微機原理存儲器部分

1、1某計算機的主存為某計算機的主存為3KB，則內存地址寄存器則內存地址寄存器需需_位就足夠了。位就足夠了。 12在某一存儲系統(tǒng)中，設有只讀存儲器在某一存儲系統(tǒng)中，設有只讀存儲器10KB，隨機存儲器隨機存儲器54KB，使用使用16位地址來尋址。其位地址來尋址。其中，只讀存儲器位于低地址段，其地址范圍中，只讀存儲器位于低地址段，其地址范圍為為_。 000027FFH 若若256KB的的SRAM具有具有8條數(shù)據(jù)線，則它具有條數(shù)據(jù)線，則它具有_條地址線。條地址線。 18 2設存儲器的地址線為設存儲器的地址線為20條，存儲單元為字節(jié)，條，存儲單元為字節(jié)，使用全譯碼方式組成存儲器，該系統(tǒng)構成的使用全譯碼方式

2、組成存儲器，該系統(tǒng)構成的最大存儲器容量需要最大存儲器容量需要64K1位的存儲器芯片位的存儲器芯片的數(shù)量是的數(shù)量是_片。片。 128 一個有一個有16個字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為個字的數(shù)據(jù)區(qū)，它的起始地址為70A0:DDF6H，那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個單那么該數(shù)據(jù)區(qū)的最后一個單元的物理地址為元的物理地址為_。 7E815H 3設存儲器的地址線有設存儲器的地址線有16條，存儲基本單元為條，存儲基本單元為字節(jié)，若采用字節(jié)，若采用2K4位芯片，按全譯碼方法位芯片，按全譯碼方法組成存儲器，當該存儲器被擴充成最大容量組成存儲器，當該存儲器被擴充成最大容量時，需要此種存儲器芯片的數(shù)量是時，需要此種存儲器芯片的

3、數(shù)量是_。 64片片 設某靜態(tài)設某靜態(tài)RAM芯片的容量為芯片的容量為8K8位，若用位，若用它組成它組成32K8的存儲器，所用芯片數(shù)以及這的存儲器，所用芯片數(shù)以及這種芯片的片內地址線數(shù)目是種芯片的片內地址線數(shù)目是_。 4片片 13根根 4用用74LS138作譯碼器，如圖所示，若將作譯碼器，如圖所示，若將Y1接接到存儲器的片選信號上，則存儲器的地址范到存儲器的片選信號上，則存儲器的地址范圍為圍為_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A124000H4FFFH 5某同學在做實驗時，按如圖連接芯片的譯碼某同學在做實驗時，按如圖連接芯片的譯碼電路，得知該芯片的地址范圍為電

4、路，得知該芯片的地址范圍為3000H37FFH。試問該芯片的試問該芯片的CS端應接到端應接到74LS138的的_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC5VM/IOA15A14A13A12Y6612. 在如圖所示的電路（與上題同一電路），在如圖所示的電路（與上題同一電路），假設假設Y5與電源與電源Vcc短接，則以下四種現(xiàn)象中，短接，則以下四種現(xiàn)象中，肯定會發(fā)生的是肯定會發(fā)生的是_。A) 系統(tǒng)仍然正常工作。系統(tǒng)仍然正常工作。B) 系統(tǒng)不能正常工作系統(tǒng)不能正常工作C) Y5端所選擇的地址范圍能被照常訪問端所選擇的地址范圍能被照常訪問D) Y5端所選擇的地址范圍不能被訪問端所選擇的地址范圍不能被訪問D

5、) Y5端所選擇的地址范圍不能被訪問端所選擇的地址范圍不能被訪問7在如圖的譯碼電路中，為了使每個輸出端接在如圖的譯碼電路中，為了使每個輸出端接到存儲器芯片的到存儲器芯片的CS端時，可以選中的地址范端時，可以選中的地址范圍是圍是4KB，則該圖中則該圖中C,B,A三端與三端與CPU的地的地址線的對應連接可為址線的對應連接可為_。A) 僅僅A14, A13, A12B) 僅僅A12, A13, A14C) 僅僅A14, A12, A13 D)A12, A13, A14任意組合任意組合 Y0Y1Y7G1G2AG2BABC+5VM/IOA15D)A12, A13, A14任意組合任意組合8若要求若要求Y

6、4尋址的存儲器范圍為尋址的存儲器范圍為8800H8FFFH，則則B，C端應分別接端應分別接_。 Y0Y1Y7G1G2AG2BABCA15M/IOA14A13A12,A11 上題中，若要求上題中，若要求Y4尋址尋址的的I/O端口地址范圍為端口地址范圍為0800H0FFFH，則須相則須相互調換的引腳信號應為互調換的引腳信號應為_。 M/IO，A15 9使用使用256KB4的存儲器芯片組成的存儲器芯片組成1MB的存的存儲器系統(tǒng)，其地址線至少需要儲器系統(tǒng)，其地址線至少需要_條條 20 在對存儲器進行訪問時，地址線有效和數(shù)在對存儲器進行訪問時，地址線有效和數(shù)據(jù)線有效的時間關系應為據(jù)線有效的時間關系應為_

7、。A) 同時有效同時無效同時有效同時無效 B) 地址線較先有效地址線較先有效C) 數(shù)據(jù)線較先有效數(shù)據(jù)線較先有效 B) 地址線較先有效地址線較先有效10如圖是如圖是8片片4K8位的位的RAM構成的一個隨機構成的一個隨機存取存儲器，如果存取存儲器，如果A14A13A12分別為分別為000111時，則分別被選中的存儲區(qū)域（范圍）的十時，則分別被選中的存儲區(qū)域（范圍）的十六機制表示是六機制表示是_。 RAM0CSOEA12A13A14Y0Y1Y7RAM0CSOERAM0CSOEA0A11MEMRA14A13A12000 地址為地址為0000H0FFFH A14A13A12001地址為地址為1000H1

8、FFFH 11現(xiàn)有現(xiàn)有4K8位的位的RAM和和ROM存儲器芯片各存儲器芯片各一片，其地址線連接方法如圖一片，其地址線連接方法如圖P88所示。在所示。在正常情況下，正常情況下，ROM所占的地址空間為所占的地址空間為 _，RAM所占的地址空間為所占的地址空間為_。 ROMCSA14A0A11A15MEMRD0D7A0 A11RAMCSMEMRD0D7A0 A11數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線MEMW4000H7FFFH8000HBFFFH12 PROM存儲器是指存儲器是指_。A) 可以讀寫的存儲器可以讀寫的存儲器B) 可以由用戶一次性寫入的存儲器可以由用戶一次性寫入的存儲器C) 可以由用戶反復多次寫入的存儲器可

9、以由用戶反復多次寫入的存儲器D) 用戶不能寫入的存儲器用戶不能寫入的存儲器B) 可以由用戶一次性寫入的存儲器可以由用戶一次性寫入的存儲器13 在在Intel2164動態(tài)動態(tài)RAM存儲器中，對存儲器存儲器中，對存儲器的刷新方法是的刷新方法是_。A) 每次一個單元每次一個單元 B) 每次刷新每次刷新512個單元個單元C) 每次刷新每次刷新256個單元個單元D) 一次刷新全部單元一次刷新全部單元 B) 每次刷新每次刷新512個單元個單元14若用若用1片片74LS138、1片片6116RAM(2K8)及及2片片2732EPROM(4K8)組成存儲器電路，試組成存儲器電路，試問：問：2732的片內地址線

10、是的片內地址線是_根。根。 要求要求2片片2732的地址范圍為的地址范圍為0000H1FFFH，設高位地址線接至設高位地址線接至74LS138，此時此時A15及及A12的狀態(tài)是的狀態(tài)是_。 存儲器的總容量是存儲器的總容量是_。A) A15=1,A12=0 B) A15=0,A12=0或或1C) A15=0, A12=1 D) A15=0,A12=0 10KB12 B) A15=0,A12=0或或115 下述下述EPROM的改寫過程，正確的是的改寫過程，正確的是_。A) 使使WR信號有效就可以改寫信號有效就可以改寫B(tài)) 先用高電壓擦除，再改寫新數(shù)據(jù)先用高電壓擦除，再改寫新數(shù)據(jù)C) 先用紫外線擦除

11、，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)D) 先用紫外線擦除，再用先用紫外線擦除，再用5V電壓寫新數(shù)據(jù)電壓寫新數(shù)據(jù) C) 先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)先用紫外線擦除，再用高電壓寫新數(shù)據(jù)16 在進行在進行RAM擴充實驗時，某同學的接線出擴充實驗時，某同學的接線出現(xiàn)現(xiàn)_，但存儲器還能正常讀寫。，但存儲器還能正常讀寫。A) D1與與D5交換交換B) WR與與CS線交換線交換C) D1與與A1交換交換D) 5V電源線與地線交換電源線與地線交換 A) D1與與D5交換交換在進行在進行EPROM擴充實驗時，某同學發(fā)現(xiàn)讀擴充實驗時，某同學發(fā)現(xiàn)讀出的所有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即出的所

12、有單元中的數(shù)據(jù)與原數(shù)據(jù)不一樣，即D2位總是為位總是為1，這說明發(fā)生了，這說明發(fā)生了_。 A) 接至接至D2的線已斷的線已斷B) 電源沒有接地電源沒有接地C) D2接至接至A2D) D2與與A2交換交換 A) 接至接至D2的線已斷的線已斷17某微機系統(tǒng)的部分接線如圖，在某微機系統(tǒng)的部分接線如圖，在8088系統(tǒng)中系統(tǒng)中, ,（a）應接應接_，（，（b）應接應接_，RAM芯芯片片II的地址范圍為的地址范圍為_。 M/IO 經反相的經反相的M/IO FE800HFEFFFH 18若由若由1K1位的位的RAM芯片組成一個容量為芯片組成一個容量為8K字（字（16位）的存儲器時，需要該芯片數(shù)為位）的存儲器時

13、，需要該芯片數(shù)為_。 128片片 某電路用某電路用12根地址線連接根地址線連接4片片RAM，第一第一片片 R A M 至 第 四 片至 第 四 片 R A M 的 地 址 分 別 為的 地 址 分 別 為0000H03FFH, 0400H07FFH, 0800H0BFFH, 0C00H0FFFH, 后發(fā)現(xiàn)存往第二片后發(fā)現(xiàn)存往第二片的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是的數(shù)據(jù)都被存入第四片，其原因之一是_。A) A12斷線斷線 B) A11斷線斷線C) A10斷線斷線D) A9斷線斷線 B) A11斷線斷線19RAM的地址范圍是的地址范圍是_。為了使系統(tǒng)能夠正常工作，為了使系統(tǒng)能夠正常工作，2712

14、8芯片的芯片的A13引腳引腳應接應接_（高、低）電平。（高、低）電平。8255A口的地址是口的地址是_。D2000HD3FFFH 低電平低電平1101 1110020 已知已知6116RAM(2K8)的地址范圍為的地址范圍為0000H07FFH, 發(fā)現(xiàn)其中低發(fā)現(xiàn)其中低1K字節(jié)與高字節(jié)與高1K字節(jié)的每個對應單元內容相同字節(jié)的每個對應單元內容相同(即即0000H與與0400H內容相同內容相同,其余依次類推其余依次類推),其原因是其原因是_.A) 僅片內最高地址線與電源短路僅片內最高地址線與電源短路B) 僅片內最高地址線開路僅片內最高地址線開路C) 僅片內最高地址線與地短路僅片內最高地址線與地短路D

15、) 以上三種情況都可能以上三種情況都可能 D) 以上三種情況都可能以上三種情況都可能 21 若某若某RAM芯片的地址線芯片的地址線A0與地短路，則與地短路，則_。A) 該芯片不能讀寫數(shù)據(jù)該芯片不能讀寫數(shù)據(jù)B) 會燒壞芯片會燒壞芯片C) 只能讀寫偶地址單元只能讀寫偶地址單元D) 只能讀寫奇地址單元只能讀寫奇地址單元 C) 只能讀寫偶地址單元只能讀寫偶地址單元22用用1K4存儲器芯片組成存儲器芯片組成16K8存儲器子系存儲器子系統(tǒng)時，需用地址線總數(shù)量最少為統(tǒng)時，需用地址線總數(shù)量最少為_。 14根根一個半導體存儲器的芯片的引腳有一個半導體存儲器的芯片的引腳有A13A0、D3D0、WE、CE、CS、V

16、cc、GND等，等，該芯片的存儲容量是該芯片的存儲容量是_，用該芯片組，用該芯片組成一個成一個64KB的存儲器，需要的存儲器，需要_個獨立的片個獨立的片選信號。選信號。 16K4 4 23一個一個SRAM芯片，有芯片，有14條地址線和條地址線和8條數(shù)據(jù)線，條數(shù)據(jù)線，問該芯片最多能儲存問該芯片最多能儲存ASCII字符的個數(shù)為字符的個數(shù)為_。 16384 采用與上題相同容量的采用與上題相同容量的DRAM芯片，則該芯芯片，則該芯片的地址線條數(shù)為片的地址線條數(shù)為_。 7設某設某DRAM芯片的容量為芯片的容量為16KN（N為為4或或8），它的地址線和數(shù)據(jù)線分別是），它的地址線和數(shù)據(jù)線分別是_。 A0A6，D0D(N-1) 24A10A9A0A9A11A0D0D3D4D7IOM /譯譯碼碼器器I/O0WRWEI/O3CS2114(1)A9A0I/O0WEI/O3CS2114(2)8088Y2A9A0I/O0WEI/O3CS2114(3)A9