半導體物理器件期末總結2011

1、半導體器件物理常州信息職業(yè)技術學院一、填空題（一、填空題（1010分）分）二、選擇題（二、選擇題（2020分）分）三、判斷題（三、判斷題（2020分）分）四、名詞解釋（四、名詞解釋（1515分）分）五、問答題（五、問答題（1212分）分）六、作圖題（六、作圖題（1111分）分）七、計算題（七、計算題（1212分）分）題型與比例第第1章章 半導體中的電子狀態(tài)半導體中的電子狀態(tài)n常見的半導體材料（單晶、多晶、非晶、第一、二、三代常見的半導體材料（單晶、多晶、非晶、第一、二、三代材料）材料）n常見半導體材料的晶格結構（金剛石、閃鋅礦、釬鋅礦）、常見半導體材料的晶格結構（金剛石、閃鋅礦、釬鋅礦）、制備

2、器件常用晶圓的晶面指數(shù)制備器件常用晶圓的晶面指數(shù)n原子的能級、能級圖（泡利不相容原理、玻耳茲曼分布律、原子的能級、能級圖（泡利不相容原理、玻耳茲曼分布律、玻爾頻率條件）玻爾頻率條件）n晶體中的電子狀態(tài)（共有化運動）晶體中的電子狀態(tài)（共有化運動）n導體、絕緣體、半導體的能帶（導帶、價帶、禁帶、導帶導體、絕緣體、半導體的能帶（導帶、價帶、禁帶、導帶底、價帶頂、禁帶寬度、直接帶隙型、間接帶隙型）底、價帶頂、禁帶寬度、直接帶隙型、間接帶隙型）n半導體中載流子（電子、空穴）半導體中載流子（電子、空穴）n有效質量（意義、內外層區(qū)別、導帶底、價帶頂）有效質量（意義、內外層區(qū)別、導帶底、價帶頂）第第2章章 半

3、導體中雜質和缺陷能級半導體中雜質和缺陷能級n本征半導體本征半導體、本征激發(fā)、本征載流子濃度、本征激發(fā)、本征載流子濃度n雜質半導體雜質半導體（替位式雜質和間隙雜質、（替位式雜質和間隙雜質、n型半型半導體和導體和p型半導體、施主雜質和受主雜質及其型半導體、施主雜質和受主雜質及其電離過程、雜質補償作用、淺能級雜質和深能電離過程、雜質補償作用、淺能級雜質和深能級雜質）級雜質）n半導體中的半導體中的缺陷能級缺陷能級（點缺陷、線缺陷、面缺（點缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷、空位、層錯、位錯）陷、體缺陷、空位、層錯、位錯）第第3章章 半導體中的載流子的統(tǒng)計分布半導體中的載流子的統(tǒng)計分布n狀態(tài)密度狀態(tài)密度n費米

4、能級和載流子統(tǒng)計分布（費米能級、費米能級和載流子統(tǒng)計分布（費米能級、導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度）導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度）n熱平衡狀態(tài)、熱平衡載流子、本征半導熱平衡狀態(tài)、熱平衡載流子、本征半導體載流子濃度體載流子濃度n雜質半導體載流子濃度（與溫度關系）雜質半導體載流子濃度（與溫度關系）第第4章章 半導體的導電性半導體的導電性n載流子的漂移運動載流子的漂移運動 （遷移率）（遷移率）n載流子的散射（電離雜質散射、晶格振載流子的散射（電離雜質散射、晶格振動散熱）動散熱）n遷移率與雜質濃度和溫度的關系遷移率與雜質濃度和溫度的關系n電阻率與雜質濃度和溫度的關系）電阻率與雜質濃度和溫度的

5、關系）第第5章章 非平衡載流子非平衡載流子n非平衡載流子的注入（熱平衡狀態(tài)、非平衡狀非平衡載流子的注入（熱平衡狀態(tài)、非平衡狀態(tài)、非平衡載流子、非平衡少子、非平衡載流態(tài)、非平衡載流子、非平衡少子、非平衡載流子注入子注入 、準費米能級）、準費米能級）n非平衡載流子的復合（非平衡載流子壽命、直非平衡載流子的復合（非平衡載流子壽命、直接復合、間接復合、俄歇復合、能量的釋放途接復合、間接復合、俄歇復合、能量的釋放途徑、深能級的雜質是有效的復合中心）徑、深能級的雜質是有效的復合中心）n非平衡載流子的運動規(guī)律（擴散運動、漂移運非平衡載流子的運動規(guī)律（擴散運動、漂移運動、愛因斯坦關系式）動、愛因斯坦關系式）第

6、第6 6章章 pnpn結結nPNPN結形成、空間電荷區(qū)、平衡結形成、空間電荷區(qū)、平衡PNPN結的能帶圖及結的能帶圖及平衡平衡PNPN結的特點。結的特點。nPNPN結接觸電勢差、結接觸電勢差、PNPN結的載流子分布結的載流子分布n非平衡狀態(tài)下的非平衡狀態(tài)下的PNPN結及其能帶圖結及其能帶圖n理想狀態(tài)下理想狀態(tài)下PNPN結中產生電流、復合電流、擴散結中產生電流、復合電流、擴散電流與電壓的方程式電流與電壓的方程式n實際情況下的實際情況下的PNPN結電流結電流- -電壓特性電壓特性nPNPN結的勢壘電容、擴散電容；結的勢壘電容、擴散電容；nPNPN結雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿結雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊

7、穿n隧道二極管隧道二極管補充：雙極晶體管補充：雙極晶體管n晶體管的基本結構與雜質分布晶體管的基本結構與雜質分布n晶體管的工作原理晶體管的工作原理n晶體管的直流特性晶體管的直流特性n晶體管的極限參數(shù)晶體管的極限參數(shù)第第7 7章章 金屬與半導體接觸金屬與半導體接觸n金屬半導體接觸形成的能帶圖金屬半導體接觸形成的能帶圖 n肖特基接觸肖特基接觸n歐姆接觸歐姆接觸第第8 8章章 半導體表面與半導體表面與MISMIS結構結構nMISMIS結構結構n表面電場效應（積累層、耗盡層和反型層）表面電場效應（積累層、耗盡層和反型層）nMISMIS結構的電容結構的電容- -電壓特性（金屬與半導體功函電壓特性（金屬與半導體功函數(shù)、絕緣層中的電荷的影響）數(shù)、絕緣層中的電荷的影響）nMOSFETMOSFET結構、分類、特征結構、分類、特征名詞解釋名詞解釋1 1、共有化運動、共有化運動2 2、施主雜質、受主雜質、雜質補償、施主雜質、受主雜質、雜質補償3 3、直接復合、間接復合、直接復合、間接復合4 4、準費米能級、準費米能級5 5、平衡狀態(tài)