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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上熱點6晶胞的有關(guān)計算1某晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。X()位于立方體頂點,Y()位于立方體中心。試分析:(1)晶體中每一個Y同時吸引著_個X,每個X同時吸引著_個Y,該晶體的化學(xué)式是_。(2)晶體中在每個X周圍與它最近且距離相等的X共有_個。(3)晶體中距離最近的2個X分別與1個Y形成的兩條線的夾角為_。答案(1)48XY2(或Y2X)(2)12(3)10928解析(1)同時吸引的微粒個數(shù)即指在某微粒周圍距離最近的其他種類的微粒個數(shù),觀察圖可知,Y位于立方體的體心,X位于立方體的頂點,每個Y同時吸引著4個X,而每個X同時被8個立方體共用,每個立方體的體心都有1個Y,所以每

2、個X同時吸引著8個Y,X、Y的個數(shù)比為12,所以化學(xué)式為XY2或Y2X。(2)晶體中每個X周圍與它最接近的X之間的距離應(yīng)為如圖所示立方體的面對角線。位置關(guān)系分別在此X的上層、下層和同一層,每層均有4個,共有12個。(3)若將4個X連接,構(gòu)成1個正四面體,Y位于正四面體的中心,可聯(lián)系CH4的鍵角,知該夾角為10928。2(1)單質(zhì)O有兩種同素異形體,其中沸點高的是_(填分子式),原因是_;O和Na的氫化物所屬的晶體類型分別為_和_。(2)Al單質(zhì)為面心立方晶體,其晶胞參數(shù)a0.405 nm,晶胞中鋁原子的配位數(shù)為_。列式表示Al單質(zhì)的密度_gcm3(不必計算出結(jié)果)。答案(1)O3O3相對分子質(zhì)

3、量較大,范德華力大分子晶體離子晶體(2)12解析(1)O元素形成O2和O3兩種同素異形體,固態(tài)時均形成分子晶體,而分子晶體中,相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力越大,物質(zhì)的沸點越高,故O3的沸點高于O2。O元素形成的氫化物有H2O和H2O2,二者均能形成分子晶體。Na元素形成的氫化物為NaH,屬于離子晶體。(2)面心立方晶胞中粒子的配位數(shù)是12。一個鋁晶胞中含有的鋁原子數(shù)為864(個),一個晶胞的質(zhì)量為27 g,再利用密度與質(zhì)量、晶胞參數(shù)a的關(guān)系即可求出密度,計算中要注意1 nm107 cm。3氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)及新型多相催化劑組成的納米材料能利用可見光分解水,生成氫氣和氧氣。(1

4、)ZnO是兩性氧化物,能跟強堿溶液反應(yīng)生成Zn(OH)42。不考慮空間構(gòu)型,Zn(OH)42的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為_,某種ZnO晶體的晶胞如圖1所示,O2的配位數(shù)為_。(2)圖2是氮化鎵的晶胞模型。其中鎵原子的雜化方式為_雜化,N、Ga原子之間存在配位鍵,該配位鍵中提供電子對的原子是_。氮化鎵為立方晶胞,晶胞邊長為a pm,若氮化鎵的密度為 gcm3,則氮化鎵晶胞邊長的表達(dá)式a_pm(設(shè)NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。答案(1) 8(2)sp3N1010解析(1)鋅提供空軌道,OH中的O提供孤電子對,形成配位鍵,結(jié)構(gòu)示意圖是:或,離子晶體配位數(shù),是周圍最近的異性離子的個數(shù),即O2最近的Zn2有8

5、個。(2)根據(jù)晶胞,鎵有4個共價鍵,因此鎵的雜化類型為sp3,形成配位鍵,金屬提供空軌道,非金屬提供孤電子對,因此提供電子對的原子是N;根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu),Ga的個數(shù)為812,N原子的個數(shù)為142,晶胞的質(zhì)量為 g,設(shè)晶胞的邊長為a pm,晶胞的體積為(a1010)3 cm3,根據(jù)密度的定義,即a1010 pm。4根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,計算晶胞的邊長或密度。(1)N和Cu元素形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則該化合物的化學(xué)式為_。該化合物的相對分子質(zhì)量為M,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。若該晶胞的邊長為a pm,則該晶體的密度是_gpm3。(2)S與Cu形成化合物晶體的晶胞如圖所示。已知該晶體的密度為a

6、 gcm3,則該晶胞的體積為_cm3(NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。答案(1)Cu3N(2)解析(1)該晶胞中N原子個數(shù)81,Cu原子個數(shù)123,所以其化學(xué)式為Cu3N,晶胞的邊長為a pm,其體積為a3 pm3,密度 gpm3。(2)該晶胞含Cu:864,S原子個數(shù)為4,因此化學(xué)式為CuS,晶胞體積V cm3。5O和Na能夠形成化合物F,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)a0.566 nm,F(xiàn)的化學(xué)式為_;晶胞中O原子的配位數(shù)為_;列式計算晶體F的密度_(單位為gcm3)。答案Na2O82.27 gcm3解析由示意圖可知:小黑球8個全部在晶胞內(nèi)部,大灰球數(shù)有864個。根據(jù)鈉和氧的化合價,可知大灰球

7、代表氧原子,小黑球代表鈉原子。則該物質(zhì)的化學(xué)式為Na2O,且一個晶胞中有4個Na2O。根據(jù)密度公式2.27 gcm3。6.硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導(dǎo)體材料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)為_;若該晶胞密度為 gcm3,硒化鋅的摩爾質(zhì)量為M gmol1。NA代表阿伏加德羅常數(shù),則晶胞參數(shù)a為_pm。答案41010解析根據(jù)硒化鋅晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,每個鋅原子周圍有4個硒原子,每個硒原子周圍也有4個鋅原子,所以硒原子的配位數(shù)為4,該晶胞中含有硒原子數(shù)為864,含有鋅原子數(shù)為4,根據(jù),所以V,則晶胞的參數(shù)a cm1010 pm。7某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。(1)晶胞中銅原子與

8、鎳原子的數(shù)量比為_。(2)若合金的密度為d gcm3,晶胞參數(shù)a_nm。答案(1)31(2) 107解析(1)晶胞中含Cu原子數(shù)為63,含Ni原子數(shù)為81,兩者數(shù)量比為31。(2)由題意可得:d,解得a 107 nm。8砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等?;卮鹣铝袉栴}:(1)GaF3的熔點高于1000 ,GaCl3的熔點為77.9 ,其原因是_。(2)GaAs的熔點為1238 ,密度為 gcm3,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為_,Ga與As以_鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol1和MAs gmol1,原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為_。答案(1)GaF3為離子晶體,GaCl3為分子晶體(2)原子晶體共價100%解析(1)GaF3、GaCl3的熔點相差較大,是因為晶體類型不同,GaF3熔點高,為

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