第5章存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)ppt課件

1、主講：陳燕慧主講：陳燕慧20192019年年4 4月月 根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)不同，可分為根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)不同，可分為: : 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，磁心存儲(chǔ)器，電耦合存儲(chǔ)器。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，磁心存儲(chǔ)器，電耦合存儲(chǔ)器。 目前，計(jì)算機(jī)內(nèi)部均采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，只討論半目前，計(jì)算機(jī)內(nèi)部均采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，只討論半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，導(dǎo)體存儲(chǔ)器， 按照存儲(chǔ)器的存取功能不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分按照存儲(chǔ)器的存取功能不同，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為為 1)1)只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器Read Only MemoryRead Only Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)，簡(jiǎn)稱(chēng)ROMROM） 2)2)隨機(jī)存儲(chǔ)器隨機(jī)存儲(chǔ)器Random Access MemoryRandom

2、Access Memory，簡(jiǎn)稱(chēng)，簡(jiǎn)稱(chēng) RAMRAM） 3)3)串行存儲(chǔ)器。串行存儲(chǔ)器。 功能：用于存放程序，常數(shù)和表格常數(shù)等。功能：用于存放程序，常數(shù)和表格常數(shù)等。 特點(diǎn)：把信息寫(xiě)入存儲(chǔ)器后，能長(zhǎng)期保存，不特點(diǎn)：把信息寫(xiě)入存儲(chǔ)器后，能長(zhǎng)期保存，不會(huì)因電源斷電而丟失信息，在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中，會(huì)因電源斷電而丟失信息，在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中，只能讀出信息，不能再寫(xiě)入信息。一旦寫(xiě)入信息，只能讀出信息，不能再寫(xiě)入信息。一旦寫(xiě)入信息，不能隨意更改。不能隨意更改。 根據(jù)編程方式的不同，根據(jù)編程方式的不同，ROMROM可分為以下可分為以下5 5種：種：1) 1) 掩模工藝掩模工藝ROMROM 特點(diǎn)：編程是由制造

3、廠完成，即在生產(chǎn)過(guò)特點(diǎn)：編程是由制造廠完成，即在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行編程。用戶(hù)不能改變其內(nèi)容。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，程中進(jìn)行編程。用戶(hù)不能改變其內(nèi)容。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，集成度高，適于大批量生產(chǎn)。集成度高，適于大批量生產(chǎn)。2) 可一次性編程可一次性編程ROMPROM） 特點(diǎn)：程序是由用戶(hù)寫(xiě)入，只能寫(xiě)一次，但特點(diǎn)：程序是由用戶(hù)寫(xiě)入，只能寫(xiě)一次，但不能再進(jìn)行修改。不能再進(jìn)行修改。3) 紫外線擦除可改寫(xiě)紫外線擦除可改寫(xiě)ROMEPPROM） 特點(diǎn)：用電信號(hào)編程而用紫外線擦除。程序特點(diǎn)：用電信號(hào)編程而用紫外線擦除。程序由用戶(hù)寫(xiě)入，運(yùn)行多次擦除和重新寫(xiě)入。由用戶(hù)寫(xiě)入，運(yùn)行多次擦除和重新寫(xiě)入。 典型產(chǎn)品型號(hào)有：典型產(chǎn)品型號(hào)有： Int

4、el公司公司27系列產(chǎn)品：系列產(chǎn)品：27162KB8），），27324KB8），），27648KB8），），2712816KB8），），2725616KB8等。等。4) 電擦除可改寫(xiě)電擦除可改寫(xiě)ROMEEPROM或或E2PROM） 特點(diǎn)：用電信號(hào)編程也用電信號(hào)擦除。可以通過(guò)特點(diǎn)：用電信號(hào)編程也用電信號(hào)擦除。可以通過(guò)讀寫(xiě)操作進(jìn)行逐個(gè)存儲(chǔ)單元讀出和寫(xiě)入，讀寫(xiě)操作讀寫(xiě)操作進(jìn)行逐個(gè)存儲(chǔ)單元讀出和寫(xiě)入，讀寫(xiě)操作與與RAM存儲(chǔ)器差不多，只是寫(xiě)入速度慢一些。但斷存儲(chǔ)器差不多，只是寫(xiě)入速度慢一些。但斷電后能保存信息。電后能保存信息。 典型產(chǎn)品型號(hào)有：典型產(chǎn)品型號(hào)有：28C16、28C17、2817等。等。5)

5、 快擦寫(xiě)快擦寫(xiě)ROM閃速存儲(chǔ)器即閃速存儲(chǔ)器即Flash ROM） 特點(diǎn)：是在特點(diǎn)：是在EPPROM和和E2PROM基礎(chǔ)上發(fā)展的一基礎(chǔ)上發(fā)展的一種種ROM，讀寫(xiě)速度很快。存取時(shí)間達(dá)，讀寫(xiě)速度很快。存取時(shí)間達(dá)70ns納秒），納秒），存儲(chǔ)容量達(dá)存儲(chǔ)容量達(dá)16128MB。改寫(xiě)次數(shù)可達(dá)。改寫(xiě)次數(shù)可達(dá)1萬(wàn)萬(wàn)100萬(wàn)次。萬(wàn)次?？稍诰€寫(xiě)入，自動(dòng)覆蓋內(nèi)容，可按頁(yè)連續(xù)字節(jié)寫(xiě)入?？稍诰€寫(xiě)入，自動(dòng)覆蓋內(nèi)容，可按頁(yè)連續(xù)字節(jié)寫(xiě)入。 典型產(chǎn)品型號(hào)有：典型產(chǎn)品型號(hào)有：28F256、28F516、AT89等。等。功能：功能： 用于存放可隨時(shí)修改的數(shù)據(jù)，常用于單片機(jī)控用于存放可隨時(shí)修改的數(shù)據(jù)，常用于單片機(jī)控制領(lǐng)域。但是掉電后信息

6、立刻消失。這時(shí)在單片機(jī)應(yīng)制領(lǐng)域。但是掉電后信息立刻消失。這時(shí)在單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)要有掉電保護(hù)電路路，以便及時(shí)提供備用電源，用系統(tǒng)要有掉電保護(hù)電路路，以便及時(shí)提供備用電源，防止因掉電信息丟失。防止因掉電信息丟失。 按制造工藝可分為：按制造工藝可分為：1 1雙極性雙極性RAMRAM 特點(diǎn)：存取時(shí)間短，一般為幾到十幾納秒。特點(diǎn)：存取時(shí)間短，一般為幾到十幾納秒。與與MOSMOS型相比，集成度較低，功耗大，價(jià)格較高。型相比，集成度較低，功耗大，價(jià)格較高。 應(yīng)用場(chǎng)合：主要用于存取時(shí)間短微型計(jì)算機(jī)中。應(yīng)用場(chǎng)合：主要用于存取時(shí)間短微型計(jì)算機(jī)中。2 2MOSMOS金屬氧化物金屬氧化物RAMRAM 特點(diǎn)：與雙極性特點(diǎn)

7、：與雙極性RAMRAM相反。在單片機(jī)系統(tǒng)中一相反。在單片機(jī)系統(tǒng)中一般使用此種類(lèi)型。般使用此種類(lèi)型。 按工作方式不同，可分為：按工作方式不同，可分為： 靜態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器靜態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器SRAMSRAMStatic Random Static Random Access MemoryAccess Memory）特點(diǎn)：集成度比較高，功耗比雙極性特點(diǎn)：集成度比較高，功耗比雙極性RAMRAM低，價(jià)格低，價(jià)格也比較便宜。也比較便宜。 動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器DRAMDRAMDynamic Random Dynamic Random Access MemoryAccess Memory）特點(diǎn)：集成度很高，功

8、耗、價(jià)格比特點(diǎn)：集成度很高，功耗、價(jià)格比SRAMSRAM低。低。 是一種是一種CMOSCMOS工藝制成的電擦除可編程工藝制成的電擦除可編程ROMROM，最，最近逐漸發(fā)展的。近逐漸發(fā)展的。 典型產(chǎn)品：典型產(chǎn)品：二線制二線制24CXX24CXX系列產(chǎn)品，三線制系列產(chǎn)品，三線制93CXX93CXX系列產(chǎn)品。系列產(chǎn)品。1. 1. 存儲(chǔ)容量：通常用某一芯片有多少個(gè)存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)容量：通常用某一芯片有多少個(gè)存儲(chǔ)單元、每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)若干未來(lái)表示。每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)若干未來(lái)表示。例如：靜態(tài)例如：靜態(tài)RAM6264RAM6264的容量為的容量為8K8K8 8，表示有，表示有8K8K個(gè)單個(gè)單元元1K=10241K

9、=1024），每個(gè)單元存儲(chǔ)），每個(gè)單元存儲(chǔ)8 8位一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)。位一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)。2. 2. 存取時(shí)間存取時(shí)間 即存取芯片中某一個(gè)單元的數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。即存取芯片中某一個(gè)單元的數(shù)據(jù)所需要的時(shí)間。在計(jì)算機(jī)工作時(shí)，在計(jì)算機(jī)工作時(shí)，CPUCPU在讀寫(xiě)在讀寫(xiě)RAMRAM時(shí)，它所提供的讀時(shí)，它所提供的讀寫(xiě)時(shí)間必須比寫(xiě)時(shí)間必須比RAMRAM芯片所需要的存取時(shí)間長(zhǎng)。如果不芯片所需要的存取時(shí)間長(zhǎng)。如果不滿足，微機(jī)則無(wú)法正常工作。滿足，微機(jī)則無(wú)法正常工作。3 3可靠性可靠性 微型計(jì)算機(jī)要正確地運(yùn)行，必須要求存儲(chǔ)微型計(jì)算機(jī)要正確地運(yùn)行，必須要求存儲(chǔ)器系統(tǒng)具有很高的可靠性。內(nèi)存的任何錯(cuò)誤就器系統(tǒng)具有很高的可靠性。內(nèi)

10、存的任何錯(cuò)誤就可以導(dǎo)致計(jì)算機(jī)無(wú)法工作?？梢詫?dǎo)致計(jì)算機(jī)無(wú)法工作。4 4功耗功耗 使用功耗低的存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng)，使用功耗低的存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng)，不僅可以減少對(duì)電源容量的要求，而且可以提不僅可以減少對(duì)電源容量的要求，而且可以提高存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性。高存儲(chǔ)系統(tǒng)的可靠性。1 1、8051/8751/80C51/87C518051/8751/80C51/87C51硬件最小應(yīng)用系統(tǒng)硬件最小應(yīng)用系統(tǒng)片內(nèi)有片內(nèi)有4KB4KB的掩模的掩模ROM/EPROMROM/EPROM，其自身可以構(gòu)成最小系統(tǒng)，其自身可以構(gòu)成最小系統(tǒng)，再加上復(fù)位電路、時(shí)鐘電路、再加上復(fù)位電路、時(shí)鐘電路、 引腳接高電平，即可通電工引腳接

11、高電平，即可通電工作。硬件電路如圖作。硬件電路如圖5.1a5.1a所示：所示：EA這種最小應(yīng)用系統(tǒng)具有以下特點(diǎn)：這種最小應(yīng)用系統(tǒng)具有以下特點(diǎn)：1 1系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠；系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠；2 2有大量的有大量的I/OI/O線供用戶(hù)使用，線供用戶(hù)使用，P0P3P0P3口共口共3232根根I/OI/O均可作為輸入均可作為輸入/ /輸出線使用。輸出線使用。3 3內(nèi)部存儲(chǔ)容量有限，只有內(nèi)部存儲(chǔ)容量有限，只有128B128B的內(nèi)部的內(nèi)部RAMRAM和一和一些特殊功能即存期以及些特殊功能即存期以及4KB4KB的內(nèi)部的內(nèi)部ROM/EPROMROM/EPROM。 2. 8031/80C312. 8031/80

12、C31最小應(yīng)用系統(tǒng)最小應(yīng)用系統(tǒng)用這兩種芯片構(gòu)成最小用這兩種芯片構(gòu)成最小應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)，由于片內(nèi)應(yīng)用系統(tǒng)時(shí)，由于片內(nèi)無(wú)無(wú)ROMROM，所以必須在片外，所以必須在片外擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器，常選擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器，常選用用EPROMEPROM芯片。在外擴(kuò)芯片。在外擴(kuò)ROMROM時(shí)，必須接上地址鎖時(shí)，必須接上地址鎖存器，硬件電路如圖存器，硬件電路如圖5.1b5.1b所示：所示： 由硬件電路可知，該系統(tǒng)包括由硬件電路可知，該系統(tǒng)包括8031/80C318031/80C31、2764EPROM2764EPROM、74LS37374LS373地址鎖存器、時(shí)鐘電路和復(fù)位電地址鎖存器、時(shí)鐘電路和復(fù)位電路。路。 引腳接地，使引

13、腳接地，使CPUCPU只能選擇外部程序存儲(chǔ)器，只能選擇外部程序存儲(chǔ)器，并執(zhí)行并執(zhí)行ROMROM中的程序。中的程序。ALEALE引腳接引腳接74LS37374LS373的的G G端。端。特點(diǎn)：特點(diǎn)： 1 1P0P0口用在低口用在低8 8位地址線位地址線/ /數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線，P2P2口用在高口用在高8 8位地址線，都不能再作為通用位地址線，都不能再作為通用I/OI/O接口使用。接口使用。 2 2使用外部使用外部ROMROM，其容量最高為，其容量最高為64KB64KB。而片外。而片外ROMROM可選擇可選擇EPROMEPROM、EEPROMEEPROM、PEROMPEROM芯片，方便改寫(xiě)程序。芯片，

14、方便改寫(xiě)程序。 3 3價(jià)格低廉，應(yīng)用較多。價(jià)格低廉，應(yīng)用較多。EA 單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)只能適用簡(jiǎn)單的應(yīng)用系統(tǒng)。而對(duì)單片機(jī)最小應(yīng)用系統(tǒng)只能適用簡(jiǎn)單的應(yīng)用系統(tǒng)。而對(duì)于較為復(fù)雜的系統(tǒng)，必須進(jìn)行外擴(kuò)于較為復(fù)雜的系統(tǒng)，必須進(jìn)行外擴(kuò)ROMROM、RAMRAM、I/OI/O等。等。 系統(tǒng)擴(kuò)展結(jié)構(gòu)如圖系統(tǒng)擴(kuò)展結(jié)構(gòu)如圖5.25.2所示：所示： 總線就是連接計(jì)算機(jī)各部件的一組公共信號(hào)，按功能分為總線就是連接計(jì)算機(jī)各部件的一組公共信號(hào)，按功能分為三組總線。三組總線。1) 1) 地址總線地址總線ABABAddress BusAddress Bus）：）： 1616根地址線，可尋址范圍達(dá)根地址線，可尋址范圍達(dá)216=6

15、4K216=64K，由，由P0P0口和口和P2P2口構(gòu)建，低口構(gòu)建，低8 8位由位由P0P0口經(jīng)地址鎖存器提供，高口經(jīng)地址鎖存器提供，高8 8位由位由P2P2口提供。單向總線?？谔峁蜗蚩偩€。 由于由于P0P0口是數(shù)據(jù)、地址分時(shí)復(fù)用的，故口是數(shù)據(jù)、地址分時(shí)復(fù)用的，故P0P0接口輸出的低接口輸出的低8 8位位地址必須用地址鎖存器進(jìn)行鎖存。地址必須用地址鎖存器進(jìn)行鎖存。2) 2) 數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線DBDBData BusData Bus） 用于在單片機(jī)與存儲(chǔ)器、用于在單片機(jī)與存儲(chǔ)器、I/OI/O口之間相互傳遞數(shù)據(jù)。口之間相互傳遞數(shù)據(jù)。寬度為寬度為8 8位，由位，由P0P0口提供，是雙向總線?？谔?/p>

16、供，是雙向總線。3) 3) 控制總線控制總線CBCBControl BusControl Bus） 是第二功能信號(hào)線，包括是第二功能信號(hào)線，包括ALEALE、PSENPSEN、RDRD、WRWR等。等。用于地址鎖存控制、片外用于地址鎖存控制、片外ROMROM選通、讀選通、讀/ /寫(xiě)控制和片內(nèi)、片外寫(xiě)控制和片內(nèi)、片外ROMROM選擇等。為準(zhǔn)雙向總線。選擇等。為準(zhǔn)雙向總線。51系列單片機(jī)的基本擴(kuò)展電路如圖5.3所示：結(jié)論：結(jié)論：1） P0口作低口作低8位地址線位地址線/數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線 P0口分時(shí)提供低口分時(shí)提供低8位地址信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。位地址信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。 2P2口作為高口作為高8位地址線位地址線

17、與低與低8位構(gòu)成位構(gòu)成16位地址總線，使擴(kuò)展系統(tǒng)尋址達(dá)位地址總線，使擴(kuò)展系統(tǒng)尋址達(dá)64KB。 3控制信號(hào)控制信號(hào)PSEN：程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)；：程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)；ALE： 地址鎖存信號(hào)；地址鎖存信號(hào)；EA： 片內(nèi)、片內(nèi)程序存儲(chǔ)器的選擇信號(hào)；和片內(nèi)、片內(nèi)程序存儲(chǔ)器的選擇信號(hào)；和I/O端端口口 的讀選通信號(hào)；的讀選通信號(hào)；RD： 擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和I/O端口的讀選通信號(hào)；端口的讀選通信號(hào)；WR： 擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和擴(kuò)展數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和I/O端口的寫(xiě)選通信號(hào)。端口的寫(xiě)選通信號(hào)。74LS37374LS373和和82828282為高電平跟隨，低電平鎖存。即低為高電平跟隨，低電平鎖存。即

18、低電平有效。電平有效。74LS27374LS273為上升沿鎖存。即上升沿有效。為上升沿鎖存。即上升沿有效。定義：定義： 譯碼器就是對(duì)系統(tǒng)的高位地址進(jìn)行譯碼，以其譯碼器就是對(duì)系統(tǒng)的高位地址進(jìn)行譯碼，以其譯碼輸出作為存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)。譯碼輸出作為存儲(chǔ)芯片的片選信號(hào)。優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 能有效地利用空間，存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)空間連續(xù)，能有效地利用空間，存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)空間連續(xù)，適用于大容量多芯片存儲(chǔ)器擴(kuò)展。適用于大容量多芯片存儲(chǔ)器擴(kuò)展。常用的譯碼芯片有：常用的譯碼芯片有：74LS13974LS139雙雙2-42-4譯碼器和譯碼器和74LS13874LS1383-83-8譯碼器等。譯碼器等。1 174LS1397

19、4LS139譯碼器譯碼器是是2-42-4譯碼器，即對(duì)譯碼器，即對(duì)2 2個(gè)輸入信號(hào)進(jìn)行譯碼，得到個(gè)輸入信號(hào)進(jìn)行譯碼，得到4 4個(gè)輸出狀態(tài)。其引腳如圖個(gè)輸出狀態(tài)。其引腳如圖5.45.4所示：所示：G G：勢(shì)能端，低電平有效。：勢(shì)能端，低電平有效。A A、B B：選擇端：選擇端, ,即譯碼器輸入端；即譯碼器輸入端；Y0Y0、Y1Y1、Y2Y2、Y3:Y3:譯碼器輸出信譯碼器輸出信 號(hào)，低電平有效。號(hào)，低電平有效。其真值表如表其真值表如表5-15-1所示：所示：2 274LS13874LS138譯碼器譯碼器是是3-83-8譯碼器，即對(duì)譯碼器，即對(duì)3 3個(gè)輸入信號(hào)進(jìn)行譯碼，得到個(gè)輸入信號(hào)進(jìn)行譯碼，得到8

20、 8個(gè)輸出狀態(tài)，其引腳如圖個(gè)輸出狀態(tài)，其引腳如圖5.55.5所示：所示：E1E1、E2E2、E3:E3:勢(shì)能端勢(shì)能端, ,用于引入控制信號(hào)。用于引入控制信號(hào)。E1E1、E2E2低電平有效，低電平有效，E3E3高電平有效。高電平有效。A A、B B、C:C:選擇端選擇端, ,即譯碼器信號(hào)輸入端。即譯碼器信號(hào)輸入端。Y7Y7Y0:Y0:譯碼輸出信號(hào)，低電平有效譯碼輸出信號(hào)，低電平有效. .其其真值表如表真值表如表5.25.2所示：所示：3) 3) 常用的常用的EPROMEPROM常用的常用的EPROM27EPROM27系列有：系列有：271627162KB2KB8bit8bit）、）、273227

21、324KB4KB8bit8bit）、）、 276427648KB8KB8bit8bit）、）、271282712816KB16KB8bit8bit）、）、272562725632KB32KB8bit8bit）。）。闡明：“27為系列號(hào)，后面的數(shù)字表示芯片的容量，其中2K、4K、8K等代表有多少個(gè)存儲(chǔ)單元，也說(shuō)明了地址線有多說(shuō)根，“8bit代表一個(gè)單元存放8為二進(jìn)制數(shù)，或者數(shù)據(jù)線有8根。27642764、2725627256和和2751227512芯片引腳如圖芯片引腳如圖5.65.6所示：所示：引腳功能如下：O0O7：數(shù)據(jù)線；OE：數(shù)據(jù)允許輸出線，低電平有效；CE：片選信號(hào)輸入端，低電平有效；G

22、ND：接地端；PGM：編程脈沖輸入端；VPP：編程電源輸入端。程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展例題程序存儲(chǔ)器擴(kuò)展例題例1：用一片27128EPROM擴(kuò)展16KB程序存儲(chǔ)器解：電路圖如圖5.7所示：程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展可分為以下幾個(gè)步驟：1低8位地址線的連接： P0.0P0.7經(jīng)鎖存起后與存儲(chǔ)器芯片27128的A0A7相連接，2高位地址線的連接： 27128共有14根地址線A0A13，完成低8位地址線的連接后，剩下的A8A13的高6位地址線，直接與P2.0P2.5相連接。3數(shù)據(jù)線連接： 27128的數(shù)據(jù)線D0D7直接連接到P0.0P0.7上。4控制線的連接： ALE接鎖存器74LS373的使能端G，PSEN連接271

23、28的允許輸出端OE，對(duì)于8030/80C31單片機(jī)，EA要接地。527128的片選端CE的連接：直接接地。例例2 2、多片程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展、多片程序存儲(chǔ)器的擴(kuò)展4 4常用常用EEPROMEEPROM電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器擴(kuò)展電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器擴(kuò)展IntelIntel公司常用芯片有：公司常用芯片有：281628162816A2816A）、）、281728172817A2817A）、）、286428642864A2864A）優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： 能在應(yīng)用系統(tǒng)中進(jìn)行在線電擦除和在線電寫(xiě)能在應(yīng)用系統(tǒng)中進(jìn)行在線電擦除和在線電寫(xiě)入，不能在斷電情況下保持修改的結(jié)果。它比紫外入，不能在斷電情況下保持修改的結(jié)果。

24、它比紫外線線EPROMEPROM方便。方便。應(yīng)用領(lǐng)域：應(yīng)用領(lǐng)域： 智能儀表，控制裝置，分布式監(jiān)測(cè)系統(tǒng)子站，智能儀表，控制裝置，分布式監(jiān)測(cè)系統(tǒng)子站，開(kāi)發(fā)裝置等。開(kāi)發(fā)裝置等。表表5-3 Intel5-3 Intel公司公司EEPROMEEPROM典型產(chǎn)品主要性能典型產(chǎn)品主要性能 以Intel2864A為例介紹EEPROM的擴(kuò)展： 圖5.9 2864A 引腳及邏輯符號(hào)圖表表5-4 2864A5-4 2864A的工作方式的工作方式1) 1) 維持待機(jī)方式維持待機(jī)方式 當(dāng)當(dāng)CECE為高電平時(shí)，為高電平時(shí)，2864A2864A進(jìn)入功耗自動(dòng)待機(jī)狀進(jìn)入功耗自動(dòng)待機(jī)狀態(tài)，此時(shí)，數(shù)據(jù)輸出線呈高阻態(tài)。態(tài)，此時(shí)，數(shù)據(jù)

25、輸出線呈高阻態(tài)。2) 讀出方式 當(dāng)CE和OE均為低電平，而WE為高電平時(shí)，片內(nèi)數(shù)據(jù)緩沖器開(kāi)門(mén)，數(shù)據(jù)被送到數(shù)據(jù)總線，可執(zhí)行讀操作。 3) 3) 寫(xiě)入方式寫(xiě)入方式 2864A2864A寫(xiě)入方式有兩種：字節(jié)寫(xiě)入和頁(yè)寫(xiě)入。寫(xiě)入方式有兩種：字節(jié)寫(xiě)入和頁(yè)寫(xiě)入。4) 4) 數(shù)據(jù)查詢(xún)方式數(shù)據(jù)查詢(xún)方式是由軟件來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫(xiě)周期是否完成。是由軟件來(lái)檢測(cè)一個(gè)寫(xiě)周期是否完成。 8031單片機(jī)擴(kuò)展2864A 的電路圖如圖5.10所示：1. 1. 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器概述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器概述 5151系列單片機(jī)內(nèi)部?jī)H有系列單片機(jī)內(nèi)部?jī)H有128B128B的的RAMRAM，對(duì)于，對(duì)于簡(jiǎn)單的應(yīng)用場(chǎng)合，已夠用；簡(jiǎn)單的應(yīng)用場(chǎng)合，已夠用； 但是對(duì)于復(fù)

26、雜場(chǎng)合，需要處理大量數(shù)據(jù)，但是對(duì)于復(fù)雜場(chǎng)合，需要處理大量數(shù)據(jù)，這時(shí)必須外擴(kuò)這時(shí)必須外擴(kuò)RAMRAM，最大可外擴(kuò)，最大可外擴(kuò)64KB64KB。 擴(kuò)展中廣泛應(yīng)用靜態(tài)擴(kuò)展中廣泛應(yīng)用靜態(tài)RAMRAMSRAMSRAM）。）。2. 單片機(jī)對(duì)片外單片機(jī)對(duì)片外RAM讀讀/寫(xiě)指令寫(xiě)指令 訪問(wèn)外部訪問(wèn)外部RAM時(shí)，使用時(shí)，使用MOVX指令。指令。 外部外部RAM通常設(shè)置兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)：通常設(shè)置兩個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)：1） 低低8位地址線尋址的外部數(shù)據(jù)區(qū)位地址線尋址的外部數(shù)據(jù)區(qū) 此區(qū)域?qū)ぶ房臻g為此區(qū)域?qū)ぶ房臻g為256B，CPU可以使用可以使用下列讀寫(xiě)指令來(lái)訪問(wèn)此存儲(chǔ)區(qū)：下列讀寫(xiě)指令來(lái)訪問(wèn)此存儲(chǔ)區(qū)： 讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指

27、令：MOVX A，Ri 寫(xiě)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：寫(xiě)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：MOVX R，A 由于由于8位尋址指令占用字節(jié)少，程序運(yùn)行速位尋址指令占用字節(jié)少，程序運(yùn)行速度快，所以經(jīng)常采用。度快，所以經(jīng)常采用。 216位地址尋址的外部數(shù)據(jù)區(qū)位地址尋址的外部數(shù)據(jù)區(qū) 當(dāng)外部當(dāng)外部RAM容量較大，要訪問(wèn)容量較大，要訪問(wèn)RAM地址空間大于地址空間大于256B時(shí)，時(shí)，需要采用需要采用16位尋址指令。位尋址指令。 讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：讀存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：MOVX A，DPTR 寫(xiě)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：寫(xiě)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)指令：MOVX DPTR，A由于由于DPTR位位16位的地址指針，故可尋址位的地址指針，故可尋址64KBRAM單元。單元。

28、3. 3. 外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器常用的典型芯片外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器常用的典型芯片 1 1數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器SRAMSRAM芯片芯片 目前常用的靜態(tài)目前常用的靜態(tài)RAM芯片有芯片有Itel公司的公司的6116、6264、62128、62256，其主要性能指標(biāo)如下：，其主要性能指標(biāo)如下：200200200典型存取時(shí)間/ns0.525典型維持電流/ mA84035典型工作電流/mA555工作電壓/V282824引腳數(shù)3282容量/KB6225662646116芯片型號(hào)芯片引腳如下：芯片引腳如下：CEWE以以6264芯片為例說(shuō)明芯片的引腳以及擴(kuò)展電路的連接芯片為例說(shuō)明芯片的引腳以及擴(kuò)展電路的連接 引腳功能：引腳

29、功能： A12A0：13根地址線，芯片的容量為根地址線，芯片的容量為8K213個(gè)個(gè)單元；單元； D7D0：8根三態(tài)雙向數(shù)據(jù)線；根三態(tài)雙向數(shù)據(jù)線；：片選信號(hào)輸入線，低電平有效；：片選信號(hào)輸入線，低電平有效； ：寫(xiě)選通信號(hào)輸入線，低電平有效：寫(xiě)選通信號(hào)輸入線，低電平有效CS ：片選信號(hào)輸入線，高電平有效，：片選信號(hào)輸入線，高電平有效，可用于掉電保護(hù)。可用于掉電保護(hù)。2 2） 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展電路數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展電路A A單片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展單片數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展 單片機(jī)與單片機(jī)與62646264的連接如下表所示：的連接如下表所示：80C51/80516264P0經(jīng)鎖存器鎖存形成經(jīng)鎖存器鎖存形成A0A7A0A7P2.0、P2.1、P2.2、P2.3、P2.4A8A12D0D7D0D7RDWROEWE硬件電路如下：硬件電路如下：B B多片存儲(chǔ)器的擴(kuò)展多片存儲(chǔ)器的擴(kuò)展例，用例，用4 4片片61166116進(jìn)行進(jìn)行8KB8KB數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)