專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)分析

1、LED專(zhuān)利競(jìng)爭(zhēng)一、國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利現(xiàn)狀國(guó)際上LED照明技術(shù)的發(fā)展空間雖然很大，但核心專(zhuān)利基本都被外國(guó)幾大公司控制，這些公司利用各自的核心專(zhuān)利，采取橫向(同時(shí)進(jìn)入多個(gè)國(guó)家)和縱向(不斷完善設(shè)計(jì)，進(jìn)行后續(xù)申請(qǐng))擴(kuò)展方式，在全世界范圍內(nèi)布置專(zhuān)利網(wǎng)。目前主要國(guó)家和地區(qū)專(zhuān)利狀況請(qǐng)見(jiàn)附表。國(guó)際上有關(guān)GaN基材料和器件的專(zhuān)利有以下特點(diǎn)：* 有關(guān)GaN基材料的專(zhuān)利數(shù)量大，總數(shù)在數(shù)千項(xiàng)以上，但大部分都在20世紀(jì)90年代以后申請(qǐng)。* 關(guān)鍵專(zhuān)利都掌握在日本、美國(guó)、德國(guó)等少數(shù)國(guó)家的少數(shù)大公司手中，如日本的日亞、豐田合成、東芝、索尼、NTT，美國(guó)的Lumileds、 Cree，德國(guó)的Osram公司等。* 國(guó)外大公司都很重視技

2、術(shù)專(zhuān)利的申請(qǐng)，有關(guān)GaN基半導(dǎo)體LED的關(guān)鍵技術(shù)都已經(jīng)在本國(guó)或國(guó)際上申請(qǐng)了專(zhuān)利，基本覆蓋了從襯底制備、外延材料、器件設(shè)計(jì)、管芯工藝到封裝和應(yīng)用設(shè)計(jì)的各個(gè)方面。其中主要包括襯底材料、大失配外延低溫緩沖層、P型GaN的摻雜及退火激活技術(shù)、高質(zhì)量InGaN材料的生長(zhǎng)及控制技術(shù)、P型GaN/Al GaN超晶格提高空穴濃度技術(shù)、GaN基LED透明電極技術(shù)等等。以上專(zhuān)利是高亮度GaN基LED發(fā)展史上的突破性技術(shù)，目前有些專(zhuān)利是材料生長(zhǎng)和器件制作無(wú)法繞開(kāi)的。國(guó)內(nèi)有關(guān)GaN基材料和器件的專(zhuān)利狀況：* 我國(guó)申請(qǐng)人未掌握上游核心技術(shù)，發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)量較少，大都屬于外圍技術(shù)，數(shù)量不多的外圍專(zhuān)利和下游水平低、效力未定的

3、新型專(zhuān)利無(wú)法形成專(zhuān)利網(wǎng)。另外，一些申請(qǐng)人未向境外申請(qǐng)專(zhuān)利。這種國(guó)內(nèi)無(wú)法形成專(zhuān)利網(wǎng)布局、境外沒(méi)有專(zhuān)利保護(hù)的現(xiàn)狀，使得我國(guó)半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的軟肋。* 申請(qǐng)時(shí)間上，我國(guó)半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的最早申請(qǐng)日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游產(chǎn)業(yè)中的傳統(tǒng)技術(shù)手段如芯片電極、劃片、封裝材料、外延緩沖層、碳化硅襯底的時(shí)間差距最大，一般在15年到20年。主流技術(shù)如外延接觸層、外延覆蓋層、外延量子阱技術(shù)、超晶格技術(shù)、氮化鎵襯底技術(shù)、芯片微結(jié)構(gòu)技術(shù)、鈍化技術(shù)等相差10年左右。在下游產(chǎn)業(yè)中，普遍相差10年左右。另外，與外國(guó)相比，我國(guó)缺少原創(chuàng)技術(shù)，基本上所有的專(zhuān)利申請(qǐng)技術(shù)都在外國(guó)技術(shù)

4、路線的范疇內(nèi)。* 我國(guó)在芯片、封裝和LED應(yīng)用領(lǐng)域與外國(guó)熱點(diǎn)申請(qǐng)方向發(fā)生偏離。如芯片領(lǐng)域，我國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)未涉及外國(guó)公司極為看重的芯片外形技術(shù)、表面粗糙化技術(shù)、襯底剝離技術(shù)。封裝領(lǐng)域，我國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)雖然有自身的優(yōu)勢(shì)分支，但在近年來(lái)較為熱門(mén)的基座和熒光粉材料方面與國(guó)外差距巨大。應(yīng)用領(lǐng)域，我國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)相對(duì)成熟的指示應(yīng)用、景觀照明方面，部分申請(qǐng)涉及顯示屏和交通信號(hào)燈，但對(duì)國(guó)際流行的技術(shù)分支，如LED燈具和背光照明的申請(qǐng)量卻很少。* 國(guó)內(nèi)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)量主要集中在科研院所和院校，實(shí)用新型專(zhuān)利權(quán)大部分掌握在個(gè)人手中。上游發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)量集中于中科院系統(tǒng)的研究所，包括半導(dǎo)體所、物理所和長(zhǎng)春光機(jī)物理所。

5、而企業(yè)占有發(fā)明專(zhuān)利的比例不超過(guò)5%，實(shí)用新型專(zhuān)利不超過(guò)10%。這與國(guó)外以企業(yè)為主的申請(qǐng)情況大相徑庭。二、半導(dǎo)體照明專(zhuān)利形勢(shì)目前半導(dǎo)體照明技術(shù)發(fā)展非常迅速，產(chǎn)業(yè)遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到成熟，產(chǎn)業(yè)化的芯片發(fā)光效率僅為30lm/W，與普通照明要求的100lm/W 以上的指標(biāo)有很大差距。未來(lái)的技術(shù)路線在不斷發(fā)展，白光技術(shù)路線在探索，襯底、外延、芯片、封裝技術(shù)都在不斷更新。因此我們還是有很多突破機(jī)會(huì)的。我國(guó)在每個(gè)技術(shù)領(lǐng)域都有申請(qǐng)量超過(guò)或接近外國(guó)申請(qǐng)量的技術(shù)分支，尤其是在上游產(chǎn)業(yè)上擁有一些外圍發(fā)明專(zhuān)利，這為日后我國(guó)應(yīng)對(duì)可能發(fā)生的專(zhuān)利訴訟戰(zhàn)提供了談判籌碼。1.LED白光普通照明發(fā)展仍有空間，我國(guó)有機(jī)會(huì)與外國(guó)同行一較高低。

6、2.我國(guó)在復(fù)合襯底專(zhuān)利方面有一定優(yōu)勢(shì)。3.由于專(zhuān)利易于被縮小保護(hù)范圍和被規(guī)避，對(duì)我國(guó)外延方面的專(zhuān)利訴訟比較困難。4.在芯片方面我國(guó)有很大發(fā)展?jié)摿?，白光普通照明的芯片技術(shù)與現(xiàn)有的技術(shù)可能會(huì)有較大差異。5.中低檔產(chǎn)品領(lǐng)域和應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域大有可為。6.2年至3年內(nèi)不會(huì)有針對(duì)我國(guó)企業(yè)的大規(guī)模訴訟案發(fā)生。 三、中國(guó)利用專(zhuān)利制度方面存在的問(wèn)題一是專(zhuān)利制度運(yùn)用不恰當(dāng)。專(zhuān)利制度的核心在于利用技術(shù)成果向社會(huì)公開(kāi)，以換取一定區(qū)域和時(shí)間內(nèi)的壟斷權(quán)，那么專(zhuān)利技術(shù)是否容易形成壟斷，是否容易得到保護(hù)就決定了技術(shù)成果是否適合申請(qǐng)專(zhuān)利。是否適合申請(qǐng)專(zhuān)利，何時(shí)申請(qǐng)專(zhuān)利，如何實(shí)施專(zhuān)利權(quán)保護(hù)是專(zhuān)利制度運(yùn)用的重要方面，我們?cè)谶@些地方有

7、所欠缺。二是專(zhuān)利保護(hù)范圍不恰當(dāng)。國(guó)外申請(qǐng)的專(zhuān)利，產(chǎn)品權(quán)利要求非常寬泛，一般會(huì)采用功能性限定，或者物理化學(xué)性質(zhì)的方式來(lái)撰寫(xiě)。而我國(guó)的權(quán)利，往往加入許多非必要技術(shù)特征，權(quán)利要求保護(hù)范圍都比較窄。雖然專(zhuān)利申請(qǐng)的保護(hù)主題相同，但我國(guó)申請(qǐng)人所能得到的專(zhuān)利權(quán)范圍要小得多。三是國(guó)內(nèi)申請(qǐng)人利用專(zhuān)利制度起步晚。自1985年我國(guó)建立專(zhuān)利制度到1999年期間，是專(zhuān)利申請(qǐng)的空白期。就目前我國(guó)的半導(dǎo)體照明領(lǐng)域來(lái)說(shuō)，我們已獲得的專(zhuān)利權(quán)數(shù)量要少很多。四是僅在低層次運(yùn)用了專(zhuān)利制度。專(zhuān)利權(quán)人的專(zhuān)利申請(qǐng)缺少統(tǒng)一部署，專(zhuān)利申請(qǐng)后僅在個(gè)體單項(xiàng)保護(hù)的基礎(chǔ)上實(shí)施，具體措施僅限于單方許可和訴訟保護(hù)。 四、半導(dǎo)體照明專(zhuān)利戰(zhàn)略應(yīng)務(wù)實(shí)1.在技術(shù)

8、上提倡多種技術(shù)路線并存，對(duì)有可能形成中國(guó)特色的技術(shù)路線有所側(cè)重，在產(chǎn)業(yè)層次上做到有所為、有所不為。在數(shù)量龐大的專(zhuān)利面前，中國(guó)要打破壟斷，建立自主創(chuàng)新的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，就要提倡多種技術(shù)路線并存，并對(duì)有可能形成中國(guó)特色的技術(shù)路線有所側(cè)重。從技術(shù)路線角度考慮，國(guó)內(nèi)可以分幾個(gè)梯隊(duì)進(jìn)行研究。第一梯隊(duì)還要圍繞國(guó)際主流的技術(shù)路線去探索，在主要技術(shù)路線上創(chuàng)造新的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。而第二或第三梯隊(duì)就要研究國(guó)外也沒(méi)有實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的新方法，走出國(guó)際三種技術(shù)路線的包圍，例如開(kāi)發(fā)直接發(fā)白光的芯片，開(kāi)發(fā)受激發(fā)后直接發(fā)白光的白光熒光粉。從產(chǎn)業(yè)鏈角度考慮，我國(guó)應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)發(fā)展封裝和應(yīng)用技術(shù)，但上游技術(shù)領(lǐng)域也不能放棄。我國(guó)在上游的每個(gè)環(huán)節(jié)都有一

9、定的技術(shù)積累，例如在襯底技術(shù)中的復(fù)合襯底、外延技術(shù)中的量子阱和隧道結(jié)技術(shù)、芯片技術(shù)中的電極和劃片技術(shù)等領(lǐng)域，我國(guó)已經(jīng)擁有了一定數(shù)量的外圍專(zhuān)利，在此基礎(chǔ)上應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步發(fā)揮優(yōu)勢(shì)，深入開(kāi)展橫向、縱向研究，可以爭(zhēng)取更大的發(fā)展空間。2.在市場(chǎng)開(kāi)發(fā)策略上，要利用專(zhuān)利的地域性特點(diǎn)區(qū)分國(guó)內(nèi)國(guó)際發(fā)展路線。專(zhuān)利權(quán)具有地域性。由于外國(guó)進(jìn)入中國(guó)的專(zhuān)利技術(shù)與其實(shí)際掌握的技術(shù)存在差異，我國(guó)可以充分利用這些空間，直接拿外國(guó)未在中國(guó)申請(qǐng)的技術(shù)在中國(guó)制造、銷(xiāo)售和使用。建議國(guó)內(nèi)產(chǎn)品主要走歐美基本專(zhuān)利的外圍路線，或者在基本專(zhuān)利基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，或者尋找歐美未在中國(guó)申請(qǐng)的外圍專(zhuān)利。若進(jìn)入海外市場(chǎng)，可以考慮開(kāi)拓這些技術(shù)強(qiáng)國(guó)未申請(qǐng)專(zhuān)利的地區(qū)

10、，如中東地區(qū)、非洲國(guó)家等。如進(jìn)入歐美和日本市場(chǎng)，就要仔細(xì)研究這些國(guó)家的專(zhuān)利的權(quán)利要求保護(hù)范圍以及專(zhuān)利侵權(quán)判斷原則。美國(guó)是判例法系，只能?chē)?yán)格地按照權(quán)利要求書(shū)的字面含義來(lái)進(jìn)行，任何擴(kuò)大解釋都是不允許的。而歐洲采用中心限定論，權(quán)利要求的保護(hù)范圍以權(quán)利要求所陳述的基本內(nèi)核為中心，向外做適當(dāng)?shù)臄U(kuò)大解釋。由此可見(jiàn)，在進(jìn)入美國(guó)和歐洲市場(chǎng)時(shí)，需要采取不同措施。前者可以采用多種方法來(lái)規(guī)避或替代，例如整體變劣、等同替換等。針對(duì)歐洲市場(chǎng)，建議不要貿(mào)然進(jìn)入。如果確實(shí)無(wú)法規(guī)避或替代，建議采用引進(jìn)戰(zhàn)術(shù)。目前，我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商為了進(jìn)入高端領(lǐng)域，頻頻與日本幾大公司接觸，部分廠商已獲得日本公司在上游產(chǎn)品的專(zhuān)利授權(quán)。我國(guó)要想在上游產(chǎn)業(yè)立足，也可以采取這一策略?？傊嬲龑?shí)現(xiàn)半導(dǎo)體照明，就必須進(jìn)一步提高GaN基LED的發(fā)光效率，并大幅度降低生產(chǎn)成本。目前，國(guó)內(nèi)從事GaN基LED