史上最全的PCB封裝命名規(guī)范

1、Wlj460887PCB 封裝命名規(guī)范魔電 EDA 建庫工作室2015.6.11目錄1 范圍42 引用43 約束44 焊盤的命名54.1 表貼焊盤命名規(guī)范54.2 通孔焊盤命名規(guī)范74.3 花焊盤命名94.4 Shape 命名 105 PCB 封裝命名 115.1 封裝命名要求 115.2 電阻類命名 135.3 電位器命名 155.4 電容器命名 165.5 電感器命名 195.6 磁珠命名 215.7 二極管命名 215.8 晶體諧振器命名 235.9 晶體振蕩器命名 245.10 熔斷器命名 245.11 發(fā)光二極管命名 245.12 BGA 封裝命名 255.13 CGA 封裝命名 2

2、55.14 LGA 封裝命名 265.15 PGA 封裝命名 265.16 CFP 封裝命名 275.17 DIP 封裝命名 275.18 DFN 封裝命名 285.19 QFN 封裝命名 285.20 J 型引腳 LCC 封裝命名 295.21 無引腳 LCC 封裝命名 295.22 QFP 類封裝命名 305.23 SOP 類封裝命名 305.24 SOIC 封裝命名 315.25 SOJ 封裝命名 315.26 SON 封裝命名 315.27 SOT 封裝命名 325.28 TO 封裝命名 335.29 連接器封裝命名 345.30 其它封裝命名 341范圍本規(guī)范適用于主流EDA軟件在P

3、CB設(shè)計前的封裝建庫命名。2引用IPC-7351B：Generic Requirements for Surface Mount Design and Land Pattern Standard. PCB libraries Footprint Naming Convention.3約束 本規(guī)范中所有的命名只能采用占一個字節(jié)（即半角輸入）的數(shù)字（0-9）、字母（a-z無大小 寫限制）、下劃線（_）、中橫線（-）四種字符,其它符號均屬于非法字符。 命名中所使用的尺寸單位只能采用公制單位毫米（mm）或者英制單位毫英寸（mil）。 命名中的所有尺寸（如長、寬、高等），如果采用公制，數(shù)字的后兩位表示小

4、數(shù)位（如果 實際小數(shù)位不止兩位則四舍五入到兩位數(shù)），整數(shù)位長度無限制。例如：r160_50s15mm中的長度160表示1.6mm，寬度50表示0.5mm。 命名中的所有尺寸（如長、寬、高等），如果采用英制，那么數(shù)字全都是整數(shù)，沒有小數(shù) 位，整個數(shù)字的長度無限制。例如：r210_90s6mil中的長度210表示210mil，寬度90表示90mil。規(guī)范中大括號以及它包含的內(nèi)容表示參數(shù)。例如：capaeBody SizexHeightLevelmm(mil)假設(shè)對應(yīng)的封裝名為 capae240x310nmm， 那么Body Size就是 240，Height就是 310，Level就是 n，如果單

5、位用的毫米，后綴就是 mm， 否則就是 mil。參數(shù)解釋。Level：密度等級。見 5.1 節(jié)。Mfr.Name：器件廠家。可用完整英文或者英文縮寫或者漢語拼音。Part Number： 廠家完整型號。如果包含非法字符，須刪除或者用下劃線替代。Length：器件長度。取典型值，若無典型值則取平均值，若僅有一個值，則取該值。Width：器件寬度。取典型值。Height：器件高度。取最大。Lead Spacing： 兩引腳插裝器件的引腳間距。取典型值。Pitch：相鄰引腳的間距。取典型值。Lead Diameter：插裝器件引腳的直徑。取最大值。Body Length：封裝體長度。取典型值。Bod

6、y Width：封裝體寬度。取典型值。Body Height：封裝體高度。取最大。Body Thickness：封裝體厚度。Body Diameter：圓柱形器件封裝體的直徑。取典型值。Lead Span：排距。兩排引腳外沿的距離，取典型值。Lead Span L1： 排距 1。矩形四邊引腳的器件其中較小的排距。取典型值。Lead Span L2： 排距 2。矩形四邊引腳的器件其中較大的排距。取典型值。Pin Qty：引腳數(shù)量。此數(shù)量包含功能引腳數(shù)量和散熱盤的數(shù)量。Columns：引腳的列數(shù)。Rows：引腳的行數(shù)。說明：根據(jù)實際數(shù)據(jù)手冊（datasheet）的描述，如果手冊沒有給出典型值，則計

7、算平均值；如果手冊 只給出了唯一值（無論是最小值還是最大值），則取該值。4焊盤的命名焊盤是組成封裝的單元，本節(jié)所講的焊盤包括表貼焊盤、通孔焊盤，以及組成特殊表貼焊 盤的shape和組成通孔焊盤的flash。4.1表貼焊盤命名規(guī)范4.1.1標準表貼焊盤 標準表貼焊盤包含正方形、長方形、圓形和橢圓形焊盤。例：W=1.2mm， H=0.6mm， D=40mil命名格式：長方形/橢圓形： 正方形/圓形： 說明：焊盤形狀。r表示矩形(rectangle)；c表示圓形(circle)；s表示方形(square)；b表示橢圓形(oblong) W：焊盤的長度(長邊)。 H: 焊盤的寬度(短邊) s: 固定字

8、符，表示阻焊(solder mask)。 阻焊增量。阻焊長度(寬度)減去焊盤長度(寬度)的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制)和mil(英制)兩種。4.1.2D 形表貼焊盤例：W=1.2mm， H=0.6mm命名格式：說明： d表示焊盤形狀為D形。 W：焊盤的長度(長邊)。 H: 焊盤的寬度(短邊) s: 固定字符，表示阻焊(solder mask)。 阻焊增量。阻焊長度(寬度)減去焊盤長度(寬度)的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制)和mil(英制)兩種。4.1.3非標準表貼焊盤非標準表貼焊盤是指不能直接制作，只能用shape組成的除標準焊盤和D形焊盤外的其它任意形狀焊盤

9、。例如：命名格式：smd_Pack.Name_Number 其中Pack.Name為這個焊盤適用的封裝名，Number為數(shù)字，如果此封裝只包含一個非標準焊盤， 那么Number可忽略，如果封裝包含兩個非標準焊盤，那么Number就分別表示1和2，以此類推。例如：封裝sot230p700x180-4nmm包含兩個非標準焊盤，那么這兩個焊盤名分別為smd_sot230p700x180-4nmm_1和smd_sot230p700x180-4nmm_2。4.2通孔焊盤命名規(guī)范EDA軟件能創(chuàng)建的通孔焊盤，其通孔部分的形狀包含圓形、矩形和橢圓形，焊接部分的焊 盤形狀有圓形、矩形、橢圓形、正方形、八邊形。4

10、.2.1圓形/方形焊盤命名例：H=1.6mm，D=1mm 命名格式： 帶自定義flash的金屬孔：不帶自定義flash的金屬孔：非金屬孔：說明： t：固定字符，表示通孔焊盤（through）。 焊盤的形狀，c為圓形（circle），s為方形（square）。 焊盤的邊長。 表示鉆孔形狀，c為圓形（circle），s為方形（square）。 鉆孔直徑。 鉆孔類型。p表示鉆孔內(nèi)壁上錫（plated），為金屬孔；n為非金屬孔（non-plated）。 花焊盤（thermal relief）的外徑。 花焊盤（thermal relief）的內(nèi)徑。 花焊盤的輻寬。 s: 固定字符，表示阻焊(solder

11、 mask)。 阻焊增量。阻焊長度(寬度)減去焊盤長度(寬度)的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制)和mil(英制)兩種。4.2.2橢圓形/矩形焊盤命名例：W1=2.2mm，W2=1.2mm，H1=1.6mm，H2=0.6mm命名格式：帶自定義flash的金屬孔：不帶自定義flash的金屬孔：非金屬孔：說明： t：固定字符，表示通孔焊盤（through）。 焊盤的形狀，b為橢圓形（oblong），r為矩形（rectangle）。 焊盤的長度。 焊盤的寬度。 表示鉆孔形狀，b為橢圓形（oblong），r為矩形（rectangle）。 鉆孔的長度。 鉆孔的寬度。 鉆孔類型。p表示鉆孔內(nèi)壁

12、上錫（plated），為金屬孔；n為非金屬孔（non-plated）。 花焊盤（thermal relief）的外圈長度。 花焊盤（thermal relief）的內(nèi)圈長度。 花焊盤的輻寬。 s: 固定字符，表示阻焊(solder mask)。 阻焊增量。阻焊長度(寬度)減去焊盤長度(寬度)的尺寸。 創(chuàng)建焊盤使用的單位。只采用mm(公制)和mil(英制)兩種。4.3花焊盤命名例：D=1.3mm，d=1mm，w=0.2mm，b=90°，H1=1.6mm，H2=1mm，W1=1.9mm，W2=1.3mm。 命名格式：矩形/橢圓形花焊盤：方形/圓形花焊盤：說明： f：固定字母，代表花焊盤（

13、flash）。 花焊盤外圈長度。 花焊盤外圈寬度。 x：分隔符號。 花焊盤內(nèi)圈長度。 花焊盤內(nèi)圈寬度。 花焊盤形狀。c表示圓形（circle），b表示橢圓形（oblong），s表示方形（square），r 表示矩形（rectangle）。 花焊盤的輻寬。 花焊盤開口方向與水平線的夾角（銳角）。 命名的單位。4.4Shape 命名要制作特殊形狀的焊盤，需要事先在軟件中制作焊盤的形狀shape，下面是特殊形狀焊盤的 例子，如鍵盤按鍵的焊盤、SON封裝的散熱焊盤等。命名格式： sh_Pack.Name_Number 說明： sh：固定字符，表示特殊形狀焊盤（shape）。 Pack.Name表示此s

14、hape適用的封裝名。 Number是數(shù)字后綴。如果封裝只包含一個shape，那么Number可忽略；如果封裝有兩個shape， Number分別是1和2，以此類推。例如：封裝sot230p700x180-4nmm包含兩個非標準焊盤，每個非標準焊盤對應(yīng)的shape分別是sh_sot230p700x180-4nmm_1和sh_sot230p700x180-4nmm_2。5PCB 封裝命名5.1封裝命名要求 由于PCB分為高密度板，中等密度板，低密度板，因此制作的封裝也分高中低三個等級。 M（A）低密度（most）。后綴M（A）表示低密度封裝，封裝尺寸較大。 N（B）中等密度（nominal）。后

15、綴N（B）表示中等密度封裝，封裝尺寸適中。L （C）高密度（least）。后綴L（C）表示高密度封裝，封裝尺寸較小。表貼封裝使用M，N，L；插件封裝使用A,B,C。例如：SOIC127P1041X419_8NMM，DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。某些器件，尺寸的典型值完全一樣，但偏差不一樣。例如8pin的SOIC封裝，對于引腳跨距， 有些廠家是6±0.1，有些廠家是6±0.2。對于這種情況，需要在封裝名稱最后加上數(shù)字1,2,3,4來區(qū)分。例如：SOIC127P1041X419_8N_1NMM。有些器件尺寸完全一樣，但引腳排列順序相反，如下圖：這

16、種情況需要在封裝名稱后面加字母R區(qū)分。例如上圖右邊的引腳排序與常規(guī)的逆時針排序相 反，那么它的命名就是：PLCC127P990X990X457_20RNMM。某些 datasheet 上的器件引腳最大編號大于引腳總數(shù)，如下圖：引腳最大編號14，但實際引腳數(shù)是4。對于這種情況，命名中需要先體現(xiàn)出實際引腳數(shù)，然后 列出引腳最大編號。例如：DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。 某些器件實際引腳數(shù)大于 datasheet 上的引腳編號，如下圖：有編號的引腳數(shù)是48個，而實際引腳數(shù)是56個。此時命名也需要體現(xiàn)出兩者的數(shù)值。例如：BGA48C75P6X8_800X1200X12

17、0_56_48NMM。 不同廠家的晶體管和場效應(yīng)管，三個極的位置可能排列不一樣，如下圖：命名時，可在封裝名后面加上pin number1,2,3所對應(yīng)的極。例如1,2,3對應(yīng)的極是B,C,E，那么封裝名稱就是SOT95P237X117_BCE_3NMM。5.2電阻類命名5.2.1表貼電阻表貼電阻常見類型：片狀電阻Resistor chip(RESC), 模制電阻Resistor molded(RESM), 柱狀電阻Resistor Melf (RESMELF)。命名格式： 片狀電阻：resc_eType_Body LengthxBody WidthxHeightxPin LengthLevel

18、mm(mil)模制電阻：resmBody LengthxBody WidthxHeightLevelmm(mil)柱狀電阻：resmelf Body LengthxBody DiameterLevelmm(mil)例如：resc_e2010_500x250x65x60nmm表示片狀電阻通用尺寸是英制的2010，實際長寬高分別是 5mm、2.5mm、0.65mm，引腳長度是0.6mm。 resmelf260x76nmm表示圓柱形電阻長度和直徑分別是2.6mm和0.76mm。說明： eType中的e表示EIA（采用英制單位），Type表示片狀電阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805等等，下

19、面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.2mm。 res（resistor）后面的c表示片狀（chip），m表示模制（molded），melf（Metal Electrical Face） 表示圓柱。5.2.2表貼排阻 貼片排阻有下列幾種類型：命名格式：引腳凹陷的排阻：rescav PitchpBody Lengt

20、hxBody Widthx Height _Pin QtyLevelmm(mil)引腳凸出并且引腳尺寸都一樣的排阻：rescaxePitchpBody LengthxBody Widthx Height _Pin QtyLevelmm(mil)引腳凸出并且同一側(cè)引腳尺寸不一樣的排阻：rescaxs PitchpBody LengthxBody Widthx Height _Pin QtyLevelmm(mil)引腳平滑的排阻：rescaf PitchpBody LengthxBody Widthx Height _Pin QtyLevelmm(mil)例如：rescav50p160x100x5

21、5_8nmm表示引腳凹陷的排阻相鄰引腳間距是0.5mm，長寬高分別是1.6mm、1mm和0.55mm，引腳總數(shù)是8，以公制為單位制作的中等密度封裝。引腳在側(cè)面而非底部的排阻命名：rescav_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) rescaxe_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) rescaxs_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) rescaf_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)說明：res（resistor）后面的cav表示引腳凹陷的片狀陣列（Chip Array, Conc

22、ave），caxe表示引腳 凸出并且引腳尺寸都一樣的片狀陣列（Chip Array, Convex, Even Pin Size），caxs表示引腳凸出并 且同一側(cè)引腳尺寸不一樣的片狀陣列（Chip Array, Convex,Side Pins Diff），caf表示引腳平滑的片 狀陣列（Chip, Array, Flat）。5.2.3軸向電阻命名格式：插裝軸向電阻（橫向安裝）：resadh Lead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)；插裝軸向電阻（縱向安裝）：resadv Lead SpacingwLea

23、d DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)；例如：RESADH0800W0052L0600D0150BMM 表示軸向電阻水平安裝，引腳間距 8mm，引腳直徑 0.52mm，電阻長度 6mm，電阻直徑 1.5mm，封裝采用公制按照中等密度制作。說明：res（resistor）后面的adh表示軸向水平安裝（Axial Diameter Horizontal Mounting），adv表 示軸向垂直安裝（Axial Diameter Vertical Mounting）。5.2.4非標準電阻 非標準電阻是指上述電阻以外的電阻類型，例如封裝為橢圓形

24、，矩形等。命名格式：res_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)；例如：res_zenithsun_sqp5w100jnmm表示廠家zenithsun生產(chǎn)的型號為sqp5w100j的水泥電阻封裝以 公制為單位制作的中等密度封裝。5.3電位器命名命名格式：pot_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)；例如：pot_bourns_pda241srt01504a2nmm表示電位器廠家是Bourns，型號是pda241srt01504a2，封 裝以公制為單位，中等密度封裝。 說明：pot（potentiometer）指電位器、電位計、可變電阻器。

25、5.4電容器命名5.4.1表貼電容命名格式： 無極性片狀電容：capc_eType_Body LengthxBody WidthxHeightxPin LengthLevelmm(mil)有極性片狀電容：capcp_eType_Body LengthxBody WidthxHeightxPin LengthLevelmm(mil) 線繞矩形片狀電容：capcwrBody LengthxDiameterLevelmm(mil) 模制有極性電容：capmpBody LengthxBody WidthxHeightLevelmm(mil)模制無極性電容：capmBody LengthxBody Wi

26、dthxHeightLevelmm(mil)表貼鋁電解電容：capaeBody SizexHeightLevelmm(mil)說明： eType中的e表示EIA（采用英制單位），Type表示片狀電阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805等等，下面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.2mm。 cap（capa

27、citor）后面的c表示片狀（chip），p表示有極性（polarized），cwr表示片狀矩形（Wire Rectangle），m表示模制（molded），mp表示模制有極性（Molded, Polarized），ae（Aluminum Electrolytic）表示鋁電解。5.4.2表貼電容陣列命名格式：引腳凹陷的電容陣列：capcav PitchpBody LengthxBody Widthx Height -Pin QtyLevelmm(mil)引腳平滑的電容陣列：capcafPitchpBody LengthxBody Widthx Height -Pin QtyLevelmm(mi

28、l)引腳凸出的電容陣列：capcaxPitchpBody LengthxBody Widthx Height -Pin QtyLevelmm(mil)例如：capcav50p160x100x55_8nmm表示引腳凹陷的電容陣列相鄰引腳間距是0.5mm，長寬高分別 是1.6mm、1mm和0.55mm，引腳總數(shù)是8，以公制為單位制作的中等密度封裝。引腳在側(cè)面而非底部的電容陣列：capcav_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) capcaf_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) capcax_Mfr.Name_Part NumberLevel

29、mm(mil)說明：cap（capacitor）后面的cav表示引腳凹陷的片狀陣列（Chip Array, Concave），caf表示引腳 平滑的片狀陣列（Chip, Array, Flat）。cax表示引腳凸出的片狀陣列（Chip Array, Convex）。5.4.3 插裝電容命名格式：無極性軸向圓柱形電容（橫向安裝）：capadh Lead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)無極性軸向圓柱形電容（縱向安裝）：capadv Lead SpacingwLead DiameterlBody LengthdB

30、ody DiameterLevelmm(mil)有極性軸向圓柱形電容（橫向安裝）：cappadh Lead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)無極性軸向矩形電容（橫向安裝）：caparhLead SpacingwLead DiameterlBody LengthtBody thicknesshBody HeightLevel mm(mil)無極性軸向矩形電容（縱向安裝）：caparvLead SpacingwLead DiameterlBody LengthtBody thicknesshBody Height

31、Levelmm(mil)有極性軸向矩形電容（橫向安裝）：capparhLead SpacingwLead DiameterlBody LengthtBody thicknesshBody HeightLevel mm(mil)無極性徑向圓柱形電容：caprdLead SpacingwLead DiameterdBody DiameterhBody HeightLevelmm(mil)；有極性徑向圓柱形電容：capprdLead SpacingwLead DiameterdBody DiameterhBody HeightLevelmm(mil)；無極性徑向矩形電容：caprrLead Spac

32、ingwLead DiameterlBody LengthtBody thicknesshBody HeightLevel mm(mil)無極性徑向圓形電容：caprbLead SpacingwLead DiameterlBody DiametertBody thicknesshBody HeightLevel mm(mil)；例如：capadh800w52l600d150bmm 表示橫向安裝的無極性軸向圓柱形電容引腳間距是 8mm，引腳直 徑是 0.52mm，封裝體長度 6mm，封裝體直徑是 1.5mm，以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：cap（capacitor）后面的 adh 表示軸

33、向水平安裝（Axial Diameter Horizontal Mounting），adv 表 示軸向垂直安裝（Axial Diameter Vertical Mounting），padh 表示有極性軸向水平安裝（Polarized Axial Diameter Vertical Mounting），arh 表示軸向矩形的水平安裝（Axial Rectangular Horizontal Mounting）， arv 表示軸向矩形的垂直安裝（Axial Rectangular Vertical Mounting），parh 表示有極性軸向矩形的水平安裝（PolarizedAxial Recta

34、ngular Horizontal Mounting），rd 表示徑向圓柱形（Radial Diameter），prd 表示有極性的徑向圓柱形（Polarized Radial Diameter），rr 表示徑向矩形（Radial Rectangular）， rb 表示徑向圓形（Radial Disk Button）。5.4.4非標準電容 命名格式：可變電容（Capacitors, Variable）： capv_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)其它電容（Capacitors, Miscellaneous）：cap_Mfr.Name_Part NumberLev

35、elmm(mil)例如：capv_best_jml06-30pfbmm 表示 best 公司生產(chǎn)的型號為 jml06-30pf 的可調(diào)電容，以公制為 單位制作的中等密度封裝。 說明：cap（capacitor）指電容，本規(guī)范沒有描述的電容類型都屬于“其它電容”。5.5電感器命名5.5.1表貼電感 命名格式： 片狀電感：indc_eType_Body LengthxBody WidthxHeightxPin LengthLevelmm(mil)模制電感：indmBody LengthxBody WidthxHeightLevelmm(mil)繞線電感：indpwBody LengthxBody

36、WidthxHeightLevelmm(mil)有極性電感：indpBody LengthxBody WidthxHeightLevelmm(mil)例如： indc_e2010_500x250x65x60nmm 表示片狀電感通用尺寸是英制的 2010，實際長寬高分別是 5mm、2.5mm、0.65mm，引腳長度是 0.6mm，按中等密度封裝制作。說明： eType中的e表示EIA（采用英制單位），Type表示片狀電阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805等等，下面是通用尺寸的公制英制對照表，本規(guī)范命名采用英制Type。英制(inch)02010402060308051206121018

37、1220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如：英制0805的長寬分別是0.08inch和0.05inch，對應(yīng)的公制分別是2mm和1.2mm。 ind（inductor）后面的c表示片狀（chip），m表示模制（Molded），pw表示精密繞線（Precision Wire），p表示有極性（Polarized）。5.5.2插裝電感 命名格式： 軸向電感（橫向安裝）：indadhLead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)軸向電感（縱向安裝）：ind

38、advLead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)徑向電感：indrdLead SpacingwLead DiameterdBody DiameterhBody HeightLevelmm(mil)例如：indadh800w52l600d150bmm 表示橫向安裝的軸向電感引腳間距是 8mm，引腳直徑是 0.52mm， 封裝體長度 6mm，封裝體直徑是 1.5mm，以公制為單位制作的中等密度封裝。說明：電感 ind（inductor）后面的 adh 表示軸向水平安裝（Axial Diameter Horizon

39、tal Mounting），adv表示軸向垂直安裝（Axial Diameter Vertical Mounting）。5.5.3非標準電感 命名格式：電感：ind_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)說明：ind（inductor）指電感。本規(guī)范沒有描述的電感類型都屬于非標準電感。5.5.4片狀電感陣列 命名格式：片狀電感陣列（平面）：indcafpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil)片狀電感陣列（凹面）：indcavpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil)引腳在

40、側(cè)面而非底部的非標準電感陣列： 片狀電感陣列（平面）：indcaf_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil) 片狀電感陣列（凹面）：indcav_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)說明：ind 后面的 cav 表示引腳凹陷的片狀陣列（Chip Array, Concave），caf 表示引腳平滑的片狀陣 列（Chip, Array, Flat）。5.6磁珠命名5.6.1表貼磁珠 命名格式：片狀磁珠：fbLengthxWidthxHeightLevelmm(mil) 說明：fb 表示磁珠（Ferrite bead）。5.6.2插裝磁珠命名格式

41、：軸向磁珠（橫向安裝）：fbadhLead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)軸向磁珠（縱向安裝）：fbadvLead SpacingwLead DiameterlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)徑向磁珠：fbrdLead SpacingwLead DiameterdBody DiameterhBody HeightLevelmm(mil)說明：磁珠 fb（Ferrite bead）后面的 adh 表示軸向水平安裝（Axial Diameter Horizontal M

42、ounting）， adv 表示軸向垂直安裝（Axial Diameter Vertical Mounting）。5.6.3非標準磁珠 命名格式：fb_Part NumberLevelmm(mil)說明：fb（Ferrite bead）表示磁珠。5.7二極管命名5.7.1表貼二極管命名格式：片狀二極管：diocBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil) 模制二極管：diomBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil) 圓柱體二極管：diomelfBody LengthxBody DiameterLevelmm(m

43、il) 兩端凹面二極管：dioscBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil)SOD 二極管：sodLead SpanxBody Widthx HeightLevelmm(mil)扁平引腳 SOD 二極管：sodflLead SpanxBody Widthx HeightLevelmm(mil)例如：diom430x360x265nmm 表示模制二極管長寬高分別是 4.3mm、3.6mm 和 2.65mm，以公制為單 位制作的中等密度封裝。說明：二極管dio（diode）后面的c表示片狀（chip），m表示模制（molded），melf（Metal El

44、ectrical Face）表示圓柱。5.7.2插裝二極管命名格式： 軸向二極管（橫向安裝）：dioadhLead SpacingwLead WidthlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)軸向二極管（縱向安裝）：dioadvLead SpacingwLead WidthlBody LengthdBody DiameterLevelmm(mil)說明：二極管 dio（diode）后面的 adh 表示軸向水平安裝（Axial Diameter Horizontal Mounting），adv表示軸向垂直安裝（Axial Diameter Vertical M

45、ounting）。5.7.3非標準二極管 命名格式：其它二極管（Diodes, Miscellaneous）： dio_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)5.8晶體諧振器命名命名格式：表貼 2 引腳晶體諧振器：xtalsBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil)表貼多引腳晶體諧振器：xtalsBody LengthxBody Widthx Height-Pin QtyLevelmm(mil)插裝 2 引腳晶體諧振器：xtalBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil)其它非標準晶體諧

46、振器：xtal_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)例如：xtals1105x465x350nmm 表示 2 引腳表貼晶體長寬高分別是 11.05mm、4.65mm 和 3.5mm，以公 制為單位制作的中等密度封裝。說明：xtal（External Crystal）表示外接晶體，s 表示表面貼裝 SMT。5.9晶體振蕩器命名命名格式：兩邊凹陷型晶體振蕩器：oscscpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil) 四角凹陷型晶體振蕩器：oscccLengthxWidthxHeightLevelmm(mil) 兩邊平面型晶體振

47、蕩器：oscsfpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil) 四角平面型晶體振蕩器：osccfLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)J 型引腳晶體振蕩器：oscjpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil) L 型引腳晶體振蕩器：osclpitchpLengthxWidthxHeight-Pin QtyLevelmm(mil) 插裝晶體振蕩器：oscLead SpacingwLead DiameterpPitchlBody LengthhBody Height-Pin QtyLe

48、velmm(mil)其它非標準晶體振蕩器：osc_Mfr.Name_Part NumberLevelmm(mil)例如：osccc320x250x130nmm 表示四角凹陷型晶振的長寬高分別是 3.2mm、2.5mm 和 1.3mm，以公制 為單位制作的中等密度封裝。說明：osc（Oscillator）表示晶體振蕩器，sc（side concave）表示兩側(cè)面凹陷，cc（corner concave）表 示四角凹陷，sf（side flat）表示側(cè)面水平，cf（corner flat）表示四角無凹陷。5.10熔斷器命名命名格式：表貼模制熔斷器：fusmBody LengthxBody Widt

49、hx HeightLevelmm(mil)插裝熔斷器：fuse_Part NumberLevelmm(mil)說明：fuse 表示熔斷器、保險絲，fusm 前面的 fus 表示 fuse，m 表示模制（molded）。5.11發(fā)光二極管命名命名格式：表貼模制發(fā)光二極管：ledmBody LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil)表貼 2 引腳側(cè)面凹陷型發(fā)光二極管：ledscBody LengthxBody Widthx Height-Pin QtyLevelmm(mil)表貼 4 引腳側(cè)面凹陷型發(fā)光二極管：ledscPitchpBody LengthxBody Widthx Height-Pin QtyLevelmm(mil) 插裝發(fā)光二極管：led_Part NumberLevelmm(mil) 其它非標準發(fā)光二極管：led_Part NumberLevelmm(mil)說明：led 指發(fā)光二極管，后面的 m 表示模制（molded），sc（side concave）表示側(cè)面凹陷。5.12BGA 封裝命名命名格式：一般 BGA 封裝：bgaPin Qtyc/nPitchpColumnsxRows_Body LengthxBody Widthx HeightLevelmm(mil)行列引腳間距不同的 BGA 封裝：bgaPin Qtyc/n