安康功率半導體項目申請報告模板范本

1、泓域咨詢/安康功率半導體項目申請報告目錄第一章 背景、必要性分析8一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況8二、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況10三、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機遇與挑戰(zhàn)）12四、 激發(fā)市場主體活力16第二章 項目概述17一、 項目名稱及項目單位17二、 項目建設地點17三、 可行性研究范圍17四、 編制依據(jù)和技術原則18五、 建設背景、規(guī)模19六、 項目建設進度20七、 環(huán)境影響20八、 建設投資估算21九、 項目主要技術經(jīng)濟指標21主要經(jīng)濟指標一覽表21十、 主要結論及建議23第三章 行業(yè)發(fā)展分析24一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況24二、 行業(yè)基本情況25第四章 產(chǎn)品方案27一、 建設規(guī)

2、模及主要建設內(nèi)容27二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領27產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表27第五章 項目選址分析30一、 項目選址原則30二、 建設區(qū)基本情況30三、 打造三大千億級產(chǎn)業(yè)集群31四、 實施創(chuàng)新引領發(fā)展32五、 項目選址綜合評價34第六章 法人治理結構35一、 股東權利及義務35二、 董事39三、 高級管理人員45四、 監(jiān)事47第七章 發(fā)展規(guī)劃50一、 公司發(fā)展規(guī)劃50二、 保障措施51第八章 節(jié)能方案說明54一、 項目節(jié)能概述54二、 能源消費種類和數(shù)量分析55能耗分析一覽表55三、 項目節(jié)能措施56四、 節(jié)能綜合評價57第九章 進度實施計劃58一、 項目進度安排58項目實施進度計劃一覽表58二

3、、 項目實施保障措施59第十章 原材料及成品管理60一、 項目建設期原輔材料供應情況60二、 項目運營期原輔材料供應及質量管理60第十一章 勞動安全生產(chǎn)分析62一、 編制依據(jù)62二、 防范措施65三、 預期效果評價70第十二章 組織機構、人力資源分析71一、 人力資源配置71勞動定員一覽表71二、 員工技能培訓71第十三章 投資估算及資金籌措74一、 投資估算的依據(jù)和說明74二、 建設投資估算75建設投資估算表79三、 建設期利息79建設期利息估算表79固定資產(chǎn)投資估算表81四、 流動資金81流動資金估算表82五、 項目總投資83總投資及構成一覽表83六、 資金籌措與投資計劃84項目投資計劃與

4、資金籌措一覽表84第十四章 項目經(jīng)濟效益評價86一、 經(jīng)濟評價財務測算86營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表86綜合總成本費用估算表87固定資產(chǎn)折舊費估算表88無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表89利潤及利潤分配表91二、 項目盈利能力分析91項目投資現(xiàn)金流量表93三、 償債能力分析94借款還本付息計劃表95第十五章 招投標方案97一、 項目招標依據(jù)97二、 項目招標范圍97三、 招標要求98四、 招標組織方式100五、 招標信息發(fā)布102第十六章 風險評估103一、 項目風險分析103二、 項目風險對策105第十七章 項目綜合評價107第十八章 附表附錄109主要經(jīng)濟指標一覽表109建設投資估算表

5、110建設期利息估算表111固定資產(chǎn)投資估算表112流動資金估算表113總投資及構成一覽表114項目投資計劃與資金籌措一覽表115營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表116綜合總成本費用估算表116利潤及利潤分配表117項目投資現(xiàn)金流量表118借款還本付息計劃表120報告說明21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低

6、、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前TVS的技術水平和發(fā)展方向。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資8838.90萬元，其中：建設投資6833.33萬元，占項目總投資的77.31%；建設期利息158

7、.84萬元，占項目總投資的1.80%；流動資金1846.73萬元，占項目總投資的20.89%。項目正常運營每年營業(yè)收入18200.00萬元，綜合總成本費用14708.16萬元，凈利潤2550.69萬元，財務內(nèi)部收益率21.01%，財務凈現(xiàn)值2734.99萬元，全部投資回收期6.00年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。該項目的建設符合國家產(chǎn)業(yè)政策；同時項目的技術含量較高，其建設是必要的；該項目市場前景較好；該項目外部配套條件齊備，可以滿足生產(chǎn)要求；財務分析表明，該項目具有一定盈利能力。綜上，該項目建設條件具備，經(jīng)濟效益較好，其建設是可行的。本報告為模板參考范文，

8、不作為投資建議，僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術方案、風險評估等內(nèi)容基于公開信息；項目建設方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學習交流或模板參考應用。第一章 背景、必要性分析一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導電性二端器件，其產(chǎn)品結構比較簡單，一般為單個PN節(jié)結構，只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今，陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管，廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防

9、、工業(yè)等，是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件，具有放大、開關、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據(jù)結構特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結型晶體管（Bipolarjunctiontransistor,BJT，俗稱三極管）。 2、二極管、晶體管行業(yè)的市場規(guī)模及競爭格

10、局2018年全球二極管市場規(guī)模達63.93億美元，市場空間廣闊。根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒數(shù)據(jù)，中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據(jù)芯謀研究的有關數(shù)據(jù)，2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結型晶體管（三極管）、MOSFET和IGBT。根據(jù)三種晶體管的市場規(guī)模估算，2019年，晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元；2020年，晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結型晶體管存在功耗偏大等問題，隨著全球節(jié)能減排的推行，其市場規(guī)?？傮w趨于衰退，正在被MOSFET所取代；IGBT市場規(guī)模則以較高

11、速度增長。市場競爭格局方面，三極管、MOSFET和IGBT三類產(chǎn)品的市場競爭格局有所不同。其中，全球三極管市場比較分散，MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業(yè)的未來發(fā)展趨勢二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等，隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領域的中高端產(chǎn)品，對技術創(chuàng)新要求較高，會隨著應用領域的技術要求不斷提升，推動產(chǎn)品的技術升級，尤其是在消費類電子領域。晶體管中，雙極性結型晶體管（三極管）是電流型功率開關器件，價格低、功耗大，在少數(shù)價格敏感、感性負載驅動等應用中還有一定需求，但其正在被功率MOSFET替代。近二十年來，消費類電子、網(wǎng)絡通訊、工業(yè)

12、、安防等領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規(guī)模增長迅速。二、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現(xiàn)，與大多數(shù)二極管正向導通的特性不同，其基于反向擊穿特性，通過對浪涌的快速泄放，可以起到對電子產(chǎn)品的保護作用，對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節(jié)結構，主要采用臺面結構技術。21世紀初期以來，隨著半導體芯片制程的發(fā)展，集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢，線寬變窄，同時追求更高的集成度和更低的工作電壓，致使集成電路芯片變得更加敏感，極易受到靜電和浪涌沖

13、擊，造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求，于是新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD（Electro-Staticdischarge，靜電放電）保護的TVS（以下簡稱為“ESD保護器件”）在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結構形成，結構單一，工藝簡單。ESD保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，代表著當前

14、TVS的技術水平和發(fā)展方向。目前，功率半導體行業(yè)內(nèi)部分國際企業(yè)已將ESD保護器件在內(nèi)的TVS單獨分類。比如，安世半導體已將ESD保護、TVS單獨分類，將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產(chǎn)品類別共同列為主要產(chǎn)品類別；安森美將ESD保護單獨分類，與二極管、MOSFET、晶體管等產(chǎn)品類別并列為安森美的主要產(chǎn)品類別；英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021，2020年全球TVS市場規(guī)模約為16.21億美元，預計2021年全球TVS市場規(guī)

15、模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為10.55億美元，預計2023年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為13.20億美元。根據(jù)韋爾股份2019年年度報告，在TVS領域，韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩(wěn)居國內(nèi)第一，其主要競爭對手是外資器件廠家，包括英飛凌（Infineon），安森美（ONSemiconductor），恩智浦半導體（NXP），商升特半導體（Semtech）等。根據(jù)韋爾股份2020年年度報告，其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導，根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告，全球前五大廠商分別為安世半導體（Nexperia）、意法半

16、導體（STMicroelectronics）、商升特（Semtech）、安森美（ONSemiconductor）、晶焱（Amazing）。上述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元，占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護器件的未來發(fā)展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛，隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下，預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域，由于產(chǎn)品集成度高，技術要求不斷提升，產(chǎn)品更新?lián)Q代較快，相應地對ESD保護器件的技術創(chuàng)新要求也較高，未來的發(fā)展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短

17、、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優(yōu)點，可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷，順應了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要，市場前景廣闊。三、 行業(yè)發(fā)展趨勢（機遇與挑戰(zhàn)）1、全球經(jīng)濟發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場將是帶動全球半導體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關性，2010-2018年的相關系數(shù)高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分

18、別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯(lián)性。二是消費者驅動的IC市場持續(xù)轉型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此，隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子

19、系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導體行業(yè)發(fā)展，近年來出臺了多項扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，鼓勵技術進步。2014年6月，國務院發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要，以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點，提出到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%；到2030年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一梯隊，實現(xiàn)跨越發(fā)展。2014年9月24日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金一期”）正式設立；2019年10月22日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期

20、股份有限公司（簡稱“大基金二期”）注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產(chǎn)業(yè)，實施市場化運作、專業(yè)化管理，充分展現(xiàn)了國家扶持半導體行業(yè)的信心，將大力促進行業(yè)增長。功率半導體作為半導體行業(yè)的重要組成部分，將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境，為功率半導體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇，促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產(chǎn)業(yè)的轉移進程，國內(nèi)功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的產(chǎn)品需求功率器件應用領域十分廣泛，下游終端產(chǎn)品類別繁多，隨著社會發(fā)展和技術發(fā)展，下游終端產(chǎn)品對電能轉換效率

21、、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求，產(chǎn)品設計將更加復雜化，產(chǎn)品功能將更加多樣化。下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的需求，促進功率器件的技術發(fā)展，促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產(chǎn)業(yè)需求和技術創(chuàng)新將引領半導體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領域的快速發(fā)展，相關IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同時，我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術發(fā)展

22、，通過持續(xù)的技術創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級，并積極向中高端市場滲透，與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網(wǎng)絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術發(fā)展和市場增長，我國功率半導體技術水平也將不斷提升，為國內(nèi)功率半導體相關企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。5、市場空間巨大半導體產(chǎn)業(yè)是全球性產(chǎn)業(yè)，全球產(chǎn)業(yè)景氣度是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大前提，但中國半導體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)生力更值得關注。半導體行業(yè)發(fā)源于歐美，日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉移中亦建立了先進的半導體工業(yè)體系。中國半導體起步晚，但近年來，國家高度重視半導體行業(yè)的發(fā)展，不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內(nèi)的半導體行業(yè)。隨著國內(nèi)大循環(huán)、國內(nèi)國際雙循環(huán)格局發(fā)展，國內(nèi)功率半導體

23、產(chǎn)品需求繼續(xù)增加，國內(nèi)功率半導體設計企業(yè)不斷成長，未來發(fā)展空間巨大。根據(jù)顧問機構InternationalBusinessStrategies（IBS）預測，到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升，到2030年將達到39.8%。預計到2030年，69%的消費量將來自中國本土公司，需求主要來自數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車、醫(yī)療等應用領域。四、 激發(fā)市場主體活力深化國資國企改革，加快完善國有企業(yè)法人治理結構和市場化經(jīng)營機制，做優(yōu)做大做強國有資本和國有企業(yè)。深化混合所有制經(jīng)濟改革，鼓勵有條件的公共服務類和功能類國

24、有企業(yè)實施混合所有制改革。鼓勵、支持、引導非公有制經(jīng)濟發(fā)展，推動建立面向民營企業(yè)的救助補償機制，依法保護企業(yè)家合法權益，促進企業(yè)家公平競爭、誠信經(jīng)營，尊重和激勵企業(yè)家干事創(chuàng)業(yè)，激發(fā)企業(yè)家創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)活力，構建“親”“清”政商關系。積極發(fā)揮工商聯(lián)和商會的作用，培育和發(fā)展地方特色商會組織，支持組建域外安康商會。第二章 項目概述一、 項目名稱及項目單位項目名稱：安康功率半導體項目項目單位：xx（集團）有限公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xxx（待定），占地面積約21.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍

25、依據(jù)國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和有關部門的行業(yè)發(fā)展規(guī)劃以及項目承辦單位的實際情況，按照項目的建設要求，對項目的實施在技術、經(jīng)濟、社會和環(huán)境保護等領域的科學性、合理性和可行性進行研究論證。研究、分析和預測國內(nèi)外市場供需情況與建設規(guī)模，并提出主要技術經(jīng)濟指標，對項目能否實施做出一個比較科學的評價，其主要內(nèi)容包括如下幾個方面:1、確定建設條件與項目選址。2、確定企業(yè)組織機構及勞動定員。3、項目實施進度建議。4、分析技術、經(jīng)濟、投資估算和資金籌措情況。5、預測項目的經(jīng)濟效益和社會效益及國民經(jīng)濟評價。四、 編制依據(jù)和技術原則（一）編制依據(jù)1、國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年計劃綱要；2、投資項目可行性研究指南；3、

26、相關財務制度、會計制度；4、投資項目可行性研究指南；5、可行性研究開始前已經(jīng)形成的工作成果及文件；6、根據(jù)項目需要進行調查和收集的設計基礎資料；7、可行性研究與項目評價；8、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)；9、項目建設單位提供的有關本項目的各種技術資料、項目方案及基礎材料。（二）技術原則堅持以經(jīng)濟效益為中心，社會效益和不境效益為重點指導思想，以技術先進、經(jīng)濟可行為原則，立足本地、面向全國、著眼未來，實現(xiàn)企業(yè)高質量、可持續(xù)發(fā)展。1、優(yōu)化規(guī)劃方案，盡可能減少工程項目的投資額，以求得最好的經(jīng)濟效益。2、結合廠址和裝置特點，總圖布置力求做到布置緊湊，流程順暢，操作方便，盡量減少用地。3、在工藝路線及公用工

27、程的技術方案選擇上，既要考慮先進性，又要確保技術成熟可靠，做到先進、可靠、合理、經(jīng)濟。4、結合當?shù)赜欣麠l件，因地制宜，充分利用當?shù)刭Y源。5、根據(jù)市場預測和當?shù)厍闆r制定產(chǎn)品方向，做到產(chǎn)品方案合理。6、依據(jù)環(huán)保法規(guī)，做到清潔生產(chǎn)，工程建設實現(xiàn)“三同時”，將環(huán)境污染降低到最低程度。7、嚴格執(zhí)行國家和地方勞動安全、企業(yè)衛(wèi)生、消防抗震等有關法規(guī)、標準和規(guī)范。做到清潔生產(chǎn)、安全生產(chǎn)、文明生產(chǎn)。五、 建設背景、規(guī)模（一）項目背景MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。隨著技術的發(fā)展，溝槽結構MOSF

28、ET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言，MOSFET產(chǎn)品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產(chǎn)化空間巨大。（二）建設規(guī)模及產(chǎn)品方案該項目總占地面積14000.00（折合約21.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積20998.63。其中：生產(chǎn)工程14032.93，倉儲工程1964.20，行政辦公及生活服務設施2194.40，公共工程2807.10。項目建成后，形成年產(chǎn)xx件功率半導體的生產(chǎn)能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xx（集團）有限公司將項目工程的建設周期確定為24個月，其工作內(nèi)容

29、包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投產(chǎn)等。七、 環(huán)境影響本項目將嚴格按照“三同時”即三廢治理與生產(chǎn)裝置同時設計、同時施工、同時建成使用的原則，貫徹執(zhí)行國家和地方有關環(huán)境保護的法規(guī)和標準。積極采用先進而成熟的工藝設備，最大限度利用資源，盡可能將三廢消除在工藝內(nèi)部，項目單位及時對生產(chǎn)過程中的噪音、廢水、固體廢棄物等都要經(jīng)過處理，避免造成環(huán)境污染，確保該項目的建設與實施過程完全符合國家環(huán)境保護規(guī)范標準。八、 建設投資估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資8838.90萬元，其中：建設投資6

30、833.33萬元，占項目總投資的77.31%；建設期利息158.84萬元，占項目總投資的1.80%；流動資金1846.73萬元，占項目總投資的20.89%。（二）建設投資構成本期項目建設投資6833.33萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用5849.14萬元，工程建設其他費用820.78萬元，預備費163.41萬元。九、 項目主要技術經(jīng)濟指標（一）財務效益分析根據(jù)謹慎財務測算，項目達產(chǎn)后每年營業(yè)收入18200.00萬元，綜合總成本費用14708.16萬元，納稅總額1698.84萬元，凈利潤2550.69萬元，財務內(nèi)部收益率21.01%，財務凈現(xiàn)值2734.99萬元，全部

31、投資回收期6.00年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術指標表主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積14000.00約21.00畝1.1總建筑面積20998.631.2基底面積8540.001.3投資強度萬元/畝314.312總投資萬元8838.902.1建設投資萬元6833.332.1.1工程費用萬元5849.142.1.2其他費用萬元820.782.1.3預備費萬元163.412.2建設期利息萬元158.842.3流動資金萬元1846.733資金籌措萬元8838.903.1自籌資金萬元5597.163.2銀行貸款萬元3241.744營業(yè)收入萬元18200.00正常運營年份5總成本費用萬元147

32、08.16""6利潤總額萬元3400.92""7凈利潤萬元2550.69""8所得稅萬元850.23""9增值稅萬元757.69""10稅金及附加萬元90.92""11納稅總額萬元1698.84""12工業(yè)增加值萬元5715.95""13盈虧平衡點萬元7604.80產(chǎn)值14回收期年6.0015內(nèi)部收益率21.01%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元2734.99所得稅后十、 主要結論及建議經(jīng)分析，本期項目符合國家產(chǎn)業(yè)相關政策，項目建設及投產(chǎn)的各

33、項指標均表現(xiàn)較好，財務評價的各項指標均高于行業(yè)平均水平，項目的社會效益、環(huán)境效益較好，因此，項目投資建設各項評價均可行。建議項目建設過程中控制好成本，制定好項目的詳細規(guī)劃及資金使用計劃，加強項目建設期的建設管理及項目運營期的生產(chǎn)管理，特別是加強產(chǎn)品生產(chǎn)的現(xiàn)金流管理，確保企業(yè)現(xiàn)金流充足，同時保證各產(chǎn)業(yè)鏈及各工序之間的銜接，控制產(chǎn)品的次品率，贏得市場和打造企業(yè)良好發(fā)展的局面。第三章 行業(yè)發(fā)展分析一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，用于將輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化，起到開關或放大等作用。

34、隨著技術的發(fā)展，溝槽結構MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言，MOSFET產(chǎn)品由于其技術及工藝的先進性，很大程度上仍依賴進口，國產(chǎn)化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元，2016-2023年復合增速達5%；中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元，中國市場在全球占比約48%。2020年，全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元，2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下，全球MOSFET增速將以

35、較高速度增長。預計2021年至2025年，MOSFET每年的增速將不低于6.7%，預計2025年將達到118.47億美元。根據(jù)有關數(shù)據(jù)，2020年，全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主，其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先，位居全球功率MOSFET市場第一，前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%，前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發(fā)展趨勢近二十年來，各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格，MOSFET和IGBT逐漸成為主流，技術上MOSFET朝著低阻抗發(fā)展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速，據(jù)統(tǒng)計，2016年-2019年MOSF

36、ET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近，占據(jù)功率器件22%的市場份額，長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長，MOSFET需求長期穩(wěn)定。二、 行業(yè)基本情況半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石，是電子產(chǎn)品的核心組成部分。從應用領域看，半導體產(chǎn)品主要應用領域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領域。此外，隨著電子產(chǎn)品的升級，半導體在電子產(chǎn)品的含量將逐步提高，未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下，半導體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。功率半導體

37、是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件，不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制，保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行，而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%，但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大，是決定其性價比的核心器件。在日常生活中，凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的，均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產(chǎn)品，廣泛應用于國民經(jīng)濟建設的各個領域。從產(chǎn)品類型來看，功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件，可進一步分為二極管、晶體管、晶閘管等

38、，其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等，晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等；功率IC屬于集成電路中的模擬IC，可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅動IC等。第四章 產(chǎn)品方案一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積14000.00（折合約21.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積20998.63。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx（集團）有限公司建設能力分析，建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xx件功率半導體，預計年營業(yè)收入18200.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源

39、供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調整，各年生產(chǎn)綱領是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品（服務）名稱單位單價（元）年設計產(chǎn)量產(chǎn)值1功率半導體件xxx2功率半導體件xxx3功率半導體件xxx4.件5.件6.件合計xx18200.00ICInsights發(fā)布的麥克林報告（McCleanReport2019）公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關系圖，指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全

40、球半導體市場起伏的最主要因素，特別是2010年以后，全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關性，2010-2018年的相關系數(shù)高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右，而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個，一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少，這是供應基礎的一個重大變化，也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟，這有助于促進全球GDP成長與半導體市場

41、之間更密切的關聯(lián)性。二是消費者驅動的IC市場持續(xù)轉型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅動的，如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此，隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。第五章 項目選址分析一、 項目選址原則所選場址應避開自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、生活飲用水源地和其他特別需要保護的環(huán)境敏感性目標。項目建設區(qū)域地理條件較好，基礎設施等配套較為完善，并且具有足夠的發(fā)展?jié)摿?。二?建設區(qū)基本情況安康市，陜西省地級市。位于陜西省東南部，北依秦嶺，南靠巴山，漢水橫貫東西，河谷盆地（安康盆地）居中，幅員在北緯31°4233

42、76;49、東經(jīng)108°01110°01之間，下轄1區(qū)、8縣、1縣級市。安康地處秦巴腹地，漢水之濱，被譽為“西安后花園”。根據(jù)第七次人口普查數(shù)據(jù)，截至2020年11月1日零時，安康市常住人口為2493436人。安康市面積23529平方千米，耕地28.9萬公頃。該地區(qū)為中國北亞熱帶動植物典型代表區(qū)，有羚牛、朱鹮、大熊貓、云豹、大鯢等珍稀動物。是陜西省及西北地區(qū)最主要的茶葉、蠶繭、油桐、生漆主產(chǎn)區(qū)。因境內(nèi)土壤含硒元素豐富，又被譽為“中國硒谷”。隨著西康高速、西康鐵路（雙線）全線貫通，安康全面融入西安2小時經(jīng)濟圈。2020年，安康市全年生產(chǎn)總值1088.78億元。安康是南水北調中

43、線工程的核心水源區(qū)，承擔著“一江清水供北京”的光榮使命和政治責任。安康是中國十大宜居小城、國家森林城市、中國十大節(jié)慶城市、全國發(fā)展改革試點城市、國家主體功能區(qū)建設試點示范市、全國綠化模范城市、中國精彩城市、中國新聞傳播十強市、陜西最美綠色園林城市、陜西省園林城市、國家衛(wèi)生城市。2020年10月，被評為全國雙擁模范城（縣）。未來五年乃至更長時期是安康推動高質量發(fā)展的重要戰(zhàn)略機遇期，發(fā)展的時和勢總體有利，加快追趕超越的基礎支撐和有利條件依然較多。全市上下要樹立戰(zhàn)略眼光，保持戰(zhàn)略定力，堅持發(fā)展第一要務不動搖，牢牢抓住新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革帶來的戰(zhàn)略性機遇，切實用好新時代國家和省上重大戰(zhàn)略帶來的政策

44、性機遇，堅定信心、以干克難，凝心聚力、奮勇前進，奮力開創(chuàng)安康全面建設社會主義現(xiàn)代化的新局面。到二三五年基本實現(xiàn)社會主義現(xiàn)代化，到本世紀中葉把我國建成富強民主文明和諧美麗的社會主義現(xiàn)代化強國。三、 打造三大千億級產(chǎn)業(yè)集群按照“擴充總量、優(yōu)化存量、提高質量”的思路，推動產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展、提質增效，聚力打造富硒產(chǎn)業(yè)、旅游康養(yǎng)、新型材料三大千億級主導產(chǎn)業(yè)集群，構建綠色循環(huán)發(fā)展的核心產(chǎn)業(yè)支撐。四、 實施創(chuàng)新引領發(fā)展圍繞創(chuàng)新型城市建設，推動企業(yè)創(chuàng)新、人才創(chuàng)業(yè)、政府創(chuàng)優(yōu)，促進科技與經(jīng)濟緊密結合、創(chuàng)新成果與產(chǎn)業(yè)發(fā)展密切對接，實現(xiàn)創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、政策鏈有機結合，讓創(chuàng)新驅動成為高質量發(fā)展的核心引擎。構建協(xié)同創(chuàng)

45、新體系。強化創(chuàng)新要素保障、創(chuàng)新主體培育、創(chuàng)新平臺支撐，推動國家高新區(qū)、省級高新區(qū)、省級經(jīng)開區(qū)、省級農(nóng)高區(qū)以及縣域工業(yè)集中區(qū)、現(xiàn)代農(nóng)業(yè)園區(qū)建設，發(fā)揮在創(chuàng)新驅動發(fā)展中的支撐引領作用，以管理創(chuàng)新推動各類開發(fā)區(qū)（園區(qū)）擴容增效，打造秦巴區(qū)域創(chuàng)新高地。推動校企協(xié)同創(chuàng)新，支持企業(yè)與高等院校、科研院所開展技術合作，建設提升重點科研平臺、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺及院士專家工作站等科研資源共享平臺。支持企業(yè)和科研機構、高等院校聯(lián)合組建富硒食品、生物醫(yī)藥、旅游康養(yǎng)、新型材料、智能制造等產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟和知識聯(lián)盟。突出企業(yè)創(chuàng)新主體地位，推廣“四主體一聯(lián)合”創(chuàng)新模式，鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入，支持企業(yè)組建創(chuàng)新聯(lián)合體，帶動中小企業(yè)創(chuàng)新

46、。建立創(chuàng)新型企業(yè)成長的持續(xù)推進機制和全程孵化體系，構建企業(yè)全生命周期梯度培育鏈條，培育一批高新技術企業(yè)、瞪羚企業(yè)和“單項冠軍”企業(yè)。加強知識產(chǎn)權保護。到2025年，全市高新技術企業(yè)總數(shù)達到120家。推動創(chuàng)新鏈產(chǎn)業(yè)鏈深度融合。建立科技創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展協(xié)同對接機制，把創(chuàng)新嵌入產(chǎn)業(yè)發(fā)展各領域、各環(huán)節(jié)，推進創(chuàng)新鏈與產(chǎn)業(yè)鏈“兩鏈”融合、閉環(huán)發(fā)展。圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，圍繞創(chuàng)新鏈布局產(chǎn)業(yè)鏈，在富硒食品、新型材料、智能制造、生物醫(yī)藥等領域實施重點產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新工程，在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)、生物提取、儲能產(chǎn)品以及資源循環(huán)利用、動植物育種、電子信息等方面實現(xiàn)關鍵環(huán)節(jié)技術突破。支持富硒食品、蠶桑、茶葉、釩新材料和先進儲能等創(chuàng)新平臺建

47、設，促進新技術產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；瘧?，培育電子信息、智能制造等高新技術產(chǎn)業(yè)集群。著力打造“雙創(chuàng)”升級版。圍繞大眾創(chuàng)業(yè)和萬眾創(chuàng)新，加快建設眾創(chuàng)空間、星創(chuàng)天地、科技企業(yè)孵化器等平臺載體，統(tǒng)籌建立集科技成果轉化、科技成果交易、科技人才培訓、科技資源共享、科技倫理體系建設、科學技術評價等功能于一體的綜合性科技資源統(tǒng)籌服務平臺，探索形成各具特色的“雙創(chuàng)”示范模式，打造一批“雙創(chuàng)”示范基地。完善“眾創(chuàng)空間+孵化器+加速器+產(chǎn)業(yè)園區(qū)”鏈條，強化創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、創(chuàng)投、創(chuàng)客“四創(chuàng)聯(lián)動”，促進眾創(chuàng)、眾包、眾扶、眾籌“四眾發(fā)展”，為創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)主體提供“一站式”服務。實行科研項目“揭榜比拼”和科研經(jīng)費包干等制度，大力開展創(chuàng)新創(chuàng)

48、業(yè)大賽、論壇、培訓等活動，培育創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)文化，鼓勵創(chuàng)新、寬容失敗，培樹一批創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)示范典型。支持設立創(chuàng)業(yè)投資引導基金、天使投資引導基金和科技成果轉化基金，拓寬小微企業(yè)和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)者融資渠道。到2025年，全市創(chuàng)建50個創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)示范基地。五、 項目選址綜合評價項目選址應統(tǒng)籌區(qū)域經(jīng)濟社會可持續(xù)發(fā)展，符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關標準規(guī)范，保證城鄉(xiāng)公共安全和項目建設安全，滿足項目科研、生產(chǎn)要求，社會經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調發(fā)展。 第六章 法人治理結構一、 股東權利及義務1、公司建立股東名冊，股東名冊是證明股東持有公司股份的充分證據(jù)。股東按其所持有股份的種類享有權利，承擔義務；持有同一種類股份的股東，享有

49、同等權利，承擔同種義務。2、公司在召開股東大會、分配股利、清算及從事其他需要確認股東身份的行為時，由董事會決定某一日為股權登記日。3、公司股東享有下列權利：（1）依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配；（2）依法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會，并行使相應的表決權；（3）對公司的經(jīng)營進行監(jiān)督，提出建議或者質詢；（4）依照法律、行政法規(guī)及本章程的規(guī)定轉讓、贈與或質押其所持有的股份；（5）查閱本章程、股東名冊、公司債券存根、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議、財務會計報告；（6）公司終止或者清算時，按其所持有的股份份額參加公司剩余財產(chǎn)的分配；（7）對股

50、東大會作出的公司合并、分立決議持異議的股東，要求公司收購其股份；（8）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程規(guī)定的其他權利。4、股東提出查閱前條所述有關信息或者索取資料的，應當向公司提供證明其持有公司股份的種類以及持股數(shù)量的書面文件，公司經(jīng)核實股東身份后按照股東的要求予以提供。股東從公司獲得的相關信息或者索取的資料，公司尚未對外披露時，股東應負有保密的義務，股東違反保密義務給公司造成損失時，股東應當承擔賠償責任。5、公司股東大會、董事會決議內(nèi)容違反法律、行政法規(guī)的，股東有權請求人民法院認定無效。股東大會、董事會的會議召集程序、表決方式違反法律、行政法規(guī)或者本章程，或者決議內(nèi)容違反本章程的，股東有權自

51、決議作出之日起60日內(nèi)，請求人民法院撤銷。6、董事、高級管理人員執(zhí)行公司職務時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，給公司造成損失的，連續(xù)180日以上單獨或合并持有公司1%以上股份的股東有權書面請求監(jiān)事會向人民法院提起訴訟；監(jiān)事執(zhí)行公司職務時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，給公司造成損失的，前述股東可以書面請求董事會向人民法院提起訴訟。監(jiān)事會、董事會收到前款規(guī)定的股東書面請求后拒絕提起訴訟，或者自收到請求之日起30日內(nèi)未提起訴訟，或者情況緊急、不立即提起訴訟將會使公司利益受到難以彌補的損害的，前款規(guī)定的股東有權為了公司的利益以自己的名義直接向人民法院提起訴訟。他人侵犯公司合法權益，給公司造成

52、損失的，本條第一款規(guī)定的股東可以依照前兩款的規(guī)定向人民法院提起訴訟。7、董事、高級管理人員違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定，損害股東利益的，股東可以向人民法院提起訴訟。8、公司股東承擔下列義務：（1）遵守法律、行政法規(guī)和本章程；（2）依其所認購的股份和入股方式繳納股金；（3）除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外，不得退股；（4）不得濫用股東權利損害公司或者其他股東的利益；不得濫用公司法人獨立地位和股東有限責任損害公司債權人的利益；公司股東濫用股東權利給公司或者其他股東造成損失的，應當依法承擔賠償責任。公司股東濫用公司法人獨立地位和股東有限責任，逃避債務，嚴重損害公司債權人利益的，應當對公司債務承擔連帶責

53、任。（5）法律、行政法規(guī)及本章程規(guī)定應當承擔的其他義務。9、持有公司5%以上有表決權股份的股東，將其持有的股份進行質押的，應當自該事實發(fā)生當日，向公司作出書面報告。10、公司的控股股東、實際控制人不得利用其關聯(lián)關系損害公司利益。違反規(guī)定的，給公司造成損失的，應當承擔賠償責任。公司控股股東及實際控制人對公司和公司其他股東負有誠信義務?？毓晒蓶|應嚴格依法行使出資人的權利，控股股東不得利用利潤分配、對外投資、資金占用、借款擔保等方式損害公司和其他股東的合法權益，不得利用其控制地位損害公司和其他股東的利益。公司應防止控股股東及關聯(lián)方通過各種方式直接或間接占用公司的資金和資源，不得以下列方式將資金直接或

54、間接地提供給控股股東及關聯(lián)方使用：（1）有償或無償?shù)夭鸾韫镜馁Y金給控股股東及關聯(lián)方使用；（2）通過銀行或非銀行金融機構向控股股東及關聯(lián)方提供委托貸款；（3）委托控股股東及關聯(lián)方進行投資活動；（4）為控股股東及關聯(lián)方開具沒有真實交易背景的商業(yè)承兌匯票；（5）代控股股東及關聯(lián)方償還債務；（6）以其他方式占用公司的資金和資源。公司財務部門應分別定期檢查公司與控股股東及關聯(lián)方非經(jīng)營性資金往來情況，杜絕控股股東及關聯(lián)方的非經(jīng)營性資金占用情況的發(fā)生。在審議年度報告的董事會會議上，財務總監(jiān)應向董事會報告控股股東及關聯(lián)方非經(jīng)營性資金占用和公司對外擔保情況。股東大會授權董事會制定防止大股東、實際控制人及關聯(lián)方

55、占用公司資金的具體管理制度。公司董事、監(jiān)事、高級管理人員有義務維護公司資金不被控股股東占用。公司董事、高級管理人員協(xié)助、縱容控股股東及其附屬企業(yè)侵占公司資產(chǎn)時，公司董事會應視情節(jié)輕重對直接責任人給予處分和對負有嚴重責任的董事予以罷免。發(fā)生公司股東及其關聯(lián)方以包括但不限于占用或轉移公司資金、資產(chǎn)及其他資源的方式侵犯公司利益的情況，公司董事會應立即以公司的名義向人民法院申請對股東所侵占的公司資產(chǎn)及所持有的公司股份進行司法凍結。凡股東不能對所侵占公司資產(chǎn)恢復原狀或現(xiàn)金清償或現(xiàn)金賠償?shù)?，公司有權按照有關法律、法規(guī)、規(guī)章的規(guī)定及程序，通過變現(xiàn)控股股東所持公司股份償還所侵占公司資產(chǎn)。二、 董事1、公司設董

56、事會，對股東大會負責。2、董事會由12人組成，其中獨立董事4名；設董事長1人，副董事長1人。3、董事會行使下列職權：（1）負責召集股東大會，并向股東大會報告工作；（2）執(zhí)行股東大會的決議；（3）決定公司的經(jīng)營計劃和投資方案；（4）制訂公司的年度財務預算方案、決算方案；（5）制訂公司的利潤分配方案和彌補虧損方案；（6）在股東大會授權范圍內(nèi)，決定公司對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔保事項、委托理財、關聯(lián)交易等事項；（7）決定公司內(nèi)部管理機構的設置；（8）聘任或者解聘公司總裁、董事會秘書，根據(jù)總裁的提名，聘任或者解聘公司副總裁、財務總監(jiān)及其他高級管理人員，并決定其報酬事項和獎懲事項；擬訂并向股東大會提交有關董事報酬的數(shù)額及方式的方案；（9）制訂公司的基本管理制度；（10）制訂本章程的修改方案；（11）管理公司信息披露事項；（12）向股東大會提請聘請或更換為公司審計的會計師事務所；（13）聽取公司總裁的工作匯報并檢查總裁的工作；（14）決定公司因本章程規(guī)定的情形收購本公司股份事項；（15）法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程授予的其他職權。公司董事會設立審計委員會，并根據(jù)需要設立戰(zhàn)略、提名、薪酬