西安交大模電PPT集成運(yùn)算放大電路

1、上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.1集成運(yùn)算放大器的概述集成運(yùn)算放大器的概述集成電路集成電路把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基把整個(gè)電路中的元器件制作在一塊硅基片上，構(gòu)成具有某種特定功能的電子電路。片上，構(gòu)成具有某種特定功能的電子電路。體積小，重量輕，成本低，可靠性高，組裝和調(diào)試體積小，重量輕，成本低，可靠性高，組裝和調(diào)試的難度小。的難度小。4 集成運(yùn)算放大器集成運(yùn)算放大器 1. 集成電路的主要特點(diǎn)集成電路的主要特點(diǎn)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 2. 集成電路的分類集成電路的分類 （1）按功能分）按功能分a. 模擬集成電路模擬集成電路b.

2、數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路主要用于放大和變換連續(xù)變化的電壓和電流信號(hào)。主要用于放大和變換連續(xù)變化的電壓和電流信號(hào)。主要用于處理離散的、斷續(xù)的電壓和電流信號(hào)。主要用于處理離散的、斷續(xù)的電壓和電流信號(hào)。數(shù)字集成電路種類多，形式較為簡(jiǎn)單，通用性強(qiáng)。數(shù)字集成電路種類多，形式較為簡(jiǎn)單，通用性強(qiáng)。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) (2) 按集成度分按集成度分 a. 小規(guī)模集成電路（小規(guī)模集成電路（SSI：small scale integration circuit) 一塊芯片上包含的元器件在一塊芯片上包含的元器件在100個(gè)以下。個(gè)以下。 b. 中規(guī)模集成電路（中規(guī)模集成電路（MSI

3、：middle scale integration circuit) 一塊芯片上包含的元器件在一塊芯片上包含的元器件在1001000之間。之間。 c. 大規(guī)模集成電路（大規(guī)模集成電路（LSI：large scale integration circuit) 一塊芯片上包含的元器件在一塊芯片上包含的元器件在1000100000之間。之間。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)d. 超大規(guī)模集成電路（超大規(guī)模集成電路（VLSI：very large scale integration circuit) 一塊芯片上包含的元器件在一塊芯片上包含的元器件在100000以上。以上。d.

4、目前的集成電路：目前的集成電路：(a) 已經(jīng)可以在一片硅片上集成幾千萬(wàn)只，甚至上億已經(jīng)可以在一片硅片上集成幾千萬(wàn)只，甚至上億只晶體管。只晶體管。(b) 集成電路的性能（高速度和低功耗等）也迅速提高。集成電路的性能（高速度和低功耗等）也迅速提高。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(e) 集成電路逐步向集成系統(tǒng)集成電路逐步向集成系統(tǒng)（integrated system）的方向發(fā)展。的方向發(fā)展。(c) 集成電路仍在高速發(fā)展。集成度每集成電路仍在高速發(fā)展。集成度每24年年增加增加一倍。一倍。(d) 出現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)芯片出現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)芯片（SOCsystem on chip）。）。 (3

5、) 按制造工藝分按制造工藝分a. 半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路將元器件和電路集成在一塊硅片上。將元器件和電路集成在一塊硅片上。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 薄膜集成電路薄膜集成電路c. 厚膜集成電路厚膜集成電路集成電路的元器件和電路由不到一微米厚的金屬半導(dǎo)集成電路的元器件和電路由不到一微米厚的金屬半導(dǎo)體或金屬氧化物重疊而成。體或金屬氧化物重疊而成。厚膜集成電路與薄膜集成電路基本相同，膜的厚度約厚膜集成電路與薄膜集成電路基本相同，膜的厚度約幾微米到幾十微米。幾微米到幾十微米。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3 . 模擬集成電路的分類模擬集成

6、電路的分類（1） 線性集成電路線性集成電路輸出信號(hào)與輸入信號(hào)呈線性關(guān)系。輸出信號(hào)與輸入信號(hào)呈線性關(guān)系。（2） 非線性集成電路非線性集成電路集成振蕩器、混頻器、檢波器、集成開關(guān)穩(wěn)壓電源等。集成振蕩器、混頻器、檢波器、集成開關(guān)穩(wěn)壓電源等。集成運(yùn)算放大器、集成音頻功率放大器、集成高頻、集成運(yùn)算放大器、集成音頻功率放大器、集成高頻、中頻放大器等。中頻放大器等。輸出信號(hào)與輸入信號(hào)呈非線性關(guān)系。輸出信號(hào)與輸入信號(hào)呈非線性關(guān)系。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4. 集成運(yùn)算放大器概述集成運(yùn)算放大器概述(1) 集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)稱集成運(yùn)放。集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)稱集成運(yùn)放。b. 信號(hào)處理。信號(hào)

7、處理。(2) 集成運(yùn)算放大器的主要功能集成運(yùn)算放大器的主要功能a. 完成比例、求和、積分、微分、對(duì)數(shù)、反對(duì)數(shù)、完成比例、求和、積分、微分、對(duì)數(shù)、反對(duì)數(shù)、乘法等數(shù)字運(yùn)算。乘法等數(shù)字運(yùn)算。c. 波形產(chǎn)生。波形產(chǎn)生。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(3) 集成運(yùn)放發(fā)展的三個(gè)階段集成運(yùn)放發(fā)展的三個(gè)階段a. 通用型集成運(yùn)放的廣泛使用。通用型集成運(yùn)放的廣泛使用。b. 專用集成運(yùn)放的出現(xiàn)。如高速型、高輸入電阻型、專用集成運(yùn)放的出現(xiàn)。如高速型、高輸入電阻型、高壓型、大功率型，低漂移型和低功耗型等。高壓型、大功率型，低漂移型和低功耗型等。c. 開發(fā)更高性能指標(biāo)的產(chǎn)品，進(jìn)一步提高集成度。開

8、發(fā)更高性能指標(biāo)的產(chǎn)品，進(jìn)一步提高集成度。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(5) 是線性集成電路中發(fā)展最早、應(yīng)用最廣、最為是線性集成電路中發(fā)展最早、應(yīng)用最廣、最為龐大的一族成員。龐大的一族成員。 (3) 輸出電阻小，幾百歐以下。輸出電阻小，幾百歐以下。(4) 通用型和靈活性強(qiáng)、成本低、用途廣、互換性好。通用型和靈活性強(qiáng)、成本低、用途廣、互換性好。5. 集成運(yùn)放的主要特點(diǎn)集成運(yùn)放的主要特點(diǎn)(1) 電壓放大倍數(shù)高，電壓放大倍數(shù)高，103105倍。倍。(2) 輸入電阻大，幾十千歐到幾兆歐。輸入電阻大，幾十千歐到幾兆歐。上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1

9、) 相鄰元器件的特性一致性好相鄰元器件的特性一致性好(2) 用有源器件代替無(wú)源器件用有源器件代替無(wú)源器件(3) 二極管大多由三極管構(gòu)成二極管大多由三極管構(gòu)成(4) 只能制作小容量的電容，不能制造電感只能制作小容量的電容，不能制造電感(5) 電路采用直接耦合的方式。電路采用直接耦合的方式。4.1.1 集成電路中元器件的特點(diǎn)集成電路中元器件的特點(diǎn)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.1.2 集成運(yùn)算放大器的典型結(jié)構(gòu)集成運(yùn)算放大器的典型結(jié)構(gòu)輸入級(jí)輸入級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)中間級(jí)中間級(jí)偏置電路偏置電路輸入輸入輸出輸出1. 典型結(jié)構(gòu)典型結(jié)構(gòu)上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技

10、術(shù)基礎(chǔ)（1）偏置電路偏置電路2. 各各部分的作用部分的作用具有與輸出同相和反相的兩個(gè)輸入端，較高的輸入電具有與輸出同相和反相的兩個(gè)輸入端，較高的輸入電阻和抑制干擾及零漂的能力。阻和抑制干擾及零漂的能力。為各級(jí)電路提供直流偏置電流，并使整個(gè)運(yùn)放的靜態(tài)為各級(jí)電路提供直流偏置電流，并使整個(gè)運(yùn)放的靜態(tài)工作點(diǎn)穩(wěn)定且功耗較小。工作點(diǎn)穩(wěn)定且功耗較小。（2）輸入級(jí)輸入級(jí)輸入級(jí)輸入級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)中間級(jí)中間級(jí)偏置電路偏置電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)為負(fù)載提供足夠的電壓和電流，具有很小的輸出電為負(fù)載提供足夠的電壓和電流，具有很小的輸出電阻和較大的動(dòng)態(tài)范圍。阻和較大的動(dòng)態(tài)范圍。主要進(jìn)行

11、電壓放大，具有很高的電壓增益。主要進(jìn)行電壓放大，具有很高的電壓增益。(3) 中間級(jí)中間級(jí)(4) 輸出級(jí)輸出級(jí)輸入級(jí)輸入級(jí)輸出級(jí)輸出級(jí)中間級(jí)中間級(jí)偏置電路偏置電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 集成運(yùn)算放大器的電路符號(hào)集成運(yùn)算放大器的電路符號(hào)同相輸入端同相輸入端反相輸入端反相輸入端輸出端輸出端+ +上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4.2.1 典型差分放大電路典型差分放大電路4.2集成運(yùn)算放大器中的基本單元電路集成運(yùn)算放大器中的基本單元電路1. 電路的組成電路的組成+-+-I1uBRCRC1iC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iE

12、EV 1T2TCR+-+-+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(1) 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)a. 電路兩邊對(duì)稱。電路兩邊對(duì)稱。b. 兩管共用發(fā)射極電阻兩管共用發(fā)射極電阻RE。c. 具有兩個(gè)信號(hào)輸入端。具有兩個(gè)信號(hào)輸入端。d. 信號(hào)可以雙端或單端輸出。信號(hào)可以雙端或單端輸出。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)兩個(gè)輸入端信號(hào)電壓的差值是有用的，稱之為差模兩個(gè)輸入端信號(hào)電壓的差值是有用的，稱之為差模輸入信號(hào)，因而該電路稱為差分放大電路。輸入信號(hào)

13、，因而該電路稱為差分放大電路。(2) 信號(hào)的輸入信號(hào)的輸入+-+-I1uBRCRC1iC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCR+-+-+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（3） 抑制零漂的原理抑制零漂的原理（T1和和T2 特性相同）特性相同）(a) 當(dāng)溫度當(dāng)溫度T一定時(shí)一定時(shí)0O2O1O uuuO2O1uu C2C1ii ( uI1=uI2=0 ) a. 電路雙端輸出電路雙端輸出+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電

14、子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 當(dāng)溫度增加當(dāng)溫度增加 時(shí)時(shí)T C2C2C1C1IIII C2C1II 0O u在雙端輸出的情況下，漂移為零。在雙端輸出的情況下，漂移為零。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) b. 單端輸出時(shí)單端輸出時(shí)因射極電阻因射極電阻RE的負(fù)反饋?zhàn)饔玫呢?fù)反饋?zhàn)饔每梢砸种屏泓c(diǎn)漂移可以抑制零點(diǎn)漂移+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

15、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2靜態(tài)分析靜態(tài)分析BRCRCREREEV 1T2TCCV BR直流通路直流通路+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)B2B1BIII 因?yàn)殡娐穼?duì)稱，所以因?yàn)殡娐穼?duì)稱，所以C2C1CIII E2E1EIII CE2CE1CEUUU BE2BE1BEUUU BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEUBRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EEEE

16、BEBB2VRIURI 列輸入回路方程列輸入回路方程EBBEEEB)1(2RRUVI 由此可得由此可得BE)1(II EBEEEB)1(2RUVI EB)1(2 RR 因因BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEUBRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EBEEEBC2RUVII EECCEECCCE2)(RIRIVVU )2(ECCEECCRRIVV BR1BI2BI1EI2EI1CI1CEU2CIE21EII 2CEU1BEU2BEUBRCRCREREEV 1T2TCCV +上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下

17、頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3. 動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析(1) 小信號(hào)差模特性小信號(hào)差模特性差模信號(hào)：差模信號(hào)：Id2Id1Iduuu 記為記為Id2Id1uu 當(dāng)當(dāng) 時(shí)的輸入信號(hào)時(shí)的輸入信號(hào) Id12u Id22u +-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差模輸入時(shí)放大電路中的電流差模輸入時(shí)放大電路中的電流BRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uOduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI

18、 Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于由于Id2Id1uu e2e1ii 電阻電阻RE上無(wú)交流電流上無(wú)交流電流T1、T2發(fā)射極虛地。發(fā)射極虛地。BRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uOduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)交流通路交流通路CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u Id2uBRCRId1uEREEV 1T2T

19、CCV OduC1iC2iC2CiI b2BiI 1b1c2b2ce1ie2iE2IBRCRC2CiI Od1uOd2ue1EiI b1BiI e2EiI 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由于由于Id2Id1uu Od2Od1uu 故故Id1Id2Id1Id2 uuuu Od1Od2Od1Od2 uuuu CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1）差模電壓放大倍數(shù)）差模電壓放大倍數(shù)a. 雙端輸出雙端輸出IdOdduuAu Id1Od122uu Id1Od1uu beBCrRR CRCRBR

20、Id1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 單端輸出單端輸出IdOd1duuAu Id1Od12 uu Id1Od121uu beBC2rRR (a) 輸出輸出uO1CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOd2duuAu Id1Od12 uu Id1Od121uu (b) 輸出輸出uO2beBC2rRR CRCRBRId1uId2u1T2TBROduOd1uOd2u 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)c. RL時(shí)時(shí)(a

21、) 雙端輸出雙端輸出負(fù)載電阻負(fù)載電阻RL的中點(diǎn)虛地。的中點(diǎn)虛地。由于由于Od2Od1uu BRBRCRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uodu od1uod2uLR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)CRCR2LRBRId1uId2u1T2TOd1uOd2uOdu2LRBR 等效電路等效電路BRBRCRCRId1uEREEV 1T2TCCV Id2uodu od1uod2uLR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOdduuAu Id1Od122uu Id1Od1uu beBLC2/rRRR Aud與單級(jí)共射極電路電壓放與單級(jí)共射極電路電

22、壓放大倍數(shù)相同?？梢姡罘址糯蟊稊?shù)相同?？梢姡罘址糯箅娐肥怯么箅娐肥怯谩皵?shù)量換質(zhì)量數(shù)量換質(zhì)量”。CRCR2LRBRId1uId2u1T2TOd1uOd2uOdu2LRBR 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(b) 單端輸出單端輸出從從T1的集電極輸出的集電極輸出IdOdduuAu Id1Od2 uu beBLC/2rRRR 輸出與輸入反相輸出與輸入反相CRCRLRBRId1uId2u1T2TOduBR 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)CRCRLRBRId1uId2u1T2TOduBR 從從T2的集電極輸出的集電極輸出IdOdduuAu Id2Od

23、2 uu beBLC/2rRRR 輸出與輸入同相輸出與輸入同相上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2) 差模輸入電阻差模輸入電阻)(2beBIdIdidrRIUR CRBRId1uId2u1T2TOd1uOd2uOduBR IduidRIdiCR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 單端輸出時(shí)單端輸出時(shí)CoRR 求求Ro的等效電路的等效電路CRBRId1uId2u1T2TuBR IduoRIdiCRi3) 輸出電阻輸出電阻Ro上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 雙端輸出時(shí)雙端輸出時(shí)CRBRId1uId2u1T2TuBR Id

24、uoRIdiCRii求求Ro的等效電路的等效電路Co2RR 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（2）小信號(hào)共模特性）小信號(hào)共模特性共模信號(hào)共模信號(hào)IcIc2Ic1uuu 記為記為當(dāng)當(dāng)uIc1=uIc2時(shí)的輸入信號(hào)時(shí)的輸入信號(hào)BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)Oc2Oc1uu 1) 共模電壓放大倍數(shù)共模電壓放大倍數(shù)a. 雙端輸出共模電壓雙端輸出共模電壓0Oc2Oc1Oc uuu共模電壓放大倍數(shù)共模電壓放大倍數(shù)0IcOcc uuAuIcIc2Ic1uuu 由由知知故故BR

25、BRCRCRIc1uIc2uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. 單端輸出單端輸出 交流通路交流通路，BRBRCRCRIc1uIc2uEREEV 1T2TCCV cOuLRE1iE2iBRBRCRCRIc1uIc2uE2R1T2TcOuLRE2R上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)cIcOcuuAu 電壓放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)EbeBLC2)1(/RrRRR 1cIcOuu ELCc2/RRRAu EbeB2)1(RrR 實(shí)際中實(shí)際中BRBRCRCRIc1uIc2uE2R1T2TcOuLRE2R上頁(yè)上

26、頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)ELCc2/RRRAu 一般電路中一般電路中ELC2/RRR 故故1cIcOc uuAu上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差分放大電路對(duì)共模信號(hào)有抑制作用，差分放大電路對(duì)共模信號(hào)有抑制作用，RE越大，抑越大，抑制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)。制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)。由討論可知：由討論可知：12/ELCcIcOc RRRuuAu單端輸出時(shí)單端輸出時(shí)雙端輸出時(shí)雙端輸出時(shí)0cIOcc uuAu上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2) 共模抑制比共模抑制比CMRK共模抑制比的定義共模抑制比的定義cdCMRuuAAK (dB

27、)log20cdCMRuuAAK 或者或者a. 雙端輸出雙端輸出 cdCMRuuAAK上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)ECbeBCcdCMR2)(2RRrRRAAKuu b. 單端輸出單端輸出ELCc2/RRRAu beBLd21rRRAu 因因beBErRR 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3) 共模輸入電阻共模輸入電阻 交流通路交流通路，Ic2uBRBRCRCRIc1uc1OuEREEV 1T2TCCV c2OucOu BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuER1T2Tc2OucOu Ic1iIc2iicRicR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬

28、電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EbeBicicic)1(2RrRIUR IcIc2Ic1uuu 因?yàn)橐驗(yàn)楣使蔍cIc2Ic1iii BRBRCRCRIc1uIc2uc1OuER1T2Tc2OucOu Ic1iIc2iicRicR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)4) 共模輸出電阻共模輸出電阻 因?yàn)檩敵鲋慌c電路的結(jié)構(gòu)有關(guān)，而與輸入信號(hào)因?yàn)檩敵鲋慌c電路的結(jié)構(gòu)有關(guān)，而與輸入信號(hào)的性質(zhì)（共模、差模）無(wú)關(guān)。所以輸出電阻的性質(zhì)（共模、差模）無(wú)關(guān)。所以輸出電阻雙端輸出時(shí)雙端輸出時(shí)Co2RR 單端輸出時(shí)單端輸出時(shí)CoRR 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（3）任意輸

29、入信號(hào)的分解）任意輸入信號(hào)的分解既不是差模信號(hào)又不是共模信號(hào)的輸入信號(hào)。既不是差模信號(hào)又不是共模信號(hào)的輸入信號(hào)。任意信號(hào)：任意信號(hào)：+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)2I2I1Icuuu I2I1Iduuu 令令那么那么2IdIcI1uuu 2IdIcI2uuu 任意信號(hào)可以分解成差模和共模信號(hào)任意信號(hào)可以分解成差模和共模信號(hào)+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)差差分分放放大大電電路路12+uId_+uIc_+_+_2uId2uId任意輸入的等效電路

30、任意輸入的等效電路+12差差 分分放放 大大電電 路路uI2_uI1_上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)uI10 ，uI2=0特別的，對(duì)于特別的，對(duì)于單端輸入單端輸入即即或或uI1=0 ，uI2 0單端輸入是一種特殊的雙端輸入形式單端輸入是一種特殊的雙端輸入形式+12差差 分分放放 大大電電 路路uI_單端輸入電路單端輸入電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))(2C1CuIdfii 、（4）大信號(hào)傳輸特性）大信號(hào)傳輸特性1-1線性區(qū)線性區(qū)截止、截止、飽和區(qū)飽和區(qū)截止、截止、飽和區(qū)飽和區(qū)傳輸特性：傳輸特性：0246 2 4 6.0.10.9ic1 、

31、ic2UTuId/0.70.50.3上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)例例 電路如圖所示。設(shè)電路如圖所示。設(shè)T1、T2的特性一致，的特性一致，=50，UBE=0.7V，uId =50mV，uIc=1V，試求：，試求： +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2（a）靜態(tài)工作點(diǎn)靜態(tài)工作點(diǎn)IC、UC之值之值；（b） uO及及KCMR之值之值；（c）若將若將RL接在接在C1對(duì)地之間，求對(duì)地之間，求UC、 uO

32、 及及KCMR。（d）Rid、Ric和和Ro之值。之值。 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)解解: :為了計(jì)算簡(jiǎn)單，為了計(jì)算簡(jiǎn)單，設(shè)調(diào)零電位器設(shè)調(diào)零電位器RW的滑動(dòng)端在電位的滑動(dòng)端在電位器的中間。器的中間。(a) 畫出放大電路的畫出放大電路的直流等效電路直流等效電路+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)直流等效電路直流等效電路BRCRCRCCV

33、 BREREEV 1T2TWR(-12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIBIB+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)EEwEBBBEEE22RIRIRIUV )1(22)1(EwBBBEEERRRIUV 直流等效電路直流等效電路BE)1(II 由圖可得由圖可得由上兩式得由上兩式得因因EwB)1(22)1(RRR BR

34、CRCRCCV BREREEV 1T2TWR(-12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIB上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)則有則有EE2IR EBEEEEC2RUVII V61 . 52 . 112CCCCC RIVUBEBEEE)1 ( 2IRUV 1 . 527 . 012 mA2 . 1 BRCRCRCCV BREREEV 1T2TWR(-12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIB上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（b） 根據(jù)題意根據(jù)題意EQbbb

35、e26)1(Irr 0IcOcc uuAu2 . 12651300 k1 . 12)1(2/WbeBLCIdOddRrRRRuuAu 5405. 0511 . 1150/1 . 550 +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) cdCMRuuAAK1005. 054 V7 . 2 +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+-

36、 -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IccIddOuAuAuuu 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)(c) 當(dāng)當(dāng)RL在在C1對(duì)地之間時(shí)對(duì)地之間時(shí)RLCRCIII CRCCCCRIVU 經(jīng)整理可得經(jīng)整理可得BRCRCRCCV BREREEV 1T2TWR(-12V)(+12V)k1 .5k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2IEIBLRIRLLCCRUI LCCCCCC1RRRIVU 1001 . 511 . 52 . 112 V6 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基

37、礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IcOccuuAu ELC2/RRR 1 . 52100/1 . 5 5 . 0 +- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5c1c2LR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)IdOdduuAu 545 . 027cdCMR uuAAK2)1( 2/WbeBLCRrRRR )05. 0511 . 11(2100/1 . 550 27 IccIddOuAuAuuu V85. 1 15 . 005. 027 +

38、- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5c1c2LR上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)( (d) )差模輸入電阻差模輸入電阻2)1( 2WbeBidRrRR )05. 0511 . 11(2 k3 . 9共模輸入電阻共模輸入電阻EWbeBic)1(22)1(RRrRR E)1(2R 1 . 5512 k520+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu

39、+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)輸出電阻輸出電阻Ro雙端輸出時(shí)雙端輸出時(shí) k2 .101 . 522CoRR單端輸出時(shí)單端輸出時(shí) k1 . 5CoRR+- -+-Id1uBRCRCRCCV OuBRId2uEREEV 1T2TWRLR+- -Icu+- -Icu+- -(-12V)(+12V)k1 .5k100k1k1 100k1 .5k1 .5ICUCc1c2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)雙端輸出雙端輸出 CMRKbeBECMRrRRK 單端

40、輸出單端輸出對(duì)于圖示電對(duì)于圖示電路路4.2.2 帶恒流源的差分放大電路帶恒流源的差分放大電路RE越大越大，KCMR越大，電路抑制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)越大，電路抑制共模信號(hào)的能力越強(qiáng)+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 當(dāng)當(dāng)VEE一定，一定，IE減小，減小，rbe增增大，大， Aud減小。減小。c. 在集成電路中不易制作較大阻值的電阻。在集成電路中不易制作較大阻值的電阻。RE太太大對(duì)電路的影響大對(duì)電路的影響: :b. 為了維持為了維持IE不變不變，必須提高

41、電源電壓必須提高電源電壓VEE。+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uERE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)恒流源的主要特點(diǎn)：恒流源的主要特點(diǎn)：b. 直流電阻較小。直流電阻較小。a. 具有很大的交流等效電阻。具有很大的交流等效電阻。恒流源恒流源通常采用恒流源來(lái)代替通常采用恒流源來(lái)代替RE+-+-I1uBRCRC2iCCV OuO1uO2uBRI2uE2iEEV 1T2TCRC1i+- -+- - -+上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)當(dāng)iB恒定恒定，則則iC恒定恒定，晶體管

42、相當(dāng)于一個(gè)電流源。，晶體管相當(dāng)于一個(gè)電流源。 當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，iC基本上與基本上與uCE無(wú)關(guān)無(wú)關(guān)，只取只取決于決于iB。晶體管恒流源晶體管恒流源CEuCiQ晶體管恒流源構(gòu)成原理：晶體管恒流源構(gòu)成原理：BiCiBEuCEu+ + +RCE1rce1 uCE iC= =上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)帶恒流源的差分放大電路帶恒流源的差分放大電路恒流源恒流源BRCRCROuO1uBR1T2TO2uCCV +-Id2u+- -Id1u+- -Icu3TD1R2REREEV RiBQ3Ie+- - - -上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬

43、電子技術(shù)基礎(chǔ)選擇選擇R1和和R2使使IBQ3恒定，恒定， 則則IC3恒定。恒定。BRCRCROuO1uBR1T2TO2uCCV +-Id2u+- -Id1u+- -Icu3TD1R2REREEV RiBQ3Ie+- - - -IC3上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1電流鏡電路電流鏡電路T1和和T2特性相同特性相同（1） 電路組成電路組成（2） 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)（3） 電路分析電路分析 21設(shè)設(shè)由于由于 UBE1= UBE2 = UBE4.2.3 電流源電路電流源電路1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模

44、擬電子技術(shù)基礎(chǔ)C1C2II 21C2 RII當(dāng)當(dāng)2 時(shí)時(shí)RC2II 所以所以 IB1= IB2 = IBBR2 II C2R2 II 故故RUVBECC RVCC 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)T1和和T2特性相同特性相同（1） 電路組成電路組成（2） 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)（3） 電路分析電路分析由圖可知由圖可知2比例電流源電路比例電流源電路E1CCE11BECCRRRVRRUVI 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UE1RE2RE2IE1I上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

45、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)BE22E2EBE11EE1URIURI RE2E1C2IRRI 2E2C1ERRIRI 由于由于BE2BE1UU E2C2II E1RII 故有故有1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UE1RE2RE2IE1I上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)3微電流源電路微電流源電路T1和和T2特性相同特性相同（1） 電路組成電路組成（2） 電路特點(diǎn)電路特點(diǎn)（3） 電路分析電路分析由圖可知由圖可知EE2BE2BE1RIUU EC2RI 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技

46、術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ))exp(TBESCUuIi 由由SC1TBE1lnIIUU 得得SRTlnIIU SC2TBE2lnIIUU 故有故有EC2SC2TSRTlnlnRIIIUIIU 1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)C2RC2TElnIIIUR 例例1 已知已知IR=0.73mA,IC2=20m mA,求求RE=?解解 由由得得C2RC2TElnIIIUR k86.4102073.0ln10202633ER1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1UERE2I上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下

47、頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)例例2 上例中，如果不用微電流源，上例中，如果不用微電流源，而采用電流鏡，那么在而采用電流鏡，那么在VCC=15V時(shí)，時(shí)，欲獲欲獲IC2=20m mA,求求R=?解解 已知已知IC2=20m mA, 則則R VCC/IR=750k IR=20m mA1T2TRCCV RIC1IC2I+B1IB2IBE2UBE1U上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i4電流源作有源負(fù)載的差動(dòng)放大電路電流源作有源負(fù)載的差動(dòng)放大電路（1）

48、 電路組成電路組成上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 代替代替RE為為 T1、T2 提供提供合適穩(wěn)合適穩(wěn) 定的靜定的靜態(tài)工作點(diǎn)態(tài)工作點(diǎn)代替代替RC稱有源負(fù)載稱有源負(fù)載鏡像電流源鏡像電流源比例電流源比例電流源5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)因?yàn)橐驗(yàn)門5、T6 組成組成鏡象鏡象電流源，所以電流源，所以C6C5ii a.a.當(dāng)當(dāng)ui1= ui2時(shí)時(shí)C2C1ii （2） 電路分析電路分析忽略忽略T5、T6的的基極電基極電流。則有流。則有

49、iC5 iC1 5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) iO= iC6 + iC2= iC5 iC1無(wú)共模信號(hào)輸出無(wú)共模信號(hào)輸出輸出電流輸出電流 05T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b.當(dāng)當(dāng)uI1=-uI2時(shí)時(shí)C2C1ii 輸出電流輸出電流 iO= iC6 + iC2= iC1 + iC2= 2 iC1負(fù)載上得到了雙端

50、輸出的電流負(fù)載上得到了雙端輸出的電流5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)用電流鏡取代差分放用電流鏡取代差分放大電路的集電極電阻大電路的集電極電阻單端輸出的電路形式，實(shí)現(xiàn)了雙端輸出的功能單端輸出的電路形式，實(shí)現(xiàn)了雙端輸出的功能。結(jié)論：結(jié)論：5T1RCCV RIOi2R3T4T3R1T2T6TI1uEEV LRI2uOu+- -+- -C1iC2iC5iC6i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)a. 采用電流源作有源負(fù)載。采用電流源作有源負(fù)

51、載。b. 利用多個(gè)晶體管組成復(fù)合管，以得到較大的電利用多個(gè)晶體管組成復(fù)合管，以得到較大的電流放大系數(shù)流放大系數(shù) 值。值。集成運(yùn)放獲得高電壓增益，通常采用的方法：集成運(yùn)放獲得高電壓增益，通常采用的方法：4.2.4 復(fù)合管電路復(fù)合管電路上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)常見的復(fù)合管結(jié)構(gòu)常見的復(fù)合管結(jié)構(gòu)a a. NPN管管+NPN管管T1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)等效管等效管TBiCiEiEBC兩個(gè)兩個(gè)NPN型管可以復(fù)合成一個(gè)型管可以復(fù)合成一個(gè)NPN型管型管(a) 等效管等效管T1E1iC1iC2iE2iCiB

52、1iT2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)由圖可知由圖可知C2C1Ciii B1Bii E2Eii E1B2ii (b) 復(fù)合管的電流放大系數(shù)復(fù)合管的電流放大系數(shù) 等效管等效管TBiCiEiEBCT1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)C2C1Ciii B22B11ii 而而E1B2ii 由于由于B11)1(i B1)1(i 等效管等效管TBiCiEiEBCT1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)B22B11Ciii E12B1ii B112B1)1(ii

53、復(fù)合管的電流放大系數(shù)復(fù)合管的電流放大系數(shù))1(121BC ii2121 2121 21 故故上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)微變等效電路微變等效電路T1e1ic1ic2ibe1rcib1iT2b2ib22i b11i becbe2rbeu (c) 復(fù)合管的輸入電阻復(fù)合管的輸入電阻rbeT1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)因?yàn)橐驗(yàn)閎e2b2be1b1beririu be2b11be1b1)1(riri b1bebeiur 故故 復(fù)合管的輸入電阻復(fù)合管的輸入電阻be21be1)1(rr T1e1ic1ic2ibe

54、1rcib1iT2b2ib22i b11i becbe2rbeu 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)b. PNP管管+PNP管管T1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2B2i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)等效管等效管(a) 等效管等效管兩個(gè)兩個(gè)PNP型管可以復(fù)合成一個(gè)型管可以復(fù)合成一個(gè)PNP型管型管T1E1iC1iC2iE2iCiB1iT2B2iTBiCiEiEBC上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)212121 be21be1be)1(rrr (b) 復(fù)合管的復(fù)合管的 及及rbe等效管等效管T1E1iC1iC2iE2iCi

55、B1iT2B2iTBiCiEiEBC上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)T1C2E1ii C1iC2iE2iB1iT2E1ic c. NPN管管+PNP管管上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)等效管等效管TBiCiEiEBC(a) 等效管等效管一個(gè)一個(gè)NPN和一個(gè)和一個(gè)PNP型管可以復(fù)合成一個(gè)型管可以復(fù)合成一個(gè)NPN型管型管T1C2E1ii C1iC2iE2iB1iT2E1i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)212121 be1berr (b) 復(fù)合管的復(fù)合管的 及及rbe等效管等效管TBiCiEiEBCT1C2E1ii C1iC2

56、iE2iB1iT2E1i上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)d. PNP管管+NPN管管T1E1iC1iC2iE2iB1iT2B2iC2E1ii 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)等效管等效管TBiCiEiEBC(a) 等效管等效管一個(gè)一個(gè)PNP和一個(gè)和一個(gè)NPN型管可以復(fù)合成一個(gè)型管可以復(fù)合成一個(gè)PNP型管型管T1E1iC1iC2iE2iB1iT2B2iC2E1ii 上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)212121 be1berr (b) 復(fù)合管的復(fù)合管的 及及rbe等效管等效管T1E1iC1iC2iE2iB1iT2B2iC2E1ii TBiCiEiEBC上頁(yè)上頁(yè)下頁(yè)下頁(yè)后退后退模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)CESCCOPUVU )(2CESCCOPPUVU RLT1uI+ VCC_T2VEEuO+_4.2.5 互補(bǔ)推挽放大電路互補(bǔ)推挽放大電路1. 電路組成電路組成2. 電路主要特點(diǎn)電路主要特點(diǎn)(