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1、第四章 場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路4-1選擇填空1 .場(chǎng)效應(yīng)晶體管是用 控制漏極電流的。a.柵源電流b.柵源電壓c. 漏源電流 d.漏源電壓2 .結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷后,管子 。a.關(guān)斷 b.進(jìn)入恒流區(qū)c.進(jìn)入飽和區(qū)d.可變電阻區(qū)3 .場(chǎng)效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo) gm是。a.常數(shù) b.不是常數(shù)c. 柵源電壓有關(guān) d.柵源電壓無(wú)關(guān)4 . 場(chǎng)效應(yīng)管靠 導(dǎo)電。a. 一種載流子b. 兩種載流子 c. 電子 d. 空穴5 .增強(qiáng)型PMO潴的開(kāi)啟電壓 。a.大于零b.小于零c.等于零d.或大于零或小于零6 .增強(qiáng)型NMO甯的開(kāi)啟電壓 。a.大于零b.小于零c.等于零d.或大于零或小于零7 .只有 場(chǎng)效應(yīng)管才能采取自偏
2、壓電路。a.增強(qiáng)型 b. 耗盡型 c. 結(jié)型 d. 增強(qiáng)型和耗盡型8 .分壓式電路中的柵極電阻RG一般阻值很大,目的是 。a.設(shè)置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)b.減小柵極電流c.提高電路的電壓放大倍數(shù)d.提高電路的輸入電阻9 .源極跟隨器(共漏極放大器)的輸出電阻與 有關(guān)。a.管子跨導(dǎo)gm b.源極電阻R c. 管子跨導(dǎo)gm和源極電阻RS10 .某場(chǎng)效應(yīng)管的I dss為6mA而Idq自漏極流出,大小為 8mA則該管是 。a. P溝道結(jié)型管b. N溝道結(jié)型管c.增強(qiáng)型PMO潴d.耗盡型PMO密e.增強(qiáng)型NMO甯f.耗盡型NMO澹解答:,c 4. a 7. b,c 8. d4-2已知題4-2圖所示中各場(chǎng)效應(yīng)管
3、工作在恒流區(qū),請(qǐng)將管子類(lèi)型、電源VDd的極性(+、-)、UGS的極性(>0, > 0, <0, < 0,任意)分別填寫(xiě)在表格中。解:圖號(hào) 項(xiàng)目(a)(b)(c)(d)(e)(f)溝道類(lèi)型NPNNPP增強(qiáng)型或 耗盡型結(jié)型結(jié)型增強(qiáng)型耗盡型增強(qiáng)型耗盡型電源Vd極 性十一十十一一UGs極性<0>0>0任意<0任意4-3試分析如題4-3圖所示各電路能否正常放大,并說(shuō)明理由。解:(a)不能。VT是一個(gè)N溝道JFET,要求偏置電壓 Ugs滿(mǎn)足UGsoff <UGs<0,而電路中 VT的偏置電壓 UsS>0,因此不能進(jìn)行正常放大。(b) 能。V
4、T是一個(gè)P溝道JFET,要求偏置電壓UGs滿(mǎn)足0<UGs< Ugs ,而電路中 VT的偏置電壓lhs>0,只要在0<UGs< UGs,off范圍內(nèi)就能進(jìn)行正常放大。( c )能。VT是一個(gè)N溝道MOSFET要求偏置電壓 UGs滿(mǎn)足UGs> UGs,off >0。電路中UGs>0,如果滿(mǎn)足 UGs < U Gs,off 就可以正常放大。( d )不能。雖然MOSFET勺漏極D和源極S可以顛倒使用,但是此時(shí)襯底的接法也需要調(diào)整。雖然 電路中自給偏置電壓UGs>0,也可能滿(mǎn)足 UGS> UGs,off >0。但是D極和襯底B之間
5、的PN結(jié)正向?qū)?,因此電路不能進(jìn)行信號(hào)放大。( e )不能VT是一個(gè)N溝道增強(qiáng)型 MOSFET開(kāi)啟電壓UOn >0 ,要求直流偏置電壓UGs> Uon,電路中Ug=0,因此不能進(jìn)行正常放大。( f )能。VT是一個(gè)P溝道耗盡型 MOSFET夾斷電壓 Uss,off>0,放大時(shí)要求偏置電壓Ug珊足Ug<UGs,off o電路中UGS>0,如果滿(mǎn)足 UGs < U Gs,off就可以正常放大。4-4電路如題4-4圖所示,VDd=24 V,所用場(chǎng)效應(yīng)管為N溝道耗盡型,其參數(shù)I dss= , UGs,off =-4V ,跨導(dǎo) gm=V。電路參數(shù) RGi=200kQ
6、, Rg廣64kQ, Rg=1MQ , Rd= Rs= RL=10kQo 試求:1 靜態(tài)工作點(diǎn)。2電壓放大倍數(shù)。3輸入電阻和輸出電阻。解:1 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算在 UGs,off w UGsC 0 時(shí),解上面兩個(gè)聯(lián)立方程組,得漏源電壓為2電壓放大倍數(shù)3輸入電阻和輸出電阻。輸入電阻輸出電阻4-5電路如題4-5圖所示,Vdd=18 V,所用場(chǎng)效應(yīng)管為 N溝道耗盡型,其跨導(dǎo)gmA/M電路參數(shù) R=" Rg廣51k" Rg=10MD, Rs=2 k Q, Rd=33 kQ。試求:1 電壓放大倍數(shù)。2 .若接上負(fù)載電阻R=100 k"求電壓放大倍數(shù)。3輸入電阻和輸出電阻。4
7、.定性說(shuō)明當(dāng)源極電阻R增大時(shí),電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻是否發(fā)生變化如果有變化,如何變化5 .若源極電阻的旁路電容CS開(kāi)路,接負(fù)載時(shí)的電壓增益下降到原來(lái)的百分之幾解:1 無(wú)負(fù)載時(shí),電壓放大倍數(shù)2有負(fù)載時(shí),電壓放大倍數(shù)為3輸入電阻和輸出電阻。輸入電阻輸出電阻4 N 溝道耗盡型FET 的跨導(dǎo)定義為當(dāng)源極電阻RS 增大時(shí),有所以當(dāng)源極電阻RS增大時(shí),跨導(dǎo)gm減小,電壓增益因此而減小。輸入電阻和輸出電阻與源極電阻RS 無(wú)關(guān),因此其變化對(duì)輸入電阻和輸出電阻沒(méi)有影響。5 若源極電阻的旁路電容CS 開(kāi)路,接負(fù)載RL 時(shí)的電壓增益為既輸出增益下降到原來(lái)的20%.4-6電路如題4-6圖a所示,MOS管的轉(zhuǎn)
8、移特性如題 4-6圖b所示。試求:1 電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。2電壓增益。3輸入電阻和輸出電阻。解:2 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算。根據(jù)MOSf的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn),可知當(dāng)UG=3V時(shí),Idf。此時(shí)MOSf的壓降為2電壓增益的計(jì)算。根據(jù)MOSf的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn),UGs,off=2V;當(dāng)UGs=4V時(shí),lD=1mA根據(jù)解得I DSS=1mA。電壓增益3輸入電阻和輸出電阻的計(jì)算輸入電阻輸出電阻4-7 電路參數(shù)如題 4-7 圖所示,場(chǎng)效應(yīng)管的UGs,off =-1V , I Dss=, r ds 為無(wú)窮大。試求:3 靜態(tài)工作點(diǎn)。4 電壓增益AU。3輸入電阻和輸出電阻。解:1 靜態(tài)工作點(diǎn)計(jì)算2 電壓增益AU。本題目電路中,有
9、旁路電容C,此時(shí)放大電路的電壓增益為,3輸入電阻和輸出電阻的計(jì)算。為短路,試求:1 . 電路的電壓增益AU。2輸入電阻和輸出電阻。解: 1. 電路的電壓增益AU。2輸入電阻ri 和輸出電阻ro4-9 電路如題 4-9 圖所示。已知 VDd=20V, R=51M/D, Ri=200kQ, R2=200ka, R=22 kQ,場(chǎng)效應(yīng)管的gm=2mS試求:i 無(wú)自舉電容C 時(shí),電路的輸入電阻。2 有自舉電容C 時(shí),電路的輸入電阻。分析:電路中跨接在電阻Q和源極S之間的C稱(chēng)為自舉電容,該電容將輸出電壓信號(hào)uo反饋到輸入端的柵極G形成正反饋,提升了電路的輸入電阻關(guān)于負(fù)反饋電路的分析計(jì)算將在第7 章詳細(xì)介紹。解:i 無(wú)自舉電容C 時(shí)電路輸入電阻計(jì)算根據(jù)電路可知,輸入電阻為3 有自舉電容C 時(shí)電路的輸入電阻計(jì)算此時(shí)交流等效電路如圖題 4-9 圖 a 所示。題 4-9 圖 a根據(jù)等效電路圖,可知柵極對(duì)地的等效電阻為其中電流輸出電壓當(dāng)電流 i i 很小時(shí),電壓放大倍數(shù)為計(jì)算結(jié)果說(shuō)明自舉電容C使電路的輸入電阻提高了。4-10電路如題4-10圖所示。已知 gm=,RG= Rg:=1MQ , Rd=R=3 k ,耦合電容 C=C=10科F。 試求1 電路的中頻增益AU。2 估算電路的下限截止頻率f L 。3當(dāng)考慮信號(hào)源內(nèi)阻時(shí),高頻增益計(jì)算公式。解:1 電路的中頻增益
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