現(xiàn)代檢測技術(shù)導(dǎo)論物理量檢測學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1第一頁，共67頁。l l 縱向壓阻系數(shù)縱向壓阻系數(shù) h h 橫向橫向(hn (hn xin)xin)壓阻系數(shù)壓阻系數(shù)l l 縱向應(yīng)力縱向應(yīng)力 h h 橫向橫向(hn xin)(hn xin)應(yīng)力應(yīng)力 第1頁/共66頁第二頁，共67頁。 壓阻系數(shù)(xsh)分量 應(yīng)力方向 電流方向 R/R 縱向 11(11+12+44)/2(11+212+244)/3 橫向 12（11+12-44）/2第2頁/共66頁第三頁，共67頁。材料0（cm）壓阻系數(shù)(10-3(kbar)-1)11111244n-Sip-Si11.77.8-102.2+6.6+53.4-1.1-13.6+138.1Si的壓阻系數(shù)值

2、(shz)（室溫） 第3頁/共66頁第四頁，共67頁。（a）單臂電橋(din qio)； （b）差動(dòng)半橋； （c）差動(dòng)全橋第4頁/共66頁第五頁，共67頁。3.2.2 微型三維力傳感器問題的提出：MEMS技術(shù)的發(fā)展正在使人類對(duì)微米、納米世界的操作能力取得突破；感知系統(tǒng)對(duì)于必須借助工具進(jìn)行操作的任務(wù)十分重要，尤其是在人類無法直接觀察和感受的范圍中；微小型機(jī)器人進(jìn)入特殊環(huán)境進(jìn)行作業(yè)時(shí)必須具備(jbi)力感知能力，如進(jìn)入人體腸胃或微型衛(wèi)星內(nèi)部時(shí)；由于機(jī)器人作業(yè)時(shí)所受作用力方向是不確定的，所以必須使用三維力傳感器；已有的三維力傳感器在尺寸上不能滿足微型化要求，因此必須研制微型三維力傳感器。第5頁/共6

3、6頁第六頁，共67頁。工作工作(gngzu)原理原理 微型微型(wixng)三三維力傳感器結(jié)構(gòu)維力傳感器結(jié)構(gòu)示意圖示意圖敏感(mngn)膜片傳力板保護(hù)基片44hOL0L1h0h1第6頁/共66頁第七頁，共67頁。 Fx Fy Fz Mx My MzRx1 0 0 Rx2 0 0 Vx 0 0 0 0 0 Fx Fy Fz Mx My MzRy1 0 0 Ry2 0 0 Vy 0 0 0 0 0 Fx Fy Fz Mx My MzRz1 0 0 Rz2 0 0 Rz3 0 0 Rz4 0 0 Vz 0 0 0 0 0a. 橋路橋路Cx及及其響應(yīng)輸出其響應(yīng)輸出b. 橋路橋路Cy及及其響應(yīng)輸出其響應(yīng)

4、輸出c. 橋路橋路Cz及及其響應(yīng)輸出其響應(yīng)輸出檢測橋路對(duì)多維力的響應(yīng)輸出檢測橋路對(duì)多維力的響應(yīng)輸出第7頁/共66頁第八頁，共67頁。力學(xué)力學(xué)(l xu)分析分析 a = 1.5mm, b = 0.5mm。 r2b2a彈性體的彈性體的E形園膜片模型形園膜片模型FzXOZMyFxYFyMxMz第8頁/共66頁第九頁，共67頁。（1）當(dāng)）當(dāng)Fz=3N作用在中央凸臺(tái)時(shí)，在圓板半徑作用在中央凸臺(tái)時(shí)，在圓板半徑r處的徑向應(yīng)力處的徑向應(yīng)力切向應(yīng)力切向應(yīng)力梁變形所產(chǎn)生的位移梁變形所產(chǎn)生的位移(wiy)其中其中k = r/a, K = b/a = 1/3, m = a/h0 = 18.75，板厚，板厚h0 =

5、80m， 第9頁/共66頁第十頁，共67頁。所以，最大徑向所以，最大徑向(jn xin)應(yīng)力應(yīng)力 這時(shí)對(duì)應(yīng)位置的切向應(yīng)力這時(shí)對(duì)應(yīng)位置的切向應(yīng)力 中央凸臺(tái)位移中央凸臺(tái)位移第10頁/共66頁第十一頁，共67頁。（2）My = 2 Nmm。當(dāng)。當(dāng)My作用在中央凸臺(tái)時(shí)，作用在中央凸臺(tái)時(shí)，最大應(yīng)力最大應(yīng)力中央凸臺(tái)轉(zhuǎn)角中央凸臺(tái)轉(zhuǎn)角其中其中、為與結(jié)構(gòu)尺寸、形狀有關(guān)的系數(shù)，可由文獻(xiàn)為與結(jié)構(gòu)尺寸、形狀有關(guān)的系數(shù)，可由文獻(xiàn)27的表的表4.9-3查出，查出， 2.35， 0.269。根據(jù)方程（根據(jù)方程（2-1），得到硅各向異性腐蝕后，中央凸臺(tái)頂），得到硅各向異性腐蝕后，中央凸臺(tái)頂面的寬度面的寬度b0 = 0.4mm

6、，因此由于中央凸臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)，因此由于中央凸臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)(zhun dng)而產(chǎn)生的位置變化而產(chǎn)生的位置變化第11頁/共66頁第十二頁，共67頁。（3）強(qiáng)度與保護(hù)間隙）強(qiáng)度與保護(hù)間隙(jin x)計(jì)算計(jì)算當(dāng)當(dāng)Fz和和My同時(shí)作用時(shí)，中央凸臺(tái)的總變形同時(shí)作用時(shí)，中央凸臺(tái)的總變形這時(shí)總的最大應(yīng)力這時(shí)總的最大應(yīng)力為兩者之和，即為兩者之和，即 = 820106Pa。單晶硅的屈服強(qiáng)度單晶硅的屈服強(qiáng)度 = 7109Pa，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于，因此在因此在Fz和和My同時(shí)作用下該傳感器有足夠的安全系數(shù)。同時(shí)作用下該傳感器有足夠的安全系數(shù)。我們?cè)O(shè)定過載保護(hù)間隙我們?cè)O(shè)定過載保護(hù)間隙(jin x)h1 = 6m，這時(shí)當(dāng)僅，這時(shí)

7、當(dāng)僅有有My作用時(shí)可能產(chǎn)生的應(yīng)力最大作用時(shí)可能產(chǎn)生的應(yīng)力最大因此，該傳感器在上述極端條件下仍然是安全的。因此，該傳感器在上述極端條件下仍然是安全的。 第12頁/共66頁第十三頁，共67頁。輸出分析輸出分析 對(duì)于半導(dǎo)體壓阻式傳感器，其擴(kuò)散電阻變化量對(duì)于半導(dǎo)體壓阻式傳感器，其擴(kuò)散電阻變化量與所受到的應(yīng)力、應(yīng)變成比例關(guān)系，即：與所受到的應(yīng)力、應(yīng)變成比例關(guān)系，即：上式中上式中11為的縱向壓阻系數(shù)，為的縱向壓阻系數(shù)，12為橫向壓為橫向壓阻系數(shù)。對(duì)于我們所采用的阻系數(shù)。對(duì)于我們所采用的P型擴(kuò)散硅電阻，型擴(kuò)散硅電阻，11 = 6.610-11 (m2/N)，12 = -1.110-11 (m2/N)。在本項(xiàng)

8、研究中均采用差動(dòng)半橋檢測電路在本項(xiàng)研究中均采用差動(dòng)半橋檢測電路(dinl)（圖（圖4-2），橋路電壓），橋路電壓Vc為為3V，所以電壓輸出變，所以電壓輸出變化化當(dāng)當(dāng)Fz作用時(shí)，作用時(shí)，第13頁/共66頁第十四頁，共67頁。工藝流程工藝流程(n y li chn) ( a )( b )( c )( d )( e )硅硅 摻雜硅摻雜硅 氧化硅氧化硅 氮化硅氮化硅 金屬金屬微型三維力工藝流程微型三維力工藝流程第14頁/共66頁第十五頁，共67頁。(a) 芯片正面芯片正面(b) 芯片背面芯片背面 三維力敏感芯片三維力敏感芯片第15頁/共66頁第十六頁，共67頁。實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)(shyn)結(jié)果與數(shù)據(jù)處理結(jié)果與

9、數(shù)據(jù)處理 實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)(shyn)裝置裝置三維力標(biāo)定三維力標(biāo)定(bio dn)裝置裝置X-Y平臺(tái)平臺(tái)(pngti)Z向移動(dòng)齒條向移動(dòng)齒條標(biāo) 準(zhǔn) 傳 感標(biāo) 準(zhǔn) 傳 感器器被測傳感器被測傳感器數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)處理計(jì)算機(jī)計(jì)算機(jī)數(shù)字電壓表數(shù)字電壓表穩(wěn)壓電源穩(wěn)壓電源第16頁/共66頁第十七頁，共67頁。原始測量原始測量(cling)數(shù)據(jù)數(shù)據(jù) （N, mV) 次數(shù)次數(shù)FxFyFzVxVyVz100000020.0490.0580.9771.2201.45513.53430.0900.0851.9532.4022.98227.07040.1220.1092.9393.6154.55140.74150.769-0.0

10、113.0445.4526.20742.11360.8110.7613.0866.7814.51842.70770.028-0.0010.5090.6820.8956.94180.1510.0201.4661.9512.49920.31690.400-0.0571.5432.6553.25121.240100.4210.3881.5783.4752.31321.885第17頁/共66頁第十八頁，共67頁。數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)處理由 標(biāo) 定 測 試 得 到 的 傳 感 器 輸 出 信 號(hào)由 標(biāo) 定 測 試 得 到 的 傳 感 器 輸 出 信 號(hào)(xnho)V，通過線性解耦矩陣，通過線性解耦矩陣D可以轉(zhuǎn)可

11、以轉(zhuǎn)換成傳感器所受到的三維力換成傳感器所受到的三維力F。 第18頁/共66頁第十九頁，共67頁。解耦結(jié)果解耦結(jié)果(ji gu)與誤差與誤差 測量次數(shù)測量次數(shù)實(shí)際力實(shí)際力F（N）計(jì)算力計(jì)算力F（N）誤差誤差 （%FS）FxFyFzFxFyFz x y z100000000020.0490.0580.9770.0370.0570.9770.400.03030.0900.0851.9530.0750.0861.9540.500.030.0370.028-0.0010.5090.055-0.0050.5010.900.130.2780.1510.0201.4660.1320.0141.4670.630

12、.200.0390.400-0.0571.5430.384-0.0591.5360.530.070.23100.4210.3881.5780.4160.3911.5820.170.100.13第19頁/共66頁第二十頁，共67頁。附錄：微機(jī)械加工技術(shù)附錄：微機(jī)械加工技術(shù)(jsh)(jsh) 硅體微加工硅體微加工 1 1、各向異性腐蝕、各向異性腐蝕氫氧化鉀（氫氧化鉀（KOHKOH）水溶液、鄰苯二酚）水溶液、鄰苯二酚乙二胺乙二胺水（水（EPWEPW）和四甲基氫氧化胺水溶液（）和四甲基氫氧化胺水溶液（TMAHWTMAHW）。）。 圖2-1、（100）硅片的各向異性( xin y xn)腐蝕頂視圖：剖

13、視圖：腐蝕(fsh)掩膜54.74whbw = h / tan54.74。 Si + H2O + 2KOH = K2SiO3 + 2H2 第20頁/共66頁第二十一頁，共67頁。三角形掩膜補(bǔ)償法三角形掩膜補(bǔ)償法條形掩膜補(bǔ)償法條形掩膜補(bǔ)償法第21頁/共66頁第二十二頁，共67頁。 三角形掩膜與條形掩膜的關(guān)系310dh1h2ab130010b/2dd = 1.2 +3.12H (m) (2-3) a = 3.78+9.83H-1.5b（m） (2-9)第22頁/共66頁第二十三頁，共67頁。2、電化學(xué)腐蝕、電化學(xué)腐蝕(fsh)電位（V）0.0-0.5-1.0-1.5四電極電化學(xué)腐蝕系統(tǒng)示意圖（圖中

14、NSi區(qū)域(qy)連通）采用四電極電化學(xué)腐蝕(fsh)技術(shù)加工的硅梁第23頁/共66頁第二十四頁，共67頁。3、高溫硅直接鍵合工藝、高溫硅直接鍵合工藝步驟步驟1、預(yù)處理：將兩拋光硅片先經(jīng)含、預(yù)處理：將兩拋光硅片先經(jīng)含OH 的溶液浸泡的溶液浸泡(jnpo)處理，然后烘干處理，然后烘干 ；步驟步驟2、預(yù)鍵合：在常溫下將兩硅片對(duì)準(zhǔn)貼合在一起；、預(yù)鍵合：在常溫下將兩硅片對(duì)準(zhǔn)貼合在一起；步驟步驟3、熱處理：加熱至、熱處理：加熱至500、800、1000C，形成高溫鍵合。，形成高溫鍵合。800C退火處理后水汽產(chǎn)生的氣孔鍵合完成后的紅外圖象第24頁/共66頁第二十五頁，共67頁。玻璃硅片加熱板- Vs+靜電

15、鍵合裝置4、靜電鍵合工藝、靜電鍵合工藝1、硅片清洗、烘干；、硅片清洗、烘干；2、射頻濺射、射頻濺射PbO玻璃薄膜，真空度玻璃薄膜，真空度10-6Torr，通氬氣和氧氣，玻璃，通氬氣和氧氣，玻璃膜厚度膜厚度1m；3、將鍍有玻璃膜的硅片與另一塊本體硅片對(duì)準(zhǔn)后壓緊，分別接電源、將鍍有玻璃膜的硅片與另一塊本體硅片對(duì)準(zhǔn)后壓緊，分別接電源負(fù)極負(fù)極(fj)和正極。在常溫下加和正極。在常溫下加50V直流電壓，時(shí)間直流電壓，時(shí)間10min。硅/玻璃膜界面的SEM圖象第25頁/共66頁第二十六頁，共67頁。常溫鍵合硅片剝開后的玻璃膜粘附現(xiàn)象第26頁/共66頁第二十七頁，共67頁。 硅表面硅表面(biomin)微加

16、工微加工第27頁/共66頁第二十八頁，共67頁。 LIGA技術(shù)技術(shù)同步同步(tngb)輻射輻射X光光刻光光刻 (Lithographie)+微電鑄微電鑄 (Galvanoformung)+微復(fù)制微復(fù)制 (Abformung)第28頁/共66頁第二十九頁，共67頁。3.2.3 MEMS觸覺傳感器 類皮膚型觸覺傳感器必須具備(jbi)的功能和特性：1、觸覺敏感能力，包括接觸覺、分布?jí)河X、力覺和滑覺；2、柔性接觸表面，以避免硬性碰撞和適應(yīng)不同形狀的表面；3、小巧的片狀外型，以利于安裝在機(jī)器人手爪上。第29頁/共66頁第三十頁，共67頁。壓阻元件與壓阻元件與應(yīng)變檢測電路應(yīng)變檢測電路模擬開關(guān)模擬開關(guān)熱敏

17、電阻熱敏電阻放大補(bǔ)償電路放大補(bǔ)償電路A/D計(jì)算機(jī)主板計(jì)算機(jī)主板D/A數(shù)據(jù)處理電路數(shù)據(jù)處理電路機(jī)器人控制器機(jī)器人控制器分布接觸力分布接觸力解碼器解碼器觸覺敏感陣列觸覺敏感陣列觸覺傳感器系統(tǒng)框圖觸覺傳感器系統(tǒng)框圖地址控制器地址控制器第30頁/共66頁第三十一頁，共67頁。未粘貼橡膠層的觸覺敏感陣列未粘貼橡膠層的觸覺敏感陣列橡膠層橡膠層傳力柱傳力柱基板基板保護(hù)陣列保護(hù)陣列金絲金絲外引線外引線 敏感單元敏感單元 中央凸臺(tái)中央凸臺(tái)敏感陣列結(jié)構(gòu)圖敏感陣列結(jié)構(gòu)圖觸覺敏感觸覺敏感(mngn)陣列陣列 第31頁/共66頁第三十二頁，共67頁。制作工藝制作工藝敏感芯片的制作敏感芯片的制作基本與微型三維力傳感器芯片

18、相同，但是應(yīng)在基本與微型三維力傳感器芯片相同，但是應(yīng)在采用離子注入摻雜工藝制作敏感電阻的同時(shí)采用離子注入摻雜工藝制作敏感電阻的同時(shí)(tngsh)，增加制作信號(hào)選通集成電路和，增加制作信號(hào)選通集成電路和Al連連線的相關(guān)工藝。線的相關(guān)工藝。 傳力陣列的制作傳力陣列的制作 傳力柱傳力柱A傳力柱傳力柱B邊框邊框A邊框邊框B邊框邊框B邊框邊框A懸臂梁懸臂梁A懸臂梁懸臂梁B梁厚控制梁厚控制V形槽形槽陣列分離槽陣列分離槽梁厚控制梁厚控制V形槽形槽傳力陣列剖面圖傳力陣列剖面圖第32頁/共66頁第三十三頁，共67頁。保護(hù)陣列的制作保護(hù)陣列的制作 1、準(zhǔn)備硅片。技術(shù)要求：（、準(zhǔn)備硅片。技術(shù)要求：（100）晶向，厚

19、度）晶向，厚度50015m，雙面拋光雙面拋光(pogung)，無錯(cuò)位，晶向偏差，無錯(cuò)位，晶向偏差1，平行度，平行度20m；2、熱氧化，生長、熱氧化，生長3000厚的氧化硅膜，作為腐蝕保護(hù)膜；厚的氧化硅膜，作為腐蝕保護(hù)膜；3、光刻過載保護(hù)淺坑和橫向通氣孔腐蝕窗口；、光刻過載保護(hù)淺坑和橫向通氣孔腐蝕窗口；4、各向異性腐蝕至、各向異性腐蝕至6m深。腐蝕條件：深。腐蝕條件：33%KOH溶液，溶液，76C，腐蝕速率，腐蝕速率1m/min；5、采用沙輪切片機(jī)切割分離各保護(hù)陣列芯片，清洗、烘、采用沙輪切片機(jī)切割分離各保護(hù)陣列芯片，清洗、烘干后備用。干后備用。傳感器組裝工藝傳感器組裝工藝 第33頁/共66頁第

20、三十四頁，共67頁。觸覺傳感器陣觸覺傳感器陣列 組 裝列 組 裝 ( z zhun)工藝工藝流程流程第34頁/共66頁第三十五頁，共67頁。信息信息(xnx)融合融合 線性單元線性單元(dnyun)解耦解耦力敏信號(hào)力敏信號(hào)(xnho)(xnho)觸覺圖象觸覺圖象人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)總總 力力摩擦系數(shù)對(duì)比摩擦系數(shù)對(duì)比閾值計(jì)算閾值計(jì)算單元力單元力滑動(dòng)狀態(tài)滑動(dòng)狀態(tài)接觸狀態(tài)接觸狀態(tài)觸覺信息處理觸覺信息處理流程圖流程圖第35頁/共66頁第三十六頁，共67頁。單元單元(dnyun)解耦解耦由觸覺敏感單元由觸覺敏感單元(dnyun)Eij得到的輸出信號(hào)得到的輸出信號(hào)Vij，通，通過線性解耦矩陣過線性解耦

21、矩陣Dij轉(zhuǎn)換成單元轉(zhuǎn)換成單元(dnyun)力力Fij。作用力中心作用力中心(zhngxn)位位置：置：第36頁/共66頁第三十七頁，共67頁。人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) ni1ni2ni96ni97no1no2nh32nh1nh1no3 Fx11Fy11Fz48T Fx Fy Fz反傳算法神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)反傳算法神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)隱神經(jīng)元隱神經(jīng)元nhl的輸出的輸出(shch)為為Vhl： 輸出輸出(shch)神經(jīng)元的輸出神經(jīng)元的輸出(shch)值：值： 第37頁/共66頁第三十八頁，共67頁?；瑒?dòng)狀態(tài)滑動(dòng)狀態(tài)(zhungti)判斷：判斷： , 靜止?fàn)顟B(tài)靜止?fàn)顟B(tài)，臨界狀態(tài)，臨界狀態(tài) ，滑動(dòng)狀態(tài)或即將滑動(dòng)，滑動(dòng)狀態(tài)

22、或即將滑動(dòng)0.85C,State0.850.75,0.75,將輸出值轉(zhuǎn)換成與各方向?qū)⑤敵鲋缔D(zhuǎn)換成與各方向(fngxing)力量程相對(duì)應(yīng)的三維力：力量程相對(duì)應(yīng)的三維力： 第38頁/共66頁第三十九頁，共67頁。實(shí)驗(yàn)結(jié)果實(shí)驗(yàn)結(jié)果1、觸覺、觸覺(chju)圖象與接觸覺圖象與接觸覺(chju) 鑰匙觸覺鑰匙觸覺(chju)圖象圖象砝碼砝碼(f m)觸覺圖象觸覺圖象第39頁/共66頁第四十頁，共67頁。力分布點(diǎn)陣圖力分布點(diǎn)陣圖照片照片力分布高度圖力分布高度圖螺母觸覺圖象螺母觸覺圖象第40頁/共66頁第四十一頁，共67頁。2、接觸、接觸(jich)總力和滑覺總力和滑覺 -10010203040506001

23、020304050FxFyFzFzba.單獨(dú)施加單獨(dú)施加FzFzFz (N)(N)輸 出輸 出力 （力 （N）施加力施加力第41頁/共66頁第四十二頁，共67頁。(N)Fx (N)b. 保持保持Fz為為50N時(shí)施加時(shí)施加FxFx-1001020304050600246810FxFyFzFxbFzb輸輸出出力力（N）施加力施加力第42頁/共66頁第四十三頁，共67頁。三維接觸總力標(biāo)定曲線（圖中三維接觸總力標(biāo)定曲線（圖中Fxb、Fyb、Fzb 為實(shí)際施加的力值，為實(shí)際施加的力值，F(xiàn)x、Fy、Fz為傳感器輸出的力值，輸出力與施加力之間的誤差放大了十倍。為傳感器輸出的力值，輸出力與施加力之間的誤差放大

24、了十倍。）(N)Fy (N)-1001020304050600246810FxFyFzFybFzbC.C.保持保持FzFz為為5050N N時(shí)施加時(shí)施加FyFy輸輸出出力力（N）施加力施加力第43頁/共66頁第四十四頁，共67頁。觸覺傳感器達(dá)到的主要性能與技術(shù)指標(biāo)為：觸覺傳感器達(dá)到的主要性能與技術(shù)指標(biāo)為： 敏感單元：敏感單元： 48 個(gè)個(gè) 敏感面積：敏感面積：1632 mm3 陣列尺寸：陣列尺寸： 20507 mm3 測力范圍：測力范圍： Fx、Fy: 10 N；Fz: 050 N 標(biāo)定精度：標(biāo)定精度： 2FS 觸覺閾值觸覺閾值(y zh)： 0.2 N 測力分辨力：測力分辨力： 0.1 N

25、滑覺輸出滑覺輸出: 未滑未滑=0、臨界、臨界=1、滑動(dòng)或即將滑動(dòng)、滑動(dòng)或即將滑動(dòng)=2 接觸覺輸出：未接觸接觸覺輸出：未接觸=0、接觸、接觸=1 響應(yīng)時(shí)間：響應(yīng)時(shí)間： 10 ms (其中敏感單元響應(yīng)其中敏感單元響應(yīng)ms，信號(hào)處理，信號(hào)處理8ms)第44頁/共66頁第四十五頁，共67頁。3.2.4 柔性觸覺傳感器研究目標(biāo)：針對(duì)機(jī)器人、特殊檢測、智能皮膚等應(yīng)用需求，將MEMS傳感器單元與柔性基板相結(jié)合，研究與開發(fā)出基于柔性襯底的MEMS傳感器陣列的關(guān)鍵加工技術(shù)，并研制(ynzh)出兩種分別含有三維觸覺傳感器和熱覺傳感器陣列的柔性智能皮膚，將目前的硅基微傳感器陣列從只能用于兩維平面測量拓展到能用于三維曲面測量。主要技術(shù)指標(biāo):(1) 硅島側(cè)壁垂直性：901。(2) 整個(gè)智能皮膚的可彎曲角度：大于90不斷裂。(3) 觸覺智能皮膚的觸覺分辨率為0.1N（X、Y、Z），硅島陣列密度為44。(4) 熱覺智能皮膚的溫度分辨率為0.1，硅島陣列密度為44第45頁/共66頁第四十六頁，共67頁。第46頁/共66頁第四十七頁，共67頁。第47頁/共66頁第四十八頁，共67頁。Bosch 腐蝕工藝：腐蝕工藝：使用氣體：使用氣體：SF6 and C4F8.