MicroelectronicPackagingTechnology

1、Microelectronics Packaging Technology(Review contents) Chapter 1Introduction1. The development characteristics and trends of microelectronics packaging. （微電子封裝的發(fā)展特點和趨勢）特點：1) 微電子封裝向高密度和高I/O引腳數(shù)發(fā)展，引腳由四邊引出向面陣列發(fā)展；2) 微電子封裝向表面安裝式封裝（SMP）發(fā)展，以適應表面安裝技術(shù)（SMT）；3) 從陶瓷封裝向塑料封裝發(fā)展；4) 從注重發(fā)展IC芯片向先發(fā)展后道封裝再發(fā)展芯片轉(zhuǎn)移。發(fā)展趨勢：a) 微

2、電子封裝具有的I/O引腳數(shù)目將更多；b) 微電子封裝應具有更高的電性能和熱性能；c) 微電子封裝將更輕、更薄、更??；d) 微電子封裝將更便于安裝、使用和返修；e) 微電子封裝可靠性將更高；f) 微電子封裝性能價格比將會更高，成本更低，達到物美價廉。2. The functions of microelectronics packaging. （微電子封裝功能）五種功能：電源分配、信號分配、散熱通道、機械支撐和環(huán)境保護3. The levels of microelectronics packaging technology. （微電子封裝技術(shù)的分級）芯片互連級（零級封裝）：包括：芯片粘接：Au

3、-Si合金共熔法、Pb -Sn合金片焊接法、導電膠粘接法、有機樹脂基粘接法；芯片互連技術(shù)：引線鍵合（WB-Wire Bonding）、載帶自動焊（TAB-Tape Automatic Bonging）、倒裝焊（FCB-Flip Chip Bonding）一級微電子封裝技術(shù) 包括：單芯片組件（SCM）、多芯片組件（MCM）二級微電子封裝技術(shù)包括：通孔安裝技術(shù)（THT）、表面安裝技術(shù)（SMT）、芯片直接安裝技術(shù)（DCA）三級微電子封裝技術(shù)：是一種立體組裝技術(shù)3. The methods for chip bonding. （芯片粘接的方法）四種方法：Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、導

4、電膠粘接法、有機樹脂基粘接法。Chapter 2 Chip Interconnection TechnologyIt is one of the key chapters ！1. The three kinds of chip interconnection, and their characteristics and applications.（芯片互連的分類及特點） 1. 引線鍵合（WB-Wire Bonding）：將半導體芯片焊區(qū)與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)用金屬細絲連接起來的工藝技術(shù)。主要有熱壓焊、超聲焊、熱壓超聲焊（金絲球焊）特點：焊接靈活方便、焊點強度高、通常滿足

5、70微米以上芯片焊區(qū)尺寸和節(jié)距的焊接需要。焊接金屬一般為Al或Au，金屬絲多是數(shù)十微米至數(shù)百微米直徑的Au絲Al絲和Si-Al絲。2. 載帶自動焊（TAB-Tape Automatic Bonging）特點：包括芯片焊區(qū)凸點形成、載帶引線制作、載帶引線與凸點焊接（內(nèi)引線焊接）、載帶-芯片互連焊后的基板粘接和最后的載帶引線與基板焊區(qū)的外引線焊接幾部分。分為單層帶、雙層帶、三層帶、和雙金屬帶。3. 倒裝焊（FCB-Flip Chip Bonding）：芯片面朝下，將芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連的技術(shù)。2. The types of wire bonding (WB) technology, thei

6、r characteristics and working principles. （引線鍵合的種類，特點、工作原理）1、 熱壓焊壓焊時芯片與焊頭均要加熱，容易使焊區(qū)和焊絲形成氧化層。同時，由于芯片加熱溫度高，壓焊時間一長，容易損害芯片，也容易在高溫下形成異質(zhì)金屬影響器件的可靠性和壽命。2、 超聲焊焊接強度高于熱壓焊，不需加熱可在常溫下進行，因此對芯片性能無損害，可根據(jù)不同的需要隨時調(diào)節(jié)超聲鍵合能量，改變鍵合條件。3、 金絲球焊操作方便靈活，而且焊點牢固，壓點面積大，又無方向性，故可實現(xiàn)微機控制下的高速自動化焊接。3. The working principle and main proces

7、s of the wire ball bonding.（金絲球焊的原理及主要工藝過程）工藝過程：打火燒球（EFO負電子燒球）一焊（熱壓超聲球焊）拉?。ê割^XYZ協(xié)調(diào)動作）二焊（熱壓超聲焊）留尾絲回打火位、送絲等，開始下一個循環(huán)。工作原理：將鍵合引線垂直插入毛細管劈刀的工具中，引線在電火花作用下受熱成液體，由于表面張力作用而形成球 狀，在攝像和精密控制下，劈刀下降至球接觸片鍵合區(qū)，使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合完成第一點焊接過程，然后劈刀提起，沿著預定的軌道移動，稱作弧形走線，利用壓力和超聲能量形成月牙式第二焊點，劈刀垂直運動截斷絲尾部，這樣完成了兩次焊接和一個弧線循環(huán)。4.The major ma

8、terials for wire bonding. (引線鍵合的主要材料)熱壓焊、金絲球焊主要選用Au絲，超聲焊主要用Al絲和SiAl絲，還有少量的CuAl和CuSiAl絲等。5. Tape automated bonding (TAB) technology: 1）The characteristic and application of TAB technology. （載帶自動焊（TAB）技術(shù)的特點及應用）特點：（1） TAB結(jié)構(gòu)輕、薄、短、??；（2） TAB的電極尺寸、電極與焊區(qū)節(jié)距均比WB大為減??；（3） 相應可容納更高的I/O引腳數(shù)；（4） TAB的引線電阻、電容和電感均比WB的小

9、得多；（5） 采用TAB互連，可對各類IC芯片進行篩選和測試，確保器件是優(yōu)質(zhì)芯片；（6） TAB采用Cu箔引線，導熱和導電性能好，機械強度高；（7） TAB的鍵合拉力比WB高，可提高芯片可靠性；（8） TAB使用標準化的卷軸長帶，對芯片實行自動化多點一次焊接，同時安裝和外引線焊接可實現(xiàn)自動化，從而提高電子產(chǎn)品的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。應用：TAB技術(shù)已不單能滿足高I/O數(shù)的各類IC芯片的互連需求，而且以作為聚酰亞胺（PI）粘接劑Cu箔三層軟引線載帶的柔性引線，成為廣泛應用于電子整機內(nèi)部和系統(tǒng)互連的最佳方式。此外，在各類先進的微電子封裝，如BGA、CSP/和3D封裝中，TAB技術(shù)都發(fā)揮著重要的作

10、用。2） The key materials and technologies of TAB technology. （TAB技術(shù)的關鍵材料和關鍵技術(shù)）TAB技術(shù)的關鍵材料包括：基帶材料、Cu箔引線材料和芯片凸點金屬材料。TAB的關鍵技術(shù)主要包括三個部分：一是芯片凸點的制作技術(shù)，二是TAB載帶的制作技術(shù)，三是載帶引線與芯片凸點的內(nèi)引線焊接技術(shù)和載帶外引線的焊接技術(shù)3） The internal lead and outer lead welding technology of TAB technology. （TAB載帶內(nèi)外引線的焊接技術(shù)）TAB的內(nèi)引線焊接技術(shù)1、焊接過程：（1） 對位（2）

11、 焊接（3） 抬起（4） 芯片傳送2、 焊接條件：主要有焊接溫度、焊接壓力和焊接時間確定3、 焊接后的保護：其方法是涂覆薄的一層環(huán)氧樹脂TAB的外引線焊接技術(shù)（1） 供片（2） 沖壓和焊接（3） 回位6. Flip Chip Bonding (FCB) Technology （倒裝芯片焊接技術(shù)）1）The characteristic and application of flip chip bonding technology （FCB的特點及應用）特點：具有高的安裝密度、高I/O數(shù)和較低的成本，以及可直接貼裝HIC,PWB板,MCM等優(yōu)越性；優(yōu)點：（1） FCB的互連線非常短，互連產(chǎn)生的雜

12、散電容、互連電阻和互連電感均比WB和TAB小得多，更實用于高頻、高速的電子產(chǎn)品應用；（2） FCB芯片安裝互連占的基板面積小，因而芯片安裝密度高；（3） FCB的芯片焊區(qū)可面陣布局，更適于高I/O數(shù)的LSI、VLSI芯片使用。缺點（1） 芯片面朝下安裝互連，給工藝操作帶來一定難度，焊點檢查困難；（2） 在芯片焊區(qū)一般要制作凸點，增加了芯片的制作工藝流程和成本；（3） 倒裝焊同各材料間的匹配所產(chǎn)生的應力問題也需要很好的解決。2）UBM and multilayer metallization under chip bump；UBMs structure and material, and the

13、 roles of each layer. （UBM的含義、結(jié)構(gòu)和材料）UBM：芯片凸點下多層金屬化（Under Bump Metallization）結(jié)構(gòu)：粘附層阻擋層導電層材料：粘附層：Cr, Ti, Ni 阻擋層：Pt, W, Pd, Mo, Cu, Ni 作用：防止上面的凸點金屬越過薄的粘附層與Al焊區(qū)形成脆性的中間金屬化合物導電層：Au, Cu, Ni, PbSn, In等3）The main fabrication method of chip bumps.（ 芯片凸點的制作方法）主要有蒸發(fā)/濺射法、電鍍法、化學鍍法、機械打球法、激光法、置球和模板印刷法、移置法、疊層制作法和柔性凸

14、點制作法等4）FCB technology and its reliability. （凸點芯片的FCB技術(shù)及可靠性）1、 熱壓FCB的可靠性2、 C4技術(shù)的可靠性3、 環(huán)氧樹脂光固化FCB的可靠性4、 各向異性導電膠FCB的可靠性5、 柔性凸點FCB的可靠性5）C4 soldering technology and its advantages. （C4技術(shù)的優(yōu)點)1、 C4除了具有一般凸點芯片F(xiàn)CB的優(yōu)點外，它的凸點還可整個芯片面陣分布，再流時能夠彌補基板的凹 凸不平或扭曲等；2、 C4的芯片凸點使用高熔點的焊料，倒裝焊再流時，C4凸點不變形；3、 倒裝焊時PbSn焊料熔化再流時較高的表面

15、張力會產(chǎn)生“自對準”效果，這就使對C4芯片倒裝焊時的對準精度要求大為寬松。6）The role of underfill in FCB. （底沖膠在FCB的作用）1、 可以保護芯片免受環(huán)境如濕氣、離子等污染，利于芯片在惡劣的環(huán)境下正常工作；2、 使芯片耐受機械振動和沖擊；3、 減少芯片與基板間的熱膨脹失配的影響，即可減小芯片凸點連接外的應力和應變，避免芯片中心和四角的凸點連接處的應力和應變過于集中。7）The interconnection principles for Isotropic and anisotropic conductive adhesive respectively. （各

16、向同性、異性導電膠的互連原理）同性導電膠：是一種膏狀的高分子樹脂，加入了一定含量的導電顆粒，因此在各個方向上都可以導電。通常高分子樹脂為環(huán)氧樹脂，導電顆粒為銀。異性導電膠：先在基板上涂覆ACA（Anisotropic Conductive Adhesive 各向異性導電膠），將帶有凸點的IC芯片與基板上的金屬焊區(qū)對位后，在芯片上加壓并進行ACA固化，這樣導電粒子擠壓在凸點與焊區(qū)之間，使上下接觸導電，而在XY平面各方向上導電粒子不連續(xù)，故不導電。Chapter 3: Packaging Technology of Through-Hole Cmponents （插裝元器件的封裝技術(shù)）1. The

17、 classification of Through-Hole components. （插裝元器件的分類）按外形結(jié)構(gòu)分：圓柱形外殼封裝（TO）、矩形單列直插式封裝（SIP）、雙直插式封裝（DIP）、針列封裝（PGA）按材料分：金屬封裝、陶瓷封裝和塑料封裝2. Focused on：DIP packaging technology, including its process flow. （DIP的 封裝工藝流程）生瓷料制備流延制膜沖片、沖腔沖孔，并填充金屬化金屬化印刷疊片、層壓熱切側(cè)面金屬化印刷排膠、燒結(jié)電鍍或化學鍍Ni釬焊封口環(huán)或外引線電鍍Ni-Au外殼檢漏、電測試IC芯片安裝引線鍵合IC

18、芯片檢測封蓋檢漏成品測試打印、包裝3. The characteristics of PGA. （PGA的特點）1、 PGA的針引腳是呈柵列的，I/O數(shù)可高達數(shù)百乃至上千個；2、 PGA是氣密封的，所以可靠性高；3、 制作工藝復雜、成本高。Chapter 4 ：Packaging Technology of Surface Mounted Device（SMD）（表面安裝元器件的封裝技術(shù)）1. The advantages and disadvantages of SMD. （SMD的優(yōu)勢與不足）優(yōu)勢1、 SMD的體積小、重量輕，所占基板的面積小，因而組裝密度高；2、 SOP/PLCC與DIP

19、相比，具有優(yōu)異的電性能；3、 適合自動化生產(chǎn)；4、 降低生產(chǎn)成本；5、 能提高可靠性；6、 更有利于環(huán)境保護。不足1、 元器件安裝密度高，PWB上的功率密度高，容易產(chǎn)生散熱問題；2、 SMD與PWB的CTE不一致導致焊點處的裂紋以致開裂問題；3、 塑料件普遍存在吸潮問題；2. The types of SMD. （SMD的分類）按封裝外形：“芝麻管”形、圓柱形、SOT形按封裝材料：玻璃二極管封裝、塑料封裝、陶瓷封裝3. The main SMD packaging technologies, focused on：SOP、PLCC、LCCC、QFP. IC小外形封裝（SOP）技術(shù)：塑料有引腳片

20、式載體（PLCC）封裝技術(shù)：陶瓷無引腳片式載體（LCCC）封裝技術(shù)：四邊引腳扁平封裝（QFP)技術(shù)：4. The packaging process flow of QFP. （QFP的封裝工藝）5. The risk of moisture absorption in plastic packages, the mechanism of the cracking caused by moisture absorption and solutions to prevent for such failure. （塑料封裝吸潮的危害，塑料封裝吸潮開裂的機理和解決措施）危害：降低器件壽命；使器件電參

21、數(shù)發(fā)生變差，最終會導致器件開路而失效；當較大尺寸的SMD和較薄殼體的塑封器件焊接時會發(fā)生爆米花式開裂現(xiàn)象。開裂機理：塑封開裂過程分為水汽吸收聚蓄期（完好）、水汽蒸發(fā)膨脹期（焊接預熱至高溫，水汽受熱蒸發(fā)膨脹超過塑料與芯片粘結(jié)劑的粘結(jié)強度，蒸汽擴張形成壓力圓頂）和開裂萌生擴張期（蒸汽壓力繼續(xù)增加，應力最薄弱處萌生裂紋，在蒸汽壓作用下裂紋擴張至邊界，水汽由裂紋溢出，壓力圓頂塌陷形成開裂）塑料封裝吸潮問題開裂的對策：1、 從封裝結(jié)構(gòu)上改進增強抗開裂的能力；2、 對塑封器件進行適宜的烘烤是防止焊接時開裂的有效措施；3、 合適的包裝和良好的貯存條件是控制塑封器件吸潮的必要手段。Chapter 5：Pack

22、aging Technology of BGA and CSP （BGA和CSP封裝技術(shù))1. The characteristics of BGA and CSP. （BGA和CSP封裝技術(shù)的特點）BGA：1、 失效率低；2、 BGA焊點的節(jié)距一般為1.27mm和0.8mm，可以利用現(xiàn)有的SMT工藝設備；3、 提高了封裝密度，改進了器件引腳數(shù)和本體尺寸的比例；4、 由于引腳是焊球，可明顯改善共面性，大大的減少了共面失效；5、 BGA引腳牢固，不像QFP那樣存在引腳易變形問題；6、 BGA引腳很短，使信號路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能；7、 焊球熔化時的表面張力具有明顯的“自對準”

23、效應，從而可大為減少安裝、焊接的失效率；8、 BGA有利于散熱；9、 BGA也適合MCM的封裝，有利于實現(xiàn)MCM的高密度、高性能。CSP：1、 體積??；2、 可容納的引腳最多；3、 電性能良好；4、 散熱性能優(yōu)良。2. The packaging technology for PBGA，and its process flow. （PBGA的封裝技術(shù))3. The characteristics of packaging technology for CSP. （CSP封裝技術(shù)的特點：）1. 體積??；2. 可容納的引腳最多；3. 電性能良好；4. 散熱性能優(yōu)良。4. The reliabili

24、ty problems of BGA and CSP. （BGA、CSP封裝穩(wěn)定性問題）Chapter 6： Multi-Chip Module（MCM）（多芯片組件（MCM）1. The classification and characteristics of MCM（MCM的概念、分類與特性）概念：從組裝角度出發(fā)，將MCM定義為：兩個或更多的集成電路裸芯片電連接于共用電路基板上，并利用它實現(xiàn)芯片間互連的組件。MCM原則上應具備以下條件（1） 多層基板有4層以上的導體布線層；（2） 封裝效率（芯片面積/基板面積）大于20%；（3） 封裝殼體通常應有100個以上的I/O引腳。MCM可分為五大

25、類：1、 MCML，有機疊層布線基板制成的MCM2、 MCMC，厚膜或陶瓷多層布線基板制成的MCM3、 MCMD，薄膜多層布線基板制成的MCM4、 MCMSi，Si基板制成的MCM5、 MCMD/C，厚、薄膜混合多層基板制成的MCMMCM的特性：1、 高速性能；2、 高密度性能；3、 高散熱性能；4、 低成本性能。2. The assembly technology of MCM. （MCM的組裝技術(shù)）概念：MCM是指通過一定的連接方式，將元器件組裝到MCM基板上，再將組裝有元器件的基板安裝在金屬或陶瓷封裝中組裝成一個具有多功能的MCM組件。內(nèi)容包括：芯片與基板的粘結(jié)（導電膠或絕緣環(huán)氧樹脂粘結(jié)

26、劑）、芯片與基板的電氣連接（WBTABFCB）、基板與外殼的物理連接（粘接劑、焊接和機械固定）和電氣連接（WB）.；MCM的清洗方式：等離子蒸汽去垢、溶劑噴洗、溶劑浸泡、超聲清洗。Chapter 7：Electronic Packaging Materials and Substrate Technology （電子封裝技術(shù)材料和組裝技術(shù)）1. The classification of the materials for electronic packaging, the main requirements for packaging materials. （電子封裝材料的分類以及對封裝材料

27、的要求）分類：1. 基板材料;2. 介質(zhì)材料;3. 金屬材料.要求：基板材料：1、 電性能，高的電絕緣電阻，低的、一致的介電常數(shù)；2、 熱性能，熱穩(wěn)定性好，熱導電率高，各種材料熱膨脹系數(shù)相近；3、 機械性能，孔隙度低，平整性好，強度較高，彎度??；4、 化學性能，化學穩(wěn)定性好，制作電阻或?qū)w相容性好；介質(zhì)材料：介電常數(shù)、吸水性和CTE等指標都要低。金屬材料：1. 電導率高；2. 熱導率高；3. 與介質(zhì)及基板的CTE匹配性好；4. 與介質(zhì)的粘接性好；5. 抗金屬遷移和電遷移；6. 抗擴散；7. 易于鍵合和焊接。2. The types of metals in electronic packagi

28、ng, and their main applications. （金屬外殼的種類及應用）特點：1）優(yōu)良的熱、電、機械性能；2）溫度范圍廣；3）可靠性優(yōu)良；4）多為金屬外殼配合陶瓷基板封裝，殼體較大；5）單芯片和厚、薄膜HIC。分類：淺腔式外殼系列、平板式、扁平式、功率外殼式、AlN陶瓷基板外殼系列等。封裝技術(shù)：典型HIC組裝/封裝技術(shù)，以SMC/SMD與IC芯片混合組裝為例。優(yōu)點：1）基板導熱系數(shù)比PWB高一個數(shù)量級以上，傳熱快，受熱均勻，焊接時溫度低，焊料熔化一致性好，焊接缺陷大為減少；2）力學匹配性好，界面應力降低，降低熱循環(huán)造成的疲勞失效；3）允許更高的功率密度；4）化學穩(wěn)定性好。缺點

29、：1）工藝復雜；2）不可制作平整的大基板；3）成本高。工藝流程：成膜基板制備組裝前的清洗貼裝SMC/SMD再流焊焊后清洗芯片粘接、固化和清洗芯片引線鍵合封帽前檢驗。封帽工藝：熔焊封接法（平行縫焊、激光焊、電焊）和焊料封接法。3. The main requirements for polymer materials in electronic packaging. （高分子材料的主要要求）主要要求： 1. 抗高溫耐濕耐熱；2. 耐高溫耐低溫；3. 尺寸穩(wěn)定性好，抗蠕變；4. 低CTE；5. 高絕緣性，擊穿強度高；6. 吸潮率低；7. 低介電常數(shù)，低介電損耗；8. 耐化學腐蝕，物理性能穩(wěn)定。4.

30、 Classification of main substrate materials, and the major requirements for substrate materials. 基板材料的分類：1. 氧化鋁2. 氮化鋁3. 有機多層基板材料4. 共燒陶瓷基板材料5. 硅基板材料6. 金剛石對基板材料的要求1、 電性能，高的電絕緣電阻，低的、一致的介電常數(shù)2、 熱性能，熱穩(wěn)定性好，熱導電率高，各種材料熱膨脹系數(shù)相近3、 機械性能，孔隙度低，平整性好，強度較高，彎度小4、化學性能，化學穩(wěn)定性好，制作電阻或?qū)w相容性好Chapter 8：Microelectronics packag

31、ing reliability（微電子封裝可靠性）1. The basic concepts of electronic packaging reliability. （可靠性的基本概念）可靠性：在規(guī)定的條件下、規(guī)定的時間內(nèi)完成規(guī)定功能的能力。2. The basic concepts for failure mode and failure mechanism in electronic packaging.（失效模式和失效機理的基本概念） 失效模式：是指失效的形式，如開路、短路、漏氣等。失效機理：是指造成器件失效的原因。3. Main failure (defect) modes (typ

32、es) of electronic packaging. 失效形式：1. 機械失效:疲勞、過載2. 電化學失效:腐蝕、電遷移4. The purpose and procedure of failure analysis (FA) ；Common FA techniques (such as cross section, dye and pry, SEM, CSAM .). 失效分析的目的：1. 找出失效原因2. 制定改進措施（從設計、制造和使用方面）3. 提高產(chǎn)品質(zhì)量和成品率。失效分析程序(流程)1. 記錄失效現(xiàn)象2. 鑒別失效模式3. 描述失效特征4. 假設失效機理5. 證實:從正、反兩面

33、證實失效機理，失效可實現(xiàn)重復6. 針對失效機理提出改進措施，并考慮新措施中是否引入新的失效因素。常用的失效分析技術(shù)：無損分析技術(shù)：1. 電性能測試和外觀檢驗2. 聲學掃描顯微鏡(SAM)3. 非破壞性、可分層、點掃描、截面掃描、水平面掃描;4. X光透射檢查儀5. Moire干涉儀:形變，warpage(翹曲)測量6. 有限元分析:熱、熱力有損分析技術(shù)1. 開封(Decapsulation / Decap)2. 紅外熱像儀:溫度分布3. 金相切片分析4. 掃描電子顯微鏡(SEM)微區(qū)形貌5. 俄歇譜(Auger)成分，成分深度分布6. 傅利葉變換紅外顯微鏡分析(FTIR ; Fourier t

34、ransform infrared microscopy)5 The purpose and key factors (such as stress level, stress type ) to design accelerated reliability test. （描述加速穩(wěn)定性試驗的目的和關鍵因素）目的關鍵因素：機械應力、熱學應力、濕熱應力、電學應力、輻射應力、化學應力Chapter 9：Advanced packaging technologies1. The concept of wafer level packaging (WLP) technology. （圓片級封裝技術(shù)的概

35、念）概念：在通常制作IC芯片的Al焊區(qū)完成后，繼續(xù)完成CSP的封裝制作，稱之為晶圓級CSP (WLCSP)，又稱作晶圓級封裝。它是一種以BGA技術(shù)為基礎，是一種經(jīng)過改進和提高的CSP，綜合了BGA、CSP的技術(shù)優(yōu)勢。2. The key processes of WL-CSP. WL-CSP的關健工藝：1. 一是再布線技術(shù)(即再分布re-distribution)2. 二是焊料凸點制作工藝4. The concept and types of the 3D packaging technologies. 概念：3D封裝技術(shù)又稱立體封裝技術(shù)。與傳統(tǒng)封裝技術(shù)相比，在原有基礎上向Z方向即向空間發(fā)展的

36、微電子封裝高密度化。種類：1. 埋置型3D2. 有源基板型3D3. 疊層型3DSpecified Subject 1：LED packaging technology （LED封裝技術(shù)）1. Describe briefly the four ways to achieve LED white light, and how they are packaged？ 方法：1. 藍光LED+黃色熒光粉2. 三色LED合成白光3. 紫光LED+三色熒光粉4. 藍光LED+紅、綠熒光粉封裝方式：1. 引腳式封裝（LED芯片檢驗、LED擴片、LED點膠、LED備膠、LED手工刺片、LED自動裝架、LED燒

37、結(jié)、LED壓焊、LED封膠、LED點膠、LED灌膠封裝、LED模壓封裝、LED固化與后固化、LED切筋和劃片、LED測試、LED包裝）2. 平面式封裝3. 表貼封裝4. 食人魚封裝5. 功率型封裝（材料、裝架/固晶、等離子清洗、鍵合、熒光粉涂布、封裝、切筋分離、測試分檔、成品、包裝入庫）2. Describe briefly the difference and similar aspects (similarity) between LED packaging and microelectronics packaging. LED封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎上發(fā)展與演變而來的，但卻有

38、很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi)，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號，保護管芯正常工作，輸出：可見光的功能，既有電參數(shù)，又有光參數(shù)的設計及技術(shù)要求，無法簡單地將分立器件的封裝用于LED。4. And also describe briefly the development trend for LED package technology and the whole LED industry respectively. LED封裝的發(fā)展趨勢：高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力、薄型化LDE產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢：從應用要求出發(fā)，不斷探索新材料、

39、新工藝，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)細分Specified Subject 2：MEMS packaging technology1. The differences between micro-electro-mechanical system (MEMS) packaging technology and the conventional microelectronics packaging technologies. 差異：1. 微電子封裝通常分為單芯片封裝和多芯片組件的一級封裝、將一級封裝和其他元器件一同組裝到單層或多層PWB上的二級封裝和將二級封裝插裝到多層母板上的三級封裝三個層次；而MEMS封裝則通常分為芯片級封裝、器件級封裝和系統(tǒng)級封裝三個層次，總的來說MEMS是建立在微電子封裝之上的，并延用了許多微電子封裝的工藝技術(shù)，比微電子封裝更龐大、更復雜更困難。2. MEMS封裝除了具有微電子封裝的共同失效模式外微型執(zhí)行器