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文檔簡介
1、感應電流EIT中激勵線圈的設計 【關鍵詞】 電阻抗 關鍵詞: 感應電流;電阻抗;體層攝影術;激勵線圈 摘 要:目的 研究在感應電流電阻抗斷層成像(induced current electrical impedance tomography,ICEIT)中,線圈的形狀、規(guī)格和位置對整體性能的影響. 方法
2、0; 研究了用于I-CEIT系統(tǒng)的兩種線圈.以敏感矩陣的條件數(shù)為原則,對圓形線圈的配置進行了研究.計算了另一種有軸線圈內(nèi)感應電流分布及邊界電壓,探討了限制分辨能力的因素.結(jié)果 找到了選用圓形線圈時對線圈大小和位置的要求,證實了有軸線圈能增大目標中心區(qū)域的電流. 結(jié)論 用恰當?shù)呐渲茫褂脠A形線圈可使敏感矩陣的條件數(shù)較小,而用有軸線圈可以提高中心區(qū)域的敏感度和徑向分辨能力. Design of coils in induced current electrical impedance tomography
3、; XIANG Hai-Yan,DONG Xiu-Zhen,QIN Ming-Xin,YOU Fu-Sheng,SHI Xue-Tao,F(xiàn)U Feng,LIU Rui-Gang,MA Jian-Ying Department of Medical Electronic Engineering,F(xiàn)ac-ulty of Biomedical Engineering,F(xiàn)ourth Military Medical University,Xi'an,710033,China &
4、#160; Keywords:induced current;electrical impedance;tomogra-phy;exciting coil Abstract:AIM To research the effect of the shape,size and configuration of the exciting coils on the perform ance of the system in induced current electrical impedance tomography. &
5、#160; METHODS Two kinds of exciting coils were studied.Circu-lar coil's configuration was studied on the basis of the condi-tion number of the sensitive matrix.For the axis coil,the currents in the object and the potential of the boundary were calculated.Furthermore,the factor
6、s confining the distin-guishability were discussed.RESULTS The appropriate size and configuration of cirlular coils was found and axis coil was able to enhance the currents in the center of the object.CONCLUSION Circular coil of appropriate configuration is able to obtain lesser condition number and
7、 axis coil is able to en-hance the sensitivity of the center and the radius distin-guishability. 0 引言 感應電流電阻抗斷層成像(induced current elec-trical impedance tomography,ICEIT)是一種新的EIT技術,它在被測目標的外圍放置若干個激勵線圈,對其施加時變電流,在空間產(chǎn)生交變磁場,從而在被測目標內(nèi)激勵出感應電流.測量目標表面相鄰電極的電壓差,并用此
8、數(shù)據(jù)進行目標區(qū)域電導率圖像重建1-5 .與傳統(tǒng)的注入式EIT(applied current elec-trical impedance tomography,ACEIT)相比,ICEIT具有以下優(yōu)勢1,3,5 :成像目標內(nèi)的電流不受電極處的電流密度的限制,因而有可能使用更大的電流密度以提高信噪比;由于周圍電極僅測量輸出電壓,不用于電流驅(qū)動,所以可以優(yōu)化電極設計;通過改變線圈的形狀和位置,使空間磁場發(fā)生改變,從而改變目標內(nèi)的電流分布,提取某一部分的細節(jié);當成像目標外有屏蔽層時,選擇適當頻率的驅(qū)動電流,就可使屏蔽層對感應電流密度分布影響不大,從而可能得到比較理想的成像結(jié)果.因此,ICEIT具有一
9、系列注入式EIT所不具有的優(yōu)點,具有良好的應用前景.激勵磁場分布由線圈配置決定,它對電導率變化的敏感度和圖像重建中的病態(tài)問題都有重要的影響2,3,6 .本文中,我們首先討論了圓形線圈的大小和位置對敏感矩陣條件數(shù)的影響,接著計算了使用有軸線圈驅(qū)動時電導率擾動區(qū)域為同心圓時的邊界電壓和電流分布,并對線圈的分辨能力進行了探討. 1 兩種可用于ICEIT的線圈 1.1 圓形線圈 圓形線圈是ICEIT中最早也是最常用的線圈,如Fig1.3個半徑相等的線圈等角度放置,線圈的中心位于和目標同中心的半徑
10、為RS 的圓周上,線圈與線圈之間的夾角為120°.目標表面聯(lián)接E個電極,對每一種激勵磁場,有(E-1)個獨立測量數(shù)據(jù).若線圈數(shù)為P,那么就有P種磁場分布,所以總的獨立測量數(shù)就為(E-1)3 .圓形線圈的大小和位置對敏感矩陣的條件數(shù)有很大的影響6 .使用3個半徑均為0.36cm(RC =0.36cm)的線圈,對半徑為0.12cm的目標進行仿真實驗.所用剖分模型為541節(jié)點,1016單元.測量電極數(shù)為16,則獨立測量數(shù)為45.當RS 取不同的值時,計算敏感矩陣,并且對敏感矩陣進行奇異值分解(SVD).當RS =0時,因為3個線圈重合,所以只得到15個非零奇異值.當RS 逐漸增加到0.04
11、,0.08,0.12,0.16和0.20cm時,它們對應的條件數(shù)迅速減少到4483,1845,899,438和252. 當線圈和目標的最小距離(穿過線圈圓心和目標圓心的直線被截在線圈和目標外緣之間的部分)固定時,考察線圈半徑變化時條件數(shù)的變化.固定線圈和目標間的最小距離為0.01cm.當RC 分別取0.15,0.18,0.26,0.32和0.36cm時,條件數(shù)分別為308,218,192,187和185.因為大線圈的遠端對目標內(nèi)的感應電流的影響越來越弱,所以當RC 增大到一定程度(此處為0.36cm),使用更大的線圈并不能明顯改善奇異值變化曲線.于是,可以得
12、到以下結(jié)論,如果使用等角度放置的圓形線圈,應該使線圈半徑盡量大,并且使目標和線圈間的距離盡可能小,這樣才能使敏感矩陣的條件數(shù)盡可能小. 1.2 有軸的圓形線圈6 用圓形線圈進行激勵時,邊緣處的電流密度較大,而中央?yún)^(qū)域相對較弱,如Fig3.為了增強中心區(qū)域電流,可以采用如Fig2所示的線圈,我們稱為有軸線圈.在線圈軸附近,磁場的方向相反,所以感應電流的方向也相反.中心的磁場變化率加大,相應就增強了中央?yún)^(qū)域的感應電流.而且,在線圈軸附近,感應電流的徑向分量得到了明顯增強.通過旋轉(zhuǎn)線圈,或者在目標周圍不同角度放置相類似的線圈,就
13、可得到目標內(nèi)不同的感應電流分布,從而從目標表面采集到不同的數(shù)據(jù)用于成像. 2 對有軸線圈的進一步分析 2.1 計算邊界電壓 同心圓電導率擾動問題的解在 兩個假設前提下可由解析方法得到.這兩個假設,一是假設總磁場主要由線圈電流產(chǎn)生,感應電流對總磁場的貢獻可以忽略;第二,在EIT的驅(qū)動頻率范圍內(nèi),位移電流就可以忽略2,3,7,8 在擾動區(qū)域為同心圓時,可以用傅立葉展開法(series expansion method,SEM)來求目標內(nèi)的標量電位V.標量
14、電位V在兩個區(qū)域可分別表示為:V=V1 0r R1 和V=V2 R1 r R2 兩個區(qū)域的解可各自獨立表述為2,7 :V1 (r)=m=1 rm em cos(m)+fm sin(m)V2 (r,)=m=1 (rm am +r-m bm )cos(m)+(rm cm +r-m dm )sin(m)目標邊界條件和介質(zhì)分界面處的條件為:V2 r n (R2 )(2 V2 r-V1 r) r=R 1 -(2 - 1 )An (R1 )V1 (R1 )=V1 (R1 )系數(shù)am ,b m ,cm ,dm ,em ,fm 與R1 ,R2 ,R3 ,1 ,2 ,和I都有
15、關,可通過計算得到2,7 .當m取到5時,也就是對傅立葉序列的前五項求和,就能夠達到優(yōu)于99%的精度7 . 2.2 計算目標內(nèi)的電流分布 因為E=- V-JA,所以計算出 V和A,就得到了電場的分布.而V=Vx Vy ,其中:Vx =V x=V r?r x+V?x Vy =V y=V r?r y+V?y矢量磁位A=0I4 21 dl R,它的兩個分量可按下式計算2 :Ax = 0 4N n=1 -sin(n2N)R R3 2N A y =0 4N n=1 cos(n2N)R R3 2N最后由J =E,得到電流密度的分布. &
16、#160; Fig3為偏心放置的圓形線圈在均勻目標內(nèi)的感應電流分布,F(xiàn)ig4為有軸線圈在均勻目標內(nèi)的感應電流分布.由Fig3可見,目標中心的電流較弱,而邊緣處的電流較大,且電流沿圓周切向方向的分量較大.從Fig4可以看到在線圈軸附近,電流密度較大,中心區(qū)域的電流得到了增強,且電流的徑向分量得到增強. 圖1 圖4 略2.3 有軸線圈的分辨能力 設背景電導率2 =S?m-1 ,目標半徑R2 =1m.當1 =2 時,也就是均勻背景時,目標外圍R2 =1m處的電位記為V1 .當擾動區(qū)域電導率1 =102 ,
17、半徑為R1 時,測得R2 處電位為V2 .Isaacson定義分辨能力為V1 和V2 的差Ud 的范數(shù)Ud 9 .當電壓差Ud 大于測量精度時,不均勻區(qū)域就可以分辨出來.反之,信號將被噪聲淹沒,這就決定了在一定的測量精度條件下能檢測出的最小目標的大小. 圖5 圖8 略 Fig5顯示的是擾動半徑R1 從0.05m到1m之間變化時Ud 的取值.Fig6顯示的是擾動區(qū)域電導率不變而擾動區(qū)
18、域半徑變化時Ud 的變化.從圖中可以看出,感應電流EIT具有注入EIT所不具有的一個特性.當電導率擾動區(qū)域半徑增大時,注入EIT能夠容易的檢測出來.但是,在感應電流EIT中,最大分辨能力并不出現(xiàn)在R1 =1m處,而是出現(xiàn)在R1 =0.6m和R1 =0.7m之間,當R1 =1m時減小到零. 2.4 線圈半徑對邊界電壓和電場的影響 設R1 =0.6m,R2 =1m,1 =10S?m-1 ,2 =1S?m-1 .當R3 取1.1,1.2,1.3,1.4,1.5,1.6,1.7,1.8,1.9,2.0,2.2,2.4,2.6,2.8,3.0,
19、3.5和4.0m時,求Ud 和 Ud / V . Fig7表明當線圈半徑增大時,Ud 的值逐漸變小.Fig8顯示的是在不同的線圈半徑下 Ud / V 的變化.當半徑在1.12.0之間變化時, Ud / V 集中在1%4%之間變化. 3 討論 我們探討了在感應電流EIT中兩種不同的線圈配置.使用圓形線圈時,3個等半徑的圓形線圈等角度放置.為了得到較小的條件數(shù),線圈要盡量靠近成像目標,線圈半徑要足夠大.但是,當半徑超過一定值時(視目
20、標大小而定),條件性能的改變就不明顯了.采用有軸線圈可以給中央?yún)^(qū)域引入較大的電流,從而提高測量對中心區(qū)域擾動的敏感性.在線圈軸附近的大的徑向電流,也可以提高徑向分辨率. 更進一步的,我們可以采用多個弧形線圈來驅(qū)動,每個線圈內(nèi)的電流可以各不相同.這樣,就可以像注入式EIT一樣來優(yōu)化驅(qū)動模式.未來的工作應致力于研究最優(yōu)的線圈數(shù)目和最優(yōu)的驅(qū)動電流模式. 參考文獻: 1Purvis WR,Tozer RC,Anderson DK,F(xiàn)reeston IL,Induced current impedance i
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