半導(dǎo)體行業(yè)專業(yè)知識(shí)-wafer知識(shí)

1、PIE1 .何iP PIE? PIE的主要工作是什幺？答：Process Integration Engineer（工藝整合工程師）,主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善，確保產(chǎn)品的良率（yield ）穩(wěn)定良好。2 . 200mm, 300mm Wafer 代表何意義？答：8 口寸硅片（wafer）直徑為200mm ,直徑為300mm硅片即12 口寸.3 .目前中芯國(guó)際現(xiàn)有的三個(gè)工廠采用多少mm勺硅片（wafer）工藝？未來(lái)北京的Fab4（四廠）采用多少mmB勺wafer工藝？答：當(dāng)前13廠為200mm（曜寸）的wafer,工藝水平已達(dá)0.13um工藝。未來(lái)北京廠工藝 wafer 將

2、使用300mm（12英寸）。4 .我們?yōu)楹涡枰?00mm?答：wafer size 變大，單一 wafer上的芯片數(shù)（chip）變多，單位成本降低200300面積增加2.25彳芯片數(shù)目約增加 2.5倍5 .所謂的0.13 um的工藝能力（technology）代表的是什幺意義？答：是指工廠的工藝能力可以達(dá)到 0.13 um的柵極線寬。當(dāng)柵極的線寬做的越小時(shí)，整個(gè) 器件就可以變的越小，工作速度也越快。6 .從 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的 technology 改變又代表的是什幺意 義？答：柵極線的寬（該尺寸的大小代表半

3、導(dǎo)體工藝水平的高低）做的越小時(shí)，工藝的難度便相對(duì)提高。從 0.35um -> 0.25um -> 0.18um-> 0.15um -> 0.13um 代表著每一個(gè)階段工藝能力的提升。7 . 一般的硅片（wafer）基材（substrate） 可區(qū)分為N,P兩種類型（type ）,何謂N, P-type wafer?答：N-type wafer是指摻雜negative 元素（5價(jià)電荷元素，例如：P、As）的硅片，P-type 的 wafer是指摻雜positive 元素（3價(jià)電荷元素，例如：B、In）的硅片。8 .工廠中硅片（wafer）的制造過(guò)程可分哪幾個(gè)工藝過(guò)程（mo

4、dule） ?答：主要有四個(gè)部分：DIFF （擴(kuò)散）、TF（薄膜）、PHOTO光刻）、ETCH（亥U蝕）。其中DIFF又包括FURNACE管）、WET濕 亥叮、IMP（離子注入）、RTP（快速熱處理）。TF包才PVD物理氣相淀積）、CVD化學(xué)氣相淀積）、CMP化學(xué)機(jī)械研磨）。硅片的制造就是依 據(jù)客戶的要求，不斷的在不同工藝過(guò)程（module）間重復(fù)進(jìn)行的生產(chǎn)過(guò)程，最后再利用電性的測(cè)試，確保產(chǎn)品 良好。9 . 一般硅片的制造常以幾P幾M及光罩層數(shù)（mask layer）來(lái)代表硅片工藝的時(shí)間長(zhǎng)短，請(qǐng)問(wèn)幾P幾M及光罩層數(shù)（mask layer）代表什幺意義？答：幾P幾M代表硅片的制造有幾層的Poly

5、（多晶硅）和幾層的metal（金屬導(dǎo)線）.一般0.15um 的邏輯產(chǎn)品為 1P6M（ 1層白Poly和6層白metal）。而光罩層數(shù)（mask layer ）代表硅片的制造必需經(jīng)過(guò)幾次的PHOT。光刻）.10 . Wafer下線的第一道步驟是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是為何？答：不希望有機(jī)成分白光刻膠直接碰觸Si表面。在laser刻號(hào)過(guò)程中，亦可避免被產(chǎn)生的粉塵污染。11 .為何需要 zero layer?答：芯片的工藝由許多不同層次堆棧而成的，各層次之間以zero layer當(dāng)做對(duì)準(zhǔn)的基準(zhǔn)。12 . Laser mark 是什幺用

6、途？ Wafer ID又代表什幺意義 ？答：Laser mark 是用來(lái)刻 wafer ID, Wafer ID就如同硅片的身份證一樣，一個(gè)ID代表一片硅片的身份。13 . 一般硅片的制造(wafer process)過(guò)程包含哪些主要部分？答：前段(frontend )-元器件(device)的制造過(guò)程。后段(backend)-金屬導(dǎo)線的連接及護(hù)層(passivation )14 .前段(frontend )的工藝大致可區(qū)分為那些部份？答：STI的形成(定義AA區(qū)域及器件間的隔離)阱區(qū)離子注入(well implant )用以調(diào)整電性柵極(poly gate)的形成源/漏極(source/dr

7、ain )的形成硅化物(salicide) 的形成15 . STI是什幺的縮寫？為何需要STI?答：STI: Shallow Trench Isolation( 淺溝道隔離)，STI可以當(dāng)做兩個(gè)組件(device )間 的阻隔，避免兩個(gè)組件間的短路.16 . AA是哪兩個(gè)字的縮寫？簡(jiǎn)單說(shuō)明AA的用途？答：Active Area,即有源區(qū)，是用來(lái)建立晶體管主體的位置所在，在其上形成源、漏和柵極。兩個(gè)AA區(qū)之間便是以STI來(lái)做隔離的。17 .在STI的刻蝕工藝過(guò)程中，要注意哪些工藝參數(shù)？答：STI etch (刻蝕)的角度；STI etch 的深度；STI etch后的CD尺寸大小控制。(CD c

8、ontrol, CD=critical dimension)18 .在STI的形成步驟中有一道 liner oxide (線形氧化層)，liner oxide的特性功能為 何？答：Liner oxide 為1100C, 120 min 高溫爐管形成的氧化層，其功能為：修補(bǔ)進(jìn)STI etch 造成的基材損傷；將STI etch 造成的etch 尖角給于圓化(corner rounding) 。19 . 一般的阱區(qū)離子注入調(diào)整電性可分為那三道步驟？功能為何？答：阱區(qū)離子注入調(diào)整是利用離子注入的方法在硅片上形成所需要的組件電子特性，一般包含下面幾道步驟：Well Implant :形成 N,P 阱區(qū)

9、；Channel Implant :防止源/漏極間的漏電；Vt Implant :調(diào)整 Vt (閾值電壓)。20 . 一般的離子注入層次(Implant layer )工藝制造可分為那幾道步驟？答：一般包含下面幾道步驟：光刻（Photo）及圖形的形成；離子注入調(diào)整；離子注入完后的ash （plasma（等離子體）清洗）光刻膠去除（PR strip ）21 . Poly （多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些？答：Gate oxide（柵極氧化層）的沉積；Poly film 的沉積及SiON（在光刻中作為抗反射層的物質(zhì)）的沉積）；Poly圖形的形成（Photo）; Poly 及 SiON 的 E

10、tch ;Etch完后的ash（ plasma（等離子體）清洗）及光刻膠去除（PR strip ）; Poly 的 Re-oxidation（二次氧化）。22 . Poly （多晶硅）柵極的刻蝕（etch）要注意哪些地方？答：Poly的CD（尺寸大小控制；避免Gate oxie 被蝕刻掉，造成基材（substrate ）受損.23 .何謂Gate oxide （柵極氧化層）?答：用來(lái)當(dāng)器件的介電層，利用不同厚度的gate oxide，可調(diào)節(jié)柵極電壓對(duì)不同器件進(jìn)行開(kāi)關(guān)24 .源/漏極（source/drain）的形成步驟可分為那些 ？答：LDD的離子注入（Implant ）;Spacer的形成；

11、N+/P+IMP高濃度源/漏極（S/D）注入及快速熱處理（RTA： Rapid Thermal Anneal）。25 . LDD是什幺的縮寫？用途為何？答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用較低濃度的源/漏極，以防止組件產(chǎn)生熱載子效應(yīng)的一項(xiàng)工藝。26 .何謂Hot carrier effect （ 熱載流子效應(yīng)）?答：在線竟小于0.5um以下時(shí)，因?yàn)樵?漏極間的高濃度所產(chǎn)生的高電場(chǎng)，導(dǎo)致載流子在移動(dòng)時(shí)被加速產(chǎn)生熱載子效應(yīng)，此熱載子效應(yīng)會(huì)對(duì) gate oxide 造成破壞，造成組件損傷。27 .何i胃Spacer? Spacer蝕刻時(shí)要注意哪些地方？答：在柵極（Po

12、ly）的兩旁用dielectric （介電質(zhì)）形成的側(cè)壁，主要由 Ox/SiN/Ox組成。 蝕刻spacer時(shí)要注意其CD大小，profile（ 剖面輪廓），及remain oxide（ 殘留氧化層的厚度）28 . Spacer的主要功能？答：使高濃度的源/漏極與柵極間產(chǎn)生一段LDD區(qū)域；作為Contact Etch 時(shí)柵極的保護(hù)層。29 .為何在離子注入后，需要熱處理（Thermal Anneal） 的工藝？答：為恢復(fù)經(jīng)離子注入后造成的芯片表面損傷；使注入離子擴(kuò)散至適當(dāng)?shù)纳疃?；使注入離子移動(dòng)到適當(dāng)?shù)木Ц裎恢谩?0 . SAB是什幺的縮寫？目的為何？答：SAB Salicide block,用

13、于保護(hù)硅片表面，在 RPO （Resist Protect Oxide）的保護(hù)下硅片不與其它 Ti, Co形成硅化物（salicide）31 .簡(jiǎn)單說(shuō)明SAB工藝的流層中要注意哪些 ？答：SAB光刻后（photo）,刻蝕后（etch）的圖案（特別是小塊區(qū)域）。要確定有完整的 包覆（block ）住必需被包覆（block ）的地方。remain oxide （殘留氧化層的厚度）。32 .何謂硅化物（salicide）?答：Si與Ti或Co形成TiSix 或CoSix, 一般來(lái)說(shuō)是用來(lái)降低接觸電阻值（ Rs, Rc）。33 .硅化物（salicide）的形成步驟主要可分為哪些？答：Co（或Ti）+

14、TiN的沉積；第一次RTA （快速熱處理）來(lái)形成 Salicide 。將未反應(yīng)的Co（Ti）以化學(xué)酸去除。第二次RTA （用來(lái)形成Ti的晶相轉(zhuǎn)化，降低其阻值）。34 . MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通過(guò)柵極電壓（Vg）來(lái)控制源，漏極（S/D）之間電流，實(shí)現(xiàn)其開(kāi)關(guān)特性。35 .我們一般用哪些參數(shù)來(lái)評(píng)價(jià)device的特性？答：主要有 Idsat、Ioff、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc; 一般要求 Idsat、Vbk （breakdown） 值盡量大，Ioff 、Rc盡量小，Vt、Rs盡量接近設(shè)計(jì)值.36 .什幺是Idsat?Idsat代表什幺意義？答：飽和電流。也就是

15、在柵壓（Vg） 一定時(shí)，源/漏（Source/Drain） 之間流動(dòng)的最大電流.37 .在工藝制作過(guò)程中哪些工藝可以影響到Idsat?答：Poly CD（多晶硅尺寸）、Gate oxide Thk（ 柵氧化層厚度）、AA（有源區(qū)）寬度、Vt imp.條件、LDD imp.條件、N+/P+ imp. 條件。38 .什幺是Vt? Vt代表什幺意義？答：閾值電壓（Threshold Voltage ）,就是產(chǎn)生強(qiáng)反轉(zhuǎn)所需的最小電壓。當(dāng)柵極電壓Vg<Vt時(shí)，MOS處于關(guān)的狀態(tài)，而 Vg=Vt時(shí)，源/漏之間便產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，MO&b于開(kāi)的狀態(tài)。39 .在工藝制作過(guò)程中哪些工藝可以影響到Vt?

16、答：Poly CD、Gate oxide Thk.（ 柵氧化層厚度）、AA（有源區(qū)）寬度及Vt imp.條件。40 .什幺是Ioff? Ioff小有什幺好處答：關(guān)態(tài)電流，Vg=0時(shí)的源、漏級(jí)之間的電流，一般要求此電流值越小越好。Ioff越小，表 示柵極的控制能力愈好，可以避免不必要的漏電流（省電）。41 . 什幺是 device breakdown voltage?答：指崩潰電壓（擊穿電壓），在 Vg=Vs=0時(shí)，Vd所能承受的最大電壓，當(dāng) Vd大于此電 壓時(shí)，源、漏之間形成導(dǎo)電溝道而不受柵壓的影響。在器件越做越小的情況下，這種情形會(huì) 將會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重。42 .何i胃ILD? IMD?其目的為何

17、？答：ILD : Inter Layer Dielectric, 是用來(lái)做 device 與第一層 metal 的隔離 （isolation ）,而 IMD： Inter Metal Dielectric ,是用來(lái)做 metal 與 metal 的隔離 （isolation ）.要注意ILD及IMD在CM甫的厚度控制。43 . 一般介電層ILD的形成由那些層次組成？答：SiON層沉積（用來(lái)避免上層 B,P滲入器件）；BPSG（摻有硼、磷的硅玻璃）層沉積；PETEOS（等離子體增強(qiáng)正硅酸乙脂）層沉積；最后再經(jīng)ILD Oxide CMP（SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨）來(lái)做平坦化。44 . 一般介電層IM

18、D的形成由那些層次組成？答：SRO層沉積（用來(lái)避免上層的氟離子往下滲入器件）；HDP-FSG （摻有氟離子的硅玻璃）層沉積 ；PE-FSG （等離子體增強(qiáng)，摻有氟離子的硅玻璃）層沉積；使用FSG的目的是用來(lái)降低 dielectric k 值，減低金屬層間的寄生電容。最后再經(jīng)IMD Oxide CMP（SiO2的化學(xué)機(jī)械研磨）來(lái)做平坦化。45 .簡(jiǎn)單說(shuō)明Contact（CT）的形成步驟有那些？答：Contact是指器件與金屬線連接部分，分布在 poly、AA上。 Contact 的 Photo （光刻）； Contact 的 Etch 及光刻膠去除（ash & PR strip） ;Glue layer （粘合層）的沉積；CVD W（鴇）的沉積 W-CMP。46. Glue layer （粘合層）的沉積所處的位置、成分、薄膜沉積方法是什幺？答：因?yàn)?W較難附著在 Salicide 上，所以必須先沉積只 Glue layer 再沉積 WGlue layer 是為了增強(qiáng)粘