晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1、高三化學(xué)一輪復(fù)習(xí)2010年考點(diǎn)直擊年考點(diǎn)直擊 了解晶體的涵義，晶體與非晶體的區(qū)別 了解構(gòu)成四大晶體微粒，以及微粒之間作用力的區(qū)別 了解四大晶體中常見的NaCl 、CsCl 、干冰、金剛石、 晶體硅、 SiO2晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系 知道金屬晶體的基本堆積方式，及常見金屬的晶胞結(jié)構(gòu)晶體的特點(diǎn)：晶體的特點(diǎn)： （1）有固定的幾何外形的固體（自范性）；）有固定的幾何外形的固體（自范性）；（2）有固定的熔點(diǎn)；）有固定的熔點(diǎn)；一一 了解晶體的涵義，晶體與非晶體的區(qū)別了解晶體的涵義，晶體與非晶體的區(qū)別問(wèn)題問(wèn)題1 1：下列屬于晶體的是：下列屬于晶體的是銅塊銅塊 CuSOCuSO4 4 CO CO2

2、 2 NaCO NaCO3 3 .10H .10H2 2O O 干冰干冰 水水 常溫下的常溫下的Hg IHg I2 2蒸氣蒸氣問(wèn)題問(wèn)題2 2：以上不屬于晶體的物質(zhì)通過(guò)什么途徑可以形成晶：以上不屬于晶體的物質(zhì)通過(guò)什么途徑可以形成晶體體晶體形成的途徑：晶體形成的途徑： （1）熔融態(tài)物質(zhì)凝固；（2）氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng) 液態(tài)直接凝固（凝華）；（3）溶質(zhì)從溶液中析出。晶體的基本類型晶體的基本類型分類依據(jù)：分類依據(jù)：構(gòu)成晶體的構(gòu)成晶體的粒子種類粒子種類及粒子間的及粒子間的相互作用相互作用。離子晶體離子晶體分子晶體分子晶體原子晶體原子晶體金屬晶體金屬晶體混合型晶體混合型晶體二二 了解構(gòu)成四大晶體微粒，以及微粒

3、之間作用力的區(qū)別了解構(gòu)成四大晶體微粒，以及微粒之間作用力的區(qū)別二二 了解構(gòu)成四大晶體微粒，以及微粒之間作用力的區(qū)別了解構(gòu)成四大晶體微粒，以及微粒之間作用力的區(qū)別三三 了解四大晶體中常見的了解四大晶體中常見的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰干冰、金剛石、金剛石、 晶體硅、晶體硅、 SiO2SiO2晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系配為數(shù) 晶胞中實(shí)際粒子數(shù)12410928 返回共價(jià)鍵三三 了解四大晶體中常見的了解四大晶體中常見的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、干冰、金剛石金剛石、 晶體硅晶體硅、 SiO2SiO2晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性

4、質(zhì)的關(guān)系晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系配為數(shù) 晶胞中實(shí)際粒子數(shù)48三三 了解四大晶體中常見的了解四大晶體中常見的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金剛石、干冰、金剛石、 晶體硅、晶體硅、 SiO2SiO2晶體晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系配為數(shù) O Si 晶胞中實(shí)際粒子數(shù)O Si24816了解四大晶體中常見的了解四大晶體中常見的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金剛石、干冰、金剛石、 晶體硅、晶體硅、 SiO2SiO2晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系配為數(shù) 晶胞中實(shí)際粒子數(shù)Na+ 4 Cl- 46

5、三三 了解四大晶體中常見的了解四大晶體中常見的NaClNaCl 、CsClCsCl 、干冰、金剛石、干冰、金剛石、 晶體硅、晶體硅、 SiO2SiO2晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系晶體結(jié)構(gòu)特征，以及結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系配為數(shù) 晶胞中實(shí)際粒子數(shù)8Cs+ 1 Cl- 1三三 常見金屬的晶胞常見金屬的晶胞K Na Cr Mo WpoAl Cu Ag Au配為數(shù)配為數(shù) 6 6 晶胞中實(shí)際粒子晶胞中實(shí)際粒子數(shù)數(shù) 1 1配為數(shù)配為數(shù) 8 8 晶胞中實(shí)際粒子晶胞中實(shí)際粒子數(shù)數(shù) 2 2配為數(shù)配為數(shù) 12 12 晶胞中實(shí)際粒子晶胞中實(shí)際粒子數(shù)數(shù) 4 4123456 第二層第二層 對(duì)第一層來(lái)講最緊密的堆積方式是將

6、球?qū)?zhǔn)對(duì)第一層來(lái)講最緊密的堆積方式是將球?qū)?zhǔn) 1，3，5 位。位。 ( 或?qū)?zhǔn)或?qū)?zhǔn) 2，4，6 位，其情形是一樣的位，其情形是一樣的 )123456AB， 關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一、二層來(lái)說(shuō)，第三層可以有兩種最緊關(guān)鍵是第三層，對(duì)第一、二層來(lái)說(shuō)，第三層可以有兩種最緊密的堆積方式。密的堆積方式。 下圖是此種六方下圖是此種六方緊密堆積的前視圖緊密堆積的前視圖ABABA 第一種是將球?qū)?zhǔn)第一層的球。第一種是將球?qū)?zhǔn)第一層的球。123456 于是每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期，于是每?jī)蓪有纬梢粋€(gè)周期，即即 AB AB 堆積方式，形成六堆積方式，形成六方緊密堆積方緊密堆積。 配位數(shù)配位數(shù) 12 。 ( 同層同層 6，上

7、下層各，上下層各 3 ) 第三層的第三層的另一種另一種排列排列方式，方式，是將球?qū)?zhǔn)第一層是將球?qū)?zhǔn)第一層的的 2，4，6 位，不同于位，不同于 AB 兩層的位置，這是兩層的位置，這是 C 層。層。123456123456123456123456此種立方緊密堆積的前視圖此種立方緊密堆積的前視圖ABCAABC 第四層再排第四層再排 A，于是形，于是形成成 ABC ABC 三層一個(gè)周三層一個(gè)周期。期。 得到面心立方堆積得到面心立方堆積。 配位數(shù)配位數(shù) 12 。( 同層同層 6， 上下層各上下層各 3 ) 形成性檢測(cè)形成性檢測(cè)形成性檢測(cè)形成性檢測(cè)形成性檢測(cè)形成性檢測(cè) 某離子晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，某離子晶

8、體結(jié)構(gòu)如圖所示，X X（表示）（表示）位于立方體的頂點(diǎn)，位于立方體的頂點(diǎn)，Y Y（表示）位于立方體表示）位于立方體的中心。該晶體的化學(xué)式應(yīng)為的中心。該晶體的化學(xué)式應(yīng)為A AXYXY2 2B BX X2 2Y YC CX X4 4Y YD DXYXY3 3答案：答案：A A形成性檢測(cè)形成性檢測(cè)四四 晶體熔沸點(diǎn)、硬度比較晶體熔沸點(diǎn)、硬度比較（若存在氫鍵優(yōu)先考慮）（若存在氫鍵優(yōu)先考慮） 練習(xí)：描述下列各組物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)變練習(xí)：描述下列各組物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)變化規(guī)律，并說(shuō)明其原因?；?guī)律，并說(shuō)明其原因。 ACH3CH2CH3、CH3CH2CH2CH3、 CH3CH2CH2CH2CH3升高，分子量增大，分子間作用力增大。升高，分子量增大，分子間作用力增大。 BH2O H2Se H2S、 降低降低 ，水中的氫鍵使得分子間作用力增強(qiáng)。，水中的氫鍵使得分子間作用力增強(qiáng)。 CHCl、HBr、HI升高，分子量增大，分子間作用力增大。升高，分子量增大，分子間作用力增大。形成性檢測(cè)形成性檢測(cè) DNaF、MgF2、MgO升高，半徑越小、電荷越大離子間作用力增強(qiáng)。升高，半徑越小、電荷越大離子間作用力增強(qiáng)