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文檔簡介
1、StratixFPGA電源方案設計與驗證 針對Stratix系列FPGA系統(tǒng)電源需求情況,給出了一套基于Intersil高效三輸出同步補償穩(wěn)定器的“單片”電源解決方案。根據(jù)實驗數(shù)據(jù)分析與驗證,該方案具有較強的可行性,且在功耗、效率及穩(wěn)定性等方面都優(yōu)于傳統(tǒng)的“多片”電源方案。Stratix系列FPGA是Altera公司推出的面向高帶寬系統(tǒng)的可編程邏輯器件。Stratix器件具備強大的內(nèi)核性能、存儲能力以及靈活的設計架構(gòu),從而為日益復雜的系統(tǒng)設計爭取了更短的設計周期和更快的上市時間。S
2、0; 針對Stratix系列FPGA系統(tǒng)電源需求情況,給出了一套基于Intersil高效三輸出同步補償穩(wěn)定器的“單片”電源解決方案。 根據(jù)實驗數(shù)據(jù)分析與驗證,該方案具有較強的可行性,且在功耗、效率及穩(wěn)定性等方面都優(yōu)于傳統(tǒng)的“多片”電源方案。 Stratix系列FPGA是Altera公司推出的面向高帶寬系統(tǒng)的可編程邏輯器件。Stratix器件具備強大的內(nèi)核性能、存儲能力以及靈活的設計架構(gòu),從而為日益復雜的系
3、統(tǒng)設計爭取了更短的設計周期和更快的上市時間。Stratix器件支持多種I/O標準和高速接口,提供了完善的時鐘管理功能,有多達12個嵌入式鎖相環(huán)(PLL)和40個全局時鐘,并且內(nèi)嵌高帶寬DSP模塊,能完成高于DSP處理器的數(shù)據(jù)處理任務。因此,Stratix器件特別適用于需要進行大數(shù)據(jù)量高速數(shù)字信號處理的應用1。StratixTM FPGA的高密度、高速以及大容量存儲等特性使其對系統(tǒng)電源管理及功耗有著嚴格的要求,特別是FPGA邏輯內(nèi)核通常對電流的要求非常高,根據(jù)所用門數(shù)和時鐘頻率,甚至可高達數(shù)10A。因此,設計一套高效、高性能的FPGA電源解決方案十分必要。
4、160; 1 系統(tǒng)電源需求分析 Stratix系列FPGA采用1.5V、0.13m全銅SRAM工藝,可集成10 57079 040個邏輯單元(LEs),提供高達10MB的RAM1?;赟tratixTM FPGA的開發(fā)系統(tǒng)有多種電源需求,最基本的兩種是內(nèi)核電壓和I/O電壓。另外根據(jù)不同開發(fā)系統(tǒng)的功能要求,可能還存在其他多種電源需求。因此,F(xiàn)PGA系統(tǒng)復雜的電源需求要求在進行系統(tǒng)設計時,綜合考慮多種因素,從而建立一套完善的電源管理系統(tǒng)。 內(nèi)核
5、電壓VCCINT為FPGA內(nèi)部邏輯和輸入緩沖區(qū)供電,設定電壓1.5V。內(nèi)核電流消耗(ICCINT)取決于時鐘頻率和內(nèi)部單元使用率,根據(jù)所選Stratix器件不同功耗最大值分別為1.5A10A,如EP1S40最大ICCINT為6A2。FPGA內(nèi)核對瞬態(tài)響應的要求非常嚴格,內(nèi)核電壓必須緩慢單調(diào)增加,并且要求在固定的時間內(nèi)上升到穩(wěn)定的電壓,Stratix器件要求最大上升時間不超過100ms。 I/O電壓VCCIO為FPGA輸出緩沖區(qū)供電。Stratix器件支持多種單端和差分I/O標準,如LVTTL、LVCMOS、SSTL、HST
6、L、LVDS、LVPECL、PCML等,能夠?qū)崿F(xiàn)在不同接口電平和協(xié)議下的高速數(shù)據(jù)傳輸。根據(jù)所選擇的I/O標準,VCCIO可以設定為1.5V、1.8V、2.5V或3.3V1。I/O標準可按照FPGA中的塊區(qū)(BANK)獨立設置,因此對于單一的FPGA可能會存在多個I/O電壓。 綜合考慮以上各種因素以及目前各種嵌入式應用系統(tǒng)對功耗和體積的嚴格要求,本文選用了Intersil高效三輸出同步補償穩(wěn)定器作為FPGA系統(tǒng)的主電源芯片。 2 系統(tǒng)電源解決方案
7、0; 高性能模擬技術(shù)半導體公司Intersil推出的ISL644X家族電源芯片,主要面向需要多路電源輸出的系統(tǒng)應用,為xDSL調(diào)制解調(diào)器/路由器、DSP和FPGA電源需求、機頂盒等應用提供了很好的解決方案3。針對StratixTM FPGA的電源需求分析,選用ISL6443進行FPGA電源系統(tǒng)的設計。 ISL6443集成了兩個同步降壓控制器(PWM)和一個線性穩(wěn)壓器。兩個PWM呈180°異相同步,充分降低了輸入電流和紋波電壓的有效值,降低了對輸入濾波器的
8、要求,從而既可獨立提供FPGA內(nèi)核電壓VCCINT,又可獨立提供I/O電壓VCCIO。ISL6443融合了多項保護和監(jiān)控特性,可調(diào)的過流保護電路通過檢測下部MOSFET上的電壓降來監(jiān)控輸出電流,間歇性(Hiccup)過流工作模式保護DC-DC元件,避免其在輸出過載或短路情況下被損壞。芯片有四根控制線(SS1、SD1、SS2、SD2),為每個PWM的輸出提供獨立的控制,從而實現(xiàn)兩個PWM控制器的可編程軟啟動。降壓PWM控制器的固有頻率為300kHz。ISL6443采用電流模式控制電路為調(diào)制器提供帶有輸入電壓前反饋的斜坡輸入,能很好地抑制輸入電壓變化,提供簡化的環(huán)路補償。ISL6443采用28腳四
9、邊形扁平無引腳(QFN)封裝,僅占有5mm×5mm的面積,大大提高了PCB板的利用效率4。 2.1 電路設計分析 結(jié)合StratixTM FPGA和ISL6443的各自特點,給出了FPGA電源系統(tǒng)各部分電路的詳細參考設計,并進行了仿真和驗證。 2.1.1 內(nèi)核與I/O供電電路4 內(nèi)核與I/O電壓是FPGA系統(tǒng)正常工作的保證。StratixTM FPGA
10、的內(nèi)核電壓VCCINT設定為1.5V,由VOUT1提供,如圖1所示。I/O電壓VCCIO根據(jù)不同的系統(tǒng)所要求的標準而定,這里定為3.3V,由VOUT2提供。由于篇幅有限,圖1將兩部分電路合二為一進行分析。如圖1所示,ISL6443具有寬工作電壓范圍4.5V24V,VIN輸入電壓范圍受最大占空比(DMAX=93%)和最小接通時間(tON(MIN))的限制。VIN(MAX)其中,tON(MIN)=30ns。 VCC_5V是內(nèi)嵌5V線性穩(wěn)壓器(LDO)的輸出腳,為IC、低端門驅(qū)動器提供偏壓,且為高端門驅(qū)動器的外部自舉
11、電路供電。若用作5V電源輸入時,該腳必須與VIN相連。如圖1,VCC_5V腳必須通過一個靠近該腳的4.7F的旁路電容接地,以實現(xiàn)去耦。如果VCC_5V的輸出短路,則熱過載保護電路將啟動。輸出端VOUT與地之間的反饋電阻分壓器設定每個PWM通道的輸出電壓。分壓器的中點接至FBx腳,為相應的控制器提供電壓反饋信號。而且,PGOOD電路利用這些輸入來監(jiān)控VOUT。VOUT=0.8Vx()其中,R2是反饋分壓網(wǎng)絡的上部電阻,R3是FBx與地之間連接的電阻。 如圖1所示,門控邏輯將生成的PWM信號轉(zhuǎn)換為門驅(qū)動信號,提供放
12、大、電平移動和擊穿保護。FDS6990集成了兩個N溝道MOSFET,高端MOSFET的門驅(qū)動電壓由自舉電路產(chǎn)生。選用BAT54HT1肖特基勢壘二極管作為自舉二極管,正極與VCC_5V相連。BOOT腳與PHASE腳之間的自舉電容為高端MOSFET驅(qū)動器供電。UGATE為高端MOSFET提供門驅(qū)動,LGATE為低端MOSFET提供門驅(qū)動。啟動時,低端MOSFET導通,使PHASE接地,從而給自舉電容充電至5V。低端MOSFET斷開后,高端MOSFET通過關(guān)閉BOOT和UGATE之間的內(nèi)部開關(guān),實現(xiàn)導通,從而提供所需的柵極-源極電壓來導通高端MOSFET。
13、0; 2.1.2 輔助I/O供電電路4 根據(jù)FPGA系統(tǒng)的不同需求,可能存在不同的I/O標準,因此可能存在多個I/O電壓。由于ISL6443集成了一個額定增益為2A/V的線性穩(wěn)壓器,可利用VOUT2(3.3V)為其供電,輸出VOUT3(2.5V)作為輔助I/O電壓。 如圖2所示,GATE3是線性穩(wěn)壓器的漏極開路輸出,F(xiàn)B3與反饋電阻分壓器相連,提供電壓反饋信號。Q1選用了IRF7404P溝道MOSFET。當PWM的輸出升高且超過了MOSFE
14、T調(diào)整器件的門限時,線性穩(wěn)壓器的輸出將跟蹤PWM電源。PWM和線性穩(wěn)壓器的輸出之間的電壓差分等于負載電流和MOSFET導通電阻(RDS(ON)的乘積。 2.1.3 ISL6443控制電路4 控制電路主要用來實現(xiàn)ISL6443的過流保護、反饋回路補償、多個控制器的同步等功能。 如圖3所示,PGOOD為漏極開路輸出,用來監(jiān)控輸出電壓的狀態(tài)。當任一PWM的輸出超過相應額定電壓的10%,或線性穩(wěn)壓器的
15、輸出小于額定值的75%時,PGOOD變?yōu)榈碗娖?,從而使轉(zhuǎn)換器輸出受到過載、短路和欠壓保護。另外,SS1和SS2腳為相應的PWM控制器提供軟啟動功能。當軟啟動開始時,由于有5A的電流注入外部電容,激活的PWM通道的SS腳上的電壓呈斜坡上升,輸出電壓跟隨軟啟動電壓變化。當SS腳上的電壓達到0.8V時,激活的PWM通道的輸出電壓達到規(guī)定值,從而完成軟啟動過程。SD1和SD2腳為相應的PWM輸出提供使能或禁用功能,高電平啟動,低電平輸出禁用。 兩個PWM控制器都使用低端MOSFET導通電阻(RDS(ON))進行電流監(jiān)控。檢測到的電
16、壓降與OCSETx腳和地之間的電阻(如圖3中R8、R9)設置的門限相比較:ROCSET= 其中,IOC是規(guī)定的過流保護門限,RCS是與ISENx腳相連的電流感應電阻。如果過流持續(xù)2個時鐘周期,則進入Hiccup模式,門驅(qū)動器斷開,進入軟啟動。重新啟動前,IC在軟啟動過程中要循環(huán)兩次。IC會在軟啟動過程中持續(xù)循環(huán),直到過流現(xiàn)象消除為止。 圖3中SYNC腳用來實現(xiàn)兩個或多個ISL6443控制器的同步。使用時需接下拉電阻,不用時將其與VCC_5V相連。
17、60; 2.2 PCB布局考慮 布局對基于ISL6443的DC-DC轉(zhuǎn)換器的成功實現(xiàn)非常關(guān)鍵。ISL6443工作在高頻模式下,開關(guān)時間非常短,在這種開關(guān)頻率下,即使最短的連線也會產(chǎn)生較大的阻抗。同時,峰值門驅(qū)動電流也會在極短的時間內(nèi)顯著升高。電流從一個器件到另一器件的轉(zhuǎn)換速度引起互連阻抗和寄生電路元件上的電壓尖脈沖。該電壓尖脈沖會降低效率,產(chǎn)生EMI,增加過壓應力和阻尼振蕩。仔細考慮PCB板布局,可使電壓尖脈沖的值最小。針對以上考慮總結(jié)了幾點布局上需注意的地方4:
18、 (1)輸入電容、高端FET、低端FET、電感和輸出電容應首先放置。將輸入高頻去耦電容放在非??拷麺OSFET的地方。 (2)在IC附近建立一個小的模擬接地平面。將SGND腳接至該平面,包括反饋電阻、電流極限設置電阻以及SDx下拉電阻的所有小信號接地端都接至SGND平面。 (3)高電流接地端PGND與小信號接地端SGND必須分開,在靠近IC的地方將SGND和PGND相連。 (4)確
19、保從輸入電容到MOSFET、輸出電感和輸出電容的電流通路盡可能短,同時有最大的容許線寬。 (5)將PWM控制器靠近低端FET 放置。LGATE 的連接應該較短而且較寬。IC最好放置在無噪聲接地的地方。 (6)將VCC_5V旁路電容接在非常靠近VCC_5V腳的地方,將它的接地端接至PGND上。將門驅(qū)動元件自舉二極管和自舉電容放在接近IC的地方。 (7)輸出電容應盡量靠近負載。用短而寬的覆銅層連接輸出電容和負
20、載,避免產(chǎn)生感抗和阻抗。 3 實驗數(shù)據(jù)分析與驗證 利用Catena公司提供的SIMetrix/SIMPLIS仿真工具實現(xiàn)了該電源方案的分析和驗證,具體方法可查閱參考文獻678。 圖4所示為ISL6443三路輸出電壓波形,PWM控制器門驅(qū)動器的電壓上升和下降時間均為18ns左右。因此,三路輸出電壓能在極短的時間內(nèi)達到穩(wěn)定值,從而滿足了FPGA的性能要求。 圖5所示為兩個PWM控制器的輸
21、出波形。圖中可以看出,ISL6443的兩個PWM控制器呈180°異相工作,以減小輸入紋波電流。這降低了對輸入電容紋波電流的要求,減小了電源的感生噪聲,同時也提高了EMI抗干擾性能。圖6所示為ISL6443軟啟動仿真波形。軟啟動功能使轉(zhuǎn)換器的輸出被監(jiān)控,得到過載、短路和欠壓保護。輸出持續(xù)過載會使PGOOD置低,從而進入軟啟動模式,直到過載現(xiàn)象消除為止。本文利用Intersil高效三輸出同步補償穩(wěn)定器實現(xiàn)了StratixTM FPGA的電源系統(tǒng)設計,并且進行了一系列的仿真分析與驗證實驗。實驗表明該設計方案合理有效,易于實現(xiàn),有較好的參考價值和實用價值。 參考文獻 1 Stratix device handbook,Volume 1.Altera Corporation,2005,. 2 Power management design guide for Altera? FPGAs
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