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1、24V3000WDC-DC電源設(shè)計(jì)方案1、設(shè)計(jì)需求根據(jù)要求,所設(shè)計(jì)的電源指標(biāo)如下輸入電壓450V650VDC輸出電壓24VDC輸出電流125A輸出功率3000W2、總體方案根據(jù)設(shè)計(jì)需求,電源為大功率電源,功率為3000W。首先需要選擇電源拓?fù)?。全橋式變換器開(kāi)關(guān)電源輸出功率很大,工作效率很高。并且開(kāi)關(guān)管的耐壓選擇就是母線電壓,并且母線電壓最高為650V,耐壓更高的MOS管價(jià)格高且導(dǎo)通電阻大,不3、全橋驅(qū)動(dòng)MOS管選擇對(duì)于全橋而言,驅(qū)動(dòng)MOS管的最高耐壓為650V,選取MOS管的耐壓為800V即可。英飛凌公司的SPW55N80C3可滿足要求,參數(shù)如下。ParameterValueUnitVDS5T
2、jmax850VRDS(on),max0.085QQgtyp288nCIDpulse150AEoss400V21.5pjBodydiodedi/dt100A/ps若電源效率95%,輸入最大電流為7.01A電流,控制最大占空比98%而言,單個(gè)MOS管的損耗為4.17W,但是每個(gè)MOS管只承載1/2的功率,四個(gè)MOS管的導(dǎo)通損耗為8.34W。4、輸出整流管的選擇輸出功率3000V24V,電流為125A,如果輸出采用普通二極管整流,那么流過(guò)二極管的電流為125A,假如二極管的電壓降為1V,那么就有125W的功率損耗,所以在輸出級(jí)需采用同步整流方案。英飛凌公司的IRFP4468PbF參數(shù)如下:DSS1
3、00VRos(on)typ-max.2.0mQ2.6mQd(SiliconLimited)290A怙(PackageLimited)195A125A的電流通過(guò)MOS管產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗為31.25W,每個(gè)MOS管的導(dǎo)通損耗為16.625W,相對(duì)于二極管整流優(yōu)勢(shì)很大。5、變壓器磁芯的選擇變壓器磁芯需計(jì)算銅損,及磁芯損耗,需要設(shè)計(jì)變壓器而確定。一般來(lái)說(shuō),變壓器磁芯越大,磁芯損耗越大,漆包線線徑越粗,銅損越小,磁芯越小,漆包線徑越細(xì),銅損越大,需要選擇合適的磁芯。6、最終方案最終框圖如下:反饋回路用TL431控制,MOS管驅(qū)動(dòng)均采用變壓器驅(qū)動(dòng),如考慮散熱問(wèn)題,還需加風(fēng)扇散熱。7、技術(shù)難點(diǎn)(1)磁芯發(fā)熱量大,散熱是較大問(wèn)題。(2)次級(jí)電流大,電路板布線及變壓器繞組要求較高。(3)整體效率問(wèn)題,因?yàn)楣β蚀?,達(dá)到3000W,效率下降一個(gè)百分點(diǎn),將是300
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