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文檔簡介
1、泓域咨詢/盤錦功率IC項目商業(yè)計劃書目錄第一章 行業(yè)發(fā)展分析6一、 行業(yè)基本情況6二、 TVS產(chǎn)品的行業(yè)基本情況7三、 發(fā)電源管理IC產(chǎn)品的行業(yè)基本情況9第二章 項目概況12一、 項目名稱及投資人12二、 編制原則12三、 編制依據(jù)13四、 編制范圍及內(nèi)容13五、 項目建設背景14六、 結(jié)論分析14主要經(jīng)濟指標一覽表16第三章 項目建設背景、必要性19一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況19二、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))20三、 聚焦高質(zhì)量發(fā)展抓轉(zhuǎn)型圖振興24四、 提高科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化成效26第四章 建筑物技術方案27一、 項目工程設計總體要求27二、 建設方案28三、 建筑工程建設指標31
2、建筑工程投資一覽表32第五章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案34一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容34二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領34產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表34第六章 法人治理36一、 股東權利及義務36二、 董事39三、 高級管理人員43四、 監(jiān)事45第七章 運營模式48一、 公司經(jīng)營宗旨48二、 公司的目標、主要職責48三、 各部門職責及權限49四、 財務會計制度52第八章 原輔材料及成品分析56一、 項目建設期原輔材料供應情況56二、 項目運營期原輔材料供應及質(zhì)量管理56第九章 勞動安全評價58一、 編制依據(jù)58二、 防范措施61三、 預期效果評價66第十章 工藝技術分析67一、 企業(yè)技術研發(fā)分析67二、 項
3、目技術工藝分析69三、 質(zhì)量管理70四、 設備選型方案71主要設備購置一覽表72第十一章 人力資源分析73一、 人力資源配置73勞動定員一覽表73二、 員工技能培訓73第十二章 投資估算76一、 投資估算的編制說明76二、 建設投資估算76建設投資估算表78三、 建設期利息78建設期利息估算表79四、 流動資金80流動資金估算表80五、 項目總投資81總投資及構成一覽表81六、 資金籌措與投資計劃82項目投資計劃與資金籌措一覽表83第十三章 經(jīng)濟效益評價85一、 經(jīng)濟評價財務測算85營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表85綜合總成本費用估算表86固定資產(chǎn)折舊費估算表87無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算
4、表88利潤及利潤分配表90二、 項目盈利能力分析90項目投資現(xiàn)金流量表92三、 償債能力分析93借款還本付息計劃表94第十四章 項目風險防范分析96一、 項目風險分析96二、 項目風險對策98第十五章 項目總結(jié)101第十六章 附表附件103主要經(jīng)濟指標一覽表103建設投資估算表104建設期利息估算表105固定資產(chǎn)投資估算表106流動資金估算表107總投資及構成一覽表108項目投資計劃與資金籌措一覽表109營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表110綜合總成本費用估算表110利潤及利潤分配表111項目投資現(xiàn)金流量表112借款還本付息計劃表114第一章 行業(yè)發(fā)展分析一、 行業(yè)基本情況半導體是指常溫下導
5、電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,是電子產(chǎn)品的核心組成部分。從應用領域看,半導體產(chǎn)品主要應用領域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領域。此外,隨著電子產(chǎn)品的升級,半導體在電子產(chǎn)品的含量將逐步提高,未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下,半導體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件。功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件,不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行,而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20
6、%-30%,但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大,是決定其性價比的核心器件。在日常生活中,凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的,均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產(chǎn)品,廣泛應用于國民經(jīng)濟建設的各個領域。從產(chǎn)品類型來看,功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件,可進一步分為二極管、晶體管、晶閘管等,其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等,晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等;功率IC屬于集成電路中的模擬IC,可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅(qū)動IC等。二、 TV
7、S產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、TVS/ESD保護器件簡介普通的TVS二極管在20世紀80年代開始出現(xiàn),與大多數(shù)二極管正向?qū)ǖ奶匦圆煌浠诜聪驌舸┨匦?,通過對浪涌的快速泄放,可以起到對電子產(chǎn)品的保護作用,對初級浪涌防護效果較好。普通TVS二極管也是采用單個PN節(jié)結(jié)構,主要采用臺面結(jié)構技術。21世紀初期以來,隨著半導體芯片制程的發(fā)展,集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢,線寬變窄,同時追求更高的集成度和更低的工作電壓,致使集成電路芯片變得更加敏感,極易受到靜電和浪涌沖擊,造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求,于是新型的具備漏電
8、小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD(Electro-Staticdischarge,靜電放電)保護的TVS(以下簡稱為“ESD保護器件”)在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結(jié)構形成,結(jié)構單一,工藝簡單。ESD保護器件對結(jié)構設計和工藝要求更高,結(jié)構更加復雜,一般設計成多路PN結(jié)集成結(jié)構,采用多次外延、雙面擴結(jié)或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護,代表著當前TVS的技術水平和發(fā)展方向。目前,功率半導體行業(yè)內(nèi)部分國際企業(yè)已將ESD保護器件在內(nèi)的TVS單獨分類。比如,安世半導體已將ESD保護、TVS
9、單獨分類,將其與二極管、MOSFET、邏輯和模擬IC等產(chǎn)品類別共同列為主要產(chǎn)品類別;安森美將ESD保護單獨分類,與二極管、MOSFET、晶體管等產(chǎn)品類別并列為安森美的主要產(chǎn)品類別;英飛凌、意法半導體、商升特等亦將ESD保護等單獨分類。2、TVS/ESD保護器件的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021,2020年全球TVS市場規(guī)模約為16.21億美元,預計2021年全球TVS市場規(guī)模約為18.19億美元。2020年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為10.55億美元,預計2023年全球ESD保護器件市場規(guī)模約為13.20億美
10、元。根據(jù)韋爾股份2019年年度報告,在TVS領域,韋爾股份在消費類市場中的出貨量穩(wěn)居國內(nèi)第一,其主要競爭對手是外資器件廠家,包括英飛凌(Infineon),安森美(ONSemiconductor),恩智浦半導體(NXP),商升特半導體(Semtech)等。根據(jù)韋爾股份2020年年度報告,其2020年TVS銷售額為5.03億元。ESD保護器件的市場目前主要由歐美廠商主導,根據(jù)OMDIA發(fā)布的研究報告,全球前五大廠商分別為安世半導體(Nexperia)、意法半導體(STMicroelectronics)、商升特(Semtech)、安森美(ONSemiconductor)、晶焱(Amazing)。上
11、述前五大廠商2020年銷售額為7.08億美元,占全球市場份額約為67.12%。3、TVS/ESD保護器件的未來發(fā)展趨勢TVS/ESD保護器件的應用領域廣泛,隨著在5G基礎設施和5G手機、電動汽車充電樁、個人電腦、工業(yè)電子等市場的推動下,預計TVS/ESD保護器件將以較大幅度增長。在消費類電子領域,由于產(chǎn)品集成度高,技術要求不斷提升,產(chǎn)品更新?lián)Q代較快,相應地對ESD保護器件的技術創(chuàng)新要求也較高,未來的發(fā)展趨勢為小型化、集成化。ESD保護器件通常具有響應時間短、具備靜電防護和浪涌吸收能力強等優(yōu)點,可用于保護設備電路免受各類靜電及浪涌的損傷,順應了集成電路芯片發(fā)展的趨勢和需要,市場前景廣闊。三、 發(fā)
12、電源管理IC產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、電源管理IC簡介電源管理IC在電子設備系統(tǒng)中擔負起對電能的變換、分配、檢測等功能,是電子設備中不可或缺的芯片。電源管理IC可應用于手機、可穿戴設備等消費類電子領域以及網(wǎng)絡通訊、工業(yè)、安防等領域的各類終端產(chǎn)品,是模擬芯片的重要組成部分。2、電源管理IC的市場規(guī)模及競爭格局根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計,全球電源管理IC擁有廣闊的市場空間。2020年全球電源管理芯片市場規(guī)模約328.8億美元,2016年至2020年年復合增長率為13.52%。國際市場調(diào)研機構TMR預測,到2026年全球電源管理芯片市場規(guī)模將達到565億美元,年復合增長率高達10.69
13、%。其中以大陸為主的亞太地區(qū)是未來全球電源管理芯片最大的成長動力。全球電源管理芯片被美、歐等國際廠商壟斷,前五大供應商占據(jù)71%市場份額。目前,雖然歐美發(fā)達國家及地區(qū)電源管理芯片廠商在產(chǎn)品線的完整性及整體技術水平上保持領先優(yōu)勢,但隨著國內(nèi)集成電路市場的不斷擴大,部分本土企業(yè)在激烈的市場競爭中逐漸崛起,整體技術水平和國外設計公司的差距不斷縮小。3、電源管理IC的未來發(fā)展趨勢隨著電子產(chǎn)品的種類、功能和應用場景的持續(xù)增加,消費端對電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性、能效、體積等要求也越來越高。為順應終端電子產(chǎn)品的需求,電源管理IC將朝著高效能,微型化及集成化等方向發(fā)展,技術上追求更高的直流耐壓,更小的導通阻抗,以及更
14、小的封裝尺寸。隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車電子、工業(yè)控制等新興應用領域的發(fā)展,電源管理芯片下游市場有望持續(xù)發(fā)展。第二章 項目概況一、 項目名稱及投資人(一)項目名稱盤錦功率IC項目(二)項目投資人xx(集團)有限公司(三)建設地點本期項目選址位于xx(以最終選址方案為準)。二、 編制原則為實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的目標,報告確定按如下原則編制:1、認真貫徹國家和地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展的總體思路:資源綜合利用、節(jié)約能源、提高社會效益和經(jīng)濟效益。2、嚴格執(zhí)行國家、地方及主管部門制定的環(huán)保、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防和節(jié)能設計規(guī)定、規(guī)范及標準。3、積極采用新工藝、新技術,在保證產(chǎn)品質(zhì)量的同時,力求節(jié)能降耗。4、堅持
15、可持續(xù)發(fā)展原則。三、 編制依據(jù)1、一般工業(yè)項目可行性研究報告編制大綱;2、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)(第三版);3、建設項目用地預審管理辦法;4、投資項目可行性研究指南;5、產(chǎn)業(yè)結(jié)構調(diào)整指導目錄。四、 編制范圍及內(nèi)容投資必要性:主要根據(jù)市場調(diào)查及分析預測的結(jié)果,以及有關的產(chǎn)業(yè)政策等因素,論證項目投資建設的必要性;技術的可行性:主要從事項目實施的技術角度,合理設計技術方案,并進行比選和評價;財務可行性:主要從項目及投資者的角度,設計合理財務方案,從企業(yè)理財?shù)慕嵌冗M行資本預算,評價項目的財務盈利能力,進行投資決策,并從融資主體的角度評價股東投資收益、現(xiàn)金流量計劃及債務清償能力;組織可行性:制定合理
16、的項目實施進度計劃、設計合理組織機構、選擇經(jīng)驗豐富的管理人員、建立良好的協(xié)作關系、制定合適的培訓計劃等,保證項目順利執(zhí)行;經(jīng)濟可行性:主要是從資源配置的角度衡量項目的價值,評價項目在實現(xiàn)區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展目標、有效配置經(jīng)濟資源、增加供應、創(chuàng)造就業(yè)、改善環(huán)境、提高人民生活等方面的效益;風險因素及對策:主要是對項目的市場風險、技術風險、財務風險、組織風險、法律風險、經(jīng)濟及社會風險等因素進行評價,制定規(guī)避風險的對策,為項目全過程的風險管理提供依據(jù)。五、 項目建設背景功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件,不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行
17、,而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%,但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大,是決定其性價比的核心器件。在日常生活中,凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的,均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎性產(chǎn)品,廣泛應用于國民經(jīng)濟建設的各個領域。六、 結(jié)論分析(一)項目選址本期項目選址位于xx(以最終選址方案為準),占地面積約89.00畝。(二)建設規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后,可形成年產(chǎn)xx件功率IC的生產(chǎn)能力。(三)項目實施進度本期項目建設期限規(guī)劃24個月。(四)投資估算本期項目總
18、投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資44369.03萬元,其中:建設投資33574.23萬元,占項目總投資的75.67%;建設期利息962.37萬元,占項目總投資的2.17%;流動資金9832.43萬元,占項目總投資的22.16%。(五)資金籌措項目總投資44369.03萬元,根據(jù)資金籌措方案,xx(集團)有限公司計劃自籌資金(資本金)24728.70萬元。根據(jù)謹慎財務測算,本期工程項目申請銀行借款總額19640.33萬元。(六)經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入(SP):89400.00萬元。2、年綜合總成本費用(TC):69733.24萬元。3、項目達產(chǎn)年凈
19、利潤(NP):14382.39萬元。4、財務內(nèi)部收益率(FIRR):24.41%。5、全部投資回收期(Pt):5.69年(含建設期24個月)。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點(BEP):33200.67萬元(產(chǎn)值)。(七)社會效益該項目的建設符合國家產(chǎn)業(yè)政策;同時項目的技術含量較高,其建設是必要的;該項目市場前景較好;該項目外部配套條件齊備,可以滿足生產(chǎn)要求;財務分析表明,該項目具有一定盈利能力。綜上,該項目建設條件具備,經(jīng)濟效益較好,其建設是可行的。本項目實施后,可滿足國內(nèi)市場需求,增加國家及地方財政收入,帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展,為社會提供更多的就業(yè)機會。另外,由于本項目環(huán)保治理手段完善,不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不
20、利影響。因此,本項目建設具有良好的社會效益。(八)主要經(jīng)濟技術指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積59333.00約89.00畝1.1總建筑面積99917.931.2基底面積33226.481.3投資強度萬元/畝374.692總投資萬元44369.032.1建設投資萬元33574.232.1.1工程費用萬元29243.122.1.2其他費用萬元3487.492.1.3預備費萬元843.622.2建設期利息萬元962.372.3流動資金萬元9832.433資金籌措萬元44369.033.1自籌資金萬元24728.703.2銀行貸款萬元19640.334營業(yè)收入萬元89400.00
21、正常運營年份5總成本費用萬元69733.24""6利潤總額萬元19176.52""7凈利潤萬元14382.39""8所得稅萬元4794.13""9增值稅萬元4085.26""10稅金及附加萬元490.24""11納稅總額萬元9369.63""12工業(yè)增加值萬元31685.39""13盈虧平衡點萬元33200.67產(chǎn)值14回收期年5.6915內(nèi)部收益率24.41%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元28427.20所得稅后第三章 項目建設背景、必要
22、性一、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,起到開關或放大等作用。隨著技術的發(fā)展,溝槽結(jié)構MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年,英飛凌(Infineon)率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言,MOSFET產(chǎn)品由于其技術及工藝的先進性,很大程度上仍依賴進口,國產(chǎn)化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元,2016-2023年復合增速達5%;中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元
23、,中國市場在全球占比約48%。2020年,全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元,2021年在全球尤其是中國的5G基礎設施和5G手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下,全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年,MOSFET每年的增速將不低于6.7%,預計2025年將達到118.47億美元。根據(jù)有關數(shù)據(jù),2020年,全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主,其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領先,位居全球功率MOSFET市場第一,前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%,前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來
24、發(fā)展趨勢近二十年來,各個領域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴格,MOSFET和IGBT逐漸成為主流,技術上MOSFET朝著低阻抗發(fā)展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速,據(jù)統(tǒng)計,2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近,占據(jù)功率器件22%的市場份額,長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長,MOSFET需求長期穩(wěn)定。二、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))1、全球經(jīng)濟發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場將是帶動全球半導體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告(McCleanReport2019)公布了最新的全球半導體市場
25、與全球GDP總量增長的關系圖,指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素,特別是2010年以后,全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關性,2010-2018年的相關系數(shù)高達0.86。2016年、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右,而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個,一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少,這是供應基礎的一個重大變化,也說
26、明了該行業(yè)愈發(fā)成熟,這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關聯(lián)性。二是消費者驅(qū)動的IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅(qū)動的,如今這兩者所占百分比已經(jīng)互換。因此,隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅(qū)動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導體行業(yè)發(fā)展,近年來出臺了多項扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,鼓勵技術進步。2014年6月,國務院發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要,以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點,提出到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷
27、售收入年均增速超過20%;到2030年,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平,一批企業(yè)進入國際第一梯隊,實現(xiàn)跨越發(fā)展。2014年9月24日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金一期”)正式設立;2019年10月22日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(簡稱“大基金二期”)注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業(yè),兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產(chǎn)業(yè),實施市場化運作、專業(yè)化管理,充分展現(xiàn)了國家扶持半導體行業(yè)的信心,將大力促進行業(yè)增長。功率半導體作為半導體行業(yè)的重要組成部分,將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境,為功率半導體
28、行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇,促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移進程,國內(nèi)功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的產(chǎn)品需求功率器件應用領域十分廣泛,下游終端產(chǎn)品類別繁多,隨著社會發(fā)展和技術發(fā)展,下游終端產(chǎn)品對電能轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求,產(chǎn)品設計將更加復雜化,產(chǎn)品功能將更加多樣化。下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的需求,促進功率器件的技術發(fā)展,促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產(chǎn)業(yè)需求和技術創(chuàng)新將引領半導體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、
29、虛擬貨幣等新興領域的快速發(fā)展,相關IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同時,我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術發(fā)展,通過持續(xù)的技術創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級,并積極向中高端市場滲透,與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網(wǎng)絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術發(fā)展和市場增長,我國功率半導體技術水平也將不斷提升,為國內(nèi)功率半導體相關企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。5、市場空間巨大半導體產(chǎn)業(yè)是全球性產(chǎn)業(yè),全球產(chǎn)業(yè)景氣度是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大前提,但中國半導體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)生力
30、更值得關注。半導體行業(yè)發(fā)源于歐美,日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中亦建立了先進的半導體工業(yè)體系。中國半導體起步晚,但近年來,國家高度重視半導體行業(yè)的發(fā)展,不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內(nèi)的半導體行業(yè)。隨著國內(nèi)大循環(huán)、國內(nèi)國際雙循環(huán)格局發(fā)展,國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品需求繼續(xù)增加,國內(nèi)功率半導體設計企業(yè)不斷成長,未來發(fā)展空間巨大。根據(jù)顧問機構InternationalBusinessStrategies(IBS)預測,到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升,到2030年將達到39.8%。預計到2030年,
31、69%的消費量將來自中國本土公司,需求主要來自數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車、醫(yī)療等應用領域。三、 聚焦高質(zhì)量發(fā)展抓轉(zhuǎn)型圖振興做好“三篇大文章”。全面實施改造升級“老字號”、深度開發(fā)“原字號”、培育壯大“新字號”專項行動計劃,立足拉長產(chǎn)業(yè)鏈條和科技賦能傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)雙輪驅(qū)動,構建“1+2+3”制造業(yè)產(chǎn)業(yè)集群。著力打造世界級石化產(chǎn)業(yè)基地。深化石化產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構性改革,推動從原油、煉油到有機化工、精細化工的煉化一體化全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)化升級,形成以本地龍頭企業(yè)為主體、鏈條企業(yè)眾星拱月的產(chǎn)業(yè)集群生態(tài)圈。支持遼河油田千萬噸穩(wěn)產(chǎn),發(fā)揮華錦集團、寶來集團等骨干企業(yè)支撐牽動作用,推動乙烯、丙烯、碳四、芳烴四大產(chǎn)業(yè)向價值鏈中高端
32、發(fā)展。用項目群支撐石化產(chǎn)業(yè)上下游延伸、拉長加粗產(chǎn)業(yè)鏈條,突出抓好威格斯聚醚醚酮、信匯環(huán)氧丙烷和叔丁醇聯(lián)產(chǎn)、三力本諾特種工程樹脂等19個重大延鏈補鏈強鏈項目,開發(fā)高端聚烯烴、工業(yè)膜材料、工業(yè)催化劑等高附加值產(chǎn)品,拓展增值空間。強化對各類開發(fā)區(qū)的實績考核,支持盤錦精細化工產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)優(yōu)化布局、擴大規(guī)模。發(fā)展壯大兩個特色產(chǎn)業(yè)。圍繞建設東北糧食集散中心和精深加工產(chǎn)業(yè)基地,拓展水稻、大豆、水飛薊精深加工和生物醫(yī)藥4條主導產(chǎn)業(yè)鏈,抓好中儲糧糧食倉儲物流等20個支撐項目,打造國家糧食安全區(qū)域保障基地和“北糧南運”樞紐。圍繞石化裝備、鋁制品裝備、海工裝備等產(chǎn)業(yè),推進智能制造重點項目建設,引導天意公司等裝備制造企
33、業(yè)向高端服務商轉(zhuǎn)型。培育發(fā)展三個新興產(chǎn)業(yè)。加快壯大光學電子、氫能、碳素材料等新興產(chǎn)業(yè),構建一批新的增長引擎。中藍電子光學產(chǎn)業(yè)基地項目一期投產(chǎn)、二期開工,氮化鎵半導體芯片項目竣工投產(chǎn)。深化與清華工研院的戰(zhàn)略合作,打造氫能產(chǎn)業(yè)研發(fā)中心和應用示范平臺。依托寶來生物能源等企業(yè)培育碳素材料產(chǎn)業(yè)。培育壯大疫情防控中催生的新產(chǎn)業(yè)新模式。加快發(fā)展現(xiàn)代服務業(yè)。實施旅游業(yè)“九大工程”,提升紅海灘廊道5A級景區(qū)和北旅田園、鼎翔旅游區(qū)的內(nèi)涵品質(zhì),打造以廣廈藝術街和遼河碑林、遼河書法院、遼河楹聯(lián)書法博物館、遼河民俗博物館、榮興博物館、盤錦特產(chǎn)博物館等為支撐的文化旅游目的地,利用京沈高鐵開通契機積極引客入盤,形成全域全季
34、旅游發(fā)展態(tài)勢。推動消費新業(yè)態(tài)發(fā)展,創(chuàng)新電商直播、網(wǎng)紅帶貨等線上線下消費場景,推進品牌連鎖便利店建設和農(nóng)貿(mào)市場智慧化改造,強化“遼河口漁家菜系”等美食品牌推廣,改造提升夜經(jīng)濟街區(qū)8條。做強臨港物流園、東北快遞物流園、保稅物流中心,構建從生產(chǎn)到運輸、倉儲、流通、配送的全鏈條現(xiàn)代物流體系。優(yōu)先打造“數(shù)字盤錦”。推進數(shù)字產(chǎn)業(yè)化和產(chǎn)業(yè)數(shù)字化,推動優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)盡快插上“數(shù)字翅膀”,加速盤錦“數(shù)字蝶變”。做好政府和社會數(shù)據(jù)資源整合開放共享,落實5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展實施方案和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新發(fā)展三年行動計劃,建成5G基站2511個,打造一批“5G+工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)”示范工廠、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺和數(shù)字化車間。推進遼東灣新區(qū)、盤錦高新區(qū)
35、智慧園區(qū)建設。四、 提高科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化成效完善科技創(chuàng)新體制機制,健全并落實支持成果轉(zhuǎn)化的政策措施,加強知識產(chǎn)權保護,推動重點領域項目、基地、人才、資金一體化配置。發(fā)揮政府引導基金作用,引進和培育天使基金、風投基金,形成以企業(yè)為主體的多元化投資體系。全年科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化60項以上。第四章 建筑物技術方案一、 項目工程設計總體要求(一)總圖布置原則1、強調(diào)“以人為本”的設計思想,處理好人與建筑、人與環(huán)境、人與交通、人與空間以及人與人之間的關系。從總體上統(tǒng)籌考慮建筑、道路、綠化空間之間的和諧,創(chuàng)造一個宜于生產(chǎn)的環(huán)境空間。2、合理配置自然資源,優(yōu)化用地結(jié)構,配套建設各項目設施。3、工程內(nèi)容、建筑面積
36、和建筑結(jié)構應適應工藝布置要求,滿足生產(chǎn)使用功能要求。4、因地制宜,充分利用地形地質(zhì)條件,合理改造利用地形,減少土石方工程量,重視保護生態(tài)環(huán)境,增強景觀效果。5、工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的前提下,力求降低造價,節(jié)約建設資金。6、建筑風格與區(qū)域建筑風格吻合,與周邊各建筑色彩協(xié)調(diào)一致。7、貫徹環(huán)保、安全、衛(wèi)生、綠化、消防、節(jié)能、節(jié)約用地的設計原則。(二)總體規(guī)劃原則1、總平面布置的指導原則是合理布局,節(jié)約用地,適當預留發(fā)展余地。廠區(qū)布置工藝物料流向順暢,道路、管網(wǎng)連接順暢。建筑物布局按建筑設計防火規(guī)范進行,滿足生產(chǎn)、交通、防火的各種要求。2、本項目總圖布置按功能分區(qū),分為生產(chǎn)區(qū)、動力區(qū)和辦公
37、生活區(qū)。既滿足生產(chǎn)工藝要求,又能美化環(huán)境。3、按照廠區(qū)整體規(guī)劃,廠區(qū)圍墻采用鐵藝圍墻。全廠設計兩個出入口,廠區(qū)道路為環(huán)形,主干道寬度為9m,次干道寬度為6m,聯(lián)系各出入口形成順暢的運輸和消防通道。4、本項目在廠區(qū)內(nèi)道路兩旁,建(構)筑物周圍充分進行綠化,并在廠區(qū)空地及入口處重點綠化,種植適宜生長的樹木和花卉,創(chuàng)造文明生產(chǎn)環(huán)境。二、 建設方案(一)建筑結(jié)構及基礎設計本期工程項目主體工程結(jié)構采用全現(xiàn)澆鋼筋混凝土梁板,框架結(jié)構基礎采用樁基基礎,鋼筋混凝土條形基礎?;A工程設計:根據(jù)工程地質(zhì)條件,荷載較小的建(構)筑物采用天然地基,荷載較大的建(構)筑物采用人工挖孔現(xiàn)灌澆柱樁。(二)車間廠房、辦公及其
38、它用房設計1、車間廠房設計:采用鋼屋架結(jié)構,屋面采用彩鋼板,墻體采用彩鋼夾芯板,基礎采用鋼筋混凝土基礎。2、辦公用房設計:采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構,多孔磚非承重墻體,屋面為現(xiàn)澆鋼筋混凝土框架結(jié)構,基礎為鋼筋混凝土基礎。3、其它用房設計:采用磚混結(jié)構,承重型墻體,基礎采用墻下條形基礎。(三)墻體及墻面設計1、墻體設計:外墻體均用標準多孔粘土磚實砌,內(nèi)墻均用巖棉彩鋼板。2、墻面設計:生產(chǎn)車間的外墻墻面采用水泥砂漿抹面,刷外墻涂料,內(nèi)墻面為乳膠漆墻面。辦公樓等根據(jù)使用要求適當提高裝飾標準。腐蝕性樓地面、地坪以及有防火要求的樓地面采用特殊地面做法。依據(jù)建設部、國家建材局關于建筑采用使用的規(guī)定,框架填
39、充墻采用加氣混凝土空心砌塊墻體,磚混結(jié)構承重墻地上及地下部分采用燒結(jié)實心頁巖磚。(四)屋面防水及門窗設計1、屋面設計:屋面采用大跨度輕鋼屋面,高分子卷材防水面層,上人屋面加裝保護層。2、屋面防水設計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土屋面均采用剛性防水。3、門窗設計:一般建筑物門窗,采用鋁合金門窗,對于變壓器室、配電室等特殊場所應采用特種門窗,具體做法可參見國家標準圖集。有防爆或者防火要求的生產(chǎn)車間,門窗設置應滿足防爆泄壓的要求,玻璃應采用安全玻璃,凡防火墻上門窗均為防火門窗,參見國標圖集。(五)樓房地面及頂棚設計1、樓房地面設計:一般生產(chǎn)用房為水泥砂漿面層,局部為水磨石面層。2、頂棚及吊頂設計:一般房間白色涂料
40、面層。(六)內(nèi)墻及外墻設計1、內(nèi)墻面設計:一般房間為彩鋼板,控制室采用水性涂料面層,衛(wèi)生間采用衛(wèi)生磁板面層。2、外墻面設計:均涂裝高級彈性外墻防水涂料。(七)樓梯及欄桿設計1、樓梯設計:現(xiàn)澆鋼筋混凝土樓梯。2、欄桿設計:車間內(nèi)部采用鋼管欄桿,其它采用不銹鋼欄桿。(八)防火、防爆設計嚴格遵守建筑設計防火規(guī)范(GB50016-2014)中相關規(guī)定,滿足設備區(qū)內(nèi)相關生產(chǎn)車間及輔助用房的防火間距、安全疏散、及防爆設計的相關要求。從全局出發(fā)統(tǒng)籌兼顧,做到安全適用、技術先進、經(jīng)濟合理。(九)防腐設計防腐設計以預防為主,根據(jù)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的介質(zhì)的腐蝕性、環(huán)境條件、生產(chǎn)、操作、管理水平和維修條件等,因地制宜區(qū)
41、別對待,綜合考慮防腐蝕措施。對生產(chǎn)影響較大的部位,危機人身安全、維修困難的部位,以及重要的承重構件等加強防護。(十)建筑物混凝土屋面防雷保護車間、生活間等建筑的混凝土屋面采用10鍍鋅圓鋼做避雷帶,利用鋼柱或柱內(nèi)兩根主筋作引下線,引下線的平均間距不大于十八米(第類防雷建筑物)或25.00米(第類防雷建筑物)。(十一)防雷保護措施利用基礎內(nèi)鋼筋作接地體,并利用地下圈梁將建筑物的四周的柱子基礎接通,構成環(huán)形接地網(wǎng),實測接地電阻R1.00(共用接地系統(tǒng))。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積99917.93,其中:生產(chǎn)工程65655.53,倉儲工程15629.73,行政辦公及生活服務設施10189.
42、82,公共工程8442.85。建筑工程投資一覽表單位:、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程17277.7765655.538912.941.11#生產(chǎn)車間5183.3319696.662673.881.22#生產(chǎn)車間4319.4416413.882228.241.33#生產(chǎn)車間4146.6615757.332139.111.44#生產(chǎn)車間3628.3313787.661871.722倉儲工程6977.5615629.731570.852.11#倉庫2093.274688.92471.252.22#倉庫1744.393907.43392.712.33#倉庫1674.61375
43、1.14377.002.44#倉庫1465.293282.24329.883辦公生活配套2149.7510189.821491.753.1行政辦公樓1397.346623.38969.643.2宿舍及食堂752.413566.44522.114公共工程6977.568442.851002.72輔助用房等5綠化工程9279.68154.62綠化率15.64%6其他工程16826.8437.207合計59333.0099917.9313170.08第五章 建設規(guī)模與產(chǎn)品方案一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容(一)項目場地規(guī)模該項目總占地面積59333.00(折合約89.00畝),預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積9
44、9917.93。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xx(集團)有限公司建設能力分析,建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xx件功率IC,預計年營業(yè)收入89400.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整,各年生產(chǎn)綱領是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預測情況確定,同時,把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品(服務)名稱單位單價(元)年設計產(chǎn)量產(chǎn)值1功率IC件xx
45、2功率IC件xx3功率IC件xx4.件5.件6.件合計xx89400.00半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)щ娦远似骷?,其產(chǎn)品結(jié)構比較簡單,一般為單個PN節(jié)結(jié)構,只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今,陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管,廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。第六章 法人治理一、 股東權利及義務1、公司召開股東大會、分配股利、清算及從事其他需要確認股東身份的行為時,由董事會或股東大會召集人確定股權登
46、記日,股權登記日收市后登記在冊的股東為享有相關權益的股東。2、公司股東享有下列權利:(1)依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配;(2)依法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會,并行使相應的表決權;(3)對公司的經(jīng)營進行監(jiān)督,提出建議或者質(zhì)詢;(4)依照法律、行政法規(guī)及本章程的規(guī)定轉(zhuǎn)讓、贈與或質(zhì)押其所持有的股份;(5)查閱本章程、股東名冊、公司債券存根、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議、財務會計報告;(6)公司終止或者清算時,按其所持有的股份份額參加公司剩余財產(chǎn)的分配;(7)對股東大會作出的公司合并、分立決議持異議的股東,要求公司收購其股份;(8)法
47、律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程規(guī)定的其他權利。3、股東提出查閱前條所述有關信息或者索取資料的,應當向公司提供證明其持有公司股份的種類以及持股數(shù)量的書面文件,公司經(jīng)核實股東身份后按照股東的要求予以提供。4、公司股東大會、董事會決議內(nèi)容違反法律、行政法規(guī)的,股東有權請求人民法院認定無效。股東大會、董事會的會議召集程序、表決方式違反法律、行政法規(guī)或者本章程,或者決議內(nèi)容違反本章程的,股東有權自決議作出之日起60日內(nèi),請求人民法院撤銷。5、董事、高級管理人員執(zhí)行公司職務時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,給公司造成損失的,連續(xù)180日以上單獨或合并持有公司1%以上股份的股東有權書面請求監(jiān)事會向人民法
48、院提起訴訟;監(jiān)事會執(zhí)行公司職務時違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,給公司造成損失的,股東可以書面請求董事會向人民法院提起訴訟。監(jiān)事會、董事會收到前款規(guī)定的股東書面請求后拒絕提起訴訟,或者自收到請求之日起30日內(nèi)未提起訴訟,或者情況緊急、不立即提起訴訟將會使公司利益受到難以彌補的損害的,前款規(guī)定的股東有權為了公司的利益以自己的名義直接向人民法院提起訴訟。他人侵犯公司合法權益,給公司造成損失的,本條第一款規(guī)定的股東可以依照前兩款的規(guī)定向人民法院提起訴訟。6、董事、高級管理人員違反法律、行政法規(guī)或者本章程的規(guī)定,損害股東利益的,股東可以向人民法院提起訴訟。7、公司股東承擔下列義務:(1)遵守法律、
49、行政法規(guī)和本章程;(2)依其所認購的股份和入股方式繳納股金;(3)除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外,不得退股;(4)不得濫用股東權利損害公司或者其他股東的利益;不得濫用公司法人獨立地位和股東有限責任損害公司債權人的利益;公司股東濫用股東權利給公司或者其他股東造成損失的,應當依法承擔賠償責任。公司股東濫用公司法人獨立地位和股東有限責任,逃避債務,嚴重損害公司債權人利益的,應當對公司債務承擔連帶責任。(5)法律、行政法規(guī)及本章程規(guī)定應當承擔的其他義務。8、持有公司5%以上有表決權股份的股東,將其持有的股份進行質(zhì)押的,應當自該事實發(fā)生當日,向公司作出書面報告。9、公司的控股股東、實際控制人員不得利用其關聯(lián)關
50、系損害公司利益。違反規(guī)定的,給公司造成損失的,應當承擔賠償責任。公司控股股東及實際控制人對公司和公司社會公眾股股東負有誠信義務??毓晒蓶|應嚴格依法行使出資人的權利,控股股東不得利用利潤分配、資產(chǎn)重組、對外投資、資金占用、借款擔保等方式損害公司和社會公眾股股東的合法權益,不得利用其控制地位損害公司和社會公眾股股東的利益。二、 董事1、公司設董事會,對股東大會負責。2、董事會由9名董事組成(其中獨立董事3人),設董事長1人3、董事會行使下列職權:(1)召集股東大會,并向股東大會報告工作;(2)執(zhí)行股東大會的決議;(3)決定公司的經(jīng)營計劃和投資方案;(4)制訂公司的年度財務預算方案、決算方案;(5)
51、制訂公司的利潤分配方案和彌補虧損方案;(6)在股東大會授權范圍內(nèi),決定公司對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔保事項、委托理財、關聯(lián)交易等事項;(7)決定公司內(nèi)部管理機構的設置;(8)聘任或者解聘公司總經(jīng)理、董事會秘書;根據(jù)總經(jīng)理的提名,聘任或者解聘公司副總經(jīng)理、財務總監(jiān)等高級管理人員,并決定其報酬事項和獎懲事項。4、公司董事會應當就注冊會計師對公司財務報告出具的非標準審計意見向股東大會作出說明。5、董事會制定董事會議事規(guī)則,以確保董事會落實股東大會決議,提高工作效率,保證科學決策。6、董事會應當確定對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔保事項、委托理財、關聯(lián)交易的權限,建立嚴格的審查和
52、決策程序;重大投資項目應當組織有關專家、專業(yè)人員進行評審,并報股東大會批準。7、董事會設董事長1人,由董事會以全體董事的過半數(shù)選舉產(chǎn)生。8、董事長行使下列職權:(1)主持股東大會和召集、主持董事會會議;(2)督促、檢查董事會決議的執(zhí)行;(3)簽署董事會重要文件和其他應由公司法定代表人簽署的其他文件;(4)行使法定代表人的職權;(5)在發(fā)生特大自然災害等不可抗力的緊急情況下,對公司事務行使符合法律規(guī)定和公司利益的特別處置權,并在事后向公司董事會和股東大會報告;(6)董事會授予的其他職權。9、董事長不能履行職務或者不履行職務的,由半數(shù)以上董事共同推舉一名董事履行職務。10、董事會每年至少召開兩次會
53、議,由董事長召集,于會議召開10日以前書面通知全體董事和監(jiān)事。11、代表1/10以上表決權的股東、1/3以上董事或者監(jiān)事會,可以提議召開董事會臨時會議。董事長應當自接到提議后10日內(nèi),召集和主持董事會會議。12、董事會召開臨時董事會會議的通知方式為:于會議召開三日之前以電話、傳真或電子郵件的方式通知全體董事。13、董事會會議通知包括以下內(nèi)容:(1)會議日期和地點;(2)會議期限;(3)事由及議題;(4)發(fā)出通知的日期。14、董事會會議應有過半數(shù)的董事出席方可舉行。董事會作出決議,必須經(jīng)全體董事的過半數(shù)通過。董事會決議的表決,實行一人一票。15、董事與董事會會議決議事項所涉及的企業(yè)有關聯(lián)關系的,
54、不得對該項決議行使表決權,也不得代理其他董事行使表決權。該董事會會議由過半數(shù)的無關聯(lián)關系董事出席即可舉行,董事會會議所作決議須經(jīng)無關聯(lián)關系董事過半數(shù)通過。出席董事會的無關聯(lián)董事人數(shù)不足3人的,應將該事項提交股東大會審議。16、董事會決議表決方式為:董事以舉手表決方式或者以書面表決方式。董事會臨時會議在保障董事充分表達意見的前提下,可以用傳真方式或召開電話會議的方式進行并作出決議,并由參會董事簽字。17、董事會會議,應由董事本人出席;董事因故不能出席,可以書面委托其他董事代為出席,委托書中應載明代理人的姓名,代理事項、授權范圍和有效期限,并由委托人簽名或蓋章。代為出席會議的董事應當在授權范圍內(nèi)行
55、使董事的權利。董事未出席董事會會議,亦未委托代表出席的,視為放棄在該次會議上的投票權。18、董事會應當對會議所議事項的決定做成會議記錄,出席會議的董事應當在會議記錄上簽名。董事會會議記錄作為公司檔案保存,保存期限不少于10年。19、董事會會議記錄包括以下內(nèi)容:(1)會議召開的日期、地點和召集人姓名;(2)出席董事的姓名以及受他人委托出席董事會的董事(代理人)姓名;(3)會議議程;(4)董事發(fā)言要點;(5)每一決議事項的表決方式和結(jié)果(表決結(jié)果應載明贊成、反對或棄權的票數(shù))。三、 高級管理人員1、公司設總經(jīng)理1名,由董事會聘任或解聘。公司設副總經(jīng)理若干名,由董事會聘任或解聘。公司總經(jīng)理、副總經(jīng)理、總工程師、總經(jīng)濟師、財務總監(jiān)、董事會秘書為公司高級管理人員。2、本章程關于不得擔任董事的情形、同時適用于高級管理人員。本章程關于董事的忠實義務和關于勤勉義務的規(guī)定,同時適用于高級管理人員。3、在公司控股股東、實際控制人單位擔任除董事以外其他職務的人員,不得擔任公司的高級管理人員。4、總經(jīng)理每屆任期三年,總經(jīng)理連聘可以連任。5、總經(jīng)理對董事會負責,行使下列職權:(1)主
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