人工晶體學(xué)報模版

1、人工晶體學(xué)報寫作及排版規(guī)范人工晶體學(xué)報雜志社1，編輯部2 (1.中材人工晶體研究院，北京 100018;2.山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室，濟(jì)南 250100摘 要: 此為模版文件，請將相應(yīng)內(nèi)容直接灌入，不要試圖改動版式及字號。介紹了本刊的寫作規(guī)范（特別是參考文獻(xiàn)）及排版格式。同時，指定了排版軟件：文章正文為Word、表和公式為Word自帶公式編輯器或Equation、曲線及照片為Origin、Photoshop。投稿時，應(yīng)以本規(guī)范作樣本，從書眉、標(biāo)題、大小寫到格式與樣本一致。參考文獻(xiàn)應(yīng)規(guī)范齊全，注意英文字母大小寫、正斜體及中英文對照內(nèi)容，要有可追溯性，最好保留鏈接，以便核實。 關(guān)鍵詞: 寫作

2、規(guī)范；排版格式；排版軟件中圖法分類號：TG? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識碼： A 文章編號：1002-185X(201503-0?-0?Mode Mode Mode Mode Mode Mode Mode Mode Mode ModeMode Mode 1,2，Editor Mode 1 （1.Research Institute of Synthetic Crystals, Beijing 100018, China;2.State Key Laboratory of Crystal Materials, Jinan 250100, ChinaAbstract: An experimental set

3、-up was designed for measuring the self-field losses of Bi2223/Ag HTS tapes using a transport current method. Key words: AC loss; Bi2223/Ag; transport current method1 引 言人工晶體學(xué)報1972年創(chuàng)刊。由中國建筑材料聯(lián)合會主管，中材人工晶體研究院主辦，是國內(nèi)唯一一本專門刊登人工晶體這一高新材料研究成果的學(xué)術(shù)類科技期刊。以論文和簡報的形式報道我國在晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、納米材料、薄膜材料、新能源材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷

4、等方面的科研成果。人工晶體學(xué)報始終堅持“讓中國晶體走向世界，讓世界關(guān)注中國晶體”為己任，堅持學(xué)術(shù)立刊、品牌強(qiáng)刊的發(fā)展方針，積極參與國內(nèi)外學(xué)術(shù)交流，為展示人工晶體及相關(guān)研究領(lǐng)域的最新科研成果，培養(yǎng)和發(fā)現(xiàn)人才，推動我國人工晶體材料的發(fā)展起到了積極推動作用。2 實 驗（計算）請作者通過我刊網(wǎng)站投稿。文章一般不超過5000字。用Microsoft Word系統(tǒng)，按照本模版排版。2.1題 目：論文題目（不超過20字）；（2號黑體）2.2摘 要（小5號黑體）：概括文章的主要內(nèi)容(150200字，應(yīng)含目的、方法、結(jié)果、結(jié)論；中英文摘要相對應(yīng)，中文摘要內(nèi)容用小5號宋體，英文摘要內(nèi)容采用5號Times New

5、Roman字體。2.3關(guān)鍵詞（小5號黑體）：35個；中文關(guān)鍵詞用小5號宋體，英文關(guān)鍵詞采用5號Times New Roman字體。2.4基金項目（小5號黑體）：請注明基金名稱及批準(zhǔn)號；2.5正文：一般包括引言、實驗、結(jié)果與討論、結(jié)論。每部分可加分標(biāo)題，一級標(biāo)題用1, 2，排序（4號仿宋）；二級標(biāo)題用2.1, 2.2,排序（5號黑體）；三級標(biāo)題類推（5號宋體，文中請盡量少用三級標(biāo)題）。 2.6計量單位：一律采用法定計量單位。部分常見寫作格式舉例：10 80 nm；3.2%3.2%；3 mm×3 mm×3 mm；6501100 。2.7插圖：一般畫布高度畫布寬度：8.5cm（半

6、欄）(圖1。如果圖片很寬，那么可以將畫布寬設(shè)為17cm（通欄）（圖2）。2.8參考文獻(xiàn)：擇已公開發(fā)表的文獻(xiàn)。采用順序編碼制。書寫格式如下（范例見文末）： 著作 1 作者.書名M.出版地:出版者,出版年:起頁碼.期刊 2 作者.刊名J.年,卷(期:起止頁碼.2排版規(guī)范2.1 公式為方便排版，請盡量直接輸入的方式輸入公式，如實在不便表示，可用Word自帶公式編輯器排版。凡變量均用斜體，物理量簡稱均用正體（不論上下角）。如： (12.2 表文章中表格要采用三線表，表由中、英文表題、全英文表文組成（首字母大寫）。如表1所示。表1 Ni-Fe-P/SiC的組成Table 1 Composition of

7、 the Ni-Fe-P/SiCComponentStrength/MPa Content/wt%C K0.206733.86O K0.46618.55Al K1.03109.00Si K0.930142.58Fe K0.82454.632.3 曲線圖建議用Origin、Photoshop制圖。圖內(nèi)縱、橫坐標(biāo)由物理量名稱(或符號（斜體）、單位（均用英文標(biāo)注）3部分組成。圖題中、英文對照。如有多幅圖，用a, b,排序。如圖1。圖1 反應(yīng)時間對C.S和S.D的影響Fig.1 Effect of reaction time on C.S and S.D2.4照片圖請將照片按300線及以上精度掃描植入

8、Word文件中。圖題中、英文對照，如有多幅，用a, b,排序。如圖2。圖1 不同氧分壓下的沉積速率Fig.1 Deposition rate as function of oxygen partial pressure圖2.不同碳化硅/炭黑比例的35vol%料漿冷凍后坯體表面形貌Fig.2 Morphology of green bodies formed by freeze-casting of 35vol% solid loading with different SiC/C ratio. a. SiC:CB=90:10, b. SiC:CB=85:15, c. SiC:CB=70:30.

9、3 投稿及寄版面費(fèi)地址3.1投稿及對稿件處理 投稿網(wǎng)址，請勿一稿兩投，稿件投出20天后未見答復(fù)，請發(fā)電子郵件到詢問。本刊概不退還原稿，請自留底稿。須附論文投稿報審表。若來稿不符本刊規(guī)范，將先行退改。論文發(fā)表后贈送1冊樣刊。 凡向本刊投稿即將版權(quán)轉(zhuǎn)讓本刊，且本刊對來稿有修改、編輯權(quán)及專有使用權(quán)。3.2聯(lián)系地址北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號人工晶體學(xué)報編輯部，郵編 100018， E-mail: 。電話：3.3訂閱及財務(wù)信息年 價：1000元/冊·年開戶行：工商銀行管莊支行戶 名：北京中材人工晶體研究院有限公司賬 號：0200006809006830924參考文獻(xiàn) References 1

10、徐家躍,展宗貴,張道標(biāo),等.殼熔法生長技術(shù)及其應(yīng)用J.人工晶體學(xué)報,2009,38(1:101-106.Xu J Y, Zhan Z G, Zhang D B, et al. Skull Melting Process and Its ApplicationsJ.Journal of Synthetic Crystals,2009, 38(1:101-106(in Chinese.2 蔣民華.晶體物理M.濟(jì)南：山東科學(xué)技術(shù)出版社，1980:253-256.3 王旭平. KTN系列晶體的生長及其性能研究D.濟(jì)南：山東大學(xué)博士學(xué)位論文，2008.4 申 慧，徐家躍，武安華，等. 光學(xué)浮區(qū)法生長YFeO3晶體A. 第14屆全國晶體生長與材料學(xué)術(shù)會議論文集C2006:410-416.5 GB/T 16159-1996，漢語拼音正詞法基本規(guī)則S.6吳以成,張國春,傅佩珍,等. 化合物Na3La9B8O27非線性光學(xué)晶體及其制法和用途P. 中國專利:CN1415789, 2003