第7章半導體存儲器

1、1第第7章章 半導體存儲器半導體存儲器7.1 概述概述半導體存儲器半導體存儲器: :用集成工藝制成，用集成工藝制成，以半導體器件為基本存儲單元，以半導體器件為基本存儲單元，每一個存儲單元對應唯一的地址代碼，每一個存儲單元對應唯一的地址代碼，可以用來存放一位或多位二進制信息?？梢杂脕泶娣乓晃换蚨辔欢M制信息。 2半導體存儲器主要分為半導體存儲器主要分為:只讀存儲器（只讀存儲器（ROM: Read Only Memory)隨機存儲器隨機存儲器 (RAM：Random Access Memory)兩者的區(qū)別兩者的區(qū)別:只讀存儲器只讀存儲器:可讀、可寫的存儲器，可讀、可寫的存儲器，可以隨機的寫入或讀出

2、數(shù)據(jù)，可以隨機的寫入或讀出數(shù)據(jù)，用于存放一些臨時性的數(shù)據(jù)；用于存放一些臨時性的數(shù)據(jù)；3隨機存儲器隨機存儲器:反復讀取所存儲的內(nèi)容，反復讀取所存儲的內(nèi)容，但不能隨意更改，但不能隨意更改，常用來存放永久性的、不變的信息。常用來存放永久性的、不變的信息。47.2 半導體存儲器基礎半導體存儲器基礎7.2.1 7.2.1 半導體存儲器的分類半導體存儲器的分類按照半導體制造工藝可分為按照半導體制造工藝可分為: :雙極型雙極型MOSMOS型型5雙極型半導體存儲器雙極型半導體存儲器:以雙極型觸發(fā)器為基本存儲單元，以雙極型觸發(fā)器為基本存儲單元，訪問速度快，訪問速度快，功耗較大、價格較高、工藝復雜，功耗較大、價格

3、較高、工藝復雜，主要用于大容量存儲系統(tǒng)中（如在計算機主要用于大容量存儲系統(tǒng)中（如在計算機中用做主存儲器）。中用做主存儲器）。6MOS型半導體存儲器型半導體存儲器:采用采用MOS工藝制造，工藝制造，以以 MOS觸發(fā)器或電荷存儲結(jié)構(gòu)為基本存儲觸發(fā)器或電荷存儲結(jié)構(gòu)為基本存儲單元，單元，相比雙極型存儲器而言，相比雙極型存儲器而言，功耗低、集成度高、成本低，功耗低、集成度高、成本低，但速度比雙極型存儲器慢。但速度比雙極型存儲器慢。7存儲器按應用角度可分為存儲器按應用角度可分為: :隨機存儲器隨機存儲器RAM只讀存儲器只讀存儲器ROMRAM:可讀、可寫的存儲器，用于存放一些臨時性的數(shù)據(jù)?？勺x、可寫的存儲器

4、，用于存放一些臨時性的數(shù)據(jù)。優(yōu)點優(yōu)點:讀寫方便，使用靈活。讀寫方便，使用靈活。缺點：缺點：斷電后，存儲的數(shù)據(jù)會丟失，斷電后，存儲的數(shù)據(jù)會丟失，稱為：易失性存儲器。稱為：易失性存儲器。 8按存儲原理不同按存儲原理不同RAM包括包括:靜態(tài)存儲器（靜態(tài)存儲器（SRAM：Static Random Access Memory）動態(tài)存儲器（動態(tài)存儲器（DRAM ：Dynamic Random Access Memory）DRAM結(jié)構(gòu)簡單、集成度高、速度慢，結(jié)構(gòu)簡單、集成度高、速度慢，SRAM則恰好相反。則恰好相反。9ROM常用來存放永久性的、不變的信息，常用來存放永久性的、不變的信息，內(nèi)容只能隨機讀出而

5、不能寫入，內(nèi)容只能隨機讀出而不能寫入，斷電后信息不會像斷電后信息不會像RAM一樣丟失。一樣丟失。稱為：稱為：非易失性存儲器。非易失性存儲器。 107.2.2 半導體存儲器的主要技術(shù)指標半導體存儲器的主要技術(shù)指標1. 存儲容量存儲容量存儲容量存儲容量:存儲器能夠容納的二進制信息的多少。存儲器能夠容納的二進制信息的多少。存儲器中的一個基本存儲單元能存儲存儲器中的一個基本存儲單元能存儲1個個bit的信息，的信息，可以存入一個可以存入一個0或一個或一個1，存儲容量就是存儲器所包含的基本存儲單存儲容量就是存儲器所包含的基本存儲單元的總數(shù)。元的總數(shù)。 112. 存取時間存取時間存取時間存取時間:存儲器完成

6、一次數(shù)據(jù)存取所用的平均時間存儲器完成一次數(shù)據(jù)存取所用的平均時間通常用讀通常用讀(或?qū)懟驅(qū)?周期來描述，即連續(xù)兩次讀?。ɑ蛑芷趤砻枋?，即連續(xù)兩次讀?。ɑ?qū)懭耄┎僮魉g隔的最短時間。寫入）操作所間隔的最短時間。該技術(shù)指標反映了存儲器的工作速度。該技術(shù)指標反映了存儲器的工作速度。注意注意:存取時間和存儲周期（連續(xù)啟動兩次讀操作所需間存取時間和存儲周期（連續(xù)啟動兩次讀操作所需間隔的最小時間）嚴格意義上來說是不一樣的，隔的最小時間）嚴格意義上來說是不一樣的，通常存儲周期略大于存取時間。通常存儲周期略大于存取時間。123. 功耗功耗存儲器功耗存儲器功耗:存儲器在正常工作時所消耗的電功率。存儲器在正常工作時

7、所消耗的電功率。反映了存儲器耗電的多少，同時也反映了其發(fā)熱的反映了存儲器耗電的多少，同時也反映了其發(fā)熱的程度。程度。功耗和存取速度有關(guān)功耗和存取速度有關(guān)存取速度越快，功耗也越大。存取速度越快，功耗也越大。在保證存取速度前提下，存儲器的功耗越小越好。在保證存取速度前提下，存儲器的功耗越小越好。 134. 可靠性可靠性可靠性可靠性:存儲器對對周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能存儲器對對周圍電磁場、溫度和濕度等的抗干擾能力。力。存儲器的可靠性：存儲器的可靠性：用平均故障間隔時間用平均故障間隔時間(MTBF：Mean Time Between Failures)來衡量。來衡量。MTBF：兩次故障之間的

8、平均時間間隔。兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，可靠性越高，存儲器正常工作能力越越長，可靠性越高，存儲器正常工作能力越強。強。 147.3 只讀存儲器（只讀存儲器（ROM）只讀存儲器內(nèi)部存儲的信息通常由生產(chǎn)廠家用掩膜只讀存儲器內(nèi)部存儲的信息通常由生產(chǎn)廠家用掩膜光刻的方法生產(chǎn)出來，光刻的方法生產(chǎn)出來，在正常工作狀態(tài)下只能從中讀取數(shù)據(jù)，在正常工作狀態(tài)下只能從中讀取數(shù)據(jù)，不能快速地隨時修改或重新寫入數(shù)據(jù)。不能快速地隨時修改或重新寫入數(shù)據(jù)。只讀存儲器按照數(shù)據(jù)寫入方式特點不同，只讀存儲器按照數(shù)據(jù)寫入方式特點不同，可以分為可以分為:固定固定ROM可編程可編程ROM157.3.1固定固定ROM固定固

9、定ROM的內(nèi)容的內(nèi)容:由生產(chǎn)廠家按用戶要求在生產(chǎn)過程中寫入由生產(chǎn)廠家按用戶要求在生產(chǎn)過程中寫入芯片，但寫入后不能修改。芯片，但寫入后不能修改。固定固定ROM主要由：主要由：地址譯碼器和存儲陣列兩部分組成。地址譯碼器和存儲陣列兩部分組成。16地址輸入線地址輸入線 譯碼輸出線（字線）譯碼輸出線（字線） 數(shù)據(jù)輸出線（位線）數(shù)據(jù)輸出線（位線）存儲容量存儲容量 17ROM的工作原理的工作原理 真值表真值表 18真值表真值表 對應的表達式對應的表達式 輸出與地址譯碼器輸出端字線以及地址譯輸出與地址譯碼器輸出端字線以及地址譯碼器輸入的邏輯關(guān)系為碼器輸入的邏輯關(guān)系為010WA A011AAW 012AAW 3

10、10WA A3130DWWA202301+DWWWAA112310+DWWWAA0020DWWA19這這4條字線和條字線和4條位線，共有條位線，共有16個交叉點，個交叉點，每個交叉點即是一個存儲單元，共有每個交叉點即是一個存儲單元，共有44=16個存儲單元。個存儲單元。當交叉點處接有二極管時，表示該單元相當交叉點處接有二極管時，表示該單元相當于存儲當于存儲1信息。信息。交叉點處沒有二極管時交叉點處沒有二極管時, 表示該單元相當于表示該單元相當于存存0信息。信息。 20輸出端的三態(tài)門作為緩沖器，輸出端的三態(tài)門作為緩沖器，通過使能端實現(xiàn)對輸出的三態(tài)控制，通過使能端實現(xiàn)對輸出的三態(tài)控制，作用：作用：

11、提高帶負載能力，提高帶負載能力，將輸出的高、低電平變換為標準的邏輯電將輸出的高、低電平變換為標準的邏輯電平。平。217.3.2可編程可編程ROM 為了提高為了提高ROM使用的靈活性，使用的靈活性，采用：采用：內(nèi)容可以由用戶來定義的內(nèi)容可以由用戶來定義的ROM 產(chǎn)品，產(chǎn)品，使使ROM在使用中具有可編程性。在使用中具有可編程性。滿足這種要求的器件稱為滿足這種要求的器件稱為:可編程只讀存儲器?？删幊讨蛔x存儲器。 221.一次性可編程一次性可編程ROM一次性可編程一次性可編程ROM （PROM ：Programmable Read Only Memory）：）：在固定在固定ROM基礎上發(fā)展起來的，基礎

12、上發(fā)展起來的，總體結(jié)構(gòu)與固定總體結(jié)構(gòu)與固定ROM類似，類似，不同的是存儲單元和輸出電路。不同的是存儲單元和輸出電路。PROM可以分為可以分為:熔絲型和結(jié)破壞型。熔絲型和結(jié)破壞型。只能編程一次。只能編程一次。23熔絲型熔絲型PROM的存儲矩陣結(jié)構(gòu)示意圖的存儲矩陣結(jié)構(gòu)示意圖每個存儲單元由一個每個存儲單元由一個MOS 管和一根熔絲組管和一根熔絲組成，成，出廠時，每一根熔絲都出廠時，每一根熔絲都與位線相連，與位線相連，熔絲用熔點很低的合金熔絲用熔點很低的合金或很細的多晶硅導線制或很細的多晶硅導線制成。成。 24當熔絲沒有熔斷時，當熔絲沒有熔斷時，被字線選中的被字線選中的MOS 管處于導通狀態(tài)，管處于導

13、通狀態(tài)，使位線處于低電平，使位線處于低電平，再經(jīng)輸出緩沖器反相后，輸出高電平，再經(jīng)輸出緩沖器反相后，輸出高電平，存儲單元相當于存存儲單元相當于存“1”；25當熔絲熔斷時，當熔絲熔斷時，MOS管處于截止狀態(tài)，管處于截止狀態(tài)，使位線處于高電平，使位線處于高電平，輸出緩沖器反相后輸出低電平，輸出緩沖器反相后輸出低電平，存儲單元相當于存存儲單元相當于存“0”。26用戶在使用時只需根據(jù)程序的需要，用戶在使用時只需根據(jù)程序的需要，利用編程寫入器對選中的基本存儲電路通利用編程寫入器對選中的基本存儲電路通以合適的電流，將熔絲燒斷即可。以合適的電流，將熔絲燒斷即可。注意：注意：熔絲一旦熔斷，不可恢復。熔絲一旦熔

14、斷，不可恢復。 27結(jié)破壞型結(jié)破壞型PROM 結(jié)破壞型結(jié)破壞型PROM的存儲單的存儲單元元由一對二極管組成由一對二極管組成正常工作時，這對二極管處正常工作時，這對二極管處于截止狀態(tài)，于截止狀態(tài)，存儲的信息為存儲的信息為“0”，未編程的結(jié)破壞型未編程的結(jié)破壞型PROM存儲的信息為全存儲的信息為全“0”。28用戶在使用時只需根據(jù)程序的需要，用戶在使用時只需根據(jù)程序的需要，對于需要寫入對于需要寫入“1”的存儲單元，的存儲單元，在其位線加以在其位線加以100mA150mA電流將相應存電流將相應存儲單元的反接二極管的儲單元的反接二極管的PN結(jié)擊穿短路即可。結(jié)擊穿短路即可。29為了便于研究工作，為了便于研

15、究工作，實現(xiàn)各種實現(xiàn)各種ROM程序方案，程序方案，克服一次性編程的局限性，克服一次性編程的局限性，必須制造可反復寫入和擦除數(shù)據(jù)的必須制造可反復寫入和擦除數(shù)據(jù)的ROM 產(chǎn)產(chǎn)品：品：可擦除的可編程只讀存儲器，可擦除的可編程只讀存儲器，物理結(jié)構(gòu)上是物理結(jié)構(gòu)上是MOS型結(jié)構(gòu)。型結(jié)構(gòu)。 30根據(jù)擦除芯片內(nèi)已有信息的方法不同，根據(jù)擦除芯片內(nèi)已有信息的方法不同，可擦除、可再編程可擦除、可再編程ROM可分為可分為:紫外線擦除紫外線擦除PROM電擦除電擦除PROM快閃存儲器快閃存儲器 312. 紫外線擦除紫外線擦除PROM 紫外線擦除紫外線擦除PROM (EPROM：Erasable Programmable

16、Read Only Memory)一種可以進行多次擦除和改寫操作的一種可以進行多次擦除和改寫操作的ROM與與 PROM 的總體結(jié)構(gòu)相似，只是采用了不的總體結(jié)構(gòu)相似，只是采用了不同的存儲單元。同的存儲單元。 32EPROM 芯片封裝出廠時所有存儲單元的浮柵均無芯片封裝出廠時所有存儲單元的浮柵均無電荷，可認為全部存儲了電荷，可認為全部存儲了“1”。用戶需編程時，必須在用戶需編程時，必須在 SIMOS 管的漏級和源級之管的漏級和源級之間加上較高的電壓（約間加上較高的電壓（約 25V），），同時在控制柵上加高壓正脈沖（同時在控制柵上加高壓正脈沖（50ms寬的寬的25V正脈正脈沖），沖），就能夠向浮置柵

17、注入電荷，相當于向存儲單元寫入就能夠向浮置柵注入電荷，相當于向存儲單元寫入“0”。原來沒有注入電荷的浮柵仍然存儲信息原來沒有注入電荷的浮柵仍然存儲信息“1”。 33常用的常用的EPROM集成片有集成片有:2716（2K8位）、位）、2732（4K8位）、位）、2764（8K8位）、位）、27128（16K8位）等。位）等。存儲單元都采用了存儲單元都采用了 SIMOS 管，電路結(jié)構(gòu)相管，電路結(jié)構(gòu)相同，僅僅是存儲容量有差別。同，僅僅是存儲容量有差別。 343電擦除電擦除PROM (E2PROM：Electrically Erasable Programmable ROM)EPROM必須使用紫外線來

18、擦除存儲的信息，必須使用紫外線來擦除存儲的信息，并且是對整個芯片進行的，并且是對整個芯片進行的，不能只擦除個別單元或個別位，不能只擦除個別單元或個別位，擦除時間較長，擦除時間較長，且擦寫均需離線操作，使用起來不方便。且擦寫均需離線操作，使用起來不方便。 35E2PROM采用金屬采用金屬氮氮氧化硅氧化硅(MNOS)工藝生產(chǎn)，工藝生產(chǎn)，不要借助紫外線照射，不要借助紫外線照射，只需在高電壓脈沖或在工作電壓下就可以進行擦除。只需在高電壓脈沖或在工作電壓下就可以進行擦除。具有對單個存儲單元在線編程的能力，具有對單個存儲單元在線編程的能力，芯片封裝簡單，對硬件線路沒有特殊要求，操作簡芯片封裝簡單，對硬件線

19、路沒有特殊要求，操作簡便，信息存儲時間長，便，信息存儲時間長，給需要經(jīng)常修改程序和參數(shù)的應用場合帶來了極大給需要經(jīng)常修改程序和參數(shù)的應用場合帶來了極大的方便。的方便。 36E2PROM集成芯片在內(nèi)部設置了升壓電路，集成芯片在內(nèi)部設置了升壓電路，擦、寫、讀都可在擦、寫、讀都可在+5V 電源下進行，不需要編程器，電源下進行，不需要編程器，改寫改寫E2PROM的內(nèi)容非常方便，的內(nèi)容非常方便，可以在線編程，擦寫共需時間在幾百納秒到幾十毫可以在線編程，擦寫共需時間在幾百納秒到幾十毫秒之間，秒之間，存儲內(nèi)容的保存時間達存儲內(nèi)容的保存時間達20年以上，改寫次數(shù)高達年以上，改寫次數(shù)高達1萬次以上。萬次以上。3

20、74. 快閃存儲器快閃存儲器 快閃存儲器（快閃存儲器（Flash Memory）新一代電信號擦除的可編程新一代電信號擦除的可編程ROM。既吸收了既吸收了EPROM結(jié)構(gòu)簡單、編程可靠的優(yōu)結(jié)構(gòu)簡單、編程可靠的優(yōu)點，點，又保留了又保留了E2PROM的隧道效應擦除的快捷的隧道效應擦除的快捷特性，特性，具有集成度高、容量大、成本低和使用方具有集成度高、容量大、成本低和使用方便等特點。便等特點。 38具有具有:集成度高、容量大、成本低、使用方便等集成度高、容量大、成本低、使用方便等優(yōu)點優(yōu)點;應用日益廣泛應用日益廣泛如用于數(shù)碼相機、如用于數(shù)碼相機、MP3、數(shù)字式錄音機等。、數(shù)字式錄音機等。397.3.3 R

21、OM的應用的應用ROM的地址譯碼器是：的地址譯碼器是：與邏輯陣列與邏輯陣列位線與字線間的邏輯關(guān)系是：位線與字線間的邏輯關(guān)系是：或邏輯關(guān)系或邏輯關(guān)系位線與地址碼之間是：位線與地址碼之間是：與或邏輯關(guān)系與或邏輯關(guān)系最小項譯碼器相當一個：最小項譯碼器相當一個：與矩陣與矩陣ROM矩陣相當一個：矩陣相當一個：或矩陣或矩陣整個存儲器整個存儲器ROM是：是：一個與陣列加上一個一個與陣列加上一個或陣列組成或陣列組成40輸入為兩變量的固定輸入為兩變量的固定ROM的陣列圖的陣列圖41可以用可以用ROM實現(xiàn)任何組合邏輯函數(shù)實現(xiàn)任何組合邏輯函數(shù)列出該函數(shù)的真值表，列出該函數(shù)的真值表，以最小項相或的原則，以最小項相或的

22、原則，直接畫出存儲矩陣的陣列圖。直接畫出存儲矩陣的陣列圖。 42通常用通常用ROM實現(xiàn)邏輯函數(shù)的步驟：實現(xiàn)邏輯函數(shù)的步驟：（1）根據(jù)邏輯函數(shù)的輸入、輸出變量個數(shù)確）根據(jù)邏輯函數(shù)的輸入、輸出變量個數(shù)確定合適的定合適的ROM芯片；芯片；（2）列出真值表或卡諾圖；）列出真值表或卡諾圖；（3）對）對ROM進行編程，畫出陣列圖。進行編程，畫出陣列圖。43例例7-1試用試用PROM將將4位二進制碼位二進制碼B3B2B1B0轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換成循環(huán)碼換成循環(huán)碼G3G2G1G0。解解：(1) 選擇選擇164位的位的PROM實現(xiàn)碼型轉(zhuǎn)換，未編實現(xiàn)碼型轉(zhuǎn)換，未編程的程的164位的位的PROM。44(2) 列出二進制碼轉(zhuǎn)換成循

23、環(huán)碼的真值表列出二進制碼轉(zhuǎn)換成循環(huán)碼的真值表45(3) 畫出編程后的陣列圖畫出編程后的陣列圖 46例例7-2試用試用ROM設計全加器。設計全加器。 解：解：(1) 選擇選擇83位的位的PROM實現(xiàn)全加器。實現(xiàn)全加器。(2) 列出全加器的真值表列出全加器的真值表 47（3）畫出編程后的陣列圖）畫出編程后的陣列圖 487.4隨機存取存儲器（隨機存取存儲器（RAM）隨機存取存儲器隨機存取存儲器RAM與與ROM不同，不同，可以隨機地寫入或讀出數(shù)據(jù)，可以隨機地寫入或讀出數(shù)據(jù)，優(yōu)點優(yōu)點:讀、寫方便，使用靈活，讀、寫方便，使用靈活，缺點缺點:一旦斷電以后所存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。一旦斷電以后所存儲的數(shù)據(jù)就會丟失

24、。在計算機中主要用來存放在計算機中主要用來存放:用戶程序、計算用戶程序、計算的中間結(jié)果以及與外存交換信息。的中間結(jié)果以及與外存交換信息。497.4.1 RAM的結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)RAM主要由存儲矩陣、地址譯碼器和讀主要由存儲矩陣、地址譯碼器和讀/寫控制電寫控制電路（路（I/O電路）三部分組成。電路）三部分組成。存儲矩陣存儲矩陣是存儲器的主體，是存儲器的主體，另外兩部分稱為另外兩部分稱為:存儲器的外圍電路。存儲器的外圍電路。 501. 存儲矩陣存儲矩陣 RAM的存儲矩陣的存儲矩陣:是存儲單元的集合體。是存儲單元的集合體。存儲矩陣：存儲矩陣：存儲器中存儲信息的部分，存儲器中存儲信息的部分，由大量的基本存儲

25、單元組成。由大量的基本存儲單元組成。每個存儲單元能存放一位二進制信息（每個存儲單元能存放一位二進制信息（1或或0），），在讀寫電路的控制下，可以寫入信息也可在讀寫電路的控制下，可以寫入信息也可以讀出所存儲的數(shù)據(jù)。以讀出所存儲的數(shù)據(jù)。51存儲矩陣中存儲單元排列成矩陣的形式，存儲矩陣中存儲單元排列成矩陣的形式，通常由若干個存儲單元構(gòu)成一個字，通常由若干個存儲單元構(gòu)成一個字，每個字具有一個唯一的地址（為了便于信每個字具有一個唯一的地址（為了便于信息的存取，給同一存儲體內(nèi)的每個存儲單息的存取，給同一存儲體內(nèi)的每個存儲單元賦予一個惟一的編號，該編號就是存儲元賦予一個惟一的編號，該編號就是存儲單元的地址）

26、。單元的地址）。52對于容量為對于容量為2n個存儲單元的存儲矩陣，個存儲單元的存儲矩陣，需要需要n條地址線對其進行編址。條地址線對其進行編址。若每個單元存放若每個單元存放N位信息，位信息，則需要則需要N條數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)，條數(shù)據(jù)線傳送數(shù)據(jù)，芯片的存儲容量就可以表示為芯片的存儲容量就可以表示為2nN位。位。532. 地址譯碼器地址譯碼器存儲矩陣中的每一個字單元均有唯一地址。存儲矩陣中的每一個字單元均有唯一地址。字單元的地址字單元的地址:是用二進制代碼來表示的，稱為地是用二進制代碼來表示的，稱為地址碼。址碼。RAM中的地址譯碼器對地址總線發(fā)來的位地址信中的地址譯碼器對地址總線發(fā)來的位地址信號進行譯碼

27、，號進行譯碼，經(jīng)譯碼產(chǎn)生的選擇信號可以唯一地選中存儲體中的經(jīng)譯碼產(chǎn)生的選擇信號可以唯一地選中存儲體中的某一存儲單元，某一存儲單元，在讀在讀/寫控制電路的控制下可對該單元進行讀寫控制電路的控制下可對該單元進行讀/寫操寫操作。作。54存儲器中的地址譯碼主要有兩種方式存儲器中的地址譯碼主要有兩種方式:單譯碼方式單譯碼方式雙譯碼方式雙譯碼方式單譯碼方式單譯碼方式:只用一個譯碼電路對所有地址信息進行譯只用一個譯碼電路對所有地址信息進行譯碼，碼，一根譯碼輸出選擇線對應一個存儲單元。一根譯碼輸出選擇線對應一個存儲單元。 55單譯碼方式比較簡單，但是只適用于小容單譯碼方式比較簡單，但是只適用于小容量的量的RAM，當存儲器的存儲容量很大時，當存儲器的存儲容量很大時，應該選擇雙譯碼方式（把位地址線分成兩應該選擇雙譯碼方式（把位地址線分成兩部分，部分，產(chǎn)生一組行選擇線和一組列選擇線分別進產(chǎn)生一組行選擇線和一組列選擇線分別進行譯碼）。行譯碼）。 56雙譯碼方式雙譯碼方式 573. 讀讀/寫控制電路寫控制電路讀讀/寫控制電路主要包括讀寫控制信號、輸寫控制電路主要包括讀寫控制信號、輸入入輸