復(fù)習(xí)專題十二、物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較（完整版）

1、專題十二 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（生）9五類晶體的比較晶體丨分子晶體離子晶體金屬晶體原子晶體混合晶體構(gòu)威粒子井子陰、陽離子金屬離子、 自由電子原子原子粒子間佯用分子間作用力（少數(shù)有 氫鍵）金屬離子與 自由電子間 的作用共價(jià)犍.分子 間作用力1刪點(diǎn)較低較咼般較高高小較大很大溶解性相放相溶多數(shù)溶于水稀稀機(jī)械加 二性能不艮不良良好不艮不艮導(dǎo)電性固態(tài)、粧態(tài)不導(dǎo)電.落 于水少部分導(dǎo)電固態(tài)時(shí)不導(dǎo) 電,熔化、 能落于水的 導(dǎo)電固態(tài)時(shí)導(dǎo)電 熔化専電固蕊熔化吋 祎電石魴電作用大小規(guī)律組成和結(jié)構(gòu)相血的分子 ,相對(duì)分子質(zhì)量大的， 分子間作用力大離羊的電荷 高、半徑八 .離子犍強(qiáng)1T、金自的 子多一冋J(rèn)r子水子子

2、51 屬電&萬電用 金f半共價(jià)槌短（電 子云重脣多） 庫子半徑小 ,鍵牢共臉（電 子云重疊多）犍牢實(shí)例多數(shù)非金厲單質(zhì) |皿g張S）;共價(jià)化合物i；CO. HCL 禺OH）等強(qiáng)鹹多數(shù) 屬氧優(yōu)物金厲（穩(wěn) 榊、汞）及金剛石.殛1晶體硅、乗 化硼、金剛砂石墨一、知識(shí)點(diǎn)1. 一般熔、沸點(diǎn)：固液氣，如：碘單質(zhì)汞C022. 由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，即C, Si , Ge Sn越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；還有川A族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；W A族的錫熔點(diǎn)比鉛低。3. 同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律 高熔點(diǎn)單質(zhì)C

3、,Si ,B三角形小區(qū)域，因其為原子晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3550 C。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部，其最高熔點(diǎn)為鎢（3410 C）。 低熔點(diǎn)單質(zhì) 非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方，另有IA的氫氣。其中稀有氣體熔、沸點(diǎn)均為同周期的最低者，如氦的熔點(diǎn)（272.2 C, 26X105Pa）、沸點(diǎn)（268.9 C）最低。金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：IA、nB族Zn,Cd,Hg及川A族中Al ,Ge,Th;WA族的Sn,Pb;V A族的Sb,Bi，呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是 Hg（ 38.87 C），近常溫呈液態(tài)的鎵（29.78。）銫（28.4 C）,體溫即能使其熔

4、化。4. 從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)；不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)（凝固點(diǎn)不固定）。 非晶體物質(zhì)，如玻璃、水泥、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性（軟化過程）直至液體，沒有熔點(diǎn)。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶體。例如：SiO2NaCL CO2（干冰）。在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比較。女口鍵長(zhǎng)： 金剛石（C C）碳化硅（Si C）晶體硅（Si Si）。熔點(diǎn)：金剛石 碳化硅 晶體硅 在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。反之越低。女口 KF KCl KBr K

5、I , ca* KCl。 分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。對(duì)于分子晶體而言又與極性大小有關(guān)，其判斷思路大體是：i 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：CH* SiH4 v GeH4< SnH4, 12 >Br2 > CI2 > F2。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。（高中含 H鍵的一般有 NH3,HF,H2O 例如，熔點(diǎn)： HI > HBr> HF> HCI;沸點(diǎn)：HF>

6、 HI >HBr> HCI。H2O H2Te> H2Se> H2S C2H5O> CH3-O CH3ii組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量相近），分子極性越大，其熔沸點(diǎn)就越高。如：CO> N2, CH3O>CH3- CH3iii在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中，不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。女口： C17H35COOH硬脂酸）> C17H33COOH（油酸）;iv烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如C2H6> CH4,C2H5CI>CH3CI, CH3COO>HCOOH v同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物

7、的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，熔沸點(diǎn)降低。如：CH3（CH2）3CH3（正）> CH3CH2CH（CH3）2異）> （CH3）4C（新）。芳香烴的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、令鄰、間位降低。（沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低） 金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大，如鎢、鉑等（但也有低的如汞、銫等）。金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體。在金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，反之越低。如：Nav Mg< AI。合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金v純鋁（或純硅）。5. 某些物質(zhì)

8、熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性 同周期主族（短周期）金屬熔點(diǎn)。女口Li<Be , Na<Mg<AI 堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2000C以上，比其他族氧化物顯著高，所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材料。 鹵化鈉（離子型鹵化物）熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而降低。女口NaF>NaCI>NaBr>Nal。通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有：化學(xué)鍵，分子間力（德華力）、氫鍵;晶體結(jié)構(gòu)，有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好象石墨跟金剛石就有點(diǎn)不一樣；晶體成分，例如分子篩的桂鋁比；雜質(zhì)影響：一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的

9、高低不是一句話可以講清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律二、例題分析1. 下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：A.晶體硅>金剛石碳化硅B. CsCI> KCI > NaCIC. SiO2 >CO2> HeD. I2> Br2 > He2. 下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是：A.F2、CI2、Br2、12的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高 B.HF、HCI、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCI、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低3. 下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是：A. O2

10、I2 Hg B. CO KCI SiO2 C. Na K Rb D. SiC NaCI SO24. （ 09全國(guó)卷I 29 ）已知周期表中，元素 Q R、W Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸?；卮鹣铝袉栴}：（1）W與Q可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)瓷材料。W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，W的氧化物的晶體類型是（2） Q的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是 ;（3）R和Y形成的二元化合物中， R呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物是化學(xué)式是 ，其原因是; 電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是 ;(5)W和Q所形成的結(jié)構(gòu)瓷材料的一種合成方法如下：W的氯化物與Q的氫化物加熱反應(yīng)，生成化合物W(Q

11、H2)4和HCI氣體；W(QH2)4在高溫下分解生成 Q的氫化物和該瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式(各物質(zhì)用化學(xué)式 表示)是。5. (09卷32) C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。(1) 寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式。從電負(fù)性角度分析，C、Si和0元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)椤?2) SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為，微粒間存在的作用力是。(3) 氧化物M0的電子總數(shù)與SiC的相等，貝U M為(填元素符號(hào))。M0是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCI晶體相似。MO勺熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是。(4) C Si為同一主族的元素，C02和 Si02化學(xué)式

12、相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。C02中C與0原子間形成b鍵和n鍵，Si02中Si與0原子間不形成上述n健。從原子半徑大小的角度分析，為何C 0原子間能形成，而Si、0原子間不能形成上述n鍵。6. (09卷30) Q R X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)依次遞增。已知： Z的原子序數(shù)為29，其余的均為短周期主族元素； Y原子價(jià)電子(外圍電子)排布； R原子核外L層電子數(shù)為奇數(shù)； Q X原子p軌道的電子數(shù)分別為 2和4。請(qǐng)回答下列問題：(1) Z2+的核外電子排布式是。(2) 在Z(NH3)42+離子中，Z2+的空間軌道受 NH3分子提供的形成配位鍵。(3) Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為甲、乙，

13、下列判斷正確的是。a.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲乙b.穩(wěn)定性：甲乙，沸點(diǎn)：甲v乙c.穩(wěn)定性：甲v乙，沸點(diǎn)：甲v乙d.穩(wěn)定性：甲v乙，沸點(diǎn)：甲乙Q、R、Y三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)?用元素符號(hào)作答)(5) Q的一種氫化物相對(duì)分子質(zhì)量為26,其中分子中的b鍵與n鍵的鍵數(shù)之比為。(6) 五種元素中，電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于。專題十二 物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較及應(yīng)用（師）9五類晶體的比較晶體分子晶體離子晶體金屬晶體原子晶體混合晶體構(gòu)成粒干分子陰、陽離子越子問佯用分子間作用力少數(shù)有 量糠）離茯金屬離子與 色由電子間 的作用茹他分子 間作用才1熔梆點(diǎn)較低很咼髙硬度小較大祖大小溶

14、解性相創(chuàng)相溶多數(shù)溶于水不落稀不落二性能不良不良良好不良不良導(dǎo)電性固抵継杰不導(dǎo)電，落 于水少部分導(dǎo)電導(dǎo)、的 不代水 時(shí)熔于態(tài)，容電 固電毗眺尋固杰時(shí)導(dǎo)電 ,熔化導(dǎo)電固戀熔化時(shí) 祎電石墨導(dǎo)電作用大小規(guī)澤組成和結(jié)構(gòu)相M的分子 ,相對(duì)井子質(zhì)量大的， 分子間件用力大離子的電荷，離子犍強(qiáng)金屬原子的 價(jià)電子埶 半徑小，金 屬離子與目 生電子間的 作用強(qiáng)共價(jià)慄短（電 子云重養(yǎng)多）慮子半徑小 f犍牢左價(jià)銀更（電 子云重養(yǎng)多）,犍牢實(shí)例多數(shù)非金屬單質(zhì) 血堆.C眇S）；共價(jià)化詡I；co. HCL CH3OH）等強(qiáng)感多數(shù) fe'活潑會(huì) 屬氧化物金厲 林汞）及 合金金剛石、石典 、晶體51*更 化牌金剛砂 等石

15、墨一、知識(shí)點(diǎn)1. 一般熔、沸點(diǎn)：固液氣，如：碘單質(zhì)汞C022. 由周期表看主族單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)同一主族單質(zhì)的熔點(diǎn)基本上是越向下金屬熔點(diǎn)漸低；而非金屬單質(zhì)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)漸高。但碳族元素特殊，即C, Si , Ge Sn越向下，熔點(diǎn)越低，與金屬族相似；還有川A族的鎵熔點(diǎn)比銦、鉈低；WA族的錫熔點(diǎn)比鉛低。3. 同周期中的幾個(gè)區(qū)域的熔點(diǎn)規(guī)律 高熔點(diǎn)單質(zhì)C,Si ,B三角形小區(qū)域，因其為原子晶體，故熔點(diǎn)高，金剛石和石墨的熔點(diǎn)最高大于3550 C。金屬元素的高熔點(diǎn)區(qū)在過渡元素的中部和中下部，其最高熔點(diǎn)為鎢（3410 C）。 低熔點(diǎn)單質(zhì) 非金屬低熔點(diǎn)單質(zhì)集中于周期表的右和右上方，另有IA的氫氣。其中稀有氣體熔、沸

16、點(diǎn)均為同周期的最低者，如氦的熔點(diǎn)（272.2 C, 26X105Pa）、沸點(diǎn)（268.9 C）最低。金屬的低熔點(diǎn)區(qū)有兩處：IA、n B族Zn, Cd, Hg及川A族中Al , Ge, Th;W A族的Sn, Pb;V A族的Sb, Bi，呈三角形分布。最低熔點(diǎn)是 Hg（ 38.87 C），近常溫呈液態(tài)的鎵（29.78。）銫（28.4 C）,體溫即能使其熔 化。4. 從晶體類型看熔、沸點(diǎn)規(guī)律晶體純物質(zhì)有固定熔點(diǎn)；不純物質(zhì)凝固點(diǎn)與成分有關(guān)（凝固點(diǎn)不固定）。 非晶體物質(zhì)，如玻璃、水泥、石蠟、塑料等，受熱變軟，漸變流動(dòng)性（軟化過程）直至液體，沒有熔點(diǎn)。 原子晶體的熔、沸點(diǎn)高于離子晶體，又高于分子晶體。

17、例如：SiO2NaCL CO2（干冰）。在原子晶體中成鍵元素之間共價(jià)鍵越短的鍵能越大，則熔點(diǎn)越高。判斷時(shí)可由原子半徑推導(dǎo)出鍵長(zhǎng)、鍵能再比較。女口鍵長(zhǎng)： 金剛石（C C）碳化硅（Si C）晶體硅（Si Si）。熔點(diǎn)：金剛石 碳化硅 晶體硅 在離子晶體中，化學(xué)式與結(jié)構(gòu)相似時(shí)，陰陽離子半徑之和越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越咼。反之越低。女口 KF> KCI > KBr > KI , ca* > KCI。 分子晶體的熔沸點(diǎn)由分子間作用力而定，分子晶體分子間作用力越大物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高，反之越低。（具有氫鍵的分子晶體，熔沸點(diǎn)反常地高，如：H2O>H2Te> H2Se>

18、 H2S, C2H5O>CH3-O-CH3）。對(duì)于分子晶體而言又與極性大小有關(guān)，其判斷思路大體是：i 組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)越高。如：CH4< SiH4 v GeH< SnH4, I2 > Br2 > CI2 > F2。組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵， 則分子之間作用力增大， 熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。 例如，熔點(diǎn)：HI > HBr> HF> HCI;沸點(diǎn)：HF> HI > HBr> HCI。H2O> H2Te> H2Se> H

19、2S, C2H5O>CH3-O- CH3ii組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)（相對(duì)分子質(zhì)量相近），分子極性越大，其熔沸點(diǎn)就越高。如：CO> N2, CH3O>CH3- CH3iii在高級(jí)脂肪酸形成的油脂中， 不飽和程度越大，熔沸點(diǎn)越低。女口： C17H35COOH硬脂酸）> C17H33COOH（油酸）;v烴、鹵代烴、醇、醛、羧酸等有機(jī)物一般隨著分子里碳原子數(shù)增加，熔沸點(diǎn)升高，如C2H6> CH4,C2H5CI>CH3CI, CH3COO>HCOOH v同分異構(gòu)體：鏈烴及其衍生物的同分異構(gòu)體隨著支鏈增多，熔沸點(diǎn)降低。如：CH3（CH2）3CH3（正）> C

20、H3CH2CH（CH3）2g） > （CH3）4C（新）。芳香烴的異構(gòu)體有兩個(gè)取代基時(shí)，熔點(diǎn)按對(duì)、令鄰、間位降低。（沸點(diǎn)按鄰、間、對(duì)位降低） 金屬晶體：金屬單質(zhì)和合金屬于金屬晶體，其中熔、沸點(diǎn)高的比例數(shù)很大，如鎢、鉑等（但也有低的如汞、銫等）。金屬晶體（除少數(shù)外）分子晶體。在金屬晶體中金屬原子的價(jià)電子數(shù)越多，原子半徑越小，金屬陽離子與自由電子靜電作用越強(qiáng)，金屬鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高，反之越低。如：Nav Mg< Al。合金的熔沸點(diǎn)一般說比它各組份純金屬的熔沸點(diǎn)低。如鋁硅合金<純鋁（或純硅）。5. 某些物質(zhì)熔沸點(diǎn)高、低的規(guī)律性 同周期主族（短周期）金屬熔點(diǎn)。女口Li<Be ,

21、 Na<Mg<AI 堿土金屬氧化物的熔點(diǎn)均在2000C以上，比其他族氧化物顯著高，所以氧化鎂、氧化鋁是常用的耐火材料。 鹵化鈉（離子型鹵化物）熔點(diǎn)隨鹵素的非金屬性漸弱而降低。女口NaF>NaCI>NaBr>Nal。通過查閱資料我們發(fā)現(xiàn)影響物質(zhì)熔沸點(diǎn)的有關(guān)因素有：化學(xué)鍵，分子間力（德華力）、氫鍵;晶體結(jié)構(gòu)，有晶體類型、三維結(jié)構(gòu)等，好象石墨跟金剛石就有點(diǎn)不一樣；晶體成分，例如分子篩的桂鋁比；雜質(zhì)影響：一般純物質(zhì)的熔點(diǎn)等都比較高。但是，分子間力又與取向力、誘導(dǎo)力、色散力有關(guān)，所以物質(zhì)的熔沸點(diǎn)的 高低不是一句話可以講清的。我們?cè)谥袑W(xué)階段只需掌握以上的比較規(guī)律二、例題分析1

22、. 下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：A.晶體硅>金剛石碳化硅B. CsCI> KCI > NaCIC. SiO2 >CO2> HeD. I2> Br2 > He解析：A中三種物質(zhì)都是原子晶體半徑Cv Si，則熔點(diǎn)：金剛石碳化硅>晶體硅，B中應(yīng)為：NaCI>KCI> CsCI,因?yàn)殡x子的半徑越小，離子鍵越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)就越高。因此C D正確。答案：C、D2. 下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律，與共價(jià)鍵的鍵能大小有關(guān)的是：A.F2、CI2、Br2、12的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高 B.HF、HCI、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸

23、點(diǎn)都高于晶體硅D.NaF、NaCI、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次降低解析：F2、CI2、Br2、12形成的晶體屬于分子晶體。它們的熔沸點(diǎn)高低決定于分子間的作力，與共價(jià)鍵的鍵能 無關(guān)，A錯(cuò)；HF HCI、HBr、HI的分子存在共價(jià)鍵，它們的熱穩(wěn)定性與它們部存在的共價(jià)鍵的強(qiáng)弱有關(guān)，B正確；金剛石和晶體硅都是原子間通過共價(jià)鍵結(jié)合而成的原子晶體，其熔沸點(diǎn)的高低決定于共價(jià)鍵的鍵能，C正確；NaF、NaCI、NaBr、NaI都是由離子鍵形成的離子晶體，其部沒有共價(jià)鍵，D錯(cuò)。答案：B、C3. 下列各組物質(zhì)中，按熔點(diǎn)由低到高順序排列正確的是：A. O2 I2 Hg B. CO KCI SiO2 C. Na K

24、Rb D. SiC NaCI SO2解析： 選項(xiàng)A中的O2是氣體，12是固體，Hg是液體，所以熔點(diǎn)由低到高的順序是： O2 v Hg v I2 ;選項(xiàng)B 中的CO固態(tài)時(shí)是分子晶體，KCl屬于離子晶體，SiO2屬于原子晶體，所以熔點(diǎn)由低到高的順序是：CQ KCl vSiO2;選項(xiàng)C中的Na、K、Rb都是金屬晶體，原子半徑不斷增大，金屬鍵不斷減弱，所以熔點(diǎn)不斷降低；選項(xiàng)D中的SiC屬于原子晶體，NaCl屬于離子晶體，SO2形成分子晶體，因此熔點(diǎn)不斷降低。答案：B4. ( 09全國(guó)卷I 29 )已知周期表中，元素 Q R、W Y與元素X相鄰。Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物是強(qiáng)酸?；卮鹣铝袉栴}：(1)

25、W與Q可以形成一種高溫結(jié)構(gòu)瓷材料。W的氯化物分子呈正四面體結(jié)構(gòu)，W的氧化物的晶體類型是(2) Q的具有相同化合價(jià)且可以相互轉(zhuǎn)變的氧化物是 ；(3) R和Y形成的二元化合物中，R呈現(xiàn)最高化合價(jià)的化合物是化學(xué)式是 ；(4) 這5個(gè)元素的氫化物分子中，立體結(jié)構(gòu)類型相同的氫化物的沸點(diǎn)從高到低排列次序是(填化學(xué)式)，其原因是；電子總數(shù)相同的氫化物的化學(xué)式和立體結(jié)構(gòu)分別是 ；(5) W和 Q所形成的結(jié)構(gòu)瓷材料的一種合成方法如下：W的氯化物與Q的氫化物加熱反應(yīng)，生成化合物W(QH2)4和HCI氣體；W(QH2)4在高溫下分解生成 Q的氫化物和該瓷材料。上述相關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式(各物質(zhì)用化學(xué)式表示)是。解析：

26、本題可結(jié)合問題作答。W的氯化物為正四體型，則應(yīng)為SiCl4或CCl4,又W與 Q形成高溫瓷，故可推斷 W為Si。(1)SiO2為原子晶體。(2)高溫瓷可聯(lián)想到Si3N4,Q為N,則有NO2與N2O4之間的相互轉(zhuǎn)化關(guān)系。(3)Y的最高價(jià)氧化的的水化物為強(qiáng)酸，且與Si、N等相鄰，則只能是 S Y為Q所以R為As元素。(4)顯然X為P元素。氫化物沸點(diǎn)順序?yàn)?NH3> AsH3> PH3因?yàn)镹H3分子間存在氫鍵，所以沸點(diǎn)最高。相對(duì)分子質(zhì)量AsH3> PH3,分子間的作用力 AsH3> PH3故AsH3得沸點(diǎn)高于PH3oSiH4、PH3和H2S的電子數(shù)均為18。結(jié)構(gòu)分別 為正四面

27、體，三角錐和角形( V形)。(5)由題中所給出的含字母的化學(xué)式可以寫出具體的物質(zhì)，然后配平即可。答案：(1)原子晶體。(2) NO2和N2O4( 3) As2S5。( 4)NH3 > AsH3> PH3因?yàn)榍罢咧泻袣滏I。SiH4、PH3和H2S結(jié)構(gòu)分別為正四面體，三角錐和角形(V形)。(5) SiCI4 + 4NH3Si(NH2)4 + 4HCI , 3Si(NH2)4Si3N4 + 8NH3 f5. (09卷32) C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。(1) 寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式。從電負(fù)性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)椤?2) SiC的

28、晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為，微粒間存在的作用力是。(3) 氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，貝U M為(填元素符號(hào))。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO勺熔點(diǎn)比CaO的高，其原因是。(4) C Si為同一主族的元素，CO2和 SiO2化學(xué)式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成b鍵和n鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述n健。從原子半徑大小的角度分析，為何C O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述n鍵。解析：(1) C、Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)椋篛> C> Si。(2)晶體硅中一個(gè)硅原子周圍與4個(gè)硅原子相連，呈

29、正四面體結(jié)構(gòu)，所以雜化方式是sp3。(3) SiC電子總數(shù)是20個(gè)，則氧化物為 MgO晶格能與所組成離子所帶電荷成正比，與離子半徑成反比，MgO與 CaO的離子電荷數(shù)相同，Mg2+半徑比Ca2+小, MgO晶格能大，熔點(diǎn)高。(4) Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，P-P軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的n鍵。答案：(1) 1s22s22p63s23p2 O > C> Si(2) sp3 共價(jià)鍵 (3) Mg Mg2+ 半徑比 Ca2+小, MgO晶格能大(4) Si的原子半徑較大，Si、O原子間距離較大，p p軌道肩并肩重疊程度較小，不能形成上述穩(wěn)定的n鍵6. (09卷30) Q R X、Y、Z