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1、電荷轉(zhuǎn)移躍遷 與某些有機物相似,不少無機化合物會在電磁輻射的照射下,發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移躍遷,產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移吸收光譜。一般說來,配合物的金屬中心離子()具有正電荷中心,是電子接受體,配位體()具有負電荷中心,是電子給予體,當化合物接受輻射能量時,一個電子由配位體的電子軌道躍遷至金屬離子的電子軌道,如下式表示: 這種躍遷實質(zhì)上是配位體與金屬離子之間發(fā)生分子內(nèi)的氧化還原反應(yīng)。 不少過渡金屬離子與含有生色團的試劑發(fā)生所生成的配合物及許多水合無機離子,故可發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移躍遷而產(chǎn)生吸收光譜。如: 此外,一些具有d10電子結(jié)構(gòu)的過渡金屬元素所形成的鹵化物,如AgBr、PbI2、HgS等,也是由于這類電子躍遷而呈現(xiàn)顏色
2、。一些含氧酸在紫外可見光區(qū)有強烈吸收,也屬于電荷轉(zhuǎn)移躍遷。 電荷轉(zhuǎn)移躍遷所需的能量(即吸收輻射線的波長)與電子給予體的給電子能力(即電子親合力,或還原能力)及電子接受體的電子接受能力(還原化能力)有關(guān)。如SCN的電子親合力比Cl小,則它們與的配合物發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移躍遷時,所需的能量比來得小,吸收的波長較長,呈現(xiàn)在可見光區(qū),而吸收的波長較短,呈現(xiàn)在近紫外區(qū)。 電荷轉(zhuǎn)移躍遷的最大特點是摩爾吸光系數(shù)較大,一般。因此,這類吸收譜帶在定量分析上很有實用價配位體場躍遷 配位場躍遷包括df躍遷。元素周期表中第四、第五周期的過渡金屬元素中分別含有3d和4d電子軌道,鑭系和錒系元素分別含有4f和5f電子軌道。在配位
3、體存在形成配合物時,過渡金屬元素五個原來能量簡并的 d軌道和鑭系和錒系元素七個原來能量簡并的f軌道,分別被分裂成幾組能量不等的d軌道和f軌道。當配合物吸收輻射能后,處于低能軌道的d電子或f電子可以躍遷至高能軌道。這兩類躍遷分別被稱為dd躍遷和ff躍遷。由于這兩類躍遷必須在配位體的配位場作用下才有可能發(fā)生,因此有稱為配位場躍遷。 dd 躍遷一些d電子層尚未充滿電子的第一、第二過渡金屬元素的吸收光譜,主要為dd躍遷產(chǎn)生的。在沒有外電磁場作用時,過渡金屬離子的5個d電子軌道是簡并的,能量是一樣的。圖13.8為d軌道電子云密度分布示意圖。當配位體按一定的幾何方向配位在金屬離子周圍形成配合物時,過渡金屬
4、離子處在配位體形成的負電場中,原來簡并的5個d軌道在負電場作用下,分裂成能量不等的軌道。d軌道分裂的情況與配位體在金屬離子周圍配置的情況有關(guān)。圖13.9為配位體不同配置情況時d軌道的能級分裂示意圖。 例如配合物(水合離子),有3個d電子,6個H2O分子以正八面體配置在它的周圍,若將6個H2O分子放置在x、y、z三個坐標軸的各一端,H2O分子偶極的負端轉(zhuǎn)向中心的Ti3+。由于偶極子產(chǎn)生的電場對d軌道電子的排斥作用,使d軌道的能量提高。但是由于dxy、dxz、dyz軌道分別在兩坐標之間具有最大的電子云密度,而和軌道分別在xy和z坐標軸上具有最大電子云密度,所以和軌道上的電子受到H2O偶極子負電場的
5、排斥作用比dxy、dxz、dyz軌道來得強,即、軌道上的能量比起dxy、dxz、dyz軌道高。配位場作用的結(jié)果,使5個d軌道分裂成能量高低不同的兩組,兩組軌道之間的能量差,稱為分裂能。值是配位場強度的量度。值的大小與中心離子的價態(tài)及在周期表中的位置有關(guān)。一般是中心離子價數(shù)越高,越大,在同族元素的同價態(tài)離子中,隨著原子序數(shù)的增大,也增加。同時。值還受配位體的種類及配位數(shù)的影響。對于同一種中心離子來說,一些配位體將使按以下順序遞減:CO CN NO2 鄰二氮菲 NH3 CH3CN CNS H2O C2O42 OH F NO3 Cl S2 Br I。除少數(shù)情況例外,可用此配位場強度順序,預測某一過渡金屬離子的各種配合物吸收光譜的相對位置。一般規(guī)律是,值隨配位場強度的增加而增加,吸收波長發(fā)生紫移。 由于配位體的分裂能一般較小,所以配位場躍所產(chǎn)生的光譜吸收波長較長,一般位于可見光區(qū),而且吸收強度較弱,摩爾吸光系數(shù)較小,通常。雖然配位體躍遷在定量分析應(yīng)用上不如電荷轉(zhuǎn)移躍遷重要,但它可用于研究配合物的結(jié)構(gòu)及性質(zhì),并為現(xiàn)代無機配合物鍵合理論的建立,提供有用的信息。圖13.10為某些過渡金屬離子的吸收光譜。 f-f 躍遷大多數(shù)鑭系和錒系元素的離子在紫外-可見光區(qū)都有吸收,這是由于它們的4f或5f電子的f-f躍遷引起的。由于f電子軌道被已充滿的具有較高量子數(shù)的外層軌道所屏蔽(如Ce的電子排布為
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