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文檔簡介
1、NAND閃存顆粒結(jié)構(gòu)及工作原理前一節(jié)談SLC和MLC的區(qū)別時(shí),我們說到NAND閃存是一種電壓元件,靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù),現(xiàn)在我們就來談?wù)勊慕Y(jié)構(gòu)及工作原理。 閃存的內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)是金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(MOSFET),里面有一個(gè)浮置柵極(Floating Gate),它便是真正存儲數(shù)據(jù)的單元。請看下圖:
2、; 數(shù)據(jù)在閃存的存儲單元中是以電荷(electrical charge) 形式存儲的。存儲電荷的多少,取決于圖中的控制柵極(Control gate)所被施加的電壓,其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示,以所存儲的電荷的電壓是否超過一個(gè)特定的閾值Vth來表示。 1.對于NAND閃存的寫入(編程),就是控制Control Gate去充電(對Control Gate施加電壓),使得浮置柵極存儲的電荷夠多,超過閾值Vth,就表示0。
3、60; 2.對于NAND Flash的擦除(Erase),就是對浮置柵極放電,低于閾值Vth,就表示1。 1 / 5 上圖是一個(gè)8Gb 50nm的SLC顆粒內(nèi)部架構(gòu),每個(gè)page有33,792個(gè)存儲單元,每個(gè)存儲單元代表1bit(SLC),所以每個(gè)page容量為4096Byte + 128Byte(SA區(qū))。每個(gè)Block由64個(gè)page組
4、成,所以每個(gè)Block容量為262,114Byte + 8192Byte (SA區(qū))。Page是NAND Flash上最小的讀取/寫入(編程)單位(一個(gè)Page上的單元共享一根字符線Word line),Block是NAND Flash上最小的擦除單位。不同廠牌不同型號顆粒有不同的Page和Block容量。 如上所述,大家應(yīng)該發(fā)現(xiàn)了,寫入時(shí),是在字符線上加壓以寫入數(shù)據(jù),擦除時(shí)則是在位線上加壓,因?yàn)橐粋€(gè)塊共享一條位線,這也是擦除的單位是塊而不是頁的原因,同理寫入的最小單位是頁的原因大家想必也已明白。
5、160; 下圖是個(gè)8Gb 50nm的SLC芯片,4KB+128字節(jié)的頁大小,256KB+8KB的塊大小。圖中每個(gè)頁內(nèi)4096字節(jié)用于存儲數(shù)據(jù),另外128字節(jié)用于管理和ECC等。 NAND閃存還會利用多Plane設(shè)計(jì)以提升性能,請看下圖:
6、0; 多Plane設(shè)計(jì)的原理很簡單,從上圖中(Micron 25nm L73A)我們看到,一個(gè)晶片內(nèi)部分成了2個(gè)Plane,而且2個(gè)Plane內(nèi)的Block編號是單雙交叉的,想象我們在操作時(shí),也可以進(jìn)行交叉操作(一單一雙)來提升性能,根據(jù)測試,某些情況下性能可以比單Plane設(shè)計(jì)提高約50%以上。
7、160; 上圖向大家清楚說明了多Plane設(shè)計(jì)提升性能的原因。 在前面的SSD基本架構(gòu)中,我們提及了交叉讀寫(Interleave)算法,這個(gè)算法的作用是什么呢? 前面所說的是針對單個(gè)晶片內(nèi)部的多Plane進(jìn)行操作,這里的Interleave指的是對單通道下多個(gè)晶片進(jìn)行操作。打個(gè)比方,下圖為64G的m4 SSD,顆粒為8顆粒L73A(每個(gè)顆粒內(nèi)部2個(gè)Die封裝),那么作為8通
8、道的主控制器,每個(gè)通道里可以同時(shí)對2個(gè)Die(4個(gè)Plane)進(jìn)行操作,達(dá)到提速的目的。 假設(shè)上面是單通道的操作模式,下圖上面部分就是一個(gè)通道上有1個(gè)Die,下面部分則是一個(gè)通道上有2個(gè)Die。假定1次讀取需要5個(gè)時(shí)鐘周期,一個(gè)方塊代表1個(gè)時(shí)鐘周期,第五個(gè)時(shí)鐘周期數(shù)據(jù)即可傳輸完成,2個(gè)Die的時(shí)候采用交錯(cuò)操作,第一個(gè)時(shí)鐘周期時(shí)Die 1 發(fā)送完讀取指令后在第二個(gè)時(shí)鐘周期時(shí),Die 2接著
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