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1、123hE 456789gEhcgEchgEh101112131415161718192021222324252602021Amh2728 293031光電管和光電倍增管光電管和光電倍增管3233343536 型型號號 光光譜譜響響應(yīng)應(yīng)范范圍圍(A。) 最最佳佳靈靈敏敏度度波波長長(A。) 最最小小陰陰極極靈靈敏敏度度(uA/lm) 陽陽極極工工作作電電壓壓(V) 暗暗電電流流(A) 環(huán)環(huán)境境溫溫度度() GD-5 2000 6000 3800 4200 30 3 30 0 3 31 10 0- -1 11 1 5 - 35 GD-6 6000 11000 7000 9000 10 3 30
2、0 8 81 10 0- -1 11 1 5 - 35 GD-7 3000 8500 4500 45 1 10 00 0 8 81 10 0- -1 11 1 40 3738394041)48( i /Ini42434445梳狀電極光電導(dǎo)透光窗口外殼絕緣基體玻璃支柱引腳AA46474849505152535455565758596061626364656667686970NNP7172 存在一個(gè)最佳靈敏度波長存在一個(gè)最佳靈敏度波長73204060801000Lx74757677787980818283848586SiO2。87二、光固態(tài)圖象傳感器 光固態(tài)圖象傳感器由光敏元件陣列光敏元件陣列和電
3、荷轉(zhuǎn)移器件電荷轉(zhuǎn)移器件集合而成。它的核心是電荷轉(zhuǎn)移器件電荷轉(zhuǎn)移器件CTD(Charge Transfer Device),最常用的是電荷耦合器件CCD(Charge Coupled Device)。CCD自1970年問世以后,由于它的低噪聲等特點(diǎn),CCD圖象傳感器廣泛的被應(yīng)用在微光電視攝像、信息存儲(chǔ)和信息處理等方面。1 1CCDCCD的結(jié)構(gòu)和基本原理的結(jié)構(gòu)和基本原理P型Si耗盡區(qū)電荷轉(zhuǎn)移方向123輸出柵輸入柵輸入二極管輸出二極管 SiO2 CCD的MOS結(jié)構(gòu)88 CCD是由若干個(gè)電荷耦合單元組成,該單元的結(jié)構(gòu)如圖所示。CCD的最小單元是在P型(或N型)硅襯底上生長一層厚度約為120nm的SiO
4、2,再在SiO2層上依次沉積鋁電極而構(gòu)成MOS的電容式轉(zhuǎn)移器。將MOS陣列加上輸入、輸出端,便構(gòu)成了CCD。 當(dāng)向SiO2表面的電極加正偏壓時(shí),P型硅襯底中形成耗盡區(qū)(勢阱),耗盡區(qū)的深度隨正偏壓升高而加大。其中的少數(shù)載流子(電子)被吸收到最高正偏壓電極下的區(qū)域內(nèi)(如圖中1極下),形成電荷包(勢阱)。對于N型硅襯底的CCD器件,電極加正偏壓時(shí),少數(shù)載流子為空穴。89 如何實(shí)現(xiàn)電荷定向轉(zhuǎn)移呢?電荷轉(zhuǎn)移的控制方法,非常類似于步進(jìn)電極的步進(jìn)控制方式。也有二相、三相等控制方式之分。下面以三相控制方式為例說明控制電荷定向轉(zhuǎn)移的過程。見圖 P1 P1 P2 P2 P3 P3 P1 P1 P2 P2 P3
5、P3 P1 P1 P2 P2 P3 P3P1P1P2P2P3P3(a)123t0t1t2t3t(b)電荷轉(zhuǎn)移過程t=t0t=t1t=t2t=t3090 三相控制是在線陣列的每一個(gè)像素上有三個(gè)金屬電極P1,P2,P3,依次在其上施加三個(gè)相位不同的控制脈沖1,2,3,見圖(b)。CCD電荷的注入通常有光注入、電注入和熱注入等方式。圖(b)采用電注入方式。當(dāng)P1極施加高電壓時(shí),在P1下方產(chǎn)生電荷包(t=t0);當(dāng)P2極加上同樣的電壓時(shí),由于兩電勢下面勢阱間的耦合,原來在P1下的電荷將在P1、P2兩電極下分布(t=t1);當(dāng)P1回到低電位時(shí),電荷包全部流入P2下的勢阱中(t=t2)。然后,p3的電位升
6、高,P2回到低電位,電荷包從P2下轉(zhuǎn)到P3下的勢阱(t=t3),以此控制,使P1下的電荷轉(zhuǎn)移到P3下。隨著控制脈沖的分配,少數(shù)載流子便從CCD的一端轉(zhuǎn)移到最終端。終端的輸出二極管搜集了少數(shù)載流子,送入放大器處理,便實(shí)現(xiàn)電荷移動(dòng)。912 2線型線型CCDCCD圖像傳感器圖像傳感器 線型CCD圖像傳感器由一列光敏元件與一列CCD并行且對應(yīng)的構(gòu)成一個(gè)主體,在它們之間設(shè)有一個(gè)轉(zhuǎn)移控制柵,如圖4.4-4(a)所示。在每一個(gè)光敏元件上都有一個(gè)梳狀公共電極,由一個(gè)P型溝阻使其在電氣上隔開。當(dāng)入射光照射在光敏元件陣列上,梳狀電極施加高電壓時(shí),光敏元件聚集光電荷,進(jìn)行光積分,光電荷與光照強(qiáng)度和光積分時(shí)間成正比。
7、在光積分時(shí)間結(jié)束時(shí),轉(zhuǎn)移柵上的電壓提高(平時(shí)低電壓),與CCD對應(yīng)的電極也同時(shí)處于高電壓狀態(tài)。然后,降低梳狀電極電壓,各光敏元件中所積累的光電電荷并行地轉(zhuǎn)移到移位寄存器中。當(dāng)轉(zhuǎn)移完畢,轉(zhuǎn)移柵電壓降低,梳妝電極電壓回復(fù)原來的高電壓狀態(tài),準(zhǔn)備下一次光積分周期。同時(shí),在電荷耦合移位寄存器上加上時(shí)鐘脈沖,將存儲(chǔ)的電荷從CCD中轉(zhuǎn)移,由輸出端輸出。這個(gè)過程重復(fù)地進(jìn)行就得到相繼的行輸出,從而讀出電荷圖形。92 目前,實(shí)用的線型CCD圖像傳感器為雙行結(jié)構(gòu),如圖(b)所示。單、雙數(shù)光敏元件中的信號電荷分別轉(zhuǎn)移到上、下方的移位寄存器中,然后,在控制脈沖的作用下,自左向右移動(dòng),在輸出端交替合并輸出,這樣就形成了原
8、來光敏信號電荷的順序。轉(zhuǎn)移柵光積分單元不透光的電荷轉(zhuǎn)移結(jié)構(gòu)光積分區(qū)輸出轉(zhuǎn)移柵(a)(b)線型CCD圖像傳感器輸出933 3面型面型CCDCCD圖像傳感器圖像傳感器 面型CCD圖像傳感器由感光區(qū)、信號存儲(chǔ)區(qū)和輸出轉(zhuǎn)移部分組成。目前存在三種典型結(jié)構(gòu)形式,如圖所示。 圖(a)所示結(jié)構(gòu)由行掃描電路、垂直輸出寄存器、感光區(qū)和輸出二極管組成。行掃描電路將光敏元件內(nèi)的信息轉(zhuǎn)移到水平(行)方向上,由垂直方向的寄存器將信息轉(zhuǎn)移到輸出二極管,輸出信號由信號處理電路轉(zhuǎn)換為視頻圖像信號。這種結(jié)構(gòu)易于引起圖像模糊。94二相驅(qū)動(dòng)視頻輸出 行掃描發(fā)生器輸出寄存器檢波二極管二相驅(qū)動(dòng)感光區(qū)溝阻P1 P2P3P1 P2P3P1
9、P2P3 感光區(qū) 存儲(chǔ)區(qū)析像單元 視頻輸出輸出柵串行讀出面型CCD圖像傳感器結(jié)構(gòu)(a)(b)95 圖(b)所示結(jié)構(gòu)增加了具有公共水平方向電極的不透光的信息存儲(chǔ)區(qū)。在正常垂直回掃周期內(nèi),具有公共水平方向電極的感光區(qū)所積累的電荷同樣迅速下移到信息存儲(chǔ)區(qū)。在垂直回掃結(jié)束后,感光區(qū)回復(fù)到積光狀態(tài)。在水平消隱周期內(nèi),存儲(chǔ)區(qū)的整個(gè)電荷圖像向下移動(dòng),每次總是將存儲(chǔ)區(qū)最底部一行的電荷信號移到水平讀出器,該行電荷在讀出移位寄存器中向右移動(dòng)以視頻信號輸出。當(dāng)整幀視頻信號自存儲(chǔ)移出后,就開始下一幀信號的形成。該CCD結(jié)構(gòu)具有單元密度高、電極簡單等優(yōu)點(diǎn),但增加了存儲(chǔ)器。96光柵報(bào)時(shí)鐘二相驅(qū)動(dòng)輸出寄存器檢波二極管 視頻輸出垂直轉(zhuǎn)移寄存器感光區(qū)二相驅(qū)動(dòng)(c)97 圖(c)所示結(jié)構(gòu)是用得最多的一種結(jié)構(gòu)形式。它將圖(b)中感光元件與存儲(chǔ)元件相隔排列。即一列感光單元,一列不透光的存儲(chǔ)單元交替排列。在感光區(qū)光敏元件積分結(jié)束時(shí),轉(zhuǎn)移控制柵打開,電荷信號進(jìn)入存儲(chǔ)區(qū)。隨后,在每個(gè)水平回掃周期內(nèi),存儲(chǔ)區(qū)中整個(gè)電荷圖像一次一行地向上移到水平讀出移位寄存器中。接著這一行電荷信號在
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