半導(dǎo)體物理器件期末總結(jié)2011

1、半導(dǎo)體器件物理常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院一、填空題（一、填空題（1010分）分）二、選擇題（二、選擇題（2020分）分）三、判斷題（三、判斷題（2020分）分）四、名詞解釋（四、名詞解釋（1515分）分）五、問答題（五、問答題（1212分）分）六、作圖題（六、作圖題（1111分）分）七、計(jì)算題（七、計(jì)算題（1212分）分）題型與比例第第1章章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)n常見的半導(dǎo)體材料（單晶、多晶、非晶、第一、二、三代常見的半導(dǎo)體材料（單晶、多晶、非晶、第一、二、三代材料）材料）n常見半導(dǎo)體材料的晶格結(jié)構(gòu)（金剛石、閃鋅礦、釬鋅礦）、常見半導(dǎo)體材料的晶格結(jié)構(gòu)（金剛石、閃鋅礦、釬鋅礦）、制備

2、器件常用晶圓的晶面指數(shù)制備器件常用晶圓的晶面指數(shù)n原子的能級(jí)、能級(jí)圖（泡利不相容原理、玻耳茲曼分布律、原子的能級(jí)、能級(jí)圖（泡利不相容原理、玻耳茲曼分布律、玻爾頻率條件）玻爾頻率條件）n晶體中的電子狀態(tài)（共有化運(yùn)動(dòng)）晶體中的電子狀態(tài)（共有化運(yùn)動(dòng)）n導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體的能帶（導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶、導(dǎo)帶導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體的能帶（導(dǎo)帶、價(jià)帶、禁帶、導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂、禁帶寬度、直接帶隙型、間接帶隙型）底、價(jià)帶頂、禁帶寬度、直接帶隙型、間接帶隙型）n半導(dǎo)體中載流子（電子、空穴）半導(dǎo)體中載流子（電子、空穴）n有效質(zhì)量（意義、內(nèi)外層區(qū)別、導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂）有效質(zhì)量（意義、內(nèi)外層區(qū)別、導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂）第第2章章 半

3、導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級(jí)n本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體、本征激發(fā)、本征載流子濃度、本征激發(fā)、本征載流子濃度n雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體（替位式雜質(zhì)和間隙雜質(zhì)、（替位式雜質(zhì)和間隙雜質(zhì)、n型半型半導(dǎo)體和導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體、施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)及其型半導(dǎo)體、施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)及其電離過程、雜質(zhì)補(bǔ)償作用、淺能級(jí)雜質(zhì)和深能電離過程、雜質(zhì)補(bǔ)償作用、淺能級(jí)雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)）級(jí)雜質(zhì)）n半導(dǎo)體中的半導(dǎo)體中的缺陷能級(jí)缺陷能級(jí)（點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺（點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷、空位、層錯(cuò)、位錯(cuò)）陷、體缺陷、空位、層錯(cuò)、位錯(cuò)）第第3章章 半導(dǎo)體中的載流子的統(tǒng)計(jì)分布半導(dǎo)體中的載流子的統(tǒng)計(jì)分布n狀態(tài)密度狀態(tài)密度n費(fèi)米

4、能級(jí)和載流子統(tǒng)計(jì)分布（費(fèi)米能級(jí)、費(fèi)米能級(jí)和載流子統(tǒng)計(jì)分布（費(fèi)米能級(jí)、導(dǎo)帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度）導(dǎo)帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度）n熱平衡狀態(tài)、熱平衡載流子、本征半導(dǎo)熱平衡狀態(tài)、熱平衡載流子、本征半導(dǎo)體載流子濃度體載流子濃度n雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度（與溫度關(guān)系）雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子濃度（與溫度關(guān)系）第第4章章 半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體的導(dǎo)電性n載流子的漂移運(yùn)動(dòng)載流子的漂移運(yùn)動(dòng) （遷移率）（遷移率）n載流子的散射（電離雜質(zhì)散射、晶格振載流子的散射（電離雜質(zhì)散射、晶格振動(dòng)散熱）動(dòng)散熱）n遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系n電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系）電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的

5、關(guān)系）第第5章章 非平衡載流子非平衡載流子n非平衡載流子的注入（熱平衡狀態(tài)、非平衡狀非平衡載流子的注入（熱平衡狀態(tài)、非平衡狀態(tài)、非平衡載流子、非平衡少子、非平衡載流態(tài)、非平衡載流子、非平衡少子、非平衡載流子注入子注入 、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)）、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)）n非平衡載流子的復(fù)合（非平衡載流子壽命、直非平衡載流子的復(fù)合（非平衡載流子壽命、直接復(fù)合、間接復(fù)合、俄歇復(fù)合、能量的釋放途接復(fù)合、間接復(fù)合、俄歇復(fù)合、能量的釋放途徑、深能級(jí)的雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心）徑、深能級(jí)的雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心）n非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)非平衡載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律（擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)、漂移運(yùn)動(dòng)、愛因斯坦關(guān)系式）動(dòng)、愛因斯坦關(guān)系式）第

6、第6 6章章 pnpn結(jié)結(jié)nPNPN結(jié)形成、空間電荷區(qū)、平衡結(jié)形成、空間電荷區(qū)、平衡PNPN結(jié)的能帶圖及結(jié)的能帶圖及平衡平衡PNPN結(jié)的特點(diǎn)。結(jié)的特點(diǎn)。nPNPN結(jié)接觸電勢(shì)差、結(jié)接觸電勢(shì)差、PNPN結(jié)的載流子分布結(jié)的載流子分布n非平衡狀態(tài)下的非平衡狀態(tài)下的PNPN結(jié)及其能帶圖結(jié)及其能帶圖n理想狀態(tài)下理想狀態(tài)下PNPN結(jié)中產(chǎn)生電流、復(fù)合電流、擴(kuò)散結(jié)中產(chǎn)生電流、復(fù)合電流、擴(kuò)散電流與電壓的方程式電流與電壓的方程式n實(shí)際情況下的實(shí)際情況下的PNPN結(jié)電流結(jié)電流- -電壓特性電壓特性nPNPN結(jié)的勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容；結(jié)的勢(shì)壘電容、擴(kuò)散電容；nPNPN結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊穿結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿、熱擊

7、穿n隧道二極管隧道二極管補(bǔ)充：雙極晶體管補(bǔ)充：雙極晶體管n晶體管的基本結(jié)構(gòu)與雜質(zhì)分布晶體管的基本結(jié)構(gòu)與雜質(zhì)分布n晶體管的工作原理晶體管的工作原理n晶體管的直流特性晶體管的直流特性n晶體管的極限參數(shù)晶體管的極限參數(shù)第第7 7章章 金屬與半導(dǎo)體接觸金屬與半導(dǎo)體接觸n金屬半導(dǎo)體接觸形成的能帶圖金屬半導(dǎo)體接觸形成的能帶圖 n肖特基接觸肖特基接觸n歐姆接觸歐姆接觸第第8 8章章 半導(dǎo)體表面與半導(dǎo)體表面與MISMIS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)nMISMIS結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)n表面電場(chǎng)效應(yīng)（積累層、耗盡層和反型層）表面電場(chǎng)效應(yīng)（積累層、耗盡層和反型層）nMISMIS結(jié)構(gòu)的電容結(jié)構(gòu)的電容- -電壓特性（金屬與半導(dǎo)體功函電壓特性（金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)、絕緣層中的電荷的影響）數(shù)、絕緣層中的電荷的影響）nMOSFETMOSFET結(jié)構(gòu)、分類、特征結(jié)構(gòu)、分類、特征名詞解釋名詞解釋1 1、共有化運(yùn)動(dòng)、共有化運(yùn)動(dòng)2 2、施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)、雜質(zhì)補(bǔ)償、施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)、雜質(zhì)補(bǔ)償3 3、直接復(fù)合、間接復(fù)合、直接復(fù)合、間接復(fù)合4 4、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)、準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)5 5、平衡狀態(tài)