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1、 亞微米亞微米CMOS IC 制造廠(chǎng)典型的硅片流程模型制造廠(chǎng)典型的硅片流程模型入劑量入劑量2.0E13劑量劑量3.0E13CMOS器件截面圖器件截面圖寄生寄生BJT等效電路圖等效電路圖場(chǎng)區(qū)寄生場(chǎng)區(qū)寄生NMOS剖面圖剖面圖光刻接觸孔光刻接觸孔 工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線(xiàn)之間的工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線(xiàn)之間的 通道孔通道孔 工藝要求：同第一次光刻工藝要求：同第一次光刻 光刻接觸孔光刻接觸孔（續(xù)）（續(xù)） 工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線(xiàn)之間的工藝目的：形成連接器件有源區(qū)和金屬布線(xiàn)之間的 通道孔通道孔 工藝方法：工藝方法：RIE刻蝕、濕法去膠刻蝕、濕法去膠 濺射濺射Si-

2、Al-Cu工藝目的：制作電路元器件的金屬電極工藝目的：制作電路元器件的金屬電極工藝方法：濺射材料工藝方法：濺射材料Si（1）AlCu（0.5），）， 磁控濺射。磁控濺射。工藝要求：厚度工藝要求：厚度1.2m光刻金屬電極光刻金屬電極 形成電路的金屬互連線(xiàn)。形成電路的金屬互連線(xiàn)。光光刻刻7步，步，Cl基氣體基氣體RIE刻蝕，干法氧等離子體去膠刻蝕，干法氧等離子體去膠鈍化鈍化 工藝目的：保護(hù)器件表面，防止金屬線(xiàn)劃傷、表工藝目的：保護(hù)器件表面，防止金屬線(xiàn)劃傷、表 面面 吸潮、表面吸潮、表面 沾污。沾污。 工藝方法：工藝方法：PECVD生長(zhǎng)氧化硅和氮化硅介質(zhì)層生長(zhǎng)氧化硅和氮化硅介質(zhì)層 工藝要求：工藝要求

3、：tox300nm左右、左右、tSiN700nm左右左右光刻壓焊窗口光刻壓焊窗口 工藝目的：開(kāi)出金屬電極窗口以便壓焊鍵合工藝目的：開(kāi)出金屬電極窗口以便壓焊鍵合 工藝方法：光刻工藝方法：光刻7步步光刻壓焊窗口光刻壓焊窗口（續(xù)）（續(xù)） 工藝目的：開(kāi)出金屬電極窗口以便壓焊鍵合工藝目的：開(kāi)出金屬電極窗口以便壓焊鍵合 工藝方法：工藝方法：RIE刻蝕，干法去膠刻蝕，干法去膠 合金合金 工藝目的：金屬與器件有源區(qū)之間形成良好的歐工藝目的：金屬與器件有源區(qū)之間形成良好的歐 姆接觸。姆接觸。 工藝方法：合金爐，工藝方法：合金爐，420 30分（N2H2） CMOS反相器反相器電路圖電路圖 CMOS器件結(jié)構(gòu)剖面圖器件結(jié)構(gòu)剖面圖 CMOS器件截面圖器件截面圖

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