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1、電磁場(chǎng)與電磁波試題(9)一.填空題(共20分,每小題4分) 1.對(duì)于某一標(biāo)量和某一矢量:() ;() 。2.對(duì)于某一標(biāo)量u,它的梯度用哈密頓算子表示為 ;在直角坐標(biāo)系下表示為 。3.寫出安培力定律表達(dá)式 。 寫出畢奧沙伐定律表達(dá)式 。4.真空中磁場(chǎng)的兩個(gè)基本方程的積分形式為 和 。 5.分析靜電矢量場(chǎng)時(shí),對(duì)于各向同性的線性介質(zhì),兩個(gè)基本場(chǎng)變量之間的關(guān)系為 ,通常稱它為 。二.判斷題(共20分,每小題2分) 正確的在括號(hào)中打“”,錯(cuò)誤的打“×”。1.電磁場(chǎng)是具有確定物理意義的矢量場(chǎng),但這些矢量場(chǎng)在一定的區(qū)域內(nèi)并不具有一定的分布規(guī)律。( )2.矢量場(chǎng)在閉合路徑上的環(huán)流和在閉合面上的通量都
2、是標(biāo)量。( )3.按統(tǒng)一規(guī)則繪制出的力線可以確定矢量場(chǎng)中各點(diǎn)矢量的方向,還可以根據(jù)力線的疏密判別出各處矢量的大小及變化趨勢(shì)。( )4.從任意閉合面穿出的恒定電流為零。( )5.在無(wú)界真空中,如果電荷分布狀態(tài)已確定,則他們的電場(chǎng)分布就可以確定。( )6.一根微小的永久磁針周圍的磁場(chǎng)分布與微小電流環(huán)周圍的磁場(chǎng)分布是不同的。( )7.電場(chǎng)強(qiáng)度是“場(chǎng)”變量,它表示電場(chǎng)對(duì)帶電質(zhì)點(diǎn)產(chǎn)生作用的能力。( )8.導(dǎo)體或介質(zhì)所受到的靜電力可以由能量的空間變化率計(jì)算得出。( )9. 靜電場(chǎng)空間中,任意導(dǎo)體單位表面所受力等于該導(dǎo)體單位表面的電荷量與該點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的乘積。( )10.無(wú)自由電流區(qū)域的磁場(chǎng)邊值問(wèn)題和無(wú)自由
3、電荷區(qū)域的靜電場(chǎng)邊值問(wèn)題完全相似,求解方法也相同。( )三.簡(jiǎn)答題(共30分,每小題5分)1.解釋矢量的點(diǎn)積和差積。2.說(shuō)明矢量場(chǎng)的通量和環(huán)量。3.當(dāng)電流恒定時(shí),寫出電流連續(xù)性方程的積分形式和微分形式。4.寫出真空中靜電場(chǎng)的兩個(gè)基本方程的積分形式和微分形式。5.寫出靜電場(chǎng)空間中,在不同的導(dǎo)電媒質(zhì)交界面上的邊界條件。6.說(shuō)明恒定磁場(chǎng)中的標(biāo)量磁位。四.計(jì)算題(共30分,每小題10分)1已知空氣填充的平面電容器內(nèi)的電位分布為,求與其相應(yīng)得電場(chǎng)及其電荷的分布。2一半徑為a的均勻帶電圓盤,電荷面密度為,求圓盤外軸線上任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度。3自由空間中一半徑為a的無(wú)限長(zhǎng)導(dǎo)體圓柱,其中均勻流過(guò)電流I,求導(dǎo)體內(nèi)外
4、的磁感應(yīng)強(qiáng)度。電磁場(chǎng)與電磁波試題(9)參考答案一.填空題(共20分,每小題4分)1.0;0 2.;3.;4.;5.;介質(zhì)的本構(gòu)方程二.判斷題(共20分,每小題2分) ×,×,×,三.簡(jiǎn)答題(共30分,每小題5分)1.對(duì)于矢量與,其中為與向量的夾角;,為與右手法則確定。若,;(-)+(-)+(-)2.通量:矢量場(chǎng)A沿其中有向曲面S中某一側(cè)面的曲面積分,;矢量沿場(chǎng)中某一封閉的有向曲線l的曲線積分為環(huán)量,3.;4.,;,5.即;即6.在無(wú)自由電流的空間(J=0)H是無(wú)旋的,因而H可以用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的負(fù)梯度表示,令,式中稱為標(biāo)量磁位,單位為安培,其中的負(fù)號(hào)是為了與電位的定
5、義相對(duì)應(yīng)而人為附加的。四.計(jì)算題(共30分,每小題10分)1由電位分布求解電場(chǎng)強(qiáng)度和電荷分布,一般用關(guān)系式可得到2.此題不便應(yīng)用高斯定律求解。我們利用式 ,首先計(jì)算軸線上任一點(diǎn)的電位,然后經(jīng)過(guò)求梯度運(yùn)算得出電場(chǎng)。以無(wú)窮遠(yuǎn)點(diǎn)為零電位參考點(diǎn),場(chǎng)點(diǎn)(0,0,z)的電位為式中電荷分布區(qū)域用帶撇的坐標(biāo)表示,所求場(chǎng)點(diǎn)區(qū)域用不帶撇的坐標(biāo)(r,z)表示,積分是在電荷分布的有源區(qū)域進(jìn)行的。 于是 由圓盤上電荷分布的對(duì)稱性也可以判斷出,在Z 軸上電場(chǎng)強(qiáng)度的方向應(yīng)僅有分量。3.由于電流均勻分布,所以導(dǎo)體中的電流密度 導(dǎo)體內(nèi)外的磁感應(yīng)強(qiáng)度關(guān)于圓柱軸對(duì)稱,因此利用安培環(huán)路定律求解最為方便。應(yīng)用安培環(huán)路定律:在r<a處: &
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