《模擬集成電路設(shè)計(jì)》復(fù)習(xí)_第1頁(yè)
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1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上模擬集成電路設(shè)計(jì)復(fù)習(xí)答疑安排:第13周星期二(5月29日),上午9:00-11:30,下午14:30-17:00,工三310考試題型:七道大題:第2章一題,第3、4章各兩題,第5章一題,第6、7章共一題考試注意事項(xiàng):所有題目采用課本P32表2.1的數(shù)據(jù),VDD=3V,COX=3.8410-7F/cm2,忽略漏/源橫向擴(kuò)散長(zhǎng)度LD。試題會(huì)給出所需參數(shù)值。時(shí)刻區(qū)分大信號(hào)、小信號(hào)。時(shí)刻注意是否考慮二級(jí)效應(yīng)。題目有“推導(dǎo)”兩字時(shí),需給出求解過(guò)程。必考:畫(huà)小信號(hào)等效電路復(fù)習(xí)題例2.2 補(bǔ)充問(wèn)題:(1)分析MOS工作區(qū)間變化情況;(2)畫(huà)出ID-VDS曲線;(3)推導(dǎo)線性區(qū)跨導(dǎo)表

2、達(dá)式。習(xí)題2.2 注意:跨導(dǎo)的單位。習(xí)題2.3補(bǔ)充問(wèn)題:給定參數(shù)值,計(jì)算本征增益的數(shù)值。注意:畫(huà)曲線時(shí)需考慮l與L的關(guān)系。例3.5 補(bǔ)充問(wèn)題:畫(huà)出圖3.21(b)電路的小信號(hào)等效電路,推導(dǎo)增益表達(dá)式。習(xí)題3.2 問(wèn)題(b)刪去。補(bǔ)充問(wèn)題:求Rout。習(xí)題3.12 解題思路:I1VoutVGS2(W/L)2Av習(xí)題3.14 輸出擺幅=VDD-VOD1-|VOD2|。解題思路:Av,Routgm1(W/L)1VOD1|VOD2|(W/L)2第4章課件第49頁(yè)的題目 差模增益-gm1(ro1|ro3),共模增益0,共模抑制比+例4.6習(xí)題4.18 只要求圖4.38(a)-(d)。補(bǔ)充問(wèn)題:畫(huà)出半邊電

3、路。注意:畫(huà)半邊電路時(shí)去掉電流源M5。習(xí)題4.25 計(jì)算過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓VOD時(shí)忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。注意雙端輸出擺幅為單端時(shí)的2倍。習(xí)題5.1問(wèn)題(e)刪去。問(wèn)題(c)和(d)有簡(jiǎn)單的計(jì)算方法。習(xí)題5.5問(wèn)題(b)(c)刪去。l=0。例6.4補(bǔ)充問(wèn)題:畫(huà)出低頻小信號(hào)等效電路,推導(dǎo)低頻小信號(hào)增益;寫(xiě)出CD、CS分別包含哪些MOS電容。習(xí)題6.9 只要求圖6.39(a)(b)(c)。例7.11只計(jì)算熱輸入?yún)⒖荚肼曤妷?。?xí)題7.11補(bǔ)充問(wèn)題:推導(dǎo)小信號(hào)增益。4道作業(yè)題1. 對(duì)下圖電路(1)分析是否可作為放大器應(yīng)用;若可作為放大器,繼續(xù)回答下述問(wèn)題:(2)畫(huà)出小信號(hào)等效電路,并推導(dǎo)小信號(hào)增益Av;(3)推導(dǎo)輸出阻抗Rout。2. 圖中電路(W/L)1=50mm/0.5mm,RD=2kW,mn=350cm2/Vs,COX=3.8410-7F/cm2,l=0,VDD=3V,VTH=0.6V(1)如果M1工作在飽和區(qū),且ID1=1mA,求電路的小信號(hào)增益;(2)若大信號(hào)VDS=0.1V,求電路的小信號(hào)增益。1. 下圖電路中,l=g=0,gm1=gm2,gm3=gm4,gm5=gm6,差模輸入(1)畫(huà)出半邊電路圖;(2)求小信號(hào)差動(dòng)增益。2. 圖中電路所有晶體管工作于飽和區(qū),l=0(1)求X點(diǎn)的小信號(hào)電壓VX;(2)求M2的小信號(hào)漏電流ID

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