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1、探測(cè)器光電隔離模數(shù)轉(zhuǎn)換丈量室dxyxyI),()(RyyrdrrrdxryI|22)()()(22)(1)(rydydyydIrRrjijjiiLIcos)()(),(10rrr軸對(duì)稱分布Abel變換實(shí)踐情況:非對(duì)稱情形:弱的角度依賴性用于軟射線,輻射丈量根本方程典型軟射線探測(cè)陣列和層析結(jié)果最大熵方法是一種處置不適定問(wèn)題數(shù)據(jù)不完全或包含噪聲的方法。這一方法是:在一切能夠的解中,選擇熵最大的一個(gè) 。kjjkknfOd圖像反演kjkjdOf1jNjjppSlog1Njjjjffp1/2212/)(kkjNkjkdfO丈量量待丈量噪聲不論噪聲引進(jìn)熵假設(shè)不置信丈量結(jié)果令熵最大,即一切fi 相等假設(shè)很置
2、信丈量結(jié)果令=0,即預(yù)期的不確定性令2=N 最為合理,在此條件下令S 最大一種方法是在N 維參數(shù)空間里,先置初始值完全相等,即熵S最大。然后逐漸迭代,向-2和S 方向走,最后到達(dá)2=N 。電位關(guān)系:p探針電位R參考電位靜電探針及其特性曲線實(shí)踐電源線路實(shí)踐特性曲線外觀被燒毀的探針公式零點(diǎn)實(shí)驗(yàn)零點(diǎn)等離子體鞘的寬度為幾個(gè)Debye長(zhǎng)度eeeeeemTSenSvenI22141000)exp(iepeITeVII)ln()(0ipeIIdeVdTieiimTeSnI0電子飽和流電子流離子飽和流離子飽和流)ln(00ieeFIITeV懸浮電位電子溫度電子密度懸浮電位216065. 0)21exp(鞘處的
3、實(shí)踐上等離子體離子密度小于遠(yuǎn)處密度,上式右方應(yīng)乘以)exp(21eeeTeVIIeeeeeTedVdIIdVdII22111101ieIIIIIIie0202202iieIIITedVdIeiITeIdVdI2)(00電子溫度從曲線飽和段同樣可測(cè)電子密度從曲線中心段V2-V1固定,會(huì)自動(dòng)調(diào)整V1,V2使得滿足I1+I2=0 0020)exp(iieeIITeVI002ln2lneieIITeV探針3于懸浮電位,使其流過(guò)為零 2ln)(2eFTVVe2ln)(2FeVVeT直接得到電子溫度)ln(00ieeFIITeVeFeieFpTVmmeTVV 12ln2等離子體電位與懸浮電位關(guān)系對(duì)等離子體
4、,=2.9三探針經(jīng)常用于丈量等離子體密度和電位的漲落探針為一加熱燈絲。負(fù)電位時(shí)熱電子發(fā)射流迭加在離子飽和流上,懸浮電位接近等離子體電位。探針開(kāi)路時(shí),電位即等離子體電位各電極功能:排斥柵:排斥電子偏壓柵:排斥一定能量以下離子屏蔽柵:屏蔽二次電子搜集器:搜集離子流duduM)(2馬赫(Mach)數(shù)u/Cs普通用于丈量托卡馬克邊緣等離子體環(huán)向流速u(mài),d為面對(duì)和背對(duì)粒子流接納的流量馬赫探針構(gòu)造復(fù)雜的馬赫探針dtdBNSV 托卡馬克上的磁探圈積分電路根本公式,逆磁線圈,羅氏線圈,磁通丈量環(huán)Mirnov線圈,小磁探圈磁探圈設(shè)計(jì)總電流和兩電流分量隨時(shí)間變化總電流過(guò)零時(shí)電流密度在截面上分布22081ppIB丈量有無(wú)等離子體時(shí)的總環(huán)向磁通,可以計(jì)算等離子體溫度通常InA運(yùn)用磁探圈和磁通環(huán),配合平衡程序計(jì)算等離子體截面外形和位移對(duì)稱探圈和余弦探圈對(duì)稱探圈數(shù)據(jù)要經(jīng)過(guò)計(jì)算,余弦探圈探測(cè)結(jié)果和位移成正比丈量原理線圈外觀在大型安裝上的安裝位置安裝上得
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