元件參數(shù)符號(hào)含義(精簡(jiǎn)版)

1、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義T a-環(huán)境溫度C du-漏-襯底電容T c-管殼溫度C gd-柵-源電容T j-結(jié)溫C ds-漏-源電容T jm-最大允許結(jié)溫C iss-柵短路共源輸入電容T stg-貯成溫度C oss-柵短路共源輸出電容V DSS-漏源擊穿電壓C rss-柵短路共源反向傳輸電容I D(I D25-漏極電流(T c=25,直流di/dt-電流上升率(外電路參數(shù)R DS(on-通態(tài)漏源電阻dv/dt-電壓上升率(外電路參數(shù)P D-漏極耗散功率I DQ-靜態(tài)漏極電流(射頻功率管t rr-反向恢復(fù)時(shí)間I DSM-最大漏源電流V(BRGSS-漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓I DSS-柵-源短路時(shí),漏極電

2、流V GSF-正向柵源電壓(直流I DS(sat-溝道飽和電流(漏源飽和電流V GSR-反向柵源電壓(直流I G-柵極電流(直流V GS(th-開啟電壓或閥電壓I GDO-源極開路時(shí),截止柵電流C gs-漏-源電容I GSO-漏極開路時(shí),截止柵電流I DM-漏極脈沖電流I GSS-漏極短路時(shí)截止柵電流V DS-漏源電壓(直流I DSS1-對(duì)管第一管漏源飽和電流V GS-柵源電壓(直流I DSS2-對(duì)管第二管漏源飽和電流P DM-漏極最大允許耗散功率I u-襯底電流I D(on-通態(tài)漏極電流I pr-電流脈沖峰值(外電路參數(shù)t on-開通時(shí)間,T on=T d(on+T r g fs-正向跨導(dǎo)t

3、 d(on-開通延遲時(shí)間G p-功率增益t r-上升時(shí)間G ps-共源極中和高頻功率增益t off-關(guān)斷時(shí)間,T off=T d(off+T f G pG-共柵極中和高頻功率增益t d(off-關(guān)斷延遲時(shí)間G PD-共漏極中和高頻功率增益t f-下降時(shí)間g gd-柵漏電導(dǎo)I GM-柵極脈沖電流g ds-漏源電導(dǎo)I GP-柵極峰值電流K-失調(diào)電壓溫度系數(shù)I F-二極管正向電流K u-傳輸系數(shù)R DS(on-漏源通態(tài)電阻L-負(fù)載電感(外電路參數(shù) R DS(of-漏源斷態(tài)電阻L D-漏極電感R(thjc-結(jié)殼熱阻L s-源極電感R(thja-結(jié)環(huán)熱阻R GD-柵漏電阻V DD-漏極(直流電

4、源電壓(外電路參數(shù)R GS-柵源電阻V GG-柵極(直流電源電壓(外電路參數(shù)R g-柵極外接電阻(外電路參數(shù)V ss-源極(直流電源電壓(外電路參數(shù)R L-負(fù)載電阻(外電路參數(shù)V DS(on-漏源通態(tài)電壓P IN-輸入功率V GD-柵漏電壓(直流P OUT-輸出功率D-占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù)V su-源襯底電壓(直流P PK-脈沖功率峰值(外電路參數(shù)V Du-漏襯底電壓(直流I DS-漏源電流V Gu-柵襯底電壓(直流I GF-正向柵電流Z o-驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻I GR-反向柵電流-漏極效率(射頻功率管V DS(sat-漏源飽和電壓V n-噪聲電壓T L-晶格溫度(Lattice temp/或

5、指下限溫度與T H相對(duì)a ID-漏極電流溫度系數(shù)T e-電子溫度(Electron tempT e=T L a rds-漏源電阻溫度系數(shù)I AR(I A-雪崩電流(Avalanche CurrentE AR-重復(fù)雪崩電壓(Repetitive Avalanche Energy半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義T a-環(huán)境溫度T c-殼溫T j(T VJ-結(jié)溫T jM(T VJM-最高結(jié)溫T stg-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度V RRM-反向重復(fù)峰值電壓(反向浪涌電壓I F(AV-正向平均電流I F-正向直流電流(正向測(cè)試電流。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下,通過極間的電流;硅整流管、硅堆在規(guī)定 的

6、使用條件下,在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流(平均值,硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最 大正向直流電流;測(cè)穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時(shí)給定的電流 t rr-反向恢復(fù)時(shí)間P d(P tot-總耗散功率V F-正向壓降(正向直流電壓I RM-反向峰值電流I FRM-正向重復(fù)峰值電流P M-額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率I FM(IM-正向峰值電流(正向最大電流。在額定功率下,允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。I F(ov-正向過載電流 I FMP-正向脈沖電流I FSM-正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流I RRM-反向重復(fù)峰值電流V(

7、BR-擊穿電壓V F(AV-正向平均電壓V RM-反向峰值電壓(最高測(cè)試電壓V RWM-反向工作峰值電壓V R-反向工作電壓(反向直流電壓V s-通向電壓(信號(hào)電壓或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓V z-穩(wěn)定電壓f-頻率I i- 發(fā)光二極管起輝電流I P-峰點(diǎn)電流I R(AV-反向平均電流I R(In-反向直流電流(反向漏電流。在測(cè)反向特性時(shí),給定的反向電流;硅堆在正弦半波電阻性負(fù)載電路中,加反向電壓規(guī)定值時(shí),所通過的電流;硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時(shí)所通過的電流;穩(wěn)壓二極管在反 向電壓下,產(chǎn)生的漏電流;整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。P K-最大開關(guān)功率P MP-最大漏過脈

8、沖功率P MS-最大承受脈沖功率P omax-最大輸出功率P o-輸出功率R(thja-結(jié)到環(huán)境的熱阻R(thjc-結(jié)到殼的熱阻r(th-瞬態(tài)電阻R th-熱阻t d-延遲時(shí)間t fr-正向恢復(fù)時(shí)間t f-下降時(shí)間t gt-門極控制極開通時(shí)間t g-電路換向關(guān)斷時(shí)間t off-關(guān)斷時(shí)間t on-開通時(shí)間t r-上升時(shí)間V c-整流輸入電壓V DRM-斷態(tài)重復(fù)峰值電壓a v-電壓溫度系數(shù)a-溫度系數(shù)I GD-晶閘管控制極不觸發(fā)電流I GT-晶閘管控制極觸發(fā)電流i r-反向恢復(fù)電流i R-反向總瞬時(shí)電流I s-穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流P FT(AV-正向?qū)ㄆ骄纳⒐β蔖 FTM-正向峰值耗散功率P F

9、T-正向?qū)偹矔r(shí)耗散功率P R-反向浪涌功率R s(rs-串聯(lián)電阻t s-存儲(chǔ)時(shí)間V op-工作電壓V p-峰點(diǎn)電壓I H-恒定電流、維持電流。V th-閥電壓(門限電壓C s-管殼電容或封裝電容C TV-電壓溫度系數(shù)。在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比C T-勢(shì)壘電容C t-總電容I o-整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流 -光譜半寬度V F-正向壓降差V z-穩(wěn)壓范圍電壓增量C jo/C jn-結(jié)電容變化C jo-零偏壓結(jié)電容C jv-偏壓結(jié)電容C j-結(jié)(極間電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容

10、C o-零偏壓電容C TC-電容溫度系數(shù)C vn-標(biāo)稱電容di/dt-通態(tài)電流臨界上升率dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率I B2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流I CM-最大輸出平均電流I DR-晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流I D-暗電流I EB10-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流I EB20-雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流I EM-發(fā)射極峰值電流i F-正向總瞬時(shí)電流I GFM-控制極正向峰值電流I L-光電流或穩(wěn)流二極管極限電流I OM-最大正向(整流電流。在規(guī)定條件下,能承受的正向最大瞬時(shí)電流;在電阻性負(fù)荷的正弦半波整流電路中允許 連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流I op-工作電流I

11、 rp-反向恢復(fù)電流I RR-晶閘管反向重復(fù)平均電流I RSM-反向不重復(fù)峰值電流(反向浪涌電流I V-谷點(diǎn)電流I zk-穩(wěn)壓管膝點(diǎn)電流I ZM-最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流I ZSM-穩(wěn)壓二極管浪涌電流I z-穩(wěn)定電壓電流(反向測(cè)試電流。測(cè)試反向電參數(shù)時(shí),給定的反向電流n-電容變化指數(shù);電容比P B-承受脈沖燒毀功率P C-控制極平均功率或集電極耗散功率P GM-門極峰值功率P G-門極平均功率P i-輸入功率P sc-連續(xù)輸出功率P SM-不重復(fù)浪涌功率P ZM-最大耗散功率。在給定使用條件下,穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率Q-優(yōu)值(品質(zhì)因素r -衰減電阻

12、R BB-雙基極晶體管的基極間電阻R E-射頻電阻R F(r-正向微分電阻。在正向?qū)〞r(shí),電流隨電壓指數(shù)的增加,呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下,電壓增 加微小量V,正向電流相應(yīng)增加I,則V/I稱微分電阻R L-負(fù)載電阻R z(ru-動(dòng)態(tài)電阻V v-谷點(diǎn)電壓V B2B1-基極間電壓V BE10-發(fā)射極與第一基極反向電壓V B-反向峰值擊穿電壓V EB-飽和壓降V FM-最大正向壓降(正向峰值電壓V GD-門極不觸發(fā)電壓V GFM-門極正向峰值電壓V GRM-門極反向峰值電壓V GT-門極觸發(fā)電壓V k-膝點(diǎn)電壓(穩(wěn)流二極管VL -極限電壓V n-中心電壓V OM-最大

13、輸出平均電壓V o-交流輸入電壓vz-穩(wěn)壓管電壓漂移-單結(jié)晶體管分壓比或效率p-發(fā)光峰值波長(zhǎng)雙極型晶體管參數(shù)符號(hào)及其意義T a-環(huán)境溫度T c-管殼溫度T j-結(jié)溫t stg-溫度補(bǔ)償二極管的貯成溫度V CEO-發(fā)射極接地,基極對(duì)地開路,集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓I CM-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。P d(P tot-總耗散功率t rr-反向恢復(fù)時(shí)間h FE-共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)t s-存貯時(shí)間f T-特征頻率I CMP-集電極最大允許脈沖電流P CM-集電極最大允許耗散功率P c-集電極耗散功率P o-輸出功率t d-延遲時(shí)間t fr-正向恢復(fù)時(shí)間t f-下

14、降時(shí)間t gt-門極控制極開通時(shí)間t off-關(guān)斷時(shí)間t on-開通時(shí)間t r-上升時(shí)間T s-結(jié)溫V cc-集電極(直流電源電壓(外電路參數(shù)V EE-發(fā)射極(直流電源電壓(外電路參數(shù)av-電壓溫度系數(shù)a-溫度系數(shù)B V cer-基極與發(fā)射極串接一電阻,CE結(jié)擊穿電壓BV cbo-發(fā)射極開路,集電極與基極間擊穿電壓BV ceo-基極開路,CE結(jié)擊穿電壓BV ces-基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓BV ebo- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓C cb-集電極與基極間電容C ce-發(fā)射極接地輸出電容C c-集電極電容C ib-共基極輸入電容C ic-集電結(jié)勢(shì)壘電容C ieo-共發(fā)射極

15、開路輸入電容C ies-共發(fā)射極短路輸入電容C ie-共發(fā)射極輸入電容C i-輸入電容C jo/C jn-結(jié)電容變化Cjo-零偏壓結(jié)電容Cjv-偏壓結(jié)電容Cj-結(jié)(極間電容, 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下,鍺檢波二極管的總電容CL-負(fù)載電容(外電路參數(shù)Cn-中和電容(外電路參數(shù) Cob-共基極輸出電容.在基極電路中,集電極與基極間輸出電容 Coeo-共發(fā)射極開路輸出電容 Coe-共發(fā)射極輸出電容 Co-零偏壓電容 Co-輸出電容 Cp-并聯(lián)電容(外電路參數(shù) Cre-共發(fā)射極反饋電容 Cs-管殼電容或封裝電容 CTC-電容溫度系數(shù) CTV-電壓溫度系數(shù).在測(cè)試電流下,穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化

16、與環(huán)境溫度的絕對(duì)變化之比 Ct-總電容 Cvn-標(biāo)稱電容 di/dt-通態(tài)電流臨界上升率 dv/dt-通態(tài)電壓臨界上升率 D-占空比 ESB-二次擊穿能量 fmax-最高振蕩頻率.當(dāng)三極管功率增益等于1時(shí)的工作頻率 f-頻率 h RE-共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù) hfe-共發(fā)射極小信號(hào)短路電壓放大系數(shù) hIE-共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗 hie-共發(fā)射極小信號(hào)短路輸入阻抗  hOE-共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo) hoe-共發(fā)射極小信號(hào)開路輸出導(dǎo)納 hre-共發(fā)射極小信號(hào)開路電壓反饋系數(shù) IAGC-正向自動(dòng)控制電流 IB2-單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流 IBM-在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi),能

17、連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值,或交流電流的最大平均值 IB-基極直流電流或交流電流的平均值 Icbo-基極接地,發(fā)射極對(duì)地開路,在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流 Iceo-發(fā)射極接地,基極對(duì)地開路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icer-基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R,集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時(shí),集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Ices-發(fā)射極接地,基極對(duì)地短路,在規(guī)定的反向電壓VCE條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 Icex-發(fā)射極接地,基極與發(fā)射極間加指定偏壓,在規(guī)定的反向偏壓VCE下,集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流 ICM-最大輸出平均電流 Ic-集電極直流電流或交流電流的平均值 IDR-