掃描電子顯微分析

1、掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡1 1掃描電子顯微鏡的工作原理及特點掃描電子顯微鏡的工作原理及特點 掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以描成像。試樣為塊狀或粉末顆粒，成像信號可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。是二次電子、背散射電子或吸收電子。 其中二次電子是最主要的成像信號。由電子其中二次電子是最主要的成像信號。由電子槍發(fā)射的能量為槍發(fā)射的能量為5 53535keVkeV的電子，以其交叉斑作的電子，以其交叉斑作為電

2、子源，經(jīng)二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有為電子源，經(jīng)二級聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子一定能量、一定束流強度和束斑直徑的微細電子束，在掃描線圈驅(qū)動下，于試樣表面按一定時間、束，在掃描線圈驅(qū)動下，于試樣表面按一定時間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。空間順序作柵網(wǎng)式掃描。 聚焦電子束與試聚焦電子束與試樣相互作用，產(chǎn)生二樣相互作用，產(chǎn)生二次電子發(fā)射（以及其次電子發(fā)射（以及其它物理信號），二次它物理信號），二次電子發(fā)射量隨試樣表電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次面形貌而變化。二次電子信號被探測器收電子信號被探測器收集轉(zhuǎn)換成電訊號，經(jīng)集轉(zhuǎn)換成電訊號，經(jīng)視頻放大后輸入到顯視頻

3、放大后輸入到顯像管柵極，調(diào)制與入像管柵極，調(diào)制與入射電子束同步掃描的射電子束同步掃描的顯像管亮度，得到反顯像管亮度，得到反映試樣表面形貌的二映試樣表面形貌的二次電子像。次電子像。 3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡掃描電鏡具有以下的特點：掃描電鏡具有以下的特點： （1 1）可以觀察直徑為）可以觀察直徑為0 03030mmmm的大塊試樣，制樣的大塊試樣，制樣方法簡單。方法簡單。 （2 2）場深大、三百倍于光學顯微鏡，適用于粗）場深大、三百倍于光學顯微鏡，適用于粗糙表面和斷口的分析觀察；圖像富有立體感、真實糙表面和斷口的分析觀察；圖像富

4、有立體感、真實感、易于識別和解釋。感、易于識別和解釋。 （3 3）放大倍數(shù)變化范圍大，一般為）放大倍數(shù)變化范圍大，一般為1515200000200000倍，最大可達倍，最大可達1010300000300000倍，對于多相、多組成的倍，對于多相、多組成的非均勻材料便于低倍下的普查和高倍下的觀察分析。非均勻材料便于低倍下的普查和高倍下的觀察分析。 （4 4）具有相當?shù)姆直媛?，一般為）具有相當?shù)姆直媛剩话銥? 36 6nmnm，最高最高可達可達2 2nmnm。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微

5、分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡 （5 5）可以通過電子學方法有效地控制和改善圖像的）可以通過電子學方法有效地控制和改善圖像的質(zhì)量。如通過質(zhì)量。如通過調(diào)制可改善圖像反差的寬容度，使圖調(diào)制可改善圖像反差的寬容度，使圖像各部分亮暗適中。采用雙放大倍數(shù)裝置或圖像選擇像各部分亮暗適中。采用雙放大倍數(shù)裝置或圖像選擇器，可在熒光屏上同時觀察不同放大倍數(shù)的圖像或不器，可在熒光屏上同時觀察不同放大倍數(shù)的圖像或不同形式的圖像。同形式的圖像。 （6 6）可進行多種功能的分析。與）可進行多種功能的分析。與X X射線譜儀配接，射線譜儀配接，可在觀察形貌的同時進行微區(qū)成分分析；配有光學顯可在觀察形貌

6、的同時進行微區(qū)成分分析；配有光學顯微鏡和單色儀等附件時，可觀察陰極熒光圖像和進行微鏡和單色儀等附件時，可觀察陰極熒光圖像和進行陰極熒光光譜分析等。陰極熒光光譜分析等。 （7 7）可使用加熱、冷卻和拉伸等樣品臺進行動態(tài)試）可使用加熱、冷卻和拉伸等樣品臺進行動態(tài)試驗，觀察在不同環(huán)境條件下的相變及形態(tài)變化等。驗，觀察在不同環(huán)境條件下的相變及形態(tài)變化等。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡2 2、掃描電鏡的主要、掃描電鏡的主要結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)電子光學系統(tǒng)電子光學系統(tǒng)電子槍電子槍聚光鏡（聚光鏡（第一、第一、 第二聚光鏡和物第二聚光鏡和物 鏡）鏡） 物鏡

7、光闌物鏡光闌掃描系統(tǒng)掃描系統(tǒng)掃描信號發(fā)生器掃描信號發(fā)生器掃描放大控制器掃描放大控制器掃描偏轉(zhuǎn)線圈掃描偏轉(zhuǎn)線圈3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡信號探測放大系統(tǒng)信號探測放大系統(tǒng) 用閃爍體計數(shù)系統(tǒng)探測二次電子、背散射電子等電用閃爍體計數(shù)系統(tǒng)探測二次電子、背散射電子等電子信號。閃爍體上加子信號。閃爍體上加1010kVkV高壓高壓探測二次電子探測二次電子，柵網(wǎng)加，柵網(wǎng)加+250+250V V探測背散射電子，柵網(wǎng)加探測背散射電子，柵網(wǎng)加-50-50

8、V V圖象顯示和記錄系統(tǒng)：顯象管、照相機等圖象顯示和記錄系統(tǒng)：顯象管、照相機等真空系統(tǒng)：真空度高于真空系統(tǒng)：真空度高于1010-4-4 TorrTorr電源系統(tǒng)電源系統(tǒng)3 3、掃描電鏡主要指標、掃描電鏡主要指標放大倍數(shù)放大倍數(shù): : M=L/lM=L/l分辨本領(lǐng)分辨本領(lǐng)5.5 5.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析5.5.15.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡4 4掃描電鏡的場深掃描電鏡的場深 掃描電鏡的場深是指電子束在試樣上掃描時，可掃描電鏡的場深是指電子束在試樣上掃描時，可獲得清晰圖像的深度范圍。當一束微細的電子束照射獲得清晰圖像的深度范圍。當一束微細的電子束照射在表面粗糙的試樣上時，

9、由于電子束有一定發(fā)散度，在表面粗糙的試樣上時，由于電子束有一定發(fā)散度，發(fā)散半角為發(fā)散半角為，除了焦平面處，電子束將展寬，設可除了焦平面處，電子束將展寬，設可獲得清晰圖像的束斑直徑為獲得清晰圖像的束斑直徑為d d，由圖中幾何關(guān)系可得：由圖中幾何關(guān)系可得：MDmmdMdtgdD2 . 0 2 . 0d 則，區(qū)分的最小距離時，即能的大小相當于熒光屏上若3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.13.5.1掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2

10、3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度1 1、掃描電鏡像的襯度、掃描電鏡像的襯度 掃描電鏡圖象的襯度是信號襯度，它可定義為：掃描電鏡圖象的襯度是信號襯度，它可定義為： 根據(jù)形成的依據(jù)，掃描電鏡的襯度可分為形貌襯根據(jù)形成的依據(jù)，掃描電鏡的襯度可分為形貌襯度、原子序數(shù)襯度和電壓襯度。度、原子序數(shù)襯度和電壓襯度。212iiiC形貌襯度形貌襯度 是由于試樣表是由于試樣表面形貌差異而形成面形貌差異而形成的襯度。利用對試的襯度。利用對試樣表面形貌變化敏樣表面形貌變化敏感的物理信號如二感的物理信號如二次電子、背散射電次電子、背散射電子等作為顯象管的子等作為顯象管的調(diào)制信號，可以得調(diào)制信號，可以

11、得到形貌襯度像。二到形貌襯度像。二次電子像的襯度是次電子像的襯度是最典型的形貌襯度。最典型的形貌襯度。原子序數(shù)襯度原子序數(shù)襯度 原子序數(shù)襯度是由原子序數(shù)襯度是由于試樣表面物質(zhì)原子序于試樣表面物質(zhì)原子序數(shù)（或化學成分）差別數(shù)（或化學成分）差別而形成的襯度。利用對而形成的襯度。利用對試樣表面原子序數(shù)（或試樣表面原子序數(shù)（或化學成分）變化敏感的化學成分）變化敏感的物理信號作為顯像管的物理信號作為顯像管的調(diào)制信號，可以得到原調(diào)制信號，可以得到原子序數(shù)襯度圖像。背散子序數(shù)襯度圖像。背散射電子像、吸收電子像射電子像、吸收電子像的襯度，都包含有原子的襯度，都包含有原子序數(shù)襯度，而特征序數(shù)襯度，而特征X X射

12、線射線像的襯度是原子序數(shù)襯像的襯度是原子序數(shù)襯度。度。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度電壓襯度電壓襯度 電壓襯度是由于試樣表面電位差別而形成的襯電壓襯度是由于試樣表面電位差別而形成的襯度。利用對試樣表面電位狀態(tài)敏感的信號，如二次度。利用對試樣表面電位狀態(tài)敏感的信號，如二次電子，作為顯像管的調(diào)制信號，可得到電壓襯度像。電子，作為顯像管的調(diào)制信號，可得到電壓襯度像。2 2、背散射電子像、背散射電子像 背散射電子背散射電子是由樣品反射出來的初次電子，其是由樣品反射出來的初次電子，其主要特點是：主要特點是：能量很高，有相當

13、部分接近入射電子能量能量很高，有相當部分接近入射電子能量E E0 0，在試在試樣中產(chǎn)生的范圍大，像的分辨率低。樣中產(chǎn)生的范圍大，像的分辨率低。背散射電子發(fā)射系數(shù)背散射電子發(fā)射系數(shù)=I=IB B/I/I0 0隨原子序數(shù)增大而增隨原子序數(shù)增大而增大（圖大（圖2-752-75）。）。作用體積隨入射束能量增加而增大，但發(fā)射系數(shù)變作用體積隨入射束能量增加而增大，但發(fā)射系數(shù)變化不大（圖化不大（圖2-752-75）。）。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電

14、鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度當試樣表面傾角增大時，作用體積改當試樣表面傾角增大時，作用體積改變，且顯著增加發(fā)射系數(shù)。變，且顯著增加發(fā)射系數(shù)。背散射電子在試樣上方有一定的角分背散射電子在試樣上方有一定的角分布。垂直入射時為余弦分布：布。垂直入射時為余弦分布： ()=()=0 0coscos 當試樣表面傾角增大時，由于電子當試樣表面傾角增大時，由于電子有向前散射的傾向，峰值前移。因有向前散射的傾向，峰值前移。因此電子探測器必須放在適當?shù)奈恢么穗娮犹綔y器必須放在適當?shù)奈恢貌拍芴綔y到較

15、高強度的電子信號。才能探測到較高強度的電子信號。 從上述的背散射電子特點可知，背散射電子從上述的背散射電子特點可知，背散射電子發(fā)射系數(shù)和試樣表面傾角以及試樣的原子序數(shù)二發(fā)射系數(shù)和試樣表面傾角以及試樣的原子序數(shù)二者有關(guān)，背散射電子信號中包含了試樣表面形貌者有關(guān)，背散射電子信號中包含了試樣表面形貌和原子序數(shù)信息，像的襯度既有形貌襯度，也有和原子序數(shù)信息，像的襯度既有形貌襯度，也有原子序數(shù)襯度，因此，可利用背散射電子像來研原子序數(shù)襯度，因此，可利用背散射電子像來研究樣品表面形貌和成分分布。究樣品表面形貌和成分分布。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及

16、其襯度掃描電鏡圖象及其襯度 背散射電子能量大，運動方向基本上不受弱電場背散射電子能量大，運動方向基本上不受弱電場的影響，沿直線前進。在用單個電子探測器探測時，的影響，沿直線前進。在用單個電子探測器探測時，只能探測到面向探測器的表面發(fā)射的背散射電子，如只能探測到面向探測器的表面發(fā)射的背散射電子，如圖圖2 27878a a，所成的像具有較重的陰影效應，使表面形所成的像具有較重的陰影效應，使表面形貌不能得到充分顯示（圖貌不能得到充分顯示（圖2 27979）。）。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微

17、分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度 加之背散射電子加之背散射電子像分辨率低，因此一像分辨率低，因此一般不用它來觀察表面般不用它來觀察表面形貌，而主要用來初形貌，而主要用來初步判斷試樣表面不同步判斷試樣表面不同原子序數(shù)成分的分布原子序數(shù)成分的分布狀況。狀況。 采用背散射電子采用背散射電子信號分離觀察的方法，信號分離觀察的方法，可分別得到只反映表可分別得到只反映表面形貌的形貌像和只面形貌的形貌像和只反映成分分布狀況的反映成分分布狀況的成分像。如圖成分像。如圖2-802-80所所示。示。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.

18、5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3 3、二次電子二次電子像像 二次電子是被入射電子轟出的試樣原子的核外電二次電子是被入射電子轟出的試樣原子的核外電子，其主要特點是：子，其主要特點是： （l l）能量小于能量小于5050eVeV，主要反映試樣表面主要反映試樣表面1010nmnm層內(nèi)層內(nèi)的狀態(tài)，成像分辨率高。的狀態(tài)，成像分辨率高。 （2 2）二次電子發(fā)射系數(shù)與入射束的能量有關(guān)。隨）二次電子發(fā)射系數(shù)與入射束的能量有關(guān)。隨著入射束能量增加，二次電子發(fā)射系數(shù)減小，見表著入射束能

19、量增加，二次電子發(fā)射系數(shù)減小，見表2 26 6。 （3 3） 二次電子發(fā)射系數(shù)和試樣表面傾角有如下二次電子發(fā)射系數(shù)和試樣表面傾角有如下關(guān)系：關(guān)系： ()=()=0 0/cos /cos （4 4）二次電子在試樣上方的角分布也服從余弦分二次電子在試樣上方的角分布也服從余弦分布，但與背散射電子不同的是二次電子在試樣傾斜時布，但與背散射電子不同的是二次電子在試樣傾斜時仍為余弦分布，見圖仍為余弦分布，見圖2-832-83。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度表表2-6 2-6 二次電子發(fā)射系數(shù)二次電子發(fā)射系數(shù)能量能量 元素元素

20、1010keVkeV3030keVkeV5050keVkeV鋁鋁0.400.400.100.100.050.05金金0.700.700.200.200.100.103.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度 根據(jù)二次電子的上述特點，二次電子像主要反根據(jù)二次電子的上述特點，二次電子像主要反映試樣表面的形貌特征。像的襯度是形貌襯度，襯映試樣表面的形貌特征。像的襯度是形貌襯度，襯度形成主要決定于試樣表面相對于入射電子束的傾度形成主要決定于試樣表面相對于入射電子束的傾角。試樣表面光滑平整（無形貌特征），傾斜放置角。試樣表面光滑平整（

21、無形貌特征），傾斜放置時的二次電子發(fā)射電流比水平放置時大（見圖時的二次電子發(fā)射電流比水平放置時大（見圖2 28383b b、a a），），但僅增加像的亮度而不形成襯度；但僅增加像的亮度而不形成襯度； 而對于表面有一定形貌的試樣（圖而對于表面有一定形貌的試樣（圖2 28484），其），其形貌可看成由許多不同傾斜程度的面構(gòu)成的凸尖、臺形貌可看成由許多不同傾斜程度的面構(gòu)成的凸尖、臺階、凹坑等細節(jié)組成，這些細節(jié)的不同部位發(fā)射的二階、凹坑等細節(jié)組成，這些細節(jié)的不同部位發(fā)射的二次電子數(shù)也不同，從而產(chǎn)生襯度。次電子數(shù)也不同，從而產(chǎn)生襯度。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2

22、 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度 由于二次電子能量小，用閃爍體探測器探測時，由于二次電子能量小，用閃爍體探測器探測時，只要在收集極上加只要在收集極上加250250V V正電壓，即可把二次電子吸引正電壓，即可把二次電子吸引過來，見圖過來，見圖2 27878b b，所以二次電子像沒有明顯的陰影所以二次電子像沒有明顯的陰影效應。效應。 從圖中可以看出，當探測器置于試樣上方時，探從圖中可以看出，當探測器置于試樣上方時，探測器也能接收一部分背散射電子，在這種情況下，二測器也能接收一部

23、分背散射電子，在這種情況下，二次電子像中也包含一部分背散射電子信息。次電子像中也包含一部分背散射電子信息。 圖圖2 28585為與圖為與圖2 27979同一區(qū)域的二次電子像。二同一區(qū)域的二次電子像。二次電子像分辨率高、無明顯陰影效應、場深大、立體次電子像分辨率高、無明顯陰影效應、場深大、立體感強，是掃描電鏡的主要成像方式，它特別適用于粗感強，是掃描電鏡的主要成像方式，它特別適用于粗糙表面及斷口的糙表面及斷口的形貌觀察形貌觀察，在材料科學中得到廣泛的，在材料科學中得到廣泛的應用。應用。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯度掃描電鏡圖象及其襯度

24、 4吸收電子像吸收電子像 當電子束照射在試樣上時，如果不存在試樣表當電子束照射在試樣上時，如果不存在試樣表面的電荷積累，則進入試樣的電流應等于離開試樣面的電荷積累，則進入試樣的電流應等于離開試樣的電流。進入試樣的電流為入射電子電流的電流。進入試樣的電流為入射電子電流I I0 0，離開試離開試樣的電流為背散射電子電流樣的電流為背散射電子電流I IB B，二次電子電流二次電子電流I IS S，透透射電子電流射電子電流I IT T，和吸收電子電流（吸收電流或稱試樣和吸收電子電流（吸收電流或稱試樣電流）電流）I IA A（式式2 23535）。對于厚試樣，）。對于厚試樣，I IT T0 0，則有：則有

25、： I I0 0= I= IB B + I+ IS S + I+ IA A 在相同條件下，背散射電子發(fā)射系數(shù)在相同條件下，背散射電子發(fā)射系數(shù)比二次比二次電子發(fā)射系數(shù)電子發(fā)射系數(shù)大得多，現(xiàn)假設二次電子電流大得多，現(xiàn)假設二次電子電流I I0 0C C為一常數(shù)，則吸收電流與背散射電子電流存在互補為一常數(shù)，則吸收電流與背散射電子電流存在互補關(guān)系，即：關(guān)系，即： I IA A = = （I I0 0 ）I IB B。因此可以說吸因此可以說吸收電子和背散射電子反映試樣相同的信息。收電子和背散射電子反映試樣相同的信息。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡圖象及其襯

26、度掃描電鏡圖象及其襯度3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡試樣制備掃描電鏡試樣制備 1 1對試樣的要求對試樣的要求 試樣可以是塊狀或粉末顆粒，在真空中能保持試樣可以是塊狀或粉末顆粒，在真空中能保持穩(wěn)定，含有水分的試樣應先烘干除去水分。表面受穩(wěn)定，含有水分的試樣應先烘干除去水分。表面受到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的前提下進行適當清洗，然后烘干。進行適當清洗，然后烘干。 新斷開的斷口或斷面，一般不需要進行處理，新斷開的斷口或斷面，一般不需要進行處理，以免破壞斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。有些試樣的表面、以免破壞

27、斷口或表面的結(jié)構(gòu)狀態(tài)。有些試樣的表面、斷口需要進行適當?shù)那治g，才能暴露某些結(jié)構(gòu)細節(jié)，斷口需要進行適當?shù)那治g，才能暴露某些結(jié)構(gòu)細節(jié)，則在侵蝕后應將表面或斷口清洗干凈，然后烘干。則在侵蝕后應將表面或斷口清洗干凈，然后烘干。 對磁性試樣要預先去磁，以免觀察時電子束受對磁性試樣要預先去磁，以免觀察時電子束受到磁場的影響。到磁場的影響。 2 2塊狀試樣塊狀試樣 掃描電鏡的試樣制備是比較簡便的。對于塊狀導掃描電鏡的試樣制備是比較簡便的。對于塊狀導電材料，除了大小要適合儀器樣品座尺寸外，基本上電材料，除了大小要適合儀器樣品座尺寸外，基本上不需要進行什么制備，用導電膠把試樣粘結(jié)在樣品座不需要進行什么制備，用導

28、電膠把試樣粘結(jié)在樣品座上，即可放在掃描電鏡中觀察。對于塊狀的非導電或上，即可放在掃描電鏡中觀察。對于塊狀的非導電或?qū)щ娦暂^差的材料，要先進行鍍膜處理，在材料表面導電性較差的材料，要先進行鍍膜處理，在材料表面形成一層導電膜。以避免電荷積累，影響圖象質(zhì)量。形成一層導電膜。以避免電荷積累，影響圖象質(zhì)量。并可防止試樣的熱損傷。并可防止試樣的熱損傷。3.5 3.5 掃描電子顯微分析掃描電子顯微分析3.5.2 3.5.2 掃描電鏡試樣制備掃描電鏡試樣制備 試樣大小要適合儀器專用樣品座的尺寸，不能過試樣大小要適合儀器專用樣品座的尺寸，不能過大，樣品座尺寸各儀器不均相同，一般小的樣品座為大，樣品座尺寸各儀器不均相同，一般小的樣品座為335mm5mm，大的樣品座為大的樣品座為303050mm50mm，以分別用來放以分別用來放置不同大小的試樣，樣品的高度也有一定的限制，一置不同大小的試樣，樣品的高度也有一定的限制，一般在般在 5