改變。共九十六頁(三)常用三極管類型(lixng)及介紹共九十六頁(1)MOS管 場效應管 根據三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，采用二氧化硅材料的可以達到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件1.概念:場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數(dush)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管

36、.它屬于電壓控制型半導體器件.特點:具有輸入電阻高（1000000001000000000）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者.共九十六頁作用:場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器.場效應管可以用作電子開關.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換(binhun).常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換(binhun).場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源.共九十六頁2.場效應管的分類(fn li):場效應管分結型、絕緣柵型(M

37、OS)兩大類共九十六頁(2)絕緣柵場效應管a.定義:它是由金屬、氧化物和半導體所組成，所以又稱為(chn wi)金屬-氧化物-半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。共九十六頁b.作用MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通,它的導通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣,導通結的壓降最小.這就是常說的精典是開關作用.去掉(q dio)這個控制電壓經就截止. 共九十六頁(2)可控硅可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速(kui s)接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆

38、變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、農業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件 共九十六頁(3)IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵極(shn j)型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。應用于交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 共九十六頁由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通

39、過一層氧化膜與發(fā)射極實現電隔離(gl)。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到2030V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點： 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子部分，當必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后，再觸摸； 在用導電材料連接模塊驅動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊； 盡量在底板良好接地的情況下操作 共九十六頁在安裝或更換IGBT模塊時，應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查(jinch)，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。共九十六頁第五節(jié) IC一 什么叫集成電路(jchng-dinl) 集成電路（integra