郝子龍低表面摻雜濃度高效晶體硅太陽電池研究

1、EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.低表面摻雜濃度高效低表面摻雜濃度高效晶體硅太陽電池研究晶體硅太陽電池研究 報告人：宋佳報告人：宋佳日日 期：期： EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou

2、 EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.主要內(nèi)容Q 為什么選用低表面濃度為什么選用低表面濃度Q 如何實現(xiàn)低表面濃度的優(yōu)勢如何實現(xiàn)低表面濃度的優(yōu)勢Q 低表面濃度電池的性能測試低表面濃度電池的性能測試EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.1.1.表面摻雜量與少子壽命的關(guān)系表面摻雜量與少子壽命的關(guān)系隨著表面摻雜濃度的增大，隨著表面摻雜濃度的增大，少子復(fù)合損失增多，少子少子復(fù)合損失增多，少子壽命迅速下降。壽命迅速下降

3、。EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.此圖為載流子收集幾率和產(chǎn)生幾率此圖為載流子收集幾率和產(chǎn)生幾率與電池片位置的關(guān)系，結(jié)深越淺，與電池片位置的關(guān)系，結(jié)深越淺，短波光電轉(zhuǎn)換效率越高。短波光電轉(zhuǎn)換效率越高。2.2.結(jié)深與短波光電轉(zhuǎn)換的關(guān)系結(jié)深與短波光電轉(zhuǎn)換的關(guān)系EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.此

4、圖為光吸收此圖為光吸收71%時，時，最大的死層厚度與截最大的死層厚度與截止波長的關(guān)系，當(dāng)死止波長的關(guān)系，當(dāng)死層厚度越小，短波端層厚度越小，短波端截止波長越短，所以截止波長越短，所以淺結(jié)可以展寬短波段淺結(jié)可以展寬短波段的光譜效應(yīng)。的光譜效應(yīng)。3.3.結(jié)深與死層的關(guān)系結(jié)深與死層的關(guān)系EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Phot

5、ovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 驗證（驗證（44根細柵，線寬根細柵，線寬100m）目標方阻目標方阻實際方阻實際方阻3541414241414141424040454849494849484949484855575958585758605957586565666664646568656464EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Ch

6、angzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.A組組PmppUocIscRsFFNcell352.667 0.6255.5260.00577.220.1723 452.705 0.6275.5760.00577.360.1747 552.693 0.6305.6360.00775.850.1739 652.686 0.6315.7020.00874.660.1735 EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Lt

7、d. 改進改進（54根細柵，線寬根細柵，線寬90m ）54線網(wǎng)版細柵寬度：大約線網(wǎng)版細柵寬度：大約90um44線網(wǎng)版細柵寬度：大約線網(wǎng)版細柵寬度：大約100um理論上兩種網(wǎng)版遮光面積相差：理論上兩種網(wǎng)版遮光面積相差：（54*90um-44*100um）*123mm=56.58mm2實際上兩種網(wǎng)版遮光面積相差：實際上兩種網(wǎng)版遮光面積相差：（54*100um-44*110um）*123mm=68.88mm2實際遮光面積差占整個面積的實際遮光面積差占整個面積的0.445%，對電流具有一定的影響。，對電流具有一定的影響。EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科

8、技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.目標方阻目標方阻實際方阻實際方阻3538353436353638353637454546454344454646474455535251535454555555566563646160636263666361EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.B組組PmppUocIscRsFFNcell352.701 0.6255.538 0.00478.

9、050.1745 452.711 0.6285.591 0.00477.210.1751 552.738 0.6315.652 0.00576.780.1769 652.760 0.6335.715 0.00776.280.1782 EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd.EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.

10、,Ltd. 小小 結(jié)結(jié)方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢，這其中有兩個難點出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢，這其中有兩個難點，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd

11、. 量子效率量子效率65方阻方阻45方阻方阻EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 電致發(fā)光（電致發(fā)光（Electroluminescence）方塊電阻方塊電阻65/ 方塊電阻方塊電阻35/ 方塊電阻方塊電阻45/ 方塊電阻方塊電阻55/ EGING PV FOR THE WORLD常州常州億晶光電億晶光電科技有限公司科技有限公司Changzhou EGING Photovoltaic Technology Co.,Ltd. 結(jié)論：結(jié)論： 配合密柵網(wǎng)版，高方阻電池的電性能有更高的潛力。配合密柵網(wǎng)版，高方阻電池的電性能有更高的潛力。 通過實驗，通過實驗，6565歐方阻與歐方阻與5454線網(wǎng)版較匹配，線網(wǎng)版較匹配，4545歐方阻與歐方阻與4