電力電子技術(shù)試卷1

1、教研室主任簽字： 日期：系主任簽字： 日期：試卷袋號(hào)蘭州工業(yè)高等?？茖W(xué)校 學(xué)年第 學(xué)期期末考試試卷 科目 考試班級(jí) 考試日期 月 日本試卷共 3 頁題目一二三四五六七八九十十一總分分?jǐn)?shù)一、         填空（每空1分，36分）1、請(qǐng)?jiān)谡_的空格內(nèi)標(biāo)出下面元件的簡(jiǎn)稱：電力晶體管    ；可關(guān)斷晶閘管  ；功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管  ；絕緣柵雙極型晶體管  ；IGBT是   和     的復(fù)合管。2、晶閘

2、管對(duì)觸發(fā)脈沖的要求是      、        和  。3、多個(gè)晶閘管相并聯(lián)時(shí)必須考慮 的問題，解決的方法是    。 4、在電流型逆變器中，輸出電壓波形為    ，輸出電流波形為  。5、型號(hào)為KS100-8的元件表示      晶閘管、它的額定電壓為      伏、額定有效電流為   

3、0; 。6、180°導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在    上的上、下二個(gè)元件之間進(jìn)行；而120º導(dǎo)電型三相橋式逆變電路，晶閘管換相是在 上的元件之間進(jìn)行的。7、當(dāng)溫度降低時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì)    、正反向漏電流會(huì)     ；當(dāng)溫度升高時(shí)，晶閘管的觸發(fā)電流會(huì) 下降 、正反向漏電流會(huì)  增加 。8、  在有環(huán)流逆變系統(tǒng)中，環(huán)流指的是只流經(jīng)    、  

4、0;     而不流經(jīng)    的電流。環(huán)流可在電路中加        來限制。為了減小環(huán)流一般采控用控制角      的工作方式。9、常用的過電流保護(hù)措施有   、 、 、 。（寫出四種即可）10、雙向晶閘管的觸發(fā)方式有    、  、  、      四種 。二、   

5、;      判斷題,（每題1分，10分）（對(duì)、錯(cuò)×）1、 在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。  （  ）2、 在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。  （     ）3、 晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問題。  （    ）4、 逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。 

6、0;  （     ）5、 并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。   （    ）6、 給晶閘管加上正向陽極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。   （   ）7、 有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。  （   ）密封線A B姓名班級(jí)學(xué)號(hào)第1頁 8、 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。   （   ）9、 在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形

7、的脈動(dòng)頻率為300Hz。 （   ）10、變頻調(diào)速實(shí)際上是改變電動(dòng)機(jī)內(nèi)旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)的速度達(dá)到改變輸出轉(zhuǎn)速的目的。 （   ）三、選擇題（每題3分，15分）1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差   度。A、180°，  B、60°，  c、360°，  D、120°2、為       度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A，0度，  B，60度，

8、60; C，30度，  D，120度，3、晶閘管觸發(fā)電路中，若改變       的大小，則輸出脈沖產(chǎn)生相位移動(dòng)，達(dá)到移相控制的目的。A、       同步電壓，  B、控制電壓，  C、脈沖變壓器變比。4、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為       。  A、三相半波可控整流電路，        B、三相半控橋整流橋電路，C、

9、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，  D、單相半控橋整流電路。5、在一般可逆電路中，最小逆變角min選在下面那一種范圍合理       。  A、30º-35º，   B、10º-15º，   C、0º-10º，    D、0º。四、問答分析題,(每題7分 21分)1、  在晶閘管兩端并聯(lián)R、C吸收回路的主要作用有哪些？其中電阻R的作用是什么？2、單結(jié)晶體管的特性曲線可以分

10、為哪幾段？如果用一個(gè)二極管和兩個(gè)電阻接成如下方式，請(qǐng)按對(duì)單結(jié)晶體管特性曲線進(jìn)行研究的相同做法，設(shè)計(jì)試驗(yàn)電路，并作出它的Ie-Ue特性曲線。3、由下面單結(jié)晶體管的觸發(fā)電路圖畫出各點(diǎn)波形第2頁五、計(jì)算題,(每題9分，18分)1、一臺(tái)工業(yè)爐原由額定電壓為單相交流220供電，額定功率為10千瓦?，F(xiàn)改用雙向晶閘管組成的單相交流調(diào)壓電源供電，如果正常工作時(shí)負(fù)載只需要5千瓦。試問雙向晶閘管的觸發(fā)角應(yīng)為多少度？試求此時(shí)的電流有效值，以及電源側(cè)的功率因數(shù)值。2、  已知自耦變壓器基本繞組為1-0，調(diào)整繞組1-3與1-2之間的匝數(shù)是1-0的10。試分析圖示兩組反并聯(lián)晶閘管組成的電路，是如何實(shí)現(xiàn)在輸入電壓

11、波動(dòng)時(shí)，使輸出電壓0保持穩(wěn)定？第3頁蘭州工業(yè)高等?？茖W(xué)校 學(xué)年第 學(xué)期期末考試試卷 參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)科目 考試班級(jí) 本答案編寫人 共 2 頁一、         填空（每空1分，36分）GTR  ； GTO ； MOSFET ； IGBT  ；  MOSFET ；GTR  。2、要有足夠的驅(qū)動(dòng)功率  、    觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高  

12、;  ；  觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。3、均流   串專用均流電抗器。 4、 正弦波  ， 方波 。5、  雙向晶閘管  ，   800V    100A  。6、  同一橋臂  ，不同橋臂7、  增加  ， 下降  ； 下降 、 增加

13、0;。8、  逆變電源   、     逆變橋  ，  負(fù)載 ，    電抗器      大于  的工作方式。9、  快速熔斷器 、 串進(jìn)線電抗器、 接入直流快速開關(guān) 、 控制快速移相使輸出電壓下降。）10、 +、 -、  、  -  二、  

14、60;      判斷題,（每題1分，10分）（對(duì)、錯(cuò)×）1；2x；3x；4x；5；6x；7x；8x；9x；101A；2C；3B；4A；5A四、問答分析題,(每題7分 21分)1、R、C回路的作用是：吸收晶閘管瞬間過電壓，限制電流上升率，動(dòng)態(tài)均壓作用。R的作用為：使L、C形成阻尼振蕩，不會(huì)產(chǎn)生振蕩過電壓，減小晶閘管的開通電流上升率，降低開通損耗。2、單結(jié)晶體管特性曲線可分為：截止區(qū)、負(fù)阻區(qū)、飽和導(dǎo)通區(qū)。第1頁第2頁蘭州工業(yè)高等?？茖W(xué)校 學(xué)年第 學(xué)期期末考試試卷 參考答案及評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)科目 考試班級(jí) 本答案編寫人 共 頁五、計(jì)算題,(每題9分，18分)1、/2；     32.1A；      0.707；2、通過對(duì)電壓檢測(cè)，實(shí)施對(duì)兩組反并聯(lián)晶閘管門極予以控制。例如：輸