第四章-1電介質材料(基礎知識)

1、電電 介介 質質 材材 料料第第 四四 章章4-1 電介質物理基礎知識電介質物理基礎知識4-2 電容器介質材料電容器介質材料4-3 壓電材料和熱釋電材料壓電材料和熱釋電材料4-1-1 電介質及其極化電介質及其極化4-1-2 電介質的介質損耗電介質的介質損耗4-1-3 電介質的電導和擊穿電介質的電導和擊穿4-1 電介質物理基礎知識電介質物理基礎知識電介質材料的四個基本參數：電介質材料的四個基本參數：介電常數介電常數（）、）、損耗角正切損耗角正切（tan）、）、電導率電導率（ ）、）、抗電強度抗電強度（ Eb ）4-1-4 電介質材料的非電性能電介質材料的非電性能4-1-1 電介質及其極化電介質及

2、其極化1. 電介質及極化的定義電介質及極化的定義自由電荷自由電荷導體、半導體：導體、半導體：絕緣體：絕緣體：束縛電荷束縛電荷長程遷移長程遷移自由電荷自由電荷導體、半導體：導體、半導體：絕緣體：絕緣體：束縛電荷束縛電荷長程遷移長程遷移極化極化 極化極化：在電場作用下，在電介質：在電場作用下，在電介質表面出現束縛電荷表面出現束縛電荷（極化電荷）的現象。（極化電荷）的現象。 電介質電介質：以極化方式傳遞、儲存或記錄外電場作用和影響的物質。：以極化方式傳遞、儲存或記錄外電場作用和影響的物質。 4-1-1 電介質及其極化電介質及其極化1. 電介質及極化的定義電介質及極化的定義電偶極子：電偶極子：L+q-

3、qLqu 將分子等效為電偶極子，根據其電偶極矩將分子等效為電偶極子，根據其電偶極矩 的不同，分為兩類：的不同，分為兩類：（1）無極分子：）無極分子：分子u正負電荷重心重合，正負電荷重心重合，0分子u+ + + + + + + + + + + + +-0E感應偶極矩感應偶極矩位移極化位移極化例如，例如， He、H2、N2、 CO2 、CH4等。等。 -+電偶極矩電偶極矩2. 極化的微觀機制極化的微觀機制（2）有極分子：）有極分子： 正負電荷重心不重合，正負電荷重心不重合，0分子u + - 固有偶極矩固有偶極矩-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+0E+-+-+-+-+-+-+-+-+-

4、取向極化取向極化例如，例如，H2O、NH3、CO、SO2、H2S、CH3OH 等。等。 非極性介質非極性介質 在電場作用下，正負電荷在微觀尺度作偏離平衡位置的相對位移， 正負電荷相對位移的方向相反，在相距一定距離之后，產生感應偶極矩；電介質 整體來看，就形成了感應宏觀偶極矩：位移極化位移極化 極性介質極性介質 組成介質的分子具有極性或正負離子的中心不重合，其本身就具有 固有偶極矩；在沒有外電場時，熱運動使固有偶極矩混亂取向，偶極矩的矢量和 為零；有外電場時，偶極子沿電場方向取向幾率增加，偶極矩的矢量和不再為零， 電介質對外表現出感應宏觀偶極矩：取向極化取向極化Q0EEE：外電場：外電場0E：退

5、極化場：退極化場E介質中的總場強：介質中的總場強：EEE0 由于介質的極化，由于介質的極化，在介質表面出現符號相反的感應電荷在介質表面出現符號相反的感應電荷，在介質內形成，在介質內形成 與外電場方向相反的與外電場方向相反的退極化場退極化場。0E圖圖1 極化使電介質極化使電介質表面出現感應束縛電荷表面出現感應束縛電荷： 介質的極化能力越強，表面感應電荷越多，退極化場越強。介質的極化能力越強，表面感應電荷越多，退極化場越強。圖圖2 表面感應電荷形成表面感應電荷形成退極化場退極化場：3. 表面感應電荷和退極化場表面感應電荷和退極化場4、極化能力的表征、極化能力的表征0QUdUE00QQ QUQ0EE

6、EUQC00UQCUQQUQC00 定義電容器充以電介質時的電容量定義電容器充以電介質時的電容量C與真空時的電容量與真空時的電容量C0的比值為該電介質的比值為該電介質 的的相對介電常數相對介電常數：0CCr0 介電常數反映了介質極化能力的大小，介電常數值越大，極化能力越強。介電常數反映了介質極化能力的大小，介電常數值越大，極化能力越強。介電常數介電常數0EDEDr80.1水水26.4乙醇乙醇4.274.34石英石英3.80玻璃玻璃1.00059空氣空氣2.02.51.00000石蠟石蠟真空真空常用電介質材料的相對介電常數常用電介質材料的相對介電常數5.18.6酚醛樹脂酚醛樹脂2.62.93.6

7、4.14.552.112.26天然橡膠天然橡膠環(huán)氧樹脂環(huán)氧樹脂聚氯乙烯聚氯乙烯聚四氟乙烯聚四氟乙烯聚乙烯聚乙烯2000 110鈦酸鋇鈦酸鋇 金紅石（金紅石（TiO2）Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 MgSiO3 云母云母10456.1巨介電常數材料巨介電常數材料CaCu3Ti4O12：1055. 介質極化強度和極化率介質極化強度和極化率為了描述電介質在外場中的極化情況，引入為了描述電介質在外場中的極化情況，引入極化強度矢量極化強度矢量 ，它等于單位，它等于單位體積內感生偶極矩的矢量和：體積內感生偶極矩的矢量和：PVilimP0Vl 若介質中的電場是均勻的，則有：若介質中的電場是均勻的，則有：

8、ViP單位為：單位為：C/m20nPl 若單位體積中有若單位體積中有n0個極化粒子，各極化粒子偶極矩的平均值為個極化粒子，各極化粒子偶極矩的平均值為 ，則有：，則有：l 對于線性極化，對于線性極化， 與電場強度成正比，有：與電場強度成正比，有：eEeE：作用在極化粒子（原子、分子或離子）上的：作用在極化粒子（原子、分子或離子）上的局域電場局域電場，稱為有效電場；，稱為有效電場；：極化：極化粒子的極化率粒子的極化率，是表征微觀粒子極化性質的，是表征微觀粒子極化性質的微觀參數微觀參數。eEP0nU6. 電介質極化的宏觀參數和微觀參數的關系電介質極化的宏觀參數和微觀參數的關系平板型電容器的極片面積為

9、平板型電容器的極片面積為S，極片間距為，極片間距為d，均勻，均勻極化時，整個電介質總的感應偶極矩：極化時，整個電介質總的感應偶極矩：QSddQ 極化強度：極化強度：SQSddQP000QQ1QQQrSdSU1-SUC1-SQ1-0r0r0rUQC00dSC00eEP0nE0r1-EEe00rn1 提高電介質的介電常數：提高電介質的介電常數： 提高單位體積內的極化粒子數提高單位體積內的極化粒子數n0； 選取極化率選取極化率 大的粒子組成電介質；大的粒子組成電介質； 增強作用于極化粒子上的有效電場增強作用于極化粒子上的有效電場Ee。EEe00rn1對于對于氣體、非極性電介質及結構高度對稱或完全無序

10、的介質氣體、非極性電介質及結構高度對稱或完全無序的介質，有效電場與外電場的關系為：有效電場與外電場的關系為：EEe32r這樣的有效電場稱為洛倫茲（這樣的有效電場稱為洛倫茲（Lorentz）有效電場，將其代入）有效電場，將其代入r公式：公式：00rr3n21-稱為稱為克克 莫極化方程莫極化方程，是在采用洛倫茲有效電場的情況下，聯系電介質極化，是在采用洛倫茲有效電場的情況下，聯系電介質極化宏觀參數與微觀參數的關系式。宏觀參數與微觀參數的關系式。7. 電介質極化的類型電介質極化的類型 電子位移極化、離子位移極化、電子位移極化、離子位移極化、 偶極子轉向極化、離子松弛極化、空間電荷極化、自發(fā)極化偶極子

11、轉向極化、離子松弛極化、空間電荷極化、自發(fā)極化1）電子位移極化）電子位移極化電介質中的原子、分子和離子等任何粒子，在電場的作用下，粒子中的電介質中的原子、分子和離子等任何粒子，在電場的作用下，粒子中的電子云相對于原子核發(fā)生位移電子云相對于原子核發(fā)生位移，而感生一個沿電場方向的感應偶極矩。，而感生一個沿電場方向的感應偶極矩。00E0E電子云電子云原子核原子核電子位移極化模型圖電子位移極化模型圖+q-ql 電子位移極化率電子位移極化率與溫度無關與溫度無關：溫度的高低不足以改變原子或離子的半徑。：溫度的高低不足以改變原子或離子的半徑。eeeEl 電子位移極化產生的感應偶極矩：電子位移極化產生的感應偶

12、極矩：e為電子極化率：為電子極化率： 304re電子極化率與電子極化率與原子半徑的立方成正比原子半徑的立方成正比，電子軌道半徑，電子軌道半徑 r 越大，電子離原子核越大，電子離原子核越遠，與原子核之間的吸引力越弱，越容易發(fā)生極化。越遠，與原子核之間的吸引力越弱，越容易發(fā)生極化。（電子位移極化率的數量級為（電子位移極化率的數量級為10-40 F.m2）l 電子位移極化電子位移極化存在于一切介質中存在于一切介質中。l 電子位移極化電子位移極化建立的時間很短建立的時間很短，約在，約在10-14 10-16 s范圍；如果所加電場為交變范圍；如果所加電場為交變 電場，即使電場頻率高達光頻，電子位移極化也

13、來得及響應。電場，即使電場頻率高達光頻，電子位移極化也來得及響應。l 實驗測量得到的實驗測量得到的 值并不嚴格等于值并不嚴格等于 ，不同原子和離子，不同原子和離子 比值大小不一樣，比值大小不一樣， 值大的原子或離子越容易發(fā)生極化值大的原子或離子越容易發(fā)生極化。e304r304/re304/reeeEn0ePer0nePl 補充講義補充講義P10，表，表2-2列出了一些原子和離子的列出了一些原子和離子的 比值，比值，O2-具有具有 較大的電子位移極化率較大的電子位移極化率。304/re2）離子位移極化）離子位移極化+-偶極矩矢量和為零；偶極矩矢量和為零；0E+感應偶極矩：感應偶極矩：eiiE33

14、）（rr a ii為離子位移極化率。為離子位移極化率。l 當離子位移為完全彈性位移時，可以得出：當離子位移為完全彈性位移時，可以得出：l 離子位移極化率離子位移極化率隨溫度的升高而增大隨溫度的升高而增大，但增加甚微；，但增加甚微；（離子位移極化率的數量級為（離子位移極化率的數量級為10-40 F.m2）（a為晶格常數，晶體密堆積時為晶格常數，晶體密堆積時 ）rr a l 離子位移極化對外場的離子位移極化對外場的響應時間也較短響應時間也較短，約為，約為10-12 10-13 s。3）偶極子轉向極化）偶極子轉向極化+-+-+-+-+-+-+-+-+-0E-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+

15、-+00E在無外電場時，在無外電場時，分子的熱運動使偶極子混亂排布分子的熱運動使偶極子混亂排布，分子固有偶極矩在空間各方向的取向幾率相同，宏分子固有偶極矩在空間各方向的取向幾率相同，宏觀偶極矩觀偶極矩 為零。為零。 0在電場作用下，在電場作用下，極性分子沿電場方向取向幾率大于極性分子沿電場方向取向幾率大于其它方向其它方向，形成宏觀偶極矩。，形成宏觀偶極矩。0極性分子具有固有偶極矩極性分子具有固有偶極矩 ，可以把它們看成偶極子。，可以把它們看成偶極子?？梢宰C明，偶極子轉向極化率為：可以證明，偶極子轉向極化率為：kTu320l 偶極子轉向極化率偶極子轉向極化率隨溫度的升高而下降隨溫度的升高而下降：

16、溫度升高，熱運動的抗取向作用加??；：溫度升高，熱運動的抗取向作用加??；l 偶極子轉向極化對外電場的偶極子轉向極化對外電場的響應時間較長響應時間較長，約為，約為10-8 10-2 s。（偶極子轉向極化率的數量級為（偶極子轉向極化率的數量級為10-38 F.m2）4）離子松弛極化離子松弛極化玻璃態(tài)物質、機構松散的離子晶體及晶體的雜質缺陷區(qū)域，離子本身能量較高，玻璃態(tài)物質、機構松散的離子晶體及晶體的雜質缺陷區(qū)域，離子本身能量較高，容易受熱激活，越過勢壘，在不同的平衡位置之間躍遷，稱為容易受熱激活，越過勢壘，在不同的平衡位置之間躍遷，稱為弱束縛離子弱束縛離子。在電場作用下，沿電場方向產生在電場作用下，

17、沿電場方向產生過剩躍遷的離子過剩躍遷的離子，使電介質電荷分布不均，使電介質電荷分布不均，形成電偶極矩。形成電偶極矩。l 離子松弛極化率：離子松弛極化率： ，與溫度成反比；，與溫度成反比；kTXqt1222l 離子松弛極化離子松弛極化建立的時間較慢建立的時間較慢，約為，約為10-2 s；UxABU躍遷幾率相同躍遷幾率相同X00EUxAB沿電場方向遷移幾率增加沿電場方向遷移幾率增加+0El 離子松弛極化是非可逆的過程，且離子躍遷的距離可與晶格常數相比擬。離子松弛極化是非可逆的過程，且離子躍遷的距離可與晶格常數相比擬。5）空間電荷極化）空間電荷極化當介質中當介質中存在少量自由電荷載流子存在少量自由電

18、荷載流子（正負離子和電子）時，在外電場作用下，（正負離子和電子）時，在外電場作用下，載流子將移動，使介質有微小的漏導電流。載流子將移動，使介質有微小的漏導電流。+e+0E移動的載流子可能被阻止在晶界、相界等晶格缺陷處移動的載流子可能被阻止在晶界、相界等晶格缺陷處，形成空間電荷的局部，形成空間電荷的局部積累，使介質中電荷分布不均，從而產生電偶極矩，發(fā)生極化。積累，使介質中電荷分布不均，從而產生電偶極矩，發(fā)生極化。l 空間電荷極化與介質的電導密切相關；空間電荷極化與介質的電導密切相關；l 空間電荷極化建立的時間很長空間電荷極化建立的時間很長，在幾分之一秒到幾個小時范圍內。，在幾分之一秒到幾個小時范

19、圍內。6）自發(fā)式極化）自發(fā)式極化l 某些晶體具有特殊的結構，其某些晶體具有特殊的結構，其晶胞自身的正負電荷重心不重合晶胞自身的正負電荷重心不重合，即晶胞具有極性。，即晶胞具有極性。l 由于晶體結構的周期性和重復性，當某一晶胞在某一方向出現偶極矩時，將逐由于晶體結構的周期性和重復性，當某一晶胞在某一方向出現偶極矩時，將逐 級影響到相鄰的晶胞，使它們的級影響到相鄰的晶胞，使它們的固有偶極矩朝向相同的方向固有偶極矩朝向相同的方向。由于這種。由于這種局部極局部極 化狀態(tài)化狀態(tài)是在外電場為零時自發(fā)建立的，稱為是在外電場為零時自發(fā)建立的，稱為自發(fā)極化自發(fā)極化。l 具有相同極化方向的自發(fā)極化區(qū)域，稱為具有相

20、同極化方向的自發(fā)極化區(qū)域，稱為電疇電疇。沒有外電場時，電疇空間取向平。沒有外電場時，電疇空間取向平 均，均， 介質不顯極性；有外電場時，電疇沿電場方向轉向，顯示介質不顯極性；有外電場時，電疇沿電場方向轉向，顯示強烈的極化效應強烈的極化效應。電疇電疇l 自發(fā)極化產生的自發(fā)極化產生的介電常數非常高介電常數非常高，且，且極化建立的時間很長極化建立的時間很長。7）請思考下列介質中存在的極化類型）請思考下列介質中存在的極化類型 N2、H2、CO2非極性氣體，只存在電子位移極化非極性氣體，只存在電子位移極化 SO2、H2S、HCl極性氣體，存在電子位移極化和偶極子轉向極化極性氣體，存在電子位移極化和偶極子

21、轉向極化 苯、苯、CCl4、聚丙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯 乙醇、聚氯乙烯乙醇、聚氯乙烯 離子晶體離子晶體非極性液體或固體，只存在電子位移極化非極性液體或固體，只存在電子位移極化極性液體或固體，存在電子位移極化和偶極子轉向極化極性液體或固體，存在電子位移極化和偶極子轉向極化存在電子位移極化和離子位移極化；有的還存在離子松弛極化和存在電子位移極化和離子位移極化；有的還存在離子松弛極化和自發(fā)極化（如自發(fā)極化（如BaTiO3）4-1-2 電介質的介質損耗電介質的介質損耗l 電子位移極化和離子位移極化電子位移極化和離子位移極化建立的時間極短，可以與可見光的周期相比擬，建立的時間極短，可以與可見

22、光的周期相比擬， 在遠低于光頻的無線電頻率范圍，這兩種極化在遠低于光頻的無線電頻率范圍，這兩種極化可以看成是即時的可以看成是即時的，稱為，稱為瞬時極化瞬時極化。偶極子取向極化、離子松弛極化、空間電荷極化和自發(fā)極化偶極子取向極化、離子松弛極化、空間電荷極化和自發(fā)極化建立的時間較長，建立的時間較長，稱為稱為緩慢極化緩慢極化，也稱弛豫極化。，也稱弛豫極化。l 在靜電場下測得的介電常數稱為靜態(tài)介電常數（在靜電場下測得的介電常數稱為靜態(tài)介電常數（s）。）。+瞬時極化與交變電場完全同步，瞬時極化與交變電場完全同步，其極化強度與電場間其極化強度與電場間沒有相位差沒有相位差。+緩慢極化需要經過一段時間才能達到

23、緩慢極化需要經過一段時間才能達到相應電場下的最大極化值；相應電場下的最大極化值；緩慢極化強度與電場之間緩慢極化強度與電場之間存在相位差存在相位差。0E0El 隨著交變電場頻率的不同，介質的極化響應分隨著交變電場頻率的不同，介質的極化響應分3種情況：種情況： 頻率很低頻率很低：各種極化的建立跟得上電場的變化，介質的極化響應：各種極化的建立跟得上電場的變化，介質的極化響應 同靜電場情形；同靜電場情形； 頻率極高頻率極高：弛豫極化完全來不及建立，不必考慮；：弛豫極化完全來不及建立，不必考慮； 瞬時極化仍同靜電場情形；瞬時極化仍同靜電場情形； 介于中間：介于中間：出現極化損耗出現極化損耗，介電常數隨電

24、場頻率變化。，介電常數隨電場頻率變化。1. 極化損耗極化損耗余弦交變電場：余弦交變電場：tEE0costDD0cos介質的位移電流密度：介質的位移電流密度： 電場頻率很低時：電場頻率很低時： 極化跟得上電場的變化，電位移極化跟得上電場的變化，電位移D（ ）與電場）與電場E之間沒有相位差：之間沒有相位差：PED0)2cos(sin-tDtDDj00dtd單位時間內單位體積消耗的能量：單位時間內單位體積消耗的能量：dtEjW202交變電場頻率很低時，介質中沒有極化損耗。交變電場頻率很低時，介質中沒有極化損耗。tdttcossin220200ED0 電場頻率較高時：電場頻率較高時：余弦交變電場：余弦

25、交變電場：tEE0cos)-(costDD0某些類型的極化不能完全跟上電場的變化，電位移某些類型的極化不能完全跟上電場的變化，電位移D（ ）與電場與電場E之間出現相位差之間出現相位差 ：t Dt DD00sinsincoscos介質的位移電流密度：介質的位移電流密度：tDtDDj00cossinsincos-dtd：不導致介質中出現能量損耗：不導致介質中出現能量損耗：單位時間單位體積的介質中能量損耗：單位時間單位體積的介質中能量損耗：sin200EDWl 當極化滯后于交變電場變化時，介質中產生能量損耗，稱為當極化滯后于交變電場變化時，介質中產生能量損耗，稱為極化損耗極化損耗；PED0l 極化損

26、耗與電場頻率極化損耗與電場頻率 及及 有關，相角有關，相角 稱為稱為電介質損耗角電介質損耗角。2. 復介電常數復介電常數用復數表示交變電場下的上述關系：用復數表示交變電場下的上述關系：復電場強度：復電場強度：tEE0iexptEtEE00sinicos或或復電位移：復電位移：)i (exptDD0tDtDD00sinicos當極化跟不上外電場的變化時，當極化跟不上外電場的變化時， 與與 之間有之間有 角的相位差：角的相位差：DE)-i(exptDD0根據介電常數的定義（根據介電常數的定義（ ），引入復相對介電常數，習慣稱為），引入復相對介電常數，習慣稱為復介電常數復介電常數：ED0rED0r當

27、電位移和電場強度同位相時：當電位移和電場強度同位相時：當電位移和電場強度有相位差時：當電位移和電場強度有相位差時：i-exp000rED000rED是實數；是實數；是復數。是復數。EDDjr0iidtd介質的復位移電流密度：介質的復位移電流密度：EEr0r0 i0r0E-tsin0r0E tcos的實數部分：的實數部分：的實數部分：的實數部分： irrr復介電常數：復介電常數：)i (exptDD0tEtEE00sinicos沒有能量損耗：無功電流密度沒有能量損耗：無功電流密度產生能量損耗：有功電流密度產生能量損耗：有功電流密度20 210EWr單位時間單位體積極化損耗的能量為：單位時間單位體

28、積極化損耗的能量為： r在實際應用中，介質損耗常用在實際應用中，介質損耗常用 值來表示：值來表示：tan tanrr稱為稱為介質損耗角正切介質損耗角正切。tan（損耗因子）（損耗因子）3. 德拜方程德拜方程221- sr221-sr22- tanssrr由極化弛豫過程，德拜首先提出并建立了由極化弛豫過程，德拜首先提出并建立了復介電常數與頻率之間的關系復介電常數與頻率之間的關系，稱為稱為德拜方程：德拜方程：s：頻率：頻率 ，即靜電場時的介電常數，稱靜態(tài)介電常數，即靜電場時的介電常數，稱靜態(tài)介電常數0：頻率：頻率 時的介電常數，稱光頻介電常數時的介電常數，稱光頻介電常數：弛豫時間，極化強度降為最大

29、值的：弛豫時間，極化強度降為最大值的1/e時所需要的時間時所需要的時間22sr- 122sr-13.1 復介電常數的頻率特性復介電常數的頻率特性：隨頻率的增加而降低，從靜態(tài)值：隨頻率的增加而降低，從靜態(tài)值 降至光頻值降至光頻值 ；1） 時：時： ， ，即靜電場下的情況；，即靜電場下的情況；0sr0 r2） 時：時： ， ，即光頻下的情況；，即光頻下的情況；0 rr3） 在在 之間時：之間時：0 rrs：隨頻率的增加出現極值，極值頻率：隨頻率的增加出現極值，極值頻率 。1-mrlgs rm2s2s 時：時：1-sr- sr r大致正比于大致正比于，；- sr 時：時：1-r大致反比于大致反比于，

30、 r； 附近：附近： 和和 發(fā)生劇烈變化，稱為發(fā)生劇烈變化，稱為彌散區(qū)域彌散區(qū)域。 rr1-22ssrr- tan3.2 的頻率特性的頻率特性tantan隨頻率的增加出現極值，極值頻率：隨頻率的增加出現極值，極值頻率：Otanlgmss2-sm1tan的頻率特性與的頻率特性與 類似：類似： r1- 時：時： 大致與大致與 成正比；成正比；時：時： 大致與大致與 成反比；成反比；1-m時：通過極大值。時：通過極大值。 mss-tan-tans4. 介電常數與溫度的關系介電常數與溫度的關系EEe00rn1l n0：i宏觀介電常數與微觀參數：介質單位體積中的極化粒子數、宏觀介電常數與微觀參數：介質單

31、位體積中的極化粒子數、粒子的極化率及有效電場有關，考察粒子的極化率及有效電場有關，考察 隨溫度的變化關系，隨溫度的變化關系，只需研究只需研究n0、 、和、和 Ee 隨溫度的變化關系隨溫度的變化關系。rl Ee：氣體、非極性介質、高度對稱和完全無序介質：氣體、非極性介質、高度對稱和完全無序介質 洛倫茲有效電場；洛倫茲有效電場； 在離子晶體中，與離子種類、晶體結構等有關。在離子晶體中，與離子種類、晶體結構等有關。l ： 電子位移極化率：與溫度無關；電子位移極化率：與溫度無關； 離子位移極化：離子位移極化：T ， 離子間距膨脹，離子間距膨脹，a ， ； 自發(fā)極化：與相變和晶體結構等因素有關。自發(fā)極化

32、：與相變和晶體結構等因素有關。 偶極子取向極化、離子松弛極化：溫度升高，抗取向性增強，極化率下降；偶極子取向極化、離子松弛極化：溫度升高，抗取向性增強，極化率下降；溫度升高，由于熱膨脹，單位體積內的粒子數減少；溫度升高，由于熱膨脹，單位體積內的粒子數減少；5. 計及漏導電流時的介質損耗計及漏導電流時的介質損耗l 任何介質都不是理想的絕緣體，在加上交變電場后，除極化損耗外，任何介質都不是理想的絕緣體，在加上交變電場后，除極化損耗外， 還有漏導電流產生，電流做功，以熱的形式散發(fā)出來，形成介質損還有漏導電流產生，電流做功，以熱的形式散發(fā)出來，形成介質損 耗的一部分，稱為耗的一部分，稱為漏導損耗漏導損

33、耗，也稱，也稱電導損耗電導損耗。GPtantantanl 介質損耗：介質損耗：Ptan：極化引起的損耗角正切；：極化引起的損耗角正切；Gtan：電導引起的損耗角正切；：電導引起的損耗角正切；22-ssPtan)11(tans0G22-( 為介質的電導率為介質的電導率)： ，只有電導電流引起的損耗：，只有電導電流引起的損耗：1）0tanP00s0tanl 與頻率的關系：與頻率的關系：tan3）隨著頻率的升高，極化損耗開始起作用，出現損耗峰值；）隨著頻率的升高，極化損耗開始起作用，出現損耗峰值；2）頻率很低時：頻率很低時： 可忽略不計；損耗主要由電導引起：可忽略不計；損耗主要由電導引起：Ptan1

34、tans04）頻率極高時：頻率極高時： 1-tan0s22Ptan-ss)11(tan220G-stanlg1）2）3）4）Ol 與電導率與電導率 的關系：的關系：tan當電介質的電導增加時，漏導損耗的比例就相應增加；當電介質的電導增加時，漏導損耗的比例就相應增加；1） 很小時：明顯的極化損耗特征；很小時：明顯的極化損耗特征；2） 逐漸增大時：極化損耗極大值逐漸變得不明顯；逐漸增大時：極化損耗極大值逐漸變得不明顯；3） 很大時：極大值完全被淹沒，很大時：極大值完全被淹沒， 隨頻率增加迅速下降，隨頻率增加迅速下降， 表現出明顯的電導損耗特征。表現出明顯的電導損耗特征。tantan12345543

35、21O22Ptan-ss)11(tan220G-s電導率電導率 與溫度的關系：與溫度的關系：）（T/B-Aexp低溫區(qū)：極化損耗為主；低溫區(qū)：極化損耗為主；高溫區(qū)：漏導損耗呈指數急劇上升。高溫區(qū)：漏導損耗呈指數急劇上升。OTtan極化損耗極化損耗漏漏導導損損耗耗l 與溫度的關系：與溫度的關系：tanOtanT1234554321tan 與溫度的關系，隨著與溫度的關系，隨著 的增加，的增加， 極化損耗也逐漸被電導損耗覆蓋。極化損耗也逐漸被電導損耗覆蓋。22Ptan-ss)11(tan220G-s1. 電介質的電導電介質的電導4-1-3 電介質的電導和擊穿電介質的電導和擊穿l 實際電介質中或多或少

36、地存在著一定量的自由帶電粒子，在不高的外電場下，實際電介質中或多或少地存在著一定量的自由帶電粒子，在不高的外電場下， 這些載流子定向遷移，形成很小的電流，稱為這些載流子定向遷移，形成很小的電流，稱為漏導電流漏導電流。l 若電介質中正負載流子的濃度相同，均為若電介質中正負載流子的濃度相同，均為n，每個載流子的帶電量為，每個載流子的帶電量為q，則，則 介質中的電流密度為：介質中的電流密度為：E)()(qnqnjn歐姆定律：歐姆定律：Ej （ 為電介質的為電介質的電導率電導率）)(1qn單單位位截截面面q 電導率和電阻率直接表征了介質絕緣性能的優(yōu)劣；電導率和電阻率直接表征了介質絕緣性能的優(yōu)劣； 電場

37、不高時，電導率與電場無關；電場不高時，電導率與電場無關； 提高介質的絕緣性：提高介質的絕緣性： 減少載流子數；減少載流子數； 降低遷移率。降低遷移率。l 正負載流子的遷移速率與外電場強度成正比：正負載流子的遷移速率與外電場強度成正比：EE-（ 和和 為遷移率）為遷移率）-；+q2. 電介質的擊穿電介質的擊穿l 當電場強度相當高時，電導率隨當電場強度相當高時，電導率隨 E 升高迅速增加；若電場繼續(xù)升高，介質的升高迅速增加；若電場繼續(xù)升高，介質的 電導將突然急劇增加，電介質的絕緣性被破壞電導將突然急劇增加，電介質的絕緣性被破壞，幾乎變成導體，稱為，幾乎變成導體，稱為介質擊穿介質擊穿。l 發(fā)生電擊穿

38、時的臨界電壓稱為擊穿電壓；相應的臨界電場強度稱為發(fā)生電擊穿時的臨界電壓稱為擊穿電壓；相應的臨界電場強度稱為抗電強度（抗電強度（Eb）。 抗電強度表征了電介質承受電場作用能力的高低。抗電強度表征了電介質承受電場作用能力的高低。 抗電強度有時也稱抗電強度有時也稱擊穿強度擊穿強度。l 介質擊穿的主要形式：介質擊穿的主要形式：電擊穿電擊穿電介質的結構直接被電場力所破壞；電介質的結構直接被電場力所破壞；熱擊穿熱擊穿由于電介質材料的介質損耗導致電介質發(fā)熱而被破壞；由于電介質材料的介質損耗導致電介質發(fā)熱而被破壞；電化學擊穿電化學擊穿由于外加電壓的作用，致使電介質內部發(fā)生化學變化而引起擊穿。由于外加電壓的作用，致使電介質內部發(fā)生化學變化而引起擊穿。4-1-4 電介質材料的非電性能電介質材料的非電性能1. 熱穩(wěn)定性熱穩(wěn)定性介電常數溫度系數：介電常數溫度系數：Tdd1l 熱穩(wěn)定性：熱穩(wěn)定性：在溫度變化時，電介質材