濺射鍍膜類型

1、濺射鍍膜類型濺射鍍膜類型濺射鍍膜的方式很多，濺射鍍膜的方式很多，從從電極結(jié)構(gòu)電極結(jié)構(gòu)上可分為二極上可分為二極濺射、三或四極濺射和磁控濺射。濺射、三或四極濺射和磁控濺射。直流濺射直流濺射系統(tǒng)一般只能用于靶材為良導(dǎo)體的濺射；系統(tǒng)一般只能用于靶材為良導(dǎo)體的濺射；射頻濺射射頻濺射適用于絕緣體、導(dǎo)體、半導(dǎo)體等任何一適用于絕緣體、導(dǎo)體、半導(dǎo)體等任何一類靶材的濺射；類靶材的濺射；反應(yīng)濺射反應(yīng)濺射可制備化合物薄膜；可制備化合物薄膜；為了提高薄膜純度而分別研究出為了提高薄膜純度而分別研究出偏壓濺射、非對偏壓濺射、非對稱交流濺射稱交流濺射和和吸氣濺射吸氣濺射等；等；對向靶濺射對向靶濺射可以進(jìn)行磁性薄膜的高速低溫制

2、備?？梢赃M(jìn)行磁性薄膜的高速低溫制備。 各種濺射鍍膜類型的比較各種濺射鍍膜類型的比較一二極濺射一二極濺射 陰極陰極靶由鍍膜材料制成靶由鍍膜材料制成, ,成膜的基板及其固定架作為成膜的基板及其固定架作為陽極，陽極，構(gòu)成了濺射裝置的兩個(gè)極構(gòu)成了濺射裝置的兩個(gè)極 。使用直流電源則稱為使用直流電源則稱為直流二極濺射直流二極濺射，因?yàn)闉R射過程發(fā)生在，因?yàn)闉R射過程發(fā)生在陰極，故又稱為陰極，故又稱為陰極濺射陰極濺射。使用射頻電源時(shí)稱為使用射頻電源時(shí)稱為射頻二極濺射射頻二極濺射。靶和基板固定架都是平板狀的稱為靶和基板固定架都是平板狀的稱為平面二極濺射平面二極濺射。若二者是同軸圓柱狀布置就稱為若二者是同軸圓柱狀布

3、置就稱為同軸二極濺射同軸二極濺射。 二級濺射結(jié)構(gòu)原理圖二級濺射結(jié)構(gòu)原理圖 基片直流二極濺射原理直流二極濺射原理先將真空室預(yù)抽到先將真空室預(yù)抽到高真空高真空（如（如1010-3-3PaPa），然后，通入惰性氣體（通常），然后，通入惰性氣體（通常為為氬氣）氬氣），使真空室內(nèi)壓力維持在，使真空室內(nèi)壓力維持在1 110Pa10Pa；接通電源（接通電源（直流負(fù)高壓直流負(fù)高壓），電子在電場的作用下加速飛向基片的過程），電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與中與ArAr原子發(fā)生碰撞，電離出大量的原子發(fā)生碰撞，電離出大量的Ar+Ar+和電子，電子飛向基片，在和電子，電子飛向基片，在此過程中不斷和此過程中不斷

4、和ArAr原子碰撞，產(chǎn)生更多的原子碰撞，產(chǎn)生更多的Ar+Ar+和電子，和電子，Ar+Ar+離子經(jīng)電場離子經(jīng)電場加速后撞擊靶材表面，使靶材原子被轟擊而飛出來，同時(shí)產(chǎn)生加速后撞擊靶材表面，使靶材原子被轟擊而飛出來，同時(shí)產(chǎn)生二次電二次電子子，二次電子再撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子，二次電子再撞擊氣體原子從而形成更多的帶電離子, ,更多的離子更多的離子轟擊靶又釋放更多的電子，從而使轟擊靶又釋放更多的電子，從而使輝光放電達(dá)到自持輝光放電達(dá)到自持；從靶面飛濺出來的粒子以足夠的動能飛向陽極并沉積在基材表面，形從靶面飛濺出來的粒子以足夠的動能飛向陽極并沉積在基材表面，形成鍍層。成鍍層。靶材靶材基片基片V

5、 (0)E+ArAr+-e-e-e+Ar+濺射過程濺射過程中涉及到復(fù)雜的中涉及到復(fù)雜的散射過程散射過程和多種能量傳遞過程：和多種能量傳遞過程：首先，入射粒子與靶材原子發(fā)生首先，入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞彈性碰撞，入射粒子的一，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子，某些靶材原子的動能超過由其部分動能會傳給靶材原子，某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘周圍存在的其它原子所形成的勢壘( (對于金屬是對于金屬是5-10eV)5-10eV)，從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子離位原子，并進(jìn)一步，并進(jìn)一步和附近的原子依次和附近的原子依次反復(fù)碰撞反

6、復(fù)碰撞，產(chǎn)生，產(chǎn)生碰撞級聯(lián)碰撞級聯(lián)。當(dāng)這種碰撞。當(dāng)這種碰撞級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動能大級聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結(jié)合能于表面結(jié)合能( (對于金屬是對于金屬是1-6eV)1-6eV)，這些原子就會從靶材，這些原子就會從靶材表面表面脫離脫離從而進(jìn)入真空。從而進(jìn)入真空。直流二極濺射放電所形成電回路，是依靠氣體放電產(chǎn)生的正離子飛向直流二極濺射放電所形成電回路，是依靠氣體放電產(chǎn)生的正離子飛向陰極靶，一次電子飛向陽極而形成的。而放電是依靠正離子轟擊陰極陰極靶，一次電子飛向陽極而形成的。而放電是依靠正離子轟擊陰極所產(chǎn)生的二次電子，經(jīng)陰極暗區(qū)被加速后去補(bǔ)充被

7、消耗的一次電子來所產(chǎn)生的二次電子，經(jīng)陰極暗區(qū)被加速后去補(bǔ)充被消耗的一次電子來維持的。因此，維持的。因此，在濺射鍍膜過程中，濺射效應(yīng)是手段，沉積效應(yīng)是目在濺射鍍膜過程中，濺射效應(yīng)是手段，沉積效應(yīng)是目的，電離效應(yīng)是條件。的，電離效應(yīng)是條件。為了提高淀積速率，在不影響為了提高淀積速率，在不影響輝光放電前提下，基片應(yīng)盡量輝光放電前提下，基片應(yīng)盡量靠近陰極靶。但基片接近陰極靠近陰極靶。但基片接近陰極時(shí)，甚至在未達(dá)到陰極暗區(qū)之時(shí)，甚至在未達(dá)到陰極暗區(qū)之前，就會產(chǎn)生前，就會產(chǎn)生放電電流急劇變放電電流急劇變小小而使濺射速率下降的現(xiàn)象。而使濺射速率下降的現(xiàn)象。這時(shí)，從基片上膜厚分布來看，這時(shí)，從基片上膜厚分布來

8、看，在陰極遮蔽最強(qiáng)的中心區(qū)膜最在陰極遮蔽最強(qiáng)的中心區(qū)膜最薄。薄。因此，有關(guān)資料指出：因此，有關(guān)資料指出：陰陰極靶與基片間的距離以大于陰極靶與基片間的距離以大于陰極暗區(qū)的極暗區(qū)的3434倍倍較為適宜。較為適宜。直流二極濺射的直流二極濺射的工作參數(shù)工作參數(shù)為濺為濺射功率、放電電壓、氣體壓力射功率、放電電壓、氣體壓力和電極間距。濺射時(shí)主要監(jiān)視和電極間距。濺射時(shí)主要監(jiān)視功率、電壓和氣壓參數(shù)。當(dāng)電功率、電壓和氣壓參數(shù)。當(dāng)電壓一定時(shí)，放電電流與氣體壓壓一定時(shí)，放電電流與氣體壓強(qiáng)的關(guān)系如圖強(qiáng)的關(guān)系如圖3-323-32所示。所示。氣體氣體壓力不低于壓力不低于lPalPa，陰極靶電流，陰極靶電流密度為密度為0.

9、15 0.15 1.5MA/CM1.5MA/CM。優(yōu)點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)： 結(jié)構(gòu)簡單結(jié)構(gòu)簡單，可獲得大面積，可獲得大面積膜厚均勻膜厚均勻的薄膜。的薄膜。缺點(diǎn)缺點(diǎn)：（1 1）濺射）濺射參數(shù)不易獨(dú)立控制參數(shù)不易獨(dú)立控制，放電電流易隨電壓和氣壓變化，放電電流易隨電壓和氣壓變化，工藝重復(fù)工藝重復(fù)性差性差；（2 2）氣體壓力較高氣體壓力較高（10Pa10Pa左右），濺射速率較低，這不利于減少雜質(zhì)污左右），濺射速率較低，這不利于減少雜質(zhì)污染及提高濺射效率，使染及提高濺射效率，使薄膜純度較差薄膜純度較差，成膜速度慢成膜速度慢；（3 3）電子在電場力作用下迅速飛向基片表面：電子運(yùn)動路徑短，轟擊在）電子在電場力作用下迅速飛向

10、基片表面：電子運(yùn)動路徑短，轟擊在基片上基片上速度快速度快，導(dǎo)致，導(dǎo)致基片溫度升高；基片溫度升高；（4 4）為了在輝光放電過程中使靶表面保持可控的負(fù)高壓，）為了在輝光放電過程中使靶表面保持可控的負(fù)高壓，靶材必須是導(dǎo)靶材必須是導(dǎo)體體。（直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的。（直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷正電荷傳傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)表面的離子緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)表面的離子電荷無法中和電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加

11、電壓幾乎都加在靶上，面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速兩極間的離子加速與與電離的電離的機(jī)會將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射機(jī)會將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法。）法。） 二二、偏壓濺射、偏壓濺射 直流偏壓濺射的原理示意如圖直流偏壓濺射的原理示意如圖所示。它與直流二極濺射的區(qū)別所示。它與直流二極濺射的區(qū)別在于在于基片上施加一固定直流偏壓?；鲜┘右还潭ㄖ绷髌珘?。特點(diǎn)：特點(diǎn)： （1 1）若施加的是若施加的是負(fù)偏壓負(fù)

12、偏壓，則在，則在薄膜淀積過程中，薄膜淀積過程中，基片表面都將基片表面都將受到氣體離子的穩(wěn)定轟擊受到氣體離子的穩(wěn)定轟擊，隨時(shí)，隨時(shí)清除可能進(jìn)入薄膜表面的氣體，清除可能進(jìn)入薄膜表面的氣體，有利于有利于提高薄膜的純度提高薄膜的純度。并且也。并且也可除掉粘附力弱的淀積粒子可除掉粘附力弱的淀積粒子，加，加之在淀積之前可對基片進(jìn)行之在淀積之前可對基片進(jìn)行轟擊轟擊清洗清洗，使，使表面凈化表面凈化，從而，從而提高了提高了薄膜的附著力。薄膜的附著力。 直流偏壓濺射的原理示意圖直流偏壓濺射的原理示意圖（2 2）偏壓濺射還可偏壓濺射還可改變淀積薄膜的結(jié)構(gòu)改變淀積薄膜的結(jié)構(gòu)。圖。圖3-343-34示出了基片加不同偏示

13、出了基片加不同偏壓時(shí)鉭膜電阻率的變化。偏壓在壓時(shí)鉭膜電阻率的變化。偏壓在-100V-100V至至100V100V范圍，膜層電阻率較高，屬范圍，膜層電阻率較高，屬-Ta-Ta即即四方晶結(jié)構(gòu)四方晶結(jié)構(gòu)。當(dāng)負(fù)偏壓大于。當(dāng)負(fù)偏壓大于100V100V時(shí)，電阻率迅速下降，這時(shí)鉭膜時(shí)，電阻率迅速下降，這時(shí)鉭膜已相變?yōu)橐严嘧優(yōu)檎ｓw心立方結(jié)構(gòu)正常體心立方結(jié)構(gòu)。這種情況很可能是因?yàn)?。這種情況很可能是因?yàn)榛由险珘汉?，基片加上正偏壓后，成為陽極，導(dǎo)致大量電子流向基片，引起基片發(fā)熱所致。成為陽極，導(dǎo)致大量電子流向基片，引起基片發(fā)熱所致。 圖圖3-34 3-34 鉭膜電阻率與基片偏壓關(guān)系鉭膜電阻率與基片偏壓關(guān)系三

14、三、三極或四極濺射、三極或四極濺射二極直流濺射二極直流濺射只能在較高氣壓下進(jìn)行，因?yàn)樗且蕾囯x子只能在較高氣壓下進(jìn)行，因?yàn)樗且蕾囯x子轟擊陰極所發(fā)射的轟擊陰極所發(fā)射的次級電子來維持輝光放電次級電子來維持輝光放電。如果氣壓降。如果氣壓降到到1.32.7Pa1.32.7Pa（1020mTorr1020mTorr）時(shí)，）時(shí)，則陰極暗區(qū)擴(kuò)大，電子則陰極暗區(qū)擴(kuò)大，電子自由程增加，等離子體密度降低，輝光放電便無法維持自由程增加，等離子體密度降低，輝光放電便無法維持。在低壓下，為了在低壓下，為了增加離化率并保持放電自持增加離化率并保持放電自持，一個(gè)可供選，一個(gè)可供選擇的方法就是擇的方法就是提供一個(gè)額外的電子

15、源提供一個(gè)額外的電子源（額外電子源提供具（額外電子源提供具有合適能量的額外電子有合適能量的額外電子, ,保持高離化效率），而不是從靶保持高離化效率），而不是從靶陰極獲得電子。陰極獲得電子。三極濺射三極濺射克服了二極濺射的缺點(diǎn)，它在克服了二極濺射的缺點(diǎn)，它在真空室內(nèi)附加一個(gè)真空室內(nèi)附加一個(gè)獨(dú)立的電子源獨(dú)立的電子源熱陰極熱陰極（熱陰極通常是一加熱的鎢絲，（熱陰極通常是一加熱的鎢絲，他可以承受長時(shí)間的離子轟擊），它他可以承受長時(shí)間的離子轟擊），它通過熱離子輻射形式通過熱離子輻射形式發(fā)散電子并和陽極產(chǎn)生等離子體發(fā)散電子并和陽極產(chǎn)生等離子體，同時(shí)使靶相對于該等離，同時(shí)使靶相對于該等離子體為負(fù)電位，用等離

16、子體中的正離子轟擊靶材而進(jìn)行濺子體為負(fù)電位，用等離子體中的正離子轟擊靶材而進(jìn)行濺射。如果為了引入熱電子并使放電穩(wěn)定，再附加第四電射。如果為了引入熱電子并使放電穩(wěn)定，再附加第四電極極穩(wěn)定化電極穩(wěn)定化電極，即稱為，即稱為四極濺射。四極濺射。原理：原理： 等離子區(qū)由熱陰極等離子區(qū)由熱陰極和一個(gè)與靶無關(guān)的陽極和一個(gè)與靶無關(guān)的陽極來維持，并通過外部線來維持，并通過外部線圈所提供的磁場，將等圈所提供的磁場，將等離子體限域在陽極和燈離子體限域在陽極和燈絲陰極之間。而靶偏壓絲陰極之間。而靶偏壓是獨(dú)立的，這就大大降是獨(dú)立的，這就大大降低了靶偏壓。低了靶偏壓。 當(dāng)在靶上施加一相當(dāng)在靶上施加一相對于陽極的負(fù)高壓，濺

17、對于陽極的負(fù)高壓，濺射就會出現(xiàn)，如同在二射就會出現(xiàn)，如同在二級輝光放電那樣，離子級輝光放電那樣，離子轟擊靶，靶材便沉積在轟擊靶，靶材便沉積在基片上。基片上。負(fù)電位負(fù)電位但是，若對穩(wěn)定性電極但是，若對穩(wěn)定性電極加加+300V+300V電壓時(shí)電壓時(shí)，只要稍微提高一，只要稍微提高一點(diǎn)氣壓（由點(diǎn)氣壓（由G G至至T T），放電即可重新開始。即），放電即可重新開始。即穩(wěn)定性電極的穩(wěn)定性電極的作用使穩(wěn)定放電的范圍從作用使穩(wěn)定放電的范圍從D D點(diǎn)擴(kuò)大到點(diǎn)擴(kuò)大到T T點(diǎn)，使放電氣壓提高點(diǎn)，使放電氣壓提高一個(gè)數(shù)量級一個(gè)數(shù)量級。因此，四極濺射的主閥幾乎可在全開狀態(tài)下。因此，四極濺射的主閥幾乎可在全開狀態(tài)下進(jìn)行濺射

18、。靶電流主要決定于陽極電流，而不隨靶電壓而進(jìn)行濺射。靶電流主要決定于陽極電流，而不隨靶電壓而變，因此，變，因此，靶電流和靶電壓可獨(dú)立調(diào)節(jié)靶電流和靶電壓可獨(dú)立調(diào)節(jié)，從而克服了二極，從而克服了二極濺射的相應(yīng)缺點(diǎn)。濺射的相應(yīng)缺點(diǎn)。穩(wěn)定電極的作用穩(wěn)定電極的作用在于使放電在于使放電趨于穩(wěn)定。如圖趨于穩(wěn)定。如圖3-373-37所示陽所示陽極電流與氣體壓力的關(guān)系，極電流與氣體壓力的關(guān)系，從圖看出，若從從圖看出，若從E E點(diǎn)降低氣壓，點(diǎn)降低氣壓，放電電流逐漸減小，到放電電流逐漸減小，到F-GF-G點(diǎn)點(diǎn)放電停止，為使放電重新開放電停止，為使放電重新開始，要提高氣體壓力。若穩(wěn)始，要提高氣體壓力。若穩(wěn)定性電極為定性

19、電極為自由電位自由電位時(shí)，必時(shí)，必須將氣壓由須將氣壓由G G點(diǎn)提高到點(diǎn)提高到D D點(diǎn)才點(diǎn)才能再行放電。能再行放電。穩(wěn)定電極電位優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：1 1、克服了二極直流濺射只能在較高氣壓下進(jìn)行的缺點(diǎn)；、克服了二極直流濺射只能在較高氣壓下進(jìn)行的缺點(diǎn)；2 2、由于靶電壓低，對基片的、由于靶電壓低，對基片的濺射損傷小濺射損傷小，適宜用來制作半，適宜用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路，并已取得良好效果；導(dǎo)體器件和集成電路，并已取得良好效果；3 3、三極濺射的進(jìn)行不再依賴于陰極所發(fā)射的二次電子，濺、三極濺射的進(jìn)行不再依賴于陰極所發(fā)射的二次電子，濺射速率可以由熱陰極的發(fā)射電流控制，提高了濺射參數(shù)的射速率可以由熱陰極的發(fā)

20、射電流控制，提高了濺射參數(shù)的可控性可控性和和工藝重復(fù)性；工藝重復(fù)性；4 4、四極濺射的穩(wěn)定電極使放電趨于、四極濺射的穩(wěn)定電極使放電趨于穩(wěn)定穩(wěn)定。缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：1 1、三（四）極濺射還不能抑制由靶產(chǎn)生的高速電子對基板、三（四）極濺射還不能抑制由靶產(chǎn)生的高速電子對基板的轟擊，特別在高速濺射的情況下，基板的的轟擊，特別在高速濺射的情況下，基板的溫升較高溫升較高；2 2、燈絲、燈絲壽命短壽命短，也還存在燈絲的不純物使膜層，也還存在燈絲的不純物使膜層沾污沾污等問題；等問題；3 3、這種濺射方式并、這種濺射方式并不適用于反應(yīng)濺射不適用于反應(yīng)濺射，特別在用氧作反應(yīng)，特別在用氧作反應(yīng)氣體的情況下，燈絲的壽命將顯

21、著縮短。氣體的情況下，燈絲的壽命將顯著縮短。四、射頻濺射四、射頻濺射 直流濺射裝置只能濺射導(dǎo)體材料直流濺射裝置只能濺射導(dǎo)體材料，由于放電不能持續(xù)，由于放電不能持續(xù)而不能濺射絕緣物質(zhì)。于是出現(xiàn)了射頻濺射。而不能濺射絕緣物質(zhì)。于是出現(xiàn)了射頻濺射。 射頻濺射裝置如圖所示：相當(dāng)于直流濺射裝置中的直射頻濺射裝置如圖所示：相當(dāng)于直流濺射裝置中的直流電源部分改由流電源部分改由射頻發(fā)生器、匹配網(wǎng)絡(luò)和電源射頻發(fā)生器、匹配網(wǎng)絡(luò)和電源所代替，利所代替，利用用射頻輝光放電射頻輝光放電產(chǎn)生濺射所需正離子。產(chǎn)生濺射所需正離子。機(jī)理：機(jī)理： (1)(1)射頻電源對絕緣靶之所以能進(jìn)行濺射鍍膜，主要是因?yàn)樯漕l電源對絕緣靶之所以

22、能進(jìn)行濺射鍍膜，主要是因?yàn)樵诮^緣靶表面上建立起在絕緣靶表面上建立起負(fù)偏壓負(fù)偏壓的緣故。在靶上施加的緣故。在靶上施加射頻電射頻電壓壓，由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替由于交流電源的正負(fù)性發(fā)生周期交替, ,當(dāng)濺射靶處于當(dāng)濺射靶處于正正半周期半周期時(shí)，由于時(shí)，由于電子電子的質(zhì)量比離子的質(zhì)量小得多，故其的質(zhì)量比離子的質(zhì)量小得多，故其遷移率很高僅用很短時(shí)間就可以飛向靶面，遷移率很高僅用很短時(shí)間就可以飛向靶面，中和其表面積中和其表面積累的正電荷，累的正電荷，并且在靶面又迅速并且在靶面又迅速積累大量的電子積累大量的電子，使其表使其表面呈現(xiàn)面呈現(xiàn)負(fù)偏壓負(fù)偏壓，導(dǎo)致在射頻電壓的負(fù)半周時(shí)吸引正離子轟，導(dǎo)致在射頻電

23、壓的負(fù)半周時(shí)吸引正離子轟擊靶材，從而在正、負(fù)半周中，均可實(shí)現(xiàn)對絕緣材料的濺擊靶材，從而在正、負(fù)半周中，均可實(shí)現(xiàn)對絕緣材料的濺射。射。（2 2）射頻濺射的機(jī)理和特性可以用）射頻濺射的機(jī)理和特性可以用射頻輝光放電射頻輝光放電解釋。在解釋。在射頻濺射裝置中，射頻濺射裝置中，等離子體中的電子容易在射頻場中吸收等離子體中的電子容易在射頻場中吸收能量并在電場內(nèi)振蕩能量并在電場內(nèi)振蕩，因此，電子與工作氣體分子碰撞并，因此，電子與工作氣體分子碰撞并使之電離的幾率非常大，故使得使之電離的幾率非常大，故使得擊穿電壓和放電電壓顯著擊穿電壓和放電電壓顯著降低降低。如射頻電場強(qiáng)度為如射頻電場強(qiáng)度為 式中，式中， ，f f為射頻頻率。在真空中的自由電子，由于射頻電場的為射頻頻率。在真空中的自由電子，由于射頻電場的