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文檔簡介
1、模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9第一章半導(dǎo)體器件一、填空題1、本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是電子 ,少數(shù)載流子應(yīng)是空穴 。2、在N型半導(dǎo)體中,電子濃度 大于 空穴濃度,而在P型半導(dǎo)體中,電 子濃度 小于空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時(shí),空間電荷區(qū)將變 寬 。4、雙極型三極管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是飽和 區(qū)、放大區(qū)、 截止區(qū)。5、場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類:一類稱為 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,另一類稱為 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。6、PN結(jié)外加反向電壓,即電源的正極接 N區(qū),電源的負(fù)極接P區(qū),這種接法稱 為 反向接法或 反向偏置。7、半導(dǎo)體二極管的基本特性是單向?qū)щ娦?
2、,在電路中可以起_整流禾口 檢波等作用。8、雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為NPN型和 PNP型兩種,它們的符號(hào)分別為 和。9、PN結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動(dòng):多數(shù)載流子的擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載流子的 漂移 運(yùn)動(dòng)。10、硅二極管的死區(qū)電壓約為 _0.5 V,錯(cuò)二極管的死區(qū)電壓約為_0.1 M11、晶體管穿透電流I CEO是反向飽 和電流Icbo的 1 + 8倍,在選用晶體管的時(shí)候,一般希望ICBO盡量 /、。gm12、場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是跨導(dǎo) 。13、PN結(jié)具有單向?qū)щ奯特性。14、雙極型三極管有兩個(gè)PN結(jié),分別是 集電結(jié)木口發(fā)射結(jié)。15、為了保證三極管工作在放大區(qū),應(yīng)使發(fā)射結(jié)正向偏置、
3、集電路 反向 偏置。16、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型元件、而雙極型三極管是電流控制型元件。17、本征硅中若摻入3價(jià)元素的原子,則多數(shù)載流子應(yīng)是 空穴 ,少數(shù)載 流子應(yīng)是電子 018、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 空穴 ,少數(shù)載流子是 電子 。19、PN結(jié)外加正向電壓,即電源的正極接 P區(qū),電源的負(fù)極接N區(qū),這種接法稱 為正向接法 或正向偏置。20、從雙極型三極管內(nèi)部三個(gè)區(qū)引出三個(gè)電極, 分別是 集電極> 發(fā)射 極_禾口極。21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是:(1)發(fā)射結(jié)外加上向電壓;(2)集電結(jié)外加反向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用 正 離子和等量的女電子 來簡化表示。23、PN結(jié)正向偏置時(shí),空
4、間電荷區(qū)將變窄。24、二極管的兩個(gè)電極分別稱為陽極和陰極、二極管的符號(hào)是025、當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的輸入特性曲線會(huì)一左 移、輸出特性曲線會(huì) 移,而且輸出特性曲線之間的間隔將增大。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是溫度。27、P型半導(dǎo)體可用!離子和等量的 空穴來簡化表示。28、主要半導(dǎo)體材料是®禾口 錯(cuò) ;兩種載流子是 空穴和電子;兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是 P型 f口N型29、二極管外加 正 向電壓導(dǎo)通、外加 反向電壓截止。30、當(dāng)溫度升高時(shí),三極管的參數(shù) B會(huì) 變大 、Icbo會(huì) 增加,導(dǎo)通電壓會(huì) 變小。31、雙極型三極管有兩種載流子導(dǎo)電, 即多數(shù)載流子 J口少數(shù)載流/導(dǎo)電,而單極
5、型三極管只有一種載流子導(dǎo)電,即多數(shù)載流子導(dǎo)電。32、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子 ,少數(shù)載流子是一空穴。33、某晶體管的極限參數(shù)PCm =l50mW , Icm =100mA, U(br)ceo = 30V。若它的 工作電壓UCE =10V ,則工作電流不得超過15 mA;若工作電壓UCE =1V ,則工作電流不得超過 100 mA:若工作電流IC =1mA,則工作電壓不得超 過 30 V。34、放大電路中,已知三極管三個(gè)電極的對(duì)地電位為 Va=-9V, Vb = 6.2V, Vc=6V,則該三極管是 PNP 型三極管,A為集電極,B為基極,C為發(fā)射極。35、雙極型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)
6、是P o36、場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是 ®流 區(qū)、:可變電阻M_夾斷愕。37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為 本征半導(dǎo)體。38、場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管比較,一場(chǎng)效應(yīng) 管的熱穩(wěn)定好,輸入電阻高,.晶 體 管的放大能力強(qiáng)。39、雙極型三極管內(nèi)部有三個(gè)摻雜區(qū)域,分別是 發(fā)射區(qū)> 基區(qū) ? 口_集電區(qū)。、選擇題B )時(shí)處于正偏1、從二極管伏安特性曲線可以看出,二極管兩端壓降大于(導(dǎo)通狀態(tài)。A. 0B.死區(qū)電壓C.反向擊穿電壓D.正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中( A )的濃度對(duì)溫度敏感。A.少子B.多子C.雜質(zhì)離子D.空穴3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置,它的工作狀態(tài)是(若集電結(jié)
7、和發(fā)射結(jié)都反向偏置,它的工作狀態(tài)是(A ),若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置,則它的工作狀態(tài)是(C )。A.截止 B.放大C.飽和D.損毀4、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí),發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為( B )。A.前者反偏、后者也反偏C.前者正偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時(shí)有(A而場(chǎng)效應(yīng)管所導(dǎo)電過程僅僅取決于(A.多子B.少子6、 當(dāng) NPN 型晶體管工作在放大區(qū)時(shí),A>B<B.前者正偏、后者反偏D.前者反偏、后者也正偏)和(B )兩種載流子參與導(dǎo)電A )的流動(dòng)。C.自由電子D.空穴各極電位關(guān)系為U C( A ) U B( A ) U EC.=D.<7、對(duì)二極管正向電阻rZ 和反向
8、電阻rF 的要求是(C )ArZ、 rF 都大BrZ 、 rF 都小C .rz很小,f很大D .rz大,f小8、穩(wěn)壓二極管動(dòng)態(tài)電阻rZ(B ),穩(wěn)壓性能愈好。A.愈大B.愈小C.為任意值9、 三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時(shí)工作于(C )狀態(tài)。A 放大B截止C飽和D 無法確定10結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置方式是(A、 D )A.自給偏壓電路B.外加偏壓電路C.無須偏置電路D.柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于(A ),而少數(shù)載流子的濃度與(B )有很大關(guān)系。A.溫度 B.摻雜工藝C.雜質(zhì)濃度D.晶體管缺陷12、場(chǎng)效應(yīng)管屬于(B )控制型器件,而晶體管若用簡化h
9、 參數(shù)來分析,則可認(rèn)為是(C )控制型器件。A.電荷B.電壓C.電流13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流( B )漂移電流,耗盡層(D )。A.大于 B.小于 C.等于 D.變寬 E.變窄 F.不變14、當(dāng)溫度升高時(shí),二極管正向特性和反向特性曲線分別( D )。A.左移,下移 B.右移,上移 C.左移,上移 D.右移,下移15、PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通,此時(shí)空間電荷區(qū)將( A )。A.變窄B.基本不變C.變寬D.先變窄,后變寬16、 在250C時(shí),某二極管的死區(qū)電壓 Uth = 0.5V,反向飽和電流Is=0.1pA, 則在350C時(shí),下列哪組數(shù)據(jù)可能正確:( D )。A Uth= 0.575
10、V, Is=0.05pAB Uth0.575V, Is=0.2pAC Uth= 0.475V, Is=0.05pAD Uth = 0.475V, Is=0.2pA17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類型(NPN或PNP) 與三個(gè)電極時(shí),最為方便的測(cè)試方法為( B )。A.測(cè)試各極間電阻B.測(cè)試各極問、對(duì)地電壓C.測(cè)試各極電流三、判斷題1、三極管在工作頻率大于最高工作頻率 fM時(shí)會(huì)損壞。(X )2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時(shí)應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。( X )3、與三極管放大電路相比,場(chǎng)效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫 度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。(V )4、P型半導(dǎo)體可通過在純凈半導(dǎo)體中摻
11、入五價(jià)磷元素而獲得。( X )5、有人測(cè)得晶體管在Ube=0.6V時(shí),Ib=5 PA,因此認(rèn)為在此工作點(diǎn)上的 心大約為 26mv =5.2 KC。( V )IB6、通常結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時(shí),仍有正常的放 大作用。(V )7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí),仍有較大的電流放大作用。(X )8、在N型半導(dǎo)體中,摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為 P型半導(dǎo)體。(V )9、P型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。( X )10、PN結(jié)內(nèi)擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。( X )11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場(chǎng)作用下形成的。( V )12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電
12、位差,所以當(dāng)把 PN結(jié)兩端短路時(shí),就有電流 流過。(X )13、PN結(jié)方程可以描述PN結(jié)的正向特性和反向特性,也可以描述PN結(jié)的反向 擊穿特性。(X )14、場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻( X )15、有人測(cè)試晶體管的% ,方法是通過測(cè)得晶體管的Ube = 0.7, %=20mA,推算出be =Ube/Ib =0.7V/20mA = 35KQ。( X )四、綜合題1、放大電路中測(cè)得晶體管各電極電位如下表所示,試將表格填寫完整。(10分)管腳(各電極)電位晶體管1晶體管23V3.7V6V-4V-1.2V-1.4V電極(e或b或c)ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料(Si或
13、Ge)SiGe2、判斷下列管子的工作狀態(tài)(a飽和;b.放大;c.截止;d損壞)(共8分)管子類型NPNPNPNPNPNP各電極電位UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc(V)21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2狀態(tài)cbda3、如下圖,試確定二極管D是正偏還是反偏?設(shè)二極管正偏時(shí)的正向壓降為 0.7V, 試計(jì)算Ux和Uy的值(共9分)+10VR+10V2RUy3ED Ux2 2R本Do Ux1 RUy(b)(a)答案:(a)D正偏導(dǎo)通,10 -0.7I=3R 10-0.7U x -2RI=6.2V3Uy =6.2 0,7 =6.9V(b)D僅偏截止I=0Ux =0Uy
14、 =10V4、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,求Uo為多少? (共3分)1K1 VD1 VD2 NS I+ 20V 1K Uo .答:u 0 =9-6=3VU0。5、(3分)圖示電路中二極管為理想二極管,請(qǐng)判斷它是否導(dǎo)通,并求出110D 導(dǎo)通,U0=-3V6、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。(設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路) (9分)都不能放大電壓信號(hào)降為0.7V,試寫出輸出電壓R(a)(b)(c)輸入交流短路無直流基極偏壓輸入交流短路7、如下圖,設(shè)硅穩(wěn)壓管Vdzi、Vdz2的穩(wěn)壓值分別為6V和9V,穩(wěn)壓管的正向壓Uo為多少?(共8分)R1K 1 1 - 25V
15、VDZ1 本VDZ2U0=0.7V (b)(a) U0 =15V(c) Uo =6.7VU0 = 6V (d)Uo=?8、設(shè)二極管理想化,試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止?并求出(a) D 導(dǎo)通 U0 = -6V(b) D 截止 Uo = -12VD1白+VO12V(c) D1導(dǎo)通D2截止(d) D2先導(dǎo)通D1截止U0=0VU 0 =-3V第二章放大電路原理一、填空題1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中,共集 組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)、共基組態(tài)頻率響應(yīng)好,共射組態(tài)有倒相作用,共集 組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小。2、多級(jí)放大電路的 對(duì)數(shù)增益等于其各級(jí)對(duì)數(shù)增益的 之和。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是共射、
16、共基: 共集4、影響放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要原因是溫度變化5、三極管 共集 組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點(diǎn)。6、放大電路最常用的基本分析方法, 就是 圖解法?口微變等效電路法07、共集電極放大電路又稱為射極輸出器或射隨器8、多級(jí)放大電路常用的耦合方式有三種:即一阻容放合、 直接耦合、變壓器耦合。9、放大電路的三種基本組態(tài)中,一共射組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力,共集只具有電流放大能力,共基組態(tài)只具有電壓放大能力。10、放大的本質(zhì)首先是實(shí)現(xiàn) B*的控制;所謂放大作用,具放大的對(duì)象是 變化量。11、產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受溫度 的影響而發(fā)生波動(dòng),導(dǎo)致放大電
17、路的 靜態(tài)工作點(diǎn)不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開零點(diǎn),緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化,這種現(xiàn)象稱為零點(diǎn)漂移0二、選擇題1、關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)(簡稱 Q點(diǎn)),下列說法中不正確的是 (D )。A. Q點(diǎn)過高會(huì)產(chǎn)生飽和失真B. Q點(diǎn)過低會(huì)產(chǎn)生截止失真C.導(dǎo)致Q點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D. Q點(diǎn)可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中,輸入電阻最大的是B 電路。A.共發(fā)射極 B.共集電極C .共基極 D .不能確定3、晶體管放大電路中,高頻特性最好的電路是( D )。A.共射電路B. 共集電路C.共源電路 D.共基電路4、有兩個(gè)放大倍數(shù)(電路相同,采用同一晶體管)相同,輸入和輸出電阻不同
18、 的放大電路A和B,對(duì)同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號(hào)源電壓進(jìn)行放大,在負(fù)載開路的條件下測(cè)得A的輸出電壓小,這說明A的(B )。A.輸入電阻大 B .輸入電阻小 C .輸出電阻大 D .輸出電阻小5、多極放大電路的增益Au是(B )、輸入電阻R是(A )、輸出電阻Ro是(C )。A.由第一級(jí)確定B.由各級(jí)共同確定C.由末級(jí)電路確定6、某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為 4V,接入30的負(fù)載電阻的輸出電壓 降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為(C )A. 10K B . 2K C 1K D 0.5K7、放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是( A )。A.環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化B .放大倍數(shù)太大C.晶體管的噪聲
19、太大D .外界存在干擾源8、在多級(jí)放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者:(本題可多選) (1)要求各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響,可選用(A,C )。(2)要求能放大直流信號(hào),可選用(B )。(3)要求能放大高頻交流信號(hào),可選用 (A,B )。(4)要求電路的溫漂小,可選用(A,C )。(5)為了實(shí)現(xiàn)阻抗交換,使信號(hào)與負(fù)載間有較好的耦合,應(yīng)采用( C )。.變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路(BA.只能分析靜態(tài)工作點(diǎn)B.只能分析動(dòng)態(tài)參數(shù)C.既可分析靜態(tài),也能分析動(dòng)態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是();既能放大電流,又能放A.阻容耦合大電壓的電路是(C )。A.共基放大電路B .共集放
20、大電路C .共射放大電路11、對(duì)于基本共射放大電路,如下圖,試判斷某一參數(shù)變化時(shí)放大電路動(dòng)態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格Rb減小時(shí),輸入電阻R _B(1)(2)Rc增大時(shí),輸出電阻Ro A(3)信號(hào)源內(nèi)阻Rs增大時(shí),輸入電阻R C 。Au(4)信號(hào)源遠(yuǎn)內(nèi)阻Rs減小時(shí),電壓放大倍數(shù)UoUs(5)負(fù)載電阻Rl增大時(shí),電壓放大倍數(shù)3 =UoUi(6)負(fù)載電阻RL減小時(shí),輸出電阻Ro C ;(7) 若Rb減小,則靜態(tài)的Ib將 A , U CEQ將B、電壓放大倍數(shù)Au| = UoUi 將 A 。(8)若換一個(gè)P值較小的晶體管,則靜態(tài)的Ib將 C 。Rb增大時(shí),U CEQ 將 A。(10) Rc增
21、大時(shí),U CEQ 將B。(11) Rs增大時(shí),U CEQ 將C。(12) Rl 增大時(shí),U CEQ 將C。A.增大B.減小C.12、由NPNft體管組成的基本放大電路,如圖:輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真,則:(1)這種失真是B頻率失真。A.飽和失真B.截止失真C.交越失真 D.(2)為了消除這種失真,應(yīng) DC.增大基極偏置電阻RbA.減小集電極電阻Rc B.改換°小的管子D.減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓VCC13、由PNP®體管組成的基本放大電路,如圖:A(1)這種失真是A.飽和失真B. 截止失真 C交越失真D頻率失真。(2)為了消除這種失真,應(yīng)A, B,
22、CA.減小集電極電阻Rc B.改換d小的管子C增大基極偏置電阻Rb14、如下圖,選擇正確答案填空(1)D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓VCC。要使靜態(tài)工作電流Ic減小,則 凡2應(yīng)出(2)&2在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則| Aul _ B, RRo C o(3)Re在適當(dāng)范圍內(nèi)增大,則| Au| CRi _CRo C oB,(設(shè)從輸出端開路,到接上Rl ,靜態(tài)工作點(diǎn)將_C, Uo靜態(tài)工作點(diǎn)偏低)(5) Vcc減小時(shí),直流負(fù)載線斜率 _C Q(6) Rc減小時(shí),直流負(fù)載線斜率 A 。A. 增大 B. 減小C. 不變(7)若Vcc=10V, %=4 KQ ,Rb2=6KC, Re =3.3
23、 KO,氏=2KC, C1、C2足夠大,設(shè)U BE =0.7V則:Vi=0 ,管壓降U CE大約是 B(A. 4V B . 4.7V C 7V D 5V)使管子寸由50改為100,則Au|是 A1(A.約為原來的2倍B.約為原來的2 C.基本不變D約為原來的4倍)保持口 =50不變,將Re由3.3 KC改為6.6 KC ,則| Au| C 。1(A約為原來的2倍 B 約為原來的2 C基本不變1D約為原來的4倍 E約為原來的4 )15、兩級(jí)放大電路 Au1=-40, Au2=-50,若輸入電壓ui =5mV,則輸出電壓uo為_CA . -200mV B.-250mV C.10V D.100V三、
24、判斷題M不能正常放大的畫1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(hào)(能放大的 公)。VxX2、測(cè)得某些電路中幾個(gè)三極管各極的電位如下圖所示,試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。放大截止飽和放大3、判斷三極管的工作狀態(tài)(放大、截止、飽和)。(6分).(a)放大.(b) 截止3分,共4、判斷圖示電路是否有信號(hào)放大作用(用,“X”表示。每圖 12分)心 +Vcci +Vcc+Vcc(d)(e)(d)x(e) x(f) V5、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。(設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路),(b)(c)(a) V(b)X(c) X 6、如下圖,判斷是否正確:(1) R = Rbi
25、/Rb2(& + Re) ( X )(2) R = Rbi/Rb2%e+(1+B)Re(義)(3) R = Rbi/&2rbe( V )(4) Ro=Rc/Rl(義)(5) Ro=Rc( V )(6) Au= -P-L ( x )be Re Au= PR2( X )be(8) Au= -PR/3( V)be7、判斷下列說法是否正確,對(duì)的畫 M錯(cuò)誤的畫X(1)晶體管的輸入電阻be是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻,故它與靜態(tài)工作點(diǎn)無關(guān)。(X)(2)在基本共射放大電路中,為得到較高的輸入電阻,在固定不變的條件下, 晶體管的電流放大系數(shù)P應(yīng)該盡可能大些。( X)(3)在基本共射放大電路中,若晶體管的P增
26、大一倍,則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)增大一倍。(V)(4)對(duì)于基極分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路來說,其電壓放大倍數(shù)也隨。的增大成正比的增大。(x )(5)共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于 1 ,故不能用來實(shí)現(xiàn)功率放大。(X)(6)共射放大電路既能放大電壓,也能放大電流。( 附(7)共集放大電路可放大電壓,但不能放大電流。( X)(8)共基放大電路只能放大電流,但不能放大電壓。( X)四分析題有三個(gè)錯(cuò)誤:(圖中晶體管類型不允許改變)(1):電源極性錯(cuò)(2) : C1.C2極性錯(cuò)(3) : Rc位置接錯(cuò)2、分析下圖有何錯(cuò)誤,應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大,畫出更改后的電路, 要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。
27、+VCC有三個(gè)錯(cuò)(1) R位置接錯(cuò)(2) C2位置接錯(cuò)(3) C3位置接錯(cuò)3、分析下圖能否對(duì)1KHz的正弦電壓進(jìn)行線性放大,如不能指出錯(cuò)在哪里,并進(jìn) 行改正,要求不增減元件,且電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值要大于1, uo無直流成分。答:不能正常放大。錯(cuò)誤有:(1)Ci位置接錯(cuò)。(2) C2位置接錯(cuò)。(3)Ci、C2極性接反。(4)若要Au > 1 ,則不能從射極輸出。AP(Rc/Rl ).Aj = , n - > 1 ,且 V。無直流成分。be + (1 +Re4、有兩個(gè)放大電路如下圖所示,向各是什么組態(tài)?(共射,共基,共集)若晶 體管都工作在放大區(qū),輸入端均加上正弦小信號(hào)電壓,請(qǐng)問圖中所示
28、的輸出波形 是否正確?若有錯(cuò)誤,應(yīng)如何改正?設(shè)電容都很大。-Vcc(a)均為共基組態(tài)。U0波形有錯(cuò)。(a)圖U0波形應(yīng)與Ui波形相同(b)圖UO波形應(yīng)無直流分量五、計(jì)算題1、在下圖的放大電路中,設(shè)三極管的P=30, UBEQ=0.7V, rbe = 1 kC, Rbi=10kC ,Rb2 =50KC , Re=1.3kC ,Rc=Rt=5kC ,Vcc=12V。+VccUiRb2RcC2C1Rb1R .L UoRe|+ Ce(1)試估算靜態(tài)時(shí)的IBQ、ICQ、UCEQ; (5分)(2)設(shè)電容Ci、C2和Ce均足夠大,試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)Aum;(5分)(3)估算放大電路的輸入電阻
29、R和輸出電阻R。; (5分)(4)如果去掉旁路電容Ce,寫出此時(shí)放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)Aum和輸入電阻Ri和輸出電阻R。的表達(dá)式(可不計(jì)算出具體數(shù)值)。(5分)(1)U BQI CQRbMcRb1Rb2Vbq I EQ -10*122V10 50-U BEQ記2-0.7 d A=1mA1.3Vceq =Vcc - Icq -(尺 R) =12-1*(5 1.3) = 5.7V(2)Aum24.3075rbeRi =%/%:% =1eR0 = Rc = 5kiJCe斷開,Re有電流串聯(lián)負(fù)反饋,(Aum下降),Ri增加,Rg不變;AumYRc/Rl)rbe (1 JReRi = Rb1/%/&
30、amp; (11)ReR0 =Rc =5k2、 (20分)圖示電路中,已知 Ubeq=0.7V, P =100, ,=374。,Rbi=5 kQ ,Rb2=15 kQ , Re=2.3 kQ , Rc=Rl=3 kQ , Vcc=12V。(1)估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn) ubq、icq、uceq(2)畫出微變等效電路,計(jì)算電壓放大倍數(shù) AU、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro(3)若信號(hào)源內(nèi)阻為Rs=1kQ時(shí),求Aus=U0/Us 的數(shù)值。(1)U BQRbi Vcc 5 12Rbi Rb2 -5 15U BQ -U BEQ 3 -0.7I cq 11 eq 二二二 1mACQ EQRe2.3Uceq =
31、Vcc -cq(RcRe) =12 -1 (3 2.3) = 6.7V(2)圖略26.rbe374 (1 100)-6 =3H1Au一但心.一幽3 70rbe3R =5153kQ =1.66kGR0 = Rc = 3k(3)usRiRsRAu1.661 1.66(-50) u-31.23、如下圖,C1C4足夠大,+Vcc(+20V)-T0R3 JL1K C3R180K10K(1)畫出直流通路和微變等效電路(6分)。(2)設(shè)U BEQ 0.7V ,求靜態(tài)工作點(diǎn)1cQ、UCEQ (4分)U-(3)求 R、R。、入=2,設(shè) P=30, rbb'=19 4 c (6 分)Ui(4) I CEO
32、、U ces忽略不計(jì),估算最大不失真輸出電壓峰值Uom (4分)(總共20分)解:(1)圖略(2), ,R220 U BQ -U BEQ 4 0.7,U bq =Vcc =20 4V , I cq 11 eq 1 mAR1 R220 80R53.3Uceq =Vcc -Icq(R3 R4 R5) =20 -1 (1 10 3.3) = 5.7V(3)- 2626Ri =R1R3rbe : %e =%'(1:)=194 (1 30) =1KJI EQ1R0 = R4 =10KJ:UoYR4Rl)30(10/10)Au 二二二二-150u%1(4)不飽和失真 Uom =Uceq =5.7V
33、不截止失真Uom = /出4&)=1 (10/10)=5V二最大不是真輸出電壓峰值U om = 5V4、如圖所示電路中,已知三極管T為硅管rbb,=337Q,UBEQ=0.7V, (3=50;Ri=51KQ , R b2=15KQ , R e=1KQ , Rc=2K Q ,RL=2KQ ,VcC=12U (共 18 分)試求:(1)靜態(tài)工作點(diǎn)Q (IbqI cqUceQ) ?(2)電壓放大倍數(shù)Au=?輸入電阻R = ?輸出電阻R=?二 +VCcRCTC2R2REUo解:(1)U BQRb2 Vcc15 12= 2.7VI CQ I EQU BQ51 15-U BEQ2.7 -0.7二
34、2mA1 BQ1 CQRe2=0.04mA50Uceq =Vcc -Icq(RcRe) =12 -2 (2 1) = 6V(2)Ri=Rb1 / Rb2 Rbe :be =1Kbe=rbb''(一)患EQ26= 337 (1 50)26 =1KRo=Rc =2KAuUo(Rc/Rl)Ui50 (2/2)-505、電路如下圖(a)利用圖解法分別求出所示,圖(b)是晶體管的輸出特性,靜態(tài)時(shí) Ubeq = 0.7V。Rl = 8和Rl= 3kQ時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓Uom。(共15分)bRc5K(2)畫出微變等效電路,估算放大器的動(dòng)態(tài)參數(shù)A、R、Ro (設(shè)rbb=340C
35、 ,1 - 0.215 103uC6.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。0,UCEUiI -BQ=12V12 八=4mA3(共1UC%-12- ic c>h) ric3解:RL =吧,做宜流負(fù)載線UCELCEBBBEQt I Bq =40uA相交 Q點(diǎn),得 Icq =2.4mA,Uceq =12V152025UCE /VRL)/3K®悌如f電晶(LQI、CQRQ')=02(3/I3)=40SV1P =50)(6分)(9分)io/mA(1)作直流負(fù)載線 UCE =VCC -iCRC<20uA244.8"3.62.41.2051040uA+Vcc-+2
36、4Vui5Kic =0,Uce二 12VUce =0,iC=4.8mA80uA60uAUo590KRl Ii =Rbbe : "e =12P(RcRl_50(55)Au =二:be1be =bb' (1-b, 26mvbe =bb+(1+ 一 )- = rbb+ I EQI BQ =1K'I EQRo = Rc = 5KJ7、如下圖,CiC3足夠大,(1)畫出直流通路和微變等效電路(4分)(2)求靜態(tài)工作點(diǎn)IBQ、UCEQ。(4分)(3)求輸入、輸出電阻R、Ro及電壓放大倍數(shù)Au各自的表達(dá)式。(4分)(總共12分)Uo(1)略(2) Ibq(1 B)RcI(R1 R2
37、)Vbeq =VccBQVcc -Vbeq(1 B)RcR1R2,Vceq= Vcc -(1B)IbqRc(3) Ri=R1/rbeRo=R2/R3u-1(R2/R3Rl)Au=- U 1be8.電路如下圖所示,晶體管的B=100, r bb =100Q , UBEQ=0.7V(共20分)(1)畫直流通路和微變等效電路。(6分)(2)求電路的Q點(diǎn)、Auh Ri和Ro; (9分)(3)若電容Ce開路,則將引起電路的哪些動(dòng)態(tài)參數(shù)發(fā)生變化?如何變化? (5分)5 12=2VBQ5 252 -0.7 d 八Icq =1mA1.3Uceq=12-1(5+1.3)=5.7v26 _rbe =100+(1+100) 26=2.7k 111au=-
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