TSMC工藝的_版圖教程

1、目錄前端電路設(shè)計(jì)與仿真2第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計(jì)流程 21、畫雙反相器的 visio原理圖22、編寫.sp文件2第二節(jié)后端電路設(shè)計(jì)4一、開啟 linux系統(tǒng) 42、然后桌面右鍵重新打開 Terminal 6雙反相器的后端設(shè)計(jì)流程 7一、schematic電路圖繪制 7二、版圖設(shè)計(jì)21畫版圖一些技巧：29三、后端驗(yàn)證和提取 30第三節(jié)后端仿真37其它知識(shí)40前端電路設(shè)計(jì)與仿真第一節(jié)雙反相器的前端設(shè)計(jì)流程1、畫雙反相器的visio原理圖VDdM2outM31VDdT_M M0 in -J-faI向1圖1.1其中雙反相器的輸入為in輸出為out, fa為內(nèi)部節(jié)點(diǎn)。電源電壓Vdd=1.8V,MOS 管

2、用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名稱為pch和nch,在 Cadence里面的名稱為pmos2v和nmos2v）。2、編寫.sp文件新建dualinv.txt文件然后將后綴名改為dualinv.sp文件 具體實(shí)例.sp文件內(nèi)容如下：h：lrn.HlK fflSRIRti-II Lb ' F :I J J pu-hgjnuptataXrl llll- L' I I,-subcki dualLnu Lm out qndhq .a In g44 u4d 口5 | -1*91Hl fri :ln ynt gnri rich 1-11 IkiAD-1.VHhP

3、13 .VR>iF 13i FD-I .Hlr TH PX-I.Hf Hd nrH-1.*irH-rH nr-l.rt2 QUK. fa 1 udd pLh I - 1d tn “NJ 仙，3的FD-a.M-M PS-2.iit-iK nnd-«.3K m>5-«>37£m out F> E qnd nth 1-帕Bn，睚X科-1.PB“-忖 FUH木片-酹nrd-1 ,MWW 時(shí)斫中法第融. LT.TH以下是加觸后信號(hào)ITTT - bdn in « p«l-se(i 1：B 1m ms tn寫 73 4ns|i3 vd

4、d » 1 .*« n gnrl riv tl duK "i. 以下是Mji(閡百句 aoptlQn p”t ntrjn .11ns.-M金£U尸。CrM AUgpDMr Inq pNlJ Fr««餐二-Hfjsui'r tr-Mi qrlsr* TRIOvein)UftL-l.flAlhsrise-1* TRRnuCtlUHL-I.*1如3rjr-1* iwsurt tr M Qf 11* THICWd的UhL-fl.fll-lns* TAROUftL-i.*IKkisfall-1* -nd.lib 'F:Progr

5、am Filessynopsysrf018.l' TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置和選擇的具體工藝角*這里選擇TT工藝角*劃紅線部分的數(shù)據(jù)請(qǐng)參考excel文件尺寸對(duì)應(yīng)6參數(shù)，MOS管的W不同對(duì)應(yīng)的6個(gè)尺寸是不同的，但是這六個(gè)尺寸不隨著L的變化而變化。劃紫色線條處的端口名稱和順序一定要一致MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管描述語(yǔ)句：（與后端提取pex輸出的網(wǎng)表格式相同）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val >

6、 <NRD= val > <NRS= val >2.1、 在wind owXP開始一程序這里打開 Hspice程序NSPICE Z-2007. 03Mi crosflift Offi ce寸 STICE Explorer 20(17.1 *Avanwaves Z=zD07 03HSPICE MT Z-200T.03HSfICE Z-200T.03HSPICERF Z-2007.03Hspui 工-2口葉.032.2、 彈出以下畫面然后進(jìn)行仿真1、打開.sp文件3、查看波形2、按下仿真按鈕查看波形按鈕按下后彈出以下對(duì)話框士suit q UrosjoiI- D V如果要查看

7、內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的波形，雙擊 Top處如果有多個(gè)子電路） 請(qǐng)單擊此 處的Top查看如果要查看測(cè)量語(yǔ)句的輸出結(jié)果請(qǐng)查看.MTO文件（用記事本打開）.measuretran augpgwer aug p(s1) fron=i&n5 tQa44ns.medsurr tram* TRIG u(in)+ TARG V(DUt)Qrise帥L,fiL9 T&ftns rise-1ualhCL。Tb=Bn<5 rise=i.measure tran* TRIG u(in)* TARG u(out)QFallTD-BniSTAftl5fall-1至此前端仿真教程結(jié)束第二節(jié)后端電路設(shè)計(jì)前序（打開C

8、adence軟件）、開啟linux系統(tǒng)雙擊桌面虛擬機(jī)的圖標(biāo)國(guó)ELul Uni u tpr 1# Liniu 4 - TRvacv 1ue I£-k1 nl iWnEil* Edit 山 r MM H+.力2 IpFbau-d OnFiver j ! 3 Red Hat Enterpr»e klnvif 4Rsd HatSt-iE!GLKg Loc«bcn: VKDn:Enterprise I iriux. 4PlWMttdoffRE 微 Erterpreo Lhik 1F:Hy ,tuaJ Ms±Te5Red l-Wt mtEEwe Lnux 出mtaW

9、fi t.S-TsX tudEcnintandsFW 朝 INf HN rwhiw 的 Mtud nadNnt 謝 Inqi；GJ Er油杷 dCE fwttH (Whdt l£ JKE?)Devicev* HtW BPtmmsixs 營(yíng)巾叱淺 值30D(IM； H Fkppv 也窗hwH.M， Ou&B Circle 電 SoLndCaNoth選擇 Power on this virtualmachine開啟linux之后CsTfWI6 WTashBtnT史mg匚 ru 片 DoctorC*«K L>fK7fCrul« jac.iranlCImi

10、Up % Nuw g /fir H* ml口聞叫 4 M在桌面右鍵選擇Open TerminalIe EmLerminaJ Tabs HdprQQtfllocaltimt "# xhost lonzal;|FOOC'J'JDCdlhDSI：-輸入 xhost local命令按回車Compuipr；icuf-alDCjlha<u：yjDai:Eafe W iew gtni& 卞必 JjelprootlliKalhHBstsbost local:hD-neiwork Locail coruwLiMi b白Ing added is access control

11、 listroci tSloca Iho5 tsu kuexucOlDcalhD£t riwt fTrash之后輸入su xue命令按回車，這樣就進(jìn)入了 xue用戶1、輸入命令加載xurlQ I 口Terminal 窗口calibre 軟件的license ,按回車，等到出現(xiàn)以下畫面再關(guān)閉U:52:5D5“zidunrsqu 血zmluoiwlcZBluoouelB10：5215Dt限2Ad；e史matBoihznedcsin1S:52:5D(ngcld)zjbtheckznchcckaxiszncheckcrs16:5-2: SD(ngcld)znchfckicE8znchc-ck

12、idntznchc-ckplili強(qiáng)雙邛Q如 EEd)zncheckcvzocklrtlznoiiibrwFfir16:52:50(nucldjzncwlzdedltorzndecrvptzndft16:S2s5DCHgcl<i>zjuLi&acenerznrpgAznfxaiH16:52:5DCngcld)znintFriuilzniplicgenmloiiaiieir16:52:50(ngcld)zimnagjiznnninbamxicdc15:53:50(HEcld)ZMHC&ixll比 rdazriHnddrraai16f5?350C>£cl

13、d>zjwnhtbznmiblinkzrwilpcIt: 5?: 50(ngcld)zjuinpcizrumpcixzfwnpetK2Olfi:52:SDCDgtld)zjwlposphylZznwipusphyUEhnnjMJxphfl可1S:52:5D(ngcld)uiHnqdrj;ra.iiziumrap idioznnnsdrAii1S:5Q(ngcldjiZMnsifBjranErwnspigZzrifirrufibll16f52s50OecldJzmnutoplallzmnut'oplal?znnnutopia 1316152350CHgcldJznwiut 叩 la

14、d4zmionltor&i» znsinnrt16:52:5D16:52:5D皿亡(ngcld)打毗rdzjwdi-rimvhdl1S:53:5D!SrE2;5O(ng;cld>(P£Cld)liicanbM； nm ca&Q sc-nsitiw for BgcldIB：肆:加(HECIdJEXTERNAL H1TERS are OFF16: 522 5DCliifcKL)ingfld ulng TCF-pdri 52771日岫 皿 Mjew leinwal T 曲 Help2、然后桌面右鍵重新打開Terminal進(jìn)入學(xué)用戶，開啟 Cadence軟件，

15、如下圖ralhas-t -# 后u kue xuelacalhost roQtS icfb&1 4637fxue0localhost roatS然后出現(xiàn)cadence軟件的界面關(guān)閉這個(gè)help窗口，剩下下面這個(gè)窗口，這樣 cadence軟件就開啟了如果在操作過程中關(guān)閉了 cadence,只需要執(zhí)行步驟2即可，步驟1加載calibre 的license只在linux重啟或者剛開啟的時(shí)候運(yùn)行一次就可以了。雙反相器的后端設(shè)計(jì)流程、schematic電路圖繪制1、注息在Cadence中畫schematic電路圖時(shí)，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都需要命名，不然在參數(shù)提取之后沒有命名的那些節(jié)點(diǎn)會(huì)被系統(tǒng)自動(dòng)命名，導(dǎo)致

16、用HSPICE看內(nèi)部節(jié)點(diǎn)波形時(shí)難以迅速找到自己需要的節(jié)點(diǎn)。2、打開Cadence軟件新建庫(kù)和單元 Cell View用命令icfb&打開Cadence軟件后彈出以下CIW窗口選才F Flie-New-Libirary之后彈出以下窗口這里我們新建一個(gè)名為ttest的庫(kù)。（注意：在新建library的時(shí)候要attach to an existing techfile點(diǎn)擊OK以后彈出以下窗口在 technology library 這里選擇我們的 TSMC 庫(kù) tsmc18f然后點(diǎn)擊OK在CIW窗口的tools菜單中選擇第二個(gè)library manager之后彈出以下窗口我們可以看到左邊Li

17、brary里面有我們之間建立的ttest庫(kù)，用鼠標(biāo)左鍵選擇ttest, 發(fā)現(xiàn)它的Cell和View都是空的。然后在該窗口的File-New-Cell View新建一個(gè)單元Cell View彈出以下窗口在窗口的Cell name中輸入我們需要取的名字，這里取的是dualinv。點(diǎn)擊OK后自動(dòng)彈出畫schematic的窗口3、畫schematic電路圖點(diǎn)擊上面的這個(gè)作圖版面，在鍵盤上按快捷鍵 i會(huì)出現(xiàn)添加器件的窗口點(diǎn)擊Browse后彈出以下窗口這里選中TSMC的庫(kù)tsmc18rf,在Cell中選中pmos2v, view中選中symbol然后鼠標(biāo)移到外面的畫圖板上，就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)PMOS管，左鍵點(diǎn)擊

18、就可以放上去了，按ESC回到正常的光標(biāo)狀態(tài)同理，選中TSMC庫(kù)中的nmos2v,就可以添加NMOS管。（按快捷鍵M ,然后 再點(diǎn)擊一下（選中）器件即可以移動(dòng)器件）接下來(lái)修改MOS管的尺寸，我們看到上述MOS管的默認(rèn)尺寸都是L=180n W=2u我們這里將PMOS管修改為 W=720n NMOS管修改為 W=220n（注意：TSMC 0.18um庫(kù)nmos2V和pmos2V最小的 W 只能設(shè)置到220nm,而 不能設(shè)置到180nm）鼠標(biāo)左鍵選中一個(gè)器件（如M0）,然后按快捷鍵Q （property）,出現(xiàn)以下調(diào)整MOS管屬性窗口在w（M）的文本框中修改前面的2u修改成我們需要的720n然后點(diǎn)擊O

19、K即可 同理修改NMOS管的W=220n。之后開始連線 按快捷鍵 W （wire）即可然后添加PIN腳（即與外部信號(hào)相連的端口，從圖1.1可以看出這個(gè)雙反相器電路涉及到的PIN腳有in out vdd gnd）注意：由于目前的工藝是P阱襯底，所以全部NMOS管的襯底即B端要接gnd, 而PMOS管的襯底可以接自己的S端或者vdd, 一般只接VDD不接S 知識(shí)補(bǔ)充：MOS管的襯底B端接S才能不引起襯偏，襯偏了會(huì)造成閾值電壓增大按快捷鍵P就可以添加PIN腳在pin name中輸入名稱 Direction中選中pin腳的方向（其中in的direction是input out 的 direction

20、是 output gnd 和 vdd 的 direction 是 inputoutput）然后按回車，光標(biāo)上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè) pin的光影，點(diǎn)擊鼠標(biāo)左鍵即可擺放擺放pin腳之后，將PIN腳與電路相連，同樣用快捷鍵 W來(lái)連線由于圖1.1中還有一個(gè)內(nèi)部節(jié)點(diǎn)fa,這里我們就需要給內(nèi)部節(jié)點(diǎn)命名。按快捷鍵L,出現(xiàn)命名窗口在names這里輸入fa,然后按回車然后鼠標(biāo)上出現(xiàn)fa光影，將fa移到內(nèi)部需要命名的線上點(diǎn)擊左鍵即可。然后保存電路通用，也可以用快捷鍵L來(lái)連接兩個(gè)單元：這樣就不用連線，卻能保證兩個(gè)單元連接到一起。n12llNM5*口121 產(chǎn)w:12Gnl:60nE：1n12ll"p.12llw:

21、120胸elkm： "nl2llMw:120nl:60nTuul D括i£在畫圖板左邊工具欄里面選中第一個(gè)check and save4、將電路圖創(chuàng)建成為一個(gè)symbol ,用于仿真電路VirtuoseSei: 0Design Window Edit Add Qieck SheetQieck and SaveSave (not needed) Save As.Hierarchy Create CellviewNew.From Ce(lview,From Rri List.Open.From Ins lance.Open Symbol.Disc第啜葭尋區(qū)Makfi Read

22、OnlyProbeRotRenumber Instances.選擇 DesignCreate Cellview- From Cellview 彈出以下窗口點(diǎn)擊OK彈出以下窗口這里主要是Top Pins和Botton Pins這里需要修改，修改成如下圖Sywhol hasi dWIm15(-mbolUmJ;Xut uTmta MH研 幅曲f Edt 修M Qvck點(diǎn)擊OK彈出以下電路rn&tanceName©bartriorfieTools Iw點(diǎn)擊save按鈕保存這樣我們就會(huì)看到在library manager里面就多出了一個(gè)該電路的symbol5、用spectre仿真器仿真

23、電路（這里仿真一下電路主要是驗(yàn)證一下自己電路有沒有畫錯(cuò)，如果電路邏輯功能正確，那么基本上可以保證自己剛才畫的電路是正確的）新建一個(gè)名為 dualtest 的 Cell View 單元（在 Library Manager下）Create New FileCancefView NameCompos er- SchematicttestOil Name/hiome/xue/cds. Li辰Utirary NameToolLibrary path file.點(diǎn)擊OK 按快捷鍵i添加我們之前給雙反相器電路創(chuàng)建的 symbol然后出現(xiàn)下圖接下來(lái)就要給各個(gè)端口加激勵(lì)信號(hào)和電源了按I添加器件，在analogl

24、ib中首先選擇直流電壓 Vdc,另外還要選擇vpwl作為 線性分段信號(hào)源。按Q修改vdc的屬性南甲僧TDHlwiurcurrmL eMu:e呼sbnm ukrt CDFblruwxuhxE kistinn LabelsEimriyDfeplaUhrary Hamw式在手應(yīng)01TCcH ttame*vrrWfew NmiieIHsi國(guó)g IWne可offMFMUMe惚Ml呼ihw PhjperlyMmLerVJubLucMVhJUeDrapUyhrslqmm!TRUE1offCDF ParajiieterValueDuplayAt rnngnitiJdte-廠aftACrerDC VEtlagc

25、1 g1。幅Haise file 陽(yáng)gHaniber uf nui如“f pamWf rvi r naaxd , uLnr qWFFurfOK Cajicei 片畫fDulaiJiUs- tPhJYiuus HekI在DC voltage這里將電壓值設(shè)置為1.8v（注意，只要填入1.8即可，不要帶入單位）即6個(gè)點(diǎn)），如下圖同樣修改vpwl的屬性（這里我們?cè)O(shè)置一個(gè)3段線性信號(hào),CDF PBraiiieterValueDisptayMuiubvr uf pairs uf puirnbeWorrAC nuipiiUidR：roffAC plkas« rWEDC V阿BronTimit 1l

26、!«*wr10 0MrTlniB- 2：soti gvfHVon曄 2。口 ?»TFTimu- 3EJ.Oln w陽(yáng)¥南京卿31 8 gtfffTime J13Qtl 4而"Ml曄 4191DffTwnc- 5>130 Oln *arrQ 0 4時(shí)rTime- E200n 4時(shí)iaije£。口 vMTFfe甲川:fii:y rwunn- fcr 1 UnwindOffHol腳 W HEVW廠 r時(shí)rHu面her nT iMds«m«q pairs性O(shè)fliXF H i 網(wǎng) itilii 版jorrrn:irnii!li

27、 iripoff此外我們還要添加一個(gè)gnd器件作為基準(zhǔn)地信號(hào)（在analoglib中選擇）添加完器件之后如下圖vdc T.3v（注意：電路的gnd與標(biāo)準(zhǔn)地gnd之間要添加一個(gè)0V的直流電壓）接下來(lái)連線以及給輸出端添加一個(gè)PIN,如下圖然后按check and sav琳存選擇 tools 中的 Analog environmentGild:Sei: 0Tools Design Window Edit Add CheiAMS Opts+Analog EnvironmentDi6rsiqn Synthssins DivaFlu 口 rplan/Sjc hematicsHierarchy Editor

28、 Mixed Signal Opt樂 PCDFrasrticsSchematicsSimuilalion彈出以下窗口Virtuoso?- Analog Design Envir-oflmQnr (1)S3如北 Uniniliaired<9miriaiflr: wpectre flSirasiuh SEtlqp AnadyHS gwiabl日& Outpuls Siniulaliun Re苫nils ToolsHelpLibrary# TypeAcigunentfl.c . EnsbleDesbynmaJysas網(wǎng)ViewD©則學(xué) vahablgs# Hwie Value

29、Q岬U博> Welcome W Virtuoso® 所aJog Design EFMronmeiit選擇右邊工具框中的第二個(gè) 生，彈出以下窗口題 Ctiop-uny Aonlvrji - Van«civ»L Analog »' ,'i3n Envrrnnn PjOK Cancel 口喇布 1 日wyHelp刖My主悅.bfihde7恥Mm% wtv dcmtchstbpzqpz enQi._, ps&y曄網(wǎng)|1final se兇、P印7而就qpiuHMuv E% qp即Trafisient AiatysisStnp T1G唯

30、Accirracy Mtaiilts (ernwssflt)ccnservaliVB nwdE'rale fetieraJTraisient HmwethatilfedOpUDtK.這里設(shè)置仿真的停止時(shí)間（該時(shí)間根據(jù)自己具體需要填寫），然后點(diǎn)OK接下來(lái)設(shè)置需要看波形的那些端口Analog Design Environment (1) T=27 C Simulatfoutputs To Be Plotted Select On Schematices Outputs Simulation Results ToolsSetup ., 電加經(jīng)To He Savedhs源a建誣(宏盛.slys

31、esrypitrao3JDnTo He HuttedSave Ail Select On Schematic砌簿尊Oi彝麴碎軟更裕修然后在要看波形的線條上單擊鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)一下即可dualinyti0 - 3,tvpains=C I* 'll*，點(diǎn)完之后該線條會(huì)變顏色以及閃爍，之前的 Analog environment窗口的outputs 中也會(huì)出現(xiàn)相應(yīng)的名稱然后點(diǎn)擊右邊工具欄中得倒數(shù)第三個(gè)Netlist and Run電路正確的話就會(huì)有波形點(diǎn)擊該圖標(biāo)是分離重疊的波形其他快捷鍵E看symol里面的電路Ctrl+E退出看內(nèi)部電路F讓原理圖居中P PIN管腳快捷鍵W連線L命名連線C復(fù)制Q器件

32、屬性M移動(dòng)U撤銷其他相關(guān)設(shè)置：設(shè)置回退次數(shù) CIW 窗口 -options-user preferenceUndo Limit 5多個(gè)器件屬性一起修改，用shift選中以后然后選all selected以先是only current)、版圖設(shè)計(jì)打開 dualinv 的 schematic 電路圖，然后 Tools-Design Synthesis-Layout XLTools Design VftMuw Edit fiM Cte AMS Opts, Aialcg Environriwfit Dbsji SynUiesisft,lAytHftXLrkraririakfScliemaUics Hl

33、eiwcifcy Edlitor IMixnd Signal Opts. PCD frasirtiES SolKfinaHc-s SInwjtotJcin之后彈出以下對(duì)話框.點(diǎn)擊OK后彈出點(diǎn)擊OK就會(huì)自動(dòng)彈出畫layout的版面此時(shí)鍵盤上按E鍵，出現(xiàn)設(shè)置窗口這里修改分辨率，將X Snap Spacing和Y Snap Spacing修改為0.005,方便之 后的畫圖。點(diǎn)擊OK國(guó)卬 1alyGajK«l DbTiiIU /iyHelpQHwpbY DwilmlXi O|BH to 3岫 LeBl feesGlance Ortgliw EfP 3W0WIIRn HarmOct Hits

34、Het E電傳幻1口解 叫旭g此HIUtlKtShaqii? fcituEiiiSin_ Acce眠日燒后_ frratwice Mus_ Amry忙劃幡 LSftBl加州原_ Usb Teh BBdk_ Cross CursorSt的遼自Pa th備/1叫1HnnScns nnd CfnlnflinnsShow Namy Ofln«tancH mftstsr FullUcpiiiy Limtx st*rtortho ijpnaiOeiilenrUKigpnnlEdit在畫layout版面的菜單中選擇Design-Gen From sourceXi-12.1loots Designf

35、lSmJFEE3UJP 5ll¥M!W UitNHy IriJi Iftrnry hAc */.cdaenvHniwsc.-Laad! FrwniiDtfhte FrainSava AsHrarchyOpen Discard Ei犯等MaKs Keaili OnlyS4nmia>yEHrapWties QSul Owfault 卻fiicdUun. iRemaster Instances.PlotT沖tCornjiDikBiii Tyy毋s<Gen From 想叫rceSaME Tu TefnpiaB日然后彈出以下窗點(diǎn)擊OK即可，版面上就生成與原schematic電路圖相

36、對(duì)于尺寸的MOS管，如下圖注：可以不gen from source而直接在畫版圖的版面按快捷鍵I添加layout器件， 再修改尺寸，這樣也可以通過 LVS（經(jīng)過測(cè)試即使版圖中MOS的編號(hào)和 schemati4的不同，但是最終輸出子電路中 MOS管編號(hào)跟schematic1相同的）選擇那四個(gè)綠色的方Ig和紫色的線，按 delete刪除，刪除后就剩下四個(gè)MOS管。按shift+F將MOS管轉(zhuǎn)換為可視的layout結(jié)構(gòu)，并用M快捷鍵來(lái)移動(dòng)MOS管, 此時(shí)整個(gè)版面上就剩下四個(gè) MOS管了， （ Ctrl+F可以還原為Schematic結(jié)構(gòu)） 如下圖工具欄左邊的放大鏡可以放大和縮小，或者使用 快捷鍵Z（

37、放大），shift+z縮小（按了 Z鍵要選某一個(gè)區(qū)域才能放大，不是直接放大與縮小 ）接下來(lái)開始畫圖：1、 畫PMOS管和NMOS管相連的柵極（用LSW窗口中得POLY1來(lái)畫）選中POLY1 drw然后點(diǎn)版圖，然后按R（畫方框），Q屬性可以看到是dg（在空白處）按S鍵，鼠標(biāo)移到矩形框的邊，就能修改矩形框。修改之后讓矩形框與PMOS管NMOS管的柵極對(duì)齊。（一定要對(duì)齊，不然DRC 報(bào)錯(cuò)）放大可以看到他們是否對(duì)齊，這樣的是對(duì)齊的。這樣就是沒對(duì)齊。畫好POLY1以后如下圖B. .82、畫金屬走線由于該電路簡(jiǎn)單，只需要一層金屬即可，所以只需要LSW中的metall在LSW中選中METAL1 drw ,然

38、后點(diǎn)版圖，然后按P（走線），然后按F3（設(shè)置線寬為0.5） , Q屬性可以看到是dgCQNT忖|Idrw畫完后如下圖（注意金屬要整個(gè)覆蓋住 MOS管的D端，接觸面積大才能保證電流）3、畫POLY1和metall之間的連接不同材料之間相連要打孔。比如Metall和polyl相連，就選M1_POLY1 , Metall 和Metal2相連就選M2_M1 , NMOS的襯底接觸和體相連用 M1_SUB, PMOS 管的襯底接觸和體相連用 M1_NWELLLSW中選中poly1-drw,按P,按F3,設(shè)置為0.5寬度，畫一段poly然后在這段poly上打孔，按字母。鍵,彈出以下窗口在Contact T

39、ype這里選擇 M1_POLY1,Rows這里輸入2,然后回車 （鼠標(biāo)右鍵可以旋轉(zhuǎn)器件）將這個(gè)通孔放于之前的polyl上然后metall與這個(gè)通孔相連即實(shí)現(xiàn)了金屬1層與polyl之間的連接接下來(lái)輸入信號(hào)in這里也要這樣畫，畫好之后的整體圖如下4、畫襯底接觸這里要分別畫PMOS管的襯底接觸和NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O, 在Contact Type這里選擇 M1_SUB,這個(gè)是NMOS管的襯底接觸。按快捷鍵字母O,在Contact Type這里選擇M1_NWELL ,這個(gè)是PMOS管的襯 底接觸。5、給PMOS管打阱因?yàn)楝F(xiàn)在是P阱工藝，整個(gè)畫圖的版面就是一個(gè) P型襯底，而NMOS管是做在

40、P型襯底上面的，所以畫NMOS管的時(shí)不需要畫阱，而畫PMOS管時(shí)要畫nwell（即它的襯底），nwell要包圍住PMOS管和它的襯底接觸。jMn¥ELL|drv|hvw- I在LSW中選中NWELL-drw，按R,畫矩形框，如下圖I =!6、畫管腳PIN在LSW 中選中metall pinIS METAL 1臉,METAL2pinIpin接著點(diǎn)擊空白處，然后按快捷鍵 L彈出以下窗口在Label這里輸入名稱（注意這個(gè)名稱要與schematic圖中節(jié)點(diǎn)的名稱要相同），Height這里設(shè)置字體的高度，F(xiàn)ont這里設(shè)置 字體的樣式，然后按回車，將 PIN腳擺放到正確位置7、補(bǔ)全其它連線因?yàn)樯?/p>

41、圖并不完整，還有很多連線沒有連。在熟悉版圖畫法之后這一步是放在 前面做的，因?yàn)槲覀兪煜ぎ嫹ê缶椭滥睦锸荲DD、gnd、輸入和輸出畫完這個(gè)7步驟以后點(diǎn)左邊工具欄的SAVE保存，然后就可以進(jìn)行后面的DRC、 LVS 和 PEX 了。補(bǔ)充知識(shí)-多層金屬連線:（以下講解兩層金屬 metall和metal2的布線）由于金屬走線經(jīng)常會(huì)交叉，所以單層金屬是不夠的，這就涉及到多層金屬的布線metal2 drw是金屬層2metall和metal2之間用通孔 M2_M1畫版圖一些技巧：1、所有的MOS管最好同方向（豎方向），不要有有橫有豎。最好是PMOS管放 一起（比如一起放上面），NMOS管放一起（一起放下面

42、），不一定是按照schematic 電路圖上的MOS管順序來(lái)擺放。2、走線不要穿過MOS管，要繞過去。3、單排襯底接觸最長(zhǎng)不要超過100um,比較敏感的管子要多加些接觸（兩排或多 排），襯底接觸少了電阻會(huì)大。一般情況我們采用單排襯底（即rows或columns=1） 4、橫線用金屬2,豎線用金屬1,金屬越寬電阻越小。我們一般取0.5u寬度。寄生電容與發(fā)生寄生電容的兩導(dǎo)體面積成正比，因此線寬就0.5u夠了（能承受1mA）,不需要再大。（TED）5、版圖的PMOS管和NMOS管 源極和漏極是不區(qū)分的，上下的 polyl都是柵 極。6、襯底接觸一般在下面畫一排接觸即可，對(duì)于數(shù)模混合電路某個(gè)MOS管是

43、特 別敏感的那用襯底全包圍。7、走線盡可能短，盡量畫的緊湊，減少延時(shí) 。8、盡量不用POLY來(lái)走線，如果兩個(gè)柵極之間具體太長(zhǎng)，中間用金屬走線。poly 的長(zhǎng)度最多是 3-5um。9、同一層Metal之間的距離要大于最小值 0.23um, 一般是設(shè)置成大于0.5um。比如兩條metall走線之間的距離要大于0.5um。10、PMOST的襯底全部接VDD NMOST的襯底全部接地各種器件之間的距離：1、PMOS管和NMOS管之間的距離一般控制在1um以上，太近DRC報(bào)錯(cuò)2、兩個(gè)不同電壓nwell之間的距離要大于1.4u,因此一開始要預(yù)留5um3、Nwell和NMOS管之間的距離推薦是大于1u4、N

44、well和襯底接觸以及PMOS管的距離0.5u左右5、襯底接觸和mos管距離一般設(shè)置為0.5u電容和電阻器件不選擇analoglib里面的cap和res（這兩個(gè)是理想電容電阻），電 容一般選擇tsmc里面的mimcap,電阻則要看電阻率等具體要求。（TED&黃）快捷鍵K尺寸距離（shift + k撤銷尺寸）S修整M移動(dòng)選上后右鍵可旋轉(zhuǎn)Z放大（ctrl+z放大兩倍，shift +z縮小兩倍）Shift選擇多個(gè)器件Shift+F顯示NMOS和PMOS器件的版圖O 打孔（pmos管襯底屬性選擇 M1_NWELL nmos管選擇M1_SUB 金屬和poly 打孔屬性選擇M1_POLY1）三、后

45、端驗(yàn)證和提取后端仿真首先要DRC,然后LVS,然后PEX提取寄生參數(shù)。最后用Hspice仿 真器仿真提取參數(shù)后的網(wǎng)表。這里主要用到的是calibre工具ng Connpact Calibre Rm Run DFM nun w； Ruri PEXStart RVEClear HiyhlightsAbout.（上面工具欄中 calibre一選才i Run DRC）單出下面窗口1、 DRCRunset File是RUN DRC時(shí)需要填入的一些設(shè)置，方便于下次 RUN,可直接取 消掉DRC主要設(shè)置rules的位置和DCR Run的路徑其余的都默認(rèn)Rules這里選擇TSMC庫(kù)文件中calibre文件下的

46、calibre.drc（這里的DRC Run Directory是自己創(chuàng)建的一個(gè)文件夾，su xuecd /home/xue mkdir drc）這里 dcr 改為 verify/dcrTapceii mv a Reruns pn B ar 制后 Checks）B ' Ceti Inv - B RmuI世E Check po.r 3 -1 只白如flLl K ClKCk Ml.FLl - 1 RBE.Ull-E 茵 Clwck. M2.R.1 - 1 R”uHi- Chflck. M3.R.1 - 1 RewH-r 匈 Chick M4 R1 - 1 RtiuH-T 匐 CMtM M5

47、,R1 1 R*小闔H K CMM： M.R1 - H R白如修l=H ClWCk UTMZOKR 1 - 1 He&uH（運(yùn)行完成之后的彈出的窗口）點(diǎn)開看，如果是area coverage那就是覆蓋率的問題，這種錯(cuò)誤不用理會(huì)。比如 上圖中得這8個(gè)錯(cuò)誤是沒關(guān)系的2、Run LVS同樣Runset File點(diǎn)取消 設(shè)置 rules 和 input 的 netlist【新】lvs改為verify/lvs Calibre Interarti« - nmLVS v2011.2 3426inputs1< Layam vs N1H«I - N 細(xì)就弁忖前謝noh怕I Ex

48、tractionSuipulsRun 0岫 mLayout | Netilist | H-CbIIs |Trail scriptFll«$:anv.sn-：.riftlViWf |Run W 導(dǎo)F DrmHt：§PICE 1 | Expart (rain schEmatic vieu/eirInputs Netlist 這里選擇 Export from schematic viewer點(diǎn)擊run LVS后彈出以下窗口如果是綠色笑臉則表示LVS通過，表示版圖和schematic原理圖是匹配的，說明 我們的版圖沒有畫錯(cuò)。如果是紅色臉蛋，表示有錯(cuò)誤，那要點(diǎn)開看具體的錯(cuò)誤說 明，再

49、排除錯(cuò)誤。3、Run PEX同樣Runset File點(diǎn)取消Rules設(shè)置新/home/gengliang/ic/verify/pexInputs-netlist 設(shè)置 Export from schematic view 選上Outputs- extraction type選擇R+C（即提取寄生電阻和電容），format這里選擇 hspice（用于Hspice仿真器仿真）（如果后仿是用spectre仿真器仿真，那么format這里選擇CALIBREVIEW ）BulesInputsEriracton Type： mnWrtor R 即 Mductai網(wǎng)014 帆itsRun Contra I

50、TranscriptRuh £EXStart R 至ENEWNeiliEtbleh | Ft叩口由SWDB FormatHSPiCE Ufe Names From： schematicFile： dullirvjpexnetHst. VI&m nelllst altar PEX fl rushesOutputs reports這里 選上 generate PEX report和 View report after PEX finishesNEW-Calibre Interactive - PEX v2011.5_34.26然后run PEX之后在/home/xue/pex文件

51、夾下面生成三個(gè)我們需要用到的文件list （里面是電路的網(wǎng)表）list.pex （里面是各個(gè)節(jié)點(diǎn)的寄生參數(shù)）list.DUALINV.pxi （里面是一些調(diào)用子電路的命令）注：在XP系統(tǒng)下用寫字板打開可查看這三個(gè)文件的內(nèi)容MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管描述語(yǔ)句：（pex輸出的網(wǎng)表格式）MMX D G S B MNAME <L=val> <W= val > <AD= val > <AS= val > <PD= val ><PS= val > <NRD= val > <NRS= val >第三節(jié)后端仿真1、用Hspice仿真器進(jìn)行后仿真將上述三個(gè)文件復(fù)制到XP系統(tǒng)下面，然后新建一個(gè)dualinv.sp文件(即新建文本文檔，后綴改成.sp),這樣同一目錄下就有四個(gè)文件，如下dualinv pax .FKI文件1 KBdualinv pax: natlist|g界Fspicocccae1 est陽(yáng)短 一。- 1 ri dhaal invSP文件2 KB，（hialinv. >ex/J JETLIST 定伸