尹其暢三極管第16~21講正式內(nèi)容2

1、長(zhǎng)安大學(xué)考研813電子技術(shù)基礎(chǔ)命題規(guī)分析及復(fù)習(xí)要點(diǎn)精講主講：尹其暢老師要點(diǎn)精講和復(fù)習(xí)思路第六章 半導(dǎo)體二極管，半導(dǎo)體三極管，基本放大電路,1、本章考情分析本章主要介紹了二極管和三極管的基本特性，以及三極管的基本放大電路。每年都要出一至二道小題（填空，選擇，問答）和一道大題，但是小題考的知識(shí)點(diǎn)很簡(jiǎn)單，主要是二極管和三極管的基本概念題；大題方面是三級(jí)管的基本放大電路或者是多級(jí)放大電路，題型簡(jiǎn)單，但是計(jì)算不容易，因此考生要注意計(jì)算能力培養(yǎng)；本章是模電的四個(gè)重點(diǎn)之一，因此掌握本章內(nèi)容顯得尤為重要。2、本章框架結(jié)構(gòu)本章首先介紹了半導(dǎo)體的基本知識(shí)，然后PN結(jié)的形成和特性，半導(dǎo)體三極管的基本結(jié)構(gòu)；最后介紹基

2、本放大電路。3、本章考點(diǎn)預(yù)測(cè)小題是寫出二極管的特性，和三極管三個(gè)極的概念和電流的關(guān)系。大題是基本放大電路或者是多級(jí)放大電路，差分放大電路在歷年考研中并未出現(xiàn)，但是還是要注意一下。4、本章要點(diǎn)精講要點(diǎn)一：電子技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用概況第一代電子器件是電子管；第二代電子器件是晶體管；第三代電子器件是集成電路；第四代電子器件是大規(guī)模集成電路；第五代電子器件是超大規(guī)模集成電路。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，新的電子器件也在不斷地出現(xiàn)。課程的研究對(duì)象 電子技術(shù)就是應(yīng)用電子元器件來達(dá)到某種特定目的或完成某項(xiàng)特定任務(wù)的技術(shù)。電子技術(shù)研究的對(duì)象是電子元器件和由電子元器件構(gòu)成的各種基本功能電路，以及由某些基本功能電路所組成的有

3、各種用途的裝置或系統(tǒng)。電子技術(shù)按照其處理信號(hào)的不同分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩部分。要點(diǎn)二：半導(dǎo)體的特性1. 導(dǎo)體：電阻率 r < 10-4W· cm 的物質(zhì)。如銅、銀、鋁等金屬材料。2. 絕緣體：電阻率 r > 109 W·cm 物質(zhì)。如橡膠、塑料等。3. 半導(dǎo)體：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物質(zhì)。大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅(Si)和鍺(Ge)。硅原子結(jié)構(gòu)最外層電子稱價(jià)電子，最外層只有四個(gè)電子，不穩(wěn)定。鍺原子也是4價(jià)元素4 價(jià)元素的原子常常用+ 4 電荷的正離子和周圍 4個(gè)價(jià)電子表示。要點(diǎn)三：本征半導(dǎo)體 概念：完全純凈的、不含其他雜質(zhì)且具有晶體結(jié)

4、構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。將硅或鍺材料提純便形成單晶體，它的原子結(jié)構(gòu)為共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。當(dāng)溫度 T = 0K 時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電，如同絕緣體若 T­，將有少數(shù)價(jià)電子克服共價(jià)鍵的束縛成為自由電子，在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位空穴。自由電子和空穴使本征半導(dǎo)體具有導(dǎo)電能力，但很微弱?？昭煽闯蓭д姷妮d流子。1. 半導(dǎo)體中兩種載流子 帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴2. 本征半導(dǎo)體中，自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，稱為 電子 - 空穴對(duì)。3. 本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的濃度用 ni和 pi表示，顯然 ni= pi。4. 由于物質(zhì)的運(yùn)動(dòng)，自由電子和空穴不斷的產(chǎn)生又不斷的復(fù)合。在一定的溫度下，產(chǎn)生與復(fù)合

5、運(yùn)動(dòng)會(huì)達(dá)到平衡，載流子的濃度就一定了。5. 載流子的濃度與溫度密切相關(guān)，它隨著溫度的升高，基本按指數(shù)規(guī)律增加。要點(diǎn)四：雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體有兩種 N 型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體一、 N 型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價(jià)雜質(zhì)元素，如磷、銻、砷等，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體(或稱電子型半導(dǎo)體)。常用的 5 價(jià)雜質(zhì)元素有磷、銻、砷等。本征半導(dǎo)體摻入 5 價(jià)元素后，原來晶體中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子代替。雜質(zhì)原子最外層有 5 個(gè)價(jià)電子，其中 4 個(gè)與硅構(gòu)成共價(jià)鍵，多余一個(gè)電子只受自身原子核吸引，在室溫下即可成為自由電子。自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度，即 n >> p 。電子稱為多數(shù)載流子(

6、簡(jiǎn)稱多子)，空穴稱為少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱少子)。二、 P 型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價(jià)雜質(zhì)元素，如硼、鎵、銦等，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體。3 價(jià)雜質(zhì)原子稱為受主原子。空穴濃度多于電子濃度，即 p >> n?？昭槎鄶?shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。說明：1. 摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度；溫度決定少數(shù)載流子的濃度。2. 雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的數(shù)目要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于本征半導(dǎo)體，因而其導(dǎo)電能力大大改善。3. 雜質(zhì)半導(dǎo)體總體上保持電中性。要點(diǎn)五：半導(dǎo)體二極管一PN 結(jié)及其單向?qū)щ娦栽谝粔K半導(dǎo)體單晶上一側(cè)摻雜成為 P 型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成為 N 型半導(dǎo)體，兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，

7、稱為 PN 結(jié)。 PN 結(jié)的形成二、 PN 結(jié)中載流子的運(yùn)動(dòng)1. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)電子和空穴濃度差形成多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。2. 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成空間電荷區(qū) PN 結(jié)，耗盡層。3. 空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)空間電荷區(qū)正負(fù)離子之間電位差 UD 電位壁壘； 內(nèi)電場(chǎng)；內(nèi)電場(chǎng)阻止多子的擴(kuò)散 阻擋層。4. 漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)有利于少子運(yùn)動(dòng)漂移。5. 擴(kuò)散與漂移的動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)增大，擴(kuò)散電流逐漸減小；隨著內(nèi)電場(chǎng)的增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增加；當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，PN 結(jié)總的電流等于零，空間電荷區(qū)的寬度達(dá)到穩(wěn)定。即擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡?？臻g電荷區(qū)的寬度約為幾微米 幾十微米；電壓壁壘 UD，硅材料約為(

8、0.6 0.8) V, 鍺材料約為(0.2 0.3) V。三PN 結(jié)的單向?qū)щ娦杂址Q正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏1. PN 結(jié)外加正向電壓(正偏)空間電荷區(qū)變窄，有利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，電路中有較大的正向電流。在 PN 結(jié)加上一個(gè)很小的正向電壓，即可得到較大的正向電流，為防止電流過大，可接入電阻 R。2. PN 結(jié)外加反向電壓(反偏)反向接法時(shí)，外電場(chǎng)與內(nèi)電場(chǎng)的方向一致，增強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)的作用；外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬；不利于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，有利于漂移運(yùn)動(dòng)，漂移電流大于擴(kuò)散電流，電路中產(chǎn)生反向電流 I；由于少數(shù)載流子濃度很低，反向電流數(shù)值非常小。綜上所述：當(dāng) PN 結(jié)正向偏置時(shí)，回路中將產(chǎn)生一個(gè)較大的正向電流， PN 結(jié)處

9、于 導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng) PN 結(jié)反向偏置時(shí)，回路中反向電流非常小，幾乎等于零， PN 結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)?？梢?， PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦浴Ｋ陌雽?dǎo)體二極管的類型按半導(dǎo)體材料分：有硅二極管、鍺二極管等。按 PN 結(jié)結(jié)構(gòu)分：有點(diǎn)接觸型和面接觸型二極管。點(diǎn)接觸型管子中不允許通過較大的電流，因結(jié)電容小，可在高頻下工作。面接觸型二極管 PN 結(jié)的面積大，允許流過的電流大，但只能在較低頻率下工作。按用途劃分：有整流二極管、檢波二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、發(fā)光二極管、變?nèi)荻O管等。五二極管的伏安特性在二極管的兩端加上電壓，測(cè)量流過管子的電流，I = f(U)之間的關(guān)系曲線。1. 正向特性當(dāng)正向電壓比較小時(shí)，正向電流

10、很小，幾乎為零。相應(yīng)的電壓叫死區(qū)電壓。范圍稱死區(qū)。死區(qū)電壓與材料和溫度有關(guān)，硅管約 0.5 V 左右，鍺管約0.1 V 左右。當(dāng)正向電壓超過死區(qū)電壓后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。2. 反向特性二極管加反向電壓，反向電流很?。划?dāng)電壓超過零點(diǎn)幾伏后，反向電流不隨電壓增加而增大，即飽和；如果反向電壓繼續(xù)升高，大到一定數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大；這種現(xiàn)象稱擊穿，對(duì)應(yīng)電壓叫反向擊穿電壓擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。3. 伏安特性表達(dá)式(二極管方程)IS ：反向飽和電流UT ：溫度的電壓當(dāng)量在常溫(300 K)下，UT» 26 mV結(jié)論：二極管具有單向?qū)?/p>

11、電性。加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，呈現(xiàn)很小的正向電阻，如同開關(guān)閉合；加反向電壓時(shí)截止，呈現(xiàn)很大的反向電阻，如同開關(guān)斷開。從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管的電壓與電流變化不呈線性關(guān)系，其內(nèi)阻不是常數(shù)，所以二極管屬于非線性器件。六，二極管的主要參數(shù)1最大整流電流IF是指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。使用時(shí)正向平均電流不能超過此值，否則會(huì)燒壞二極管。2最大反向工作電壓URM最大反向工作電壓URM 是指二極管正常工作時(shí)，所承受的最高反向電壓（峰值）。通常手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓是擊穿電壓的一半左右。3反向飽和電流IR反向飽和電流IR是指在規(guī)定的反向電壓和室溫下所測(cè)得的反向電流值。其值越小，

12、說明管子的單向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｆ?，二極管的電容效應(yīng)當(dāng)二極管上的電壓發(fā)生變化時(shí)，PN 結(jié)中儲(chǔ)存的電荷量將隨之發(fā)生變化，使二極管具有電容效應(yīng)。電容效應(yīng)包括兩部分勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容1. 勢(shì)壘電容是由 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)變化形成的。2. 擴(kuò)散電容 Cd是由多數(shù)載流子在擴(kuò)散過程中積累而引起的。穩(wěn)壓管一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。 要點(diǎn)六：三極管半導(dǎo)體三極管是具有電流放大功能的元件三極管的結(jié)構(gòu)如下1.三極管的結(jié)構(gòu)與電路符號(hào)三極管的構(gòu)成是在一塊半導(dǎo)體上用摻入不同雜質(zhì)的方法制成兩個(gè)緊挨著的PN結(jié)，并引出三個(gè)電極。三極管有三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)它是發(fā)射載流子的區(qū)域；基區(qū)載流子傳輸?shù)膮^(qū)域；集電

13、區(qū)收集載流子的區(qū)域。各區(qū)引出的電極依次為發(fā)射極（極）、基極（極）和集電極（極）。 為使三極管具有電流放大作用，在制造過程中必須滿足實(shí)現(xiàn)放大的內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件，即：（1）發(fā)射區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度，以便于有足夠載流子供“發(fā)射”。（2）基區(qū)很薄，摻雜濃度很低，以減少載流子在基區(qū)的復(fù)合機(jī)會(huì)，這是三極管具有放大作用的關(guān)鍵所在。（3）集電區(qū)比發(fā)射區(qū)體積大且摻雜少，以利于收集載流子。2三極管的分類 三極管的種類很多，主要有下列5種分類形式：（1）按其結(jié)構(gòu)類型分為NPN型管和PNP型管；（2）按其制作材料分為鍺管和硅管；（3）按工作頻率分為高頻管和低頻管；（4）按其工作頻率分為大功率管、中功率管和小功率

14、管；（5）按其工作狀態(tài)分為放大管和開關(guān)管。3.三極管的電流分配關(guān)系要點(diǎn)七：三極管的放大作用1具有放大作用的基本條件 三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的外部條件是：“發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏”。通常給PN結(jié)加正向電壓稱作正向偏置，簡(jiǎn)稱正偏；加反向電壓稱做反向偏置，簡(jiǎn)稱反偏。三極管放大電路不論采取哪種管型和哪種電路形式都要滿足這個(gè)基本條件。2電流放大作用及電流分配關(guān)系 三極管在一定的外界電壓條件下所具有的IC受IB控制且二者呈線性關(guān)系的特性稱為三極管的直流電流放大作用，而IC受IB控制且二者呈線性關(guān)系的特性稱為三極管的交流電流放大作用。三極管三個(gè)電流在數(shù)值上的關(guān)系稱為三極管的電流分配關(guān)系。 3三極管放大的概念和三

15、種連接方式 （a） 是共射極放大電路（b） 是共集電極放大電路（c） 是共基極放大電路4 三極管的特性曲線1輸入特性曲線當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE一定時(shí)，輸入回路中的基極電流iB與基-射電壓uBE之間的關(guān)系曲線被稱為輸入特性。用函數(shù)式可表示為：三極管的輸入特性曲線是非線性的，輸入電壓小于某一開啟值時(shí)，三極管不導(dǎo)通，基極電流為零，這個(gè)開啟電壓叫死區(qū)電壓或叫閾值電壓。對(duì)于硅管約為0.5V，對(duì)于鍺管約為0.10.2V。當(dāng)管子正常工作時(shí)，發(fā)射結(jié)壓降變化不大，對(duì)于硅管約為0.60.7V，對(duì)于鍺管約為0.20.3V。5 三極管的主要參數(shù)及溫度的影響 1主要參數(shù)三極管的參數(shù)描述了三極管的性能，是評(píng)價(jià)三

16、極管質(zhì)量以及選擇三極管的依據(jù)。常用的主要參數(shù)有：（1）電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)的大小反映了三極管放大能力的強(qiáng)弱。 （2）反向飽和電流ICBOICBO是指發(fā)射極開路時(shí)，集電極的反向飽和電流（3）穿透電流ICEOICEO是指基極開路時(shí)，流過集電極的反向電流。（4）集電極最大允許電流ICM當(dāng)集電極電流iC過大時(shí)，將明顯下降，ICM為下降到規(guī)定允許值時(shí)的集電極電流。（5）集電極最大耗散功率PCMPCM是指三極管正常工作時(shí)最大允許消耗的功率。要點(diǎn)八：基本放大電路注意的問題一放大電路遵循以下原則：（1）必須有直流電源，而且電源的設(shè)置應(yīng)使三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，以保證三極管工作在放大狀態(tài)。（

17、2）元件的安排要保證信號(hào)的傳輸，即信號(hào)能夠從放大電路的輸入端加到三極管的發(fā)射結(jié)上，經(jīng)過放大后又能從輸出端輸出。簡(jiǎn)單的說就是應(yīng)使交流信號(hào)進(jìn)得去出得來。 二放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)一、放大倍數(shù)原理電路的缺點(diǎn)：1. 雙電源供電； 2. uI、uO不共地。一、單管共射放大電路C1 、C2：為隔直電容或耦合電容； RL：為負(fù)載電阻。該電路也稱阻容耦合單管共射放大電路。要點(diǎn)九放大電路的非線性失真所謂失真，是指輸出信號(hào)的波形與輸入信號(hào)的波形不一致。這種由于三極管特性的非線性造成的失真稱為非線性失真。1.飽和失真由于三極管進(jìn)入飽和區(qū)所引起的，故稱為飽和失真。將輸入回路中的基極偏置電阻Rb增大，以降低IBQ、IC

18、Q，從而使靜態(tài)工作點(diǎn)Q下降，進(jìn)入三極管放大區(qū)的中間位置，便可解決飽和失真問題。另外，還可以通過調(diào)節(jié)Rc的大小來改善飽和失真，2. 截止失真由于三極管進(jìn)入截止區(qū)所引起的，故稱為截止失真。將輸入回路中的基極偏置電阻Rb減小，以增大IBQ、ICQ，從而使靜態(tài)工作點(diǎn)Q上移，保證在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)，三極管工作在輸入特性的線性部分，便可解決截止失真問題。要點(diǎn)十：放大電路的基本分析方法一放大電路的工作情況1靜態(tài)（ui=0）工作情況靜態(tài)分析的目的是通過直流通路分析放大電路中三極管的工作狀態(tài)。為了使放大電路能夠正常工作，三極管必須處于放大狀態(tài)。因此要求三極管各極的直流電壓、直流電流必須具有合適的靜態(tài)工作參數(shù)

19、IB、IC、UBE、UCE。 2動(dòng)態(tài)工作情況當(dāng)放大電路加入交流信號(hào)ui時(shí)，電路中各極的電壓、電流都是由直流量和交流量疊加而成的。 二基本分析方法兩種1圖解法2微變等效電路法三放大電路的兩條通路直流通路交流通路例子：圖 1圖 2圖 3四兩種偏置電路1固定偏置式電路 靜態(tài)工作點(diǎn)的近似計(jì)算IBQ=(UCC-UBEQ）/Rb硅管 UBEQ = (0.6 0.8) V鍺管UBEQ = (0.1 0.2) VICQ=bIBQUCEQ=UCC-ICQRC2分壓式偏置電路靜態(tài)工作點(diǎn)的近似計(jì)算UBQ»IEQICQ=UCEQUCC-ICQ(Rc+Re)【例如】圖示單管共射放大電路中，VCC = 12 V

20、，Rc = 3 kW，Rb = 280 kW，NPN 硅管的 b= 50，試估算靜態(tài)工作點(diǎn)。解：設(shè) UBEQ = 0.7 VICQ»bIBQ =(50´0.04)mA=2mAUCEQ=VCCICQRc=(122´3)V=6V五、圖解法的應(yīng)用(一)用圖解法分析非線性失真1. 靜態(tài)工作點(diǎn)過低，引起iB、iC、uCE 的波形失真 截止失真結(jié)論：iB 波形失真2. Q 點(diǎn)過高，引起iC、uCE的波形失真飽和失真要點(diǎn)十一.單管共射放大電路的等效電路一電路圖三極管的簡(jiǎn)化 h 參數(shù)等效電路注意：這里忽略了 uCE對(duì) iC與輸出特性的影響，在大多數(shù)情況下，簡(jiǎn)化的微變等效電路對(duì)于工

21、程計(jì)算來說誤差很小。電壓放大倍數(shù) Au；輸入電阻 Ri、輸出電阻 RO二單管共射放大電路的等效電路單管共射放大電路的等效電路Ri = rbe / Rb ，Ro = Rc三等效電路法的步驟(歸納)1. 首先利用圖解法或近似估算法確定放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn) Q。2. 求出靜態(tài)工作點(diǎn)處的微變等效電路參數(shù) b和 rbe。3. 畫出放大電路的微變等效電路?？上犬嫵鋈龢O管的等效電路，然后畫出放大電路其余部分的交流通路。4. 列出電路方程并求解。要點(diǎn)十二.微變等效電路法的應(yīng)用例：接有發(fā)射極電阻的單管放大電路，計(jì)算電壓放大倍數(shù)和輸入、輸出電阻。接有發(fā)射極電阻的放大電路根據(jù)微變等效電路列方程引入發(fā)射極電阻后，Au

22、降低了。若滿足(1 + b) Re >> rbeAu與三極管的參數(shù) b、rbe無關(guān)。2. 放大電路的輸入電阻引入 Re 后，輸入電阻增大了。3. 放大電路的輸出電阻將放大電路的輸入端短路，負(fù)載電阻 RL開路 ，忽略 c 、e 之間的內(nèi)電阻 rce。要點(diǎn)十三：放大電路性能指標(biāo)的估算放大電路的性能指標(biāo)放大電路的性能指標(biāo)是為了衡量它的性能優(yōu)劣而引入的。放大電路放大的對(duì)象是變化量，研究放大電路除了要保證放大電路具有合適的靜態(tài)工作點(diǎn)外，更重要的是還要研究其放大性能。對(duì)于放大電路放大性能有以下幾個(gè)方面的要求：(1)應(yīng)有較強(qiáng)的放大能力，即放大倍數(shù)要高。(2)輸出信號(hào)與輸入信號(hào)變化規(guī)律應(yīng)一致，即失

23、真要小。(3)在一定的頻率范圍內(nèi)要有盡可能相同的放大能力，即有一定的頻帶寬度。(4)工作穩(wěn)定可靠，噪聲小。1放大倍數(shù)是指輸出信號(hào)與相應(yīng)的輸入信號(hào)之比，有時(shí)也稱為增益。常用的有電壓放大倍數(shù)和電流放大倍數(shù)。 Au=uo / uiAi=io/ ii2輸入電阻riri=ui / iiri是衡量放大電路對(duì)信號(hào)源影響程度的重要參數(shù)。其值越大，放大電路從信號(hào)源索取的電流越少，信號(hào)源對(duì)放大電路的影響越小。 3輸出電阻roro=可以看出，輸出電阻越大，表明接入負(fù)載后輸出電壓的幅值下降越多，因此希望ro小一些。ro的大小反映了放大器帶負(fù)載能力的強(qiáng)弱。2 放大電路的交流通路及微變等效電路1放大電路的交流通路有輸入信

24、號(hào)作用時(shí)，放大電路中的電流、電壓的大小隨輸入信號(hào)發(fā)生相應(yīng)變化，稱放大器處于交流工作狀態(tài)或動(dòng)態(tài)。放大器交流信號(hào)的流經(jīng)途徑叫放大器的交流通路，它的畫法是將容量較大的電容視為短路，將直流電源（內(nèi)阻較小可忽略不計(jì)）視作短路，其余元件按原連接關(guān)系畫出。 2放大電路的微變等效電路三極管的輸入回路可用一個(gè)等效電阻rbe來等效，rbe稱做三極管的等效輸入電阻，三極管的輸出回路可用一個(gè)大小為ib的理想受控的電流源來等效。1. 當(dāng) IEQ一定時(shí)， b愈大則 rbe也愈大，選用 b值較大的三極管其 Au并不能按比例地提高；2. 當(dāng) b值一定時(shí)，IEQ 愈大則 rbe愈小，可以得到較大的 Au ，這種方法比較有效。

25、要點(diǎn)十四.放大電路性能指標(biāo)的估算(再次講解)1共發(fā)射極放大電路性能指標(biāo)的估算 （1）電壓放大倍數(shù)（不考慮信號(hào)源內(nèi)阻）（a）有載電壓放大倍數(shù)AuAu=uo /ui=ibRL'/ibrbe=RL'/rbe（b）空載電壓放大倍數(shù)Au'（即RL） RL'=RC /RL=RCAu'=RC/rbe（2）輸入電阻riri=ui/ii=Rb /rbe（Rb = Rb1 / Rb2） 當(dāng)Rb rbe時(shí)， ri= Rb / rberbe（3）輸出電阻roro= Rc2共集電極放大電路性能指標(biāo)的估算 一靜態(tài)分析則二動(dòng)態(tài)分析1.電壓放大倍數(shù)結(jié)論：電壓放大倍數(shù)恒小于 1，而接近

26、1，且輸出電壓與輸入電壓同相，又稱射極跟隨器。2.輸入電阻輸入電阻較大。3.輸出電阻求射極輸出器 Ro的等效電路輸出電阻低，故帶載能力比較強(qiáng)。具體公式（1）電壓放大倍數(shù)Au2）輸入電阻riri= Rb / ri'則 ri= Rb / rbe+（1+）RL' （3）輸出電阻ro3共基極放大電路的動(dòng)態(tài)性能根據(jù)微變等效電路，可分析的共基極放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)：Au=uo / ui= = RL' / rbero Rc要點(diǎn)十五.三種基本組態(tài)的比較要點(diǎn)十六.多級(jí)放大電路(點(diǎn)擊)1阻容耦合級(jí)與級(jí)之間通過電容連接的方式稱為阻容耦合方式。（1）優(yōu)點(diǎn)：因電容具有“隔直”的作用，所以各級(jí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)互相獨(dú)立，互不影響。這給放大電路的分析、設(shè)計(jì)和調(diào)試帶來很大的方便。而且只要電容選得足夠大，就可使得前級(jí)輸出信號(hào)在一定頻率范圍內(nèi)，幾乎不衰減地