半導體芯片制造高級工測試題

1、1、填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECV流積。2、填空題離子注入雜質濃度分布中最重要的二個射程參數(shù)是（）和（）。3、單項選擇題雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm4、單項選擇題反應離子腐蝕是（）A.化學刻蝕機理B.物理刻蝕機理C.物理的濺射刻蝕和化學的反應刻蝕相結合5、填空題外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長工藝條件不適宜。6、單項選擇題金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。A.塑料B.玻璃C.金屬

2、7、填空題釬焊包括合金燒結、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。8、填空題釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內（）控制。9、單項選擇題非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時，絲網(wǎng)與基片之間有定的距離，稱為間隙，通常為（）OA.小于0.1mmB.0,52.0mmC.大于2.0mm10、填空題雜質原子在半導體中的擴散機理比較復雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。11、單項選擇題恒定表面源擴散的雜質分布在數(shù)學上稱為（）分布。A.高斯B.余誤差C.指數(shù)12、單項選擇題金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。A

3、.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐13、填空題禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。14、單項選擇題超聲熱壓焊的主要應用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關鍵因素。A.管帽變形B.鍍金層的變形C.底座變形15、問答題有哪幾種常用的化學氣相淀積薄膜的方法?16、單項選擇題外殼設計包括（）設計、熱性能設計和結構設計三部分，而可靠性設計也包含在這三部分中間。A.電性能B.電阻C.電感17、問答題粘封工藝中，常用

4、的材料有哪幾類?18、填空題延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。19、問答題簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工藝質量?20、填空題氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的（）性、（）率，并影響其電學性能和（）性，所以半導體芯片制造工藝需在超凈廠房內進行。21、填空題外殼設計包括電性能設計、熱性能設計和結構設計三部分，而（）設計也包含在這三部分中間22、單項選擇題在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質量,必須確定的基本規(guī)范包括（）A.焊接電流、焊接電壓和電極壓力B.焊接電流、焊接時間和電極壓力C.焊接電流、焊接電壓和焊接時

5、間23、單項選擇題濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。A.電子B.中性粒子C.帶能離子24、填空題厚膜混合集成電路的基片種類很多，目前常用的有:氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N陶瓷25、單項選擇題pn結的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評價（）的重要標志。A.擴散層質量B.設計C.光刻26、問答題簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性?27、填空題芯片焊接質量通常進行鏡檢和（）兩項試驗。28、單項選擇題在低溫玻璃密封工藝中，常用的運載劑由2%（質量比）的硝化纖維素溶解于98%（質量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20%的運載劑與（）的

6、玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。A.80%90%B.10%20%C.40%-50%29、填空題熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。30、單項選擇題平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點的（）。壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點。A.電流值B.電阻值C.電壓值31、填空題最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）32、單項選擇題變容二極管的電容量隨（）變化A.正偏電流B.反偏電壓C.結溫33、填空題硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。

7、神化像片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。34、單項選擇題器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現(xiàn)。A.掩膜版B.擴散C.光刻35、問答題引線焊接有哪些質量要求?36、填空題如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，其長度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）37、問答題簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求?38、填空題半導體材料可根據(jù)其性能、晶體結構、結晶程度、化學組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學組成可分為（）半導體、（）半導體、固溶半導體三大類。39、問答題什么叫晶體缺陷?40、單項選擇題雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關。A.基區(qū)寬度B.外延層厚度C.表面界面狀態(tài)41、問答題

8、潔凈區(qū)工作人員應注意些什么?42、填空題鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無法實現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達不到原子之間引力范圍的間距。43、單項選擇題禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。A.越不容易受B.越容易受C.基本不受44、單項選擇題半導體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結溫下工作。A.熱阻B.阻抗C.結構參數(shù)45、判斷題沒有經(jīng)濟收入或交納黨費有困難的黨員，由本人提出申請，經(jīng)黨支部委員會同意，可以少交或免交。46、問答題單晶片切割的質量要求有哪些?47、單項選擇題塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時間。A.準備工具B.準備模塑料C.模塑料預熱48、填空題半導體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.49、單項選擇題厚膜元件燒結時，漿料中的固體顆粒由接觸到結合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)