太陽能電池-前清洗制絨工藝指導(dǎo)書

1、RENA制絨工藝操作規(guī)程1 / 23序言為更好地保證Schmid制絨機的生產(chǎn)正常進行，穩(wěn)定生產(chǎn)工藝，提高制絨工序產(chǎn)品質(zhì)量，進一步保證電池產(chǎn)品性能，特制定本作業(yè)指導(dǎo)書，以使操作人員的工藝操作有章可循，規(guī)范統(tǒng)一，同時，還為新員工的上崗培訓(xùn)提供教材參考。2 / 23目錄一、工藝目的二、使用范圍三、責(zé)任四、設(shè)備及工具五、工藝原料及工藝要求六、工藝描述 1、工藝原理 2、制絨工藝流程3、工藝方案4、注意事項 七、工藝準備八、工藝操作 九、測試及檢查十、安全操作附件1 積分球絨面反射率測試儀操作說明3 / 23制絨工藝操作規(guī)程1、工藝目的： 制絨工藝就是利用線鋸切割時在硅片表面形成的損傷層及硅片表面的缺陷

2、，通過硝酸與氫氟酸的混合溶液對硅片表面進行化學(xué)腐蝕。使硅片在微觀上形成高低不平的表面，增加電池片表面的受光面積，降低反射率，從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。 2、設(shè)備及工具：SCHIMID制絨機、電子天平、PVC手套、口罩、防護服、防護眼罩、防護套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋、methrohm濃度分析儀、D8絨面反射儀。3、適用范圍：電池車間制絨工序SCHIMID制絨設(shè)備4、職責(zé)：本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負責(zé)制訂、修改、解釋5、工藝原料及工藝要求：合格的多晶硅片、HNO3（65%、電子級）、HF（49%、電子級）、KOH（50%、電子級）、HCl（37%、電子級）、DI水（大于15 M·c

3、m、6bar）、冷卻水（4bar）、壓縮空氣（6 bar，除油、除水、除粉塵）、排風(fēng)（0.01bar）、環(huán)境溫度2030、相對濕度4065。6、工藝描述： 6.1、工藝原理： SCHIMID制絨工藝主要包括三部分： 硝酸與氫氟酸混合液腐蝕 氫氧化鉀腐蝕 鹽酸與氫氟酸混合溶液清洗 在制絨過程中，首先是硝酸與硅在損傷層與缺陷處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氧化硅，然后氫氟酸與氧化硅反應(yīng)生成硅的絡(luò)合物（H2SiF6）與水，這樣去損傷層與制絨同時進行，從而縮短了工藝流程。制絨之后的硅片經(jīng)過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅以及中和腐蝕槽中未清洗干凈的酸液，再經(jīng)過DI水沖洗去掉表面殘留的堿液。最后利用HF與HCl的混合

4、溶液除去硅片表面的各種金屬離子等雜質(zhì)，并用DI水沖洗酸性表面，最后用壓縮空氣將硅片表面吹干。5 / 23 制絨過程的反應(yīng)方程式如下： 1) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O 2) SiO2+4HF=SiF4+2H2O 3) SiF4+2HF=H2SiF6 6.2、工藝流程：上料HNO3、HF制絨風(fēng)刀1沖洗1KOH腐蝕沖洗2HF、HCl清洗沖洗3熱風(fēng)吹干下料7、注意事項： 7.1、腐蝕槽的腐蝕速率會隨著硅片清洗量的增加而改變，新?lián)Q的藥液反應(yīng)速度慢，因此需要降低帶速，平均腐蝕深度的目標值為3.6µm -4.8µm（由于設(shè)備差異，以及調(diào)試初期的工藝變化會做相應(yīng)調(diào)整）

5、，平均腐蝕量超出目標值應(yīng)該進行工藝調(diào)整，合格品范圍單片值3.0µm-5.0µm，超出此范圍應(yīng)停產(chǎn)調(diào)試。新更換的藥液通過調(diào)整帶速1.4-2.0m/min以保證腐蝕深度在規(guī)定范圍內(nèi)，調(diào)整過程中的稱量記錄要做上備注，當腐蝕速度穩(wěn)定后每隔一個小時測量一次腐蝕深度。當腐蝕深度偏離規(guī)定時最好不要更改溶液濃度、溶液比例，因為濃度、比例發(fā)生改變腐蝕速度也隨之發(fā)生變化，導(dǎo)致腐蝕后硅片表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。溫度調(diào)整控制在20ºC以下。7.2、腐蝕槽的自動補液量的設(shè)定應(yīng)保證每個班組的手動補液次數(shù)不大于1次，當進行調(diào)整后需做相應(yīng)的記錄包括：時間、原因、更改值、技術(shù)員簽名。7.3、制冷機上

6、制冷劑的電導(dǎo)率要維持在500us左右，因為如果電導(dǎo)率不在此范圍內(nèi)，會導(dǎo)致制冷機制冷量不足或者過高，造成制冷劑冰凍等其他問題的發(fā)生，不利于工藝、設(shè)備的穩(wěn)定。8、工藝準備 8.1、工藝潔凈管理：操作時需戴口罩、潔凈手套，并保持室內(nèi)正壓，嚴禁隨便開啟門窗，以保持室內(nèi)潔凈度。 8.2、設(shè)備準備:確認設(shè)備能正常運行，工藝溫度、冷卻水、壓縮空氣等壓力及流量正常。 8.3、原材料準備:硅片需經(jīng)抽檢合格后方可投入，將不合格硅片挑揀出來。常見的不合格片包括：崩邊、缺角、裂紋、鋸痕、手印、孔洞、微晶、含氮化硅的硅片等。5 / 23 8.4、工裝工具準備：備齊用于工藝生產(chǎn)的PVC手套、口罩、防護眼罩、防護面罩、防護

7、套袖、防護服、防酸堿手套、防酸堿膠鞋等。8.5、工藝準備：確認設(shè)定的制絨工藝名稱及參數(shù)正確無誤。9、工藝操作：9.1、在工藝準備完成后，選擇正確的工藝方案，點擊開始進入自動運行模式。9.2、自動裝載操作：硅片的自動裝載速度不得大于Schmid設(shè)備主體的傳輸速度，以保證在裝載區(qū)不會出現(xiàn)疊片現(xiàn)象。9.3、自動卸載操作：操作人員務(wù)必仔細看護好硅片的傳輸，保證各個硅片傳入載片盒的正確位置，用肉眼觀察硅片上下表面的絨面效果，發(fā)現(xiàn)絨面不明顯或制絨面黑色印記較多時應(yīng)及時反映給當班工藝人員進行調(diào)整。9.4、取片時要隨時將碎片取出并準確記錄每一道的碎片情況，如發(fā)現(xiàn)硅片有未風(fēng)干的現(xiàn)象則將濕硅片挑揀出來并及時向班組

8、長反映情況，通過調(diào)整設(shè)備及工藝解決問題。9.5、工藝過程中：定時檢查設(shè)備運行情況，檢查各槽是否都處于in process狀態(tài)，檢查傳輸速度、溫度、氣體流量等參數(shù)以及各工位液位情況。9.6、完工后詳細填寫完工轉(zhuǎn)交單，要求字跡工整、投入、產(chǎn)出、碎片等信息準確無誤，與制絨后的硅片一同轉(zhuǎn)入擴散工序。10、測試及檢查：10.1、新?lián)QHNO3/HF槽藥液后，需等到槽溫實際值降到設(shè)定值時方可進行投片生產(chǎn)。10.2、當工藝穩(wěn)定后，每1小時需進行一次腐蝕深度的測量。具體測量方式如下：先利用電子天平稱量5片腐蝕前硅片的質(zhì)量，將此質(zhì)量按順序填寫在工序腐蝕深度記錄表中，同時記錄好日期、班次、稱重時間硅片數(shù)（即稱重時設(shè)

9、備從維護結(jié)束已生產(chǎn)的硅片數(shù)）、工藝條件（如腐蝕溫度、傳輸速度等參數(shù)），并按照第1、2、3、4、5道的順序裝片投入腐蝕槽運行工藝。制絨后按照第1、2、3、4、5道的順序取出此稱重硅片，再稱量腐蝕后硅片的重量，填入表格，利用電子表格的公式直接求出腐蝕深度值。硅片的單面腐蝕深度（5片的平均值）調(diào)試初期暫定為3.6µm -4.8µm，超出范圍應(yīng)當進行溫度或者速度調(diào)整，調(diào)整后復(fù)測一次，如果仍超出范圍，應(yīng)當立即通知當班工藝人員進行調(diào)整。6 / 2310.3、清洗設(shè)備超過半小時以上不投產(chǎn)，必須停機將藥液排至prep.tank里，以保證藥液濃度的穩(wěn)定。10.4、清洗制絨機的維護周期為：小于

10、40萬片。可根據(jù)實際制絨效果適當延長或縮短維護周期，但不應(yīng)超過3萬片，并需作出說明（由工藝和設(shè)備人員協(xié)商規(guī)定）。新?lián)QHNO3/HF槽藥液后，需要在“腐蝕深度記錄表”中認真填寫更換時間、更換班組。10.5、硅片表面無可見污物、水印、指印、崩邊、缺角等缺陷方可轉(zhuǎn)下。10.6、測試腐蝕量的同時利用反射率儀測試硅片的表面反射率，校準反射率儀以后將硅片制絨面向上放入儀器中測試制絨面的反射率，反射率范圍在小于27以下，如果反射率過高，通知跟班技術(shù)人員，進行工藝調(diào)整。 注：制絨機工藝的更改要由工藝人員執(zhí)行，并做好詳細的工藝更改記錄。11、安全操作：制絨工序大量使用強酸、堿等化學(xué)藥品，了解酸、堿的知識對安全生

11、產(chǎn)是十分必要的。酸堿對人體和衣物有強烈的腐蝕作用，而且有些有毒性和氧化作用。 11.1、員工上崗前必須經(jīng)過專業(yè)培訓(xùn)，要嚴格按照本工序設(shè)備安全操作規(guī)程和工藝操作規(guī)程進行作業(yè)。 11.2、硅片的裝卸應(yīng)該在10000級的潔凈環(huán)境中進行，注意保持室內(nèi)潔凈度，進出時隨手關(guān)門。11.3、操作時務(wù)必小心，不可損傷或沾污硅片。 11.4、腐蝕槽在反應(yīng)過程中會產(chǎn)生有毒氣體，要保證良好的通風(fēng)并注意防護，避免蒸氣對人體的毒害。 11.5、更換藥液、維護、開窗操作要穿戴適當?shù)姆雷o用品，如防護服、防護眼罩、防酸堿手套、防酸堿套袖、口罩等。 11.6、搬運時要防止酸、堿瓶的傾倒和破裂，啟封時，瓶口應(yīng)向無人的地方，并且環(huán)境

12、需通風(fēng)良好。更換化學(xué)藥品罐時須由專人負責(zé)，兩人同時進行作業(yè)，穿好防護服，戴好防護面罩、防護套袖和手套，小心處理，換好藥液后及時填寫記錄。 注意：在更換前一定要先確認藥液名稱是否為自己需要的。在更換完后，再次確認藥品名稱，并填寫藥品更換紀錄。最后由另一人確認藥品名稱、填寫的藥品更換紀錄信息與藥品桶上無誤并簽字。 11.7、設(shè)備內(nèi)部或周圍嚴禁接觸和堆放易燃易爆等危險品。7 / 23 11.8、在機器運行過程中任何人不得將頭、手伸入工作腔體，以免發(fā)生危險。 11.9、工作時一定要有專人看守，工作結(jié)束后操作人員必須保證關(guān)閉設(shè)備電源后方可離開。 11.10、為防止硅片沾污，制絨后的硅片應(yīng)盡量避免較長時間

13、暴露在空氣中，制絨后的硅片應(yīng)在2小時內(nèi)轉(zhuǎn)入擴散工序。 11.11、在中和濃酸或濃堿時，必須先將其倒入水中稀釋。 11.12、盛過強堿、強酸的容器不可隨意丟棄，應(yīng)先傾倒干凈，用水沖洗多遍，然后進行一般清潔處理。 11.13、酸瓶破裂，可用細沙吸收，將沙撮走后，再用水沖洗地面。11.14、不同廢液不可隨意混倒，廢液應(yīng)當分開處理。11.15、正常生產(chǎn)中，不允許開蓋生產(chǎn)。8 / 23積分式反射儀操作手冊 1. 開機步驟 1.1 準備工作 1.1.1 確保裝機已完成。 1.1.2 確保接線都已正確接好。 檢查氙燈電源到機臺的兩根線纜是否緊密旋扣；檢查氙燈電源輸入部分是否完好接電；檢查計算機是否完好接電；

14、檢查暗箱是否完好接電；檢查光譜儀是否完好接電；檢查光譜儀與計算機之間的 USB 是否正確連接；檢查光纖是否正確連接。 1.1.3 確保環(huán)境及廠務(wù)符合要求。 不穩(wěn)定的廠區(qū)電源會對設(shè)備有重大傷害；不穩(wěn)定的廠區(qū)電源會對數(shù)據(jù)的精確性有影響；震動的環(huán)境會嚴重減少設(shè)備壽命甚至傷害到設(shè)備；酸或堿性的環(huán)境會腐蝕設(shè)備。 1.2 開機順序 1.2.1 開暗箱風(fēng)扇。 暗箱風(fēng)扇電源接上即開始運轉(zhuǎn)，有風(fēng)扇啟動的聲音。 1.2.2 開氙燈。 果斷且迅速按下氙燈電燈電源開關(guān)，正常情況下會有一秒鐘的吱吱的高壓激發(fā)的聲音并隨之“嘭”的一下氙燈點亮。氙燈發(fā)出亮白色的光。由于含有紫外線，請不要注視氙燈的光線。若 5 秒還不點亮氙燈

15、，請立刻關(guān)上氙燈電源，并聯(lián)系相關(guān)工程師報告狀況。 1.2.3 開光譜儀。 光譜儀的開關(guān)在電源線接口旁邊，撥動開關(guān)即有風(fēng)扇啟動的聲音。 1.2.4 開計算機。 先打開顯示器電源，再打開計算機，正常啟動。計算機完全啟動后打開反射儀軟件，軟件顯示界面會顯示光譜儀序號。若顯示沒有找到光譜儀則檢查光譜儀與計算機的連接及光譜儀是否開啟。 若有異常，請立即關(guān)上光譜儀電源，并聯(lián)系相關(guān)工程師報告狀況。若計算機異常，請立即聯(lián)系相關(guān)工程師報告狀況。 2. 測試 測試的過程很簡單，將待測試片放在載物臺上，待測部分放置在中間位置。單擊 “Measurement”，開始量測。 9 / 23圖 4-6 選擇 Measure

16、ment 按鈕 完成測量后，結(jié)果會以曲線的形式，顯示在窗口中。3. 數(shù)據(jù)處理 當測量完成后，可以通過幾種方式讀取結(jié)果。 在此窗口中可以通過“File” “Open”，同時打開不大于 8 條曲線文件，方便進行比較。此時，在“Show List”的下拉菜單中，將會顯示曲線名稱與顏色的關(guān)系。 在“Curve List”中，“ ”的功能為顯示/隱藏對應(yīng)的曲線。“ ”表示選定對應(yīng)的曲線，在“Remove” “Delete” 中進行刪除；也可以在“File” “Save”保存此組數(shù)據(jù)或通過“Show Data” 顯示具體的數(shù)據(jù)?！啊憋@示的為平均反射率。 可以通過上面提到的“File” “Show Data

17、”直接讀取數(shù)據(jù)。通過“Copy”按鈕，將所有的數(shù)據(jù)復(fù)制到剪貼板，可以直接粘貼到如 Excel 等軟件中。所有測量的數(shù)據(jù)會生成以“.asc”結(jié)尾的文檔，可以通過筆記本方式打開或者使用其他軟件讀取。 4. 硬件設(shè)置 氙燈電源箱長開，建議不要關(guān)掉電源。 光譜儀長開。 暗箱風(fēng)扇在開啟氙燈或光譜儀前先開，保證通風(fēng)系統(tǒng)的運行。 計算機常開。 保持積分球出光口與標準白板之間的距離為 300um。 保持積分球出光口與待測試片之間的距離為 300um。 5. 軟件設(shè)置 10 / 23Recipe 參數(shù)的設(shè)定 主操作界面中，在左上角 “File” “Edit Recipe”“Login”“Recipe”(I )

18、Boundaries for Calculation： 此處設(shè)定請不要超出光譜儀的硬件參數(shù)范圍。建議設(shè)置為 Low:350.00; High:1050.00; Points:700 (II ) Alarm Setting： 如果測量結(jié)果超出了設(shè)定的范圍，在打印出的報告中會有“NG”的提示標志。 (III ) Data Graphic Display with limit（Y）： 設(shè)置 Y 軸的顯示范圍，一般為 01。當顯示數(shù)據(jù)曲線圖的時候，也可按照需要設(shè)定好區(qū)間進行查看。 (IV ) Air Mass Setting: Result factor 是一個常數(shù)，在 AM1.5G 的時候固定為 0

19、.1312; Name 為 Air Mass 的名稱，這里為 AM1.5G Global Source 為加載 Air Mass 的路徑 Title, Title X, Title Y 分別為曲線的標題及橫縱坐標標示 (V ) File settings: 當 Save file after the measurement 被選定后，“Path”將生效，所設(shè)定的位置為測量結(jié)果的保存文件夾，“file name” 為最后一次測量結(jié)果保存的文件名Number of measurement 為測試的次數(shù)設(shè)置。一般設(shè)置為 1 次。為了測試重復(fù)性的時候會設(shè)置多次，看測試系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 (VI ) R L

20、ambda minimum: 設(shè)置擬合曲線看吸收峰值。需要看擬合曲線則勾選 Show Fitting Curve。Fitting Order 表示擬合的次數(shù)。一般為 5。根據(jù)經(jīng)驗，先大致判斷吸收峰的位置所在波長，然后將 Boundaries 設(shè)置為波長減100 到波長加100。如吸收峰波長為 610nm 左右，則可設(shè)置 Boundaries 為 500 到 700。NK fIle 可以加載與試片相關(guān)的 nk 文件。 Config 參數(shù)的設(shè)定 按照以下路徑：主操作界面“File” “Edit Recipe” “Login” “Recipe”“Config”, 進入以下界面。11 / 23 圖 6

21、-7 Config 界面 (I ) Integration Time（ms）： 此項為積分時間，在設(shè)備調(diào)試的時候，Raditech 的工程師會根據(jù)光強的強弱與測量時間的需要進行調(diào)整。單位為毫秒。 (II )With substeact background： 為扣除背景光，測試反射率時要勾選。 (III ) Sample Average： 此項為平均次數(shù)。當平均次數(shù)越多，數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性會越好，以此得到的曲線會更加平滑。 注意：此設(shè)定是根據(jù)光譜儀及氙燈等光學(xué)條件設(shè)定，請不要隨意修改。 Setup 此項涉及到底層設(shè)置，由廠商設(shè)定。 6. 維護 本設(shè)備幾乎沒有維護成本，只需隔一段時間簡單查看設(shè)備狀況是

22、否正常，設(shè)置是否被修改或部件是否被碰撞。 常規(guī)維護 負責(zé)設(shè)備的工程師，應(yīng)經(jīng)常查看設(shè)備，觀察是否有異常情況或操作人員是否按照正確的設(shè)置操作。 確認氙燈是否正常發(fā)亮；氙燈電流表讀數(shù)是否維持在 5A；暗箱風(fēng)扇是否正常運作。 確認載物臺上是否整潔，是否有試片顆粒，避免傷害試片；積分球口是否與試片及標準白板保持一定距離；光纖沒有被擠壓到。 每周維護 使用無塵布對儀器外表面進行清潔。由于設(shè)備一直處于上電運行狀態(tài)中，嚴禁使用酒精或濕抹布等擦拭。 12 / 23注意：在清潔過程中，對積分球以及相關(guān)的連接部分時，請不要劇烈用力，以免影響光路。 確認測量信號的穩(wěn)定性。 當氙燈老化后，對氙燈進行更換。 7. 注意事

23、項 工作距離 積分球測試口與試片之間的距離，十分關(guān)鍵，在工程師調(diào)試并確認后，請不要隨意更改，以免影響量測結(jié)果。 標準白板的保護 標準白板在使用后，請立即蓋好盒蓋保存，以免造成污染或劃傷，而影響正常使用。若不慎有灰塵或其他損傷，也不要擦拭或者試圖修補，以免進一步傷害標準白板 光路的穩(wěn)定性 在量測過程中，請不要接觸任何光學(xué)部件，比如：光纖，光譜儀，積分球等。以免量測數(shù)據(jù)失真。 關(guān)于停電 設(shè)備最好一直開著，對設(shè)備的電源開啟關(guān)閉會影響設(shè)備的壽命。建議不要因為省電或維護等原因斷電。不可抗拒的原因需要斷電，可按順序斷開氙燈電源，光譜儀電源，電腦電源及其它電源。電源供應(yīng)時再循序開啟。 規(guī)范性操作 請按照以上

24、章節(jié)的標準測量步驟進行操作，以免造成損傷試片。 設(shè)計文件名稱制絨工藝操作規(guī)程T-IS-018產(chǎn)品型號名稱156×156多晶絨面電池共頁第頁13 / 231、工藝目的： 制絨工藝就是利用線鋸切割時在硅片表面形成的損傷層及硅片表面的缺陷，通過硝酸與氫氟酸的混合溶液對硅片表面進行化學(xué)腐蝕，使硅片在微觀上形成高低不平的表面，增加電池片表面的受光面積，降低反射率，從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。 2、設(shè)備及工具：SCHIMID制絨機、電子天平、PVC手套、口罩、防護服、防護眼罩、防護套袖、橡膠手套、防酸堿膠鞋、methrom濃度分析儀、D8絨面反射儀、金相顯微鏡。3、適用范圍 電池制造部制絨工序S

25、CHIMID設(shè)備。4、職責(zé) 本工藝操作規(guī)程由工藝工程師負責(zé)解釋、修改。5、材料：合格的多晶硅片、HNO3（63%、電子級）、HF（49%、電子級）、KOH（50%、電子級）、HCl（37%、電子級）、DI水（大于15 M·cm、6bar）、冷卻水（4bar,進水15攝氏度，出水一般25攝氏度）、壓縮空氣（6 bar，除油、除水、除粉塵）、排風(fēng)（0.01bar）、環(huán)境溫度2325、相對濕度4565、正壓15Pa。6、工藝描述： 6.1、工藝原理： SCHIMID制絨工藝主要包括三部分： 硝酸與氫氟酸混合液腐蝕 氫氧化鉀腐蝕 鹽酸與氫氟酸混合溶液清洗 在制絨過程中，首先是硝酸與硅在損傷層

26、與缺陷處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成氧化硅，然后氫氟酸與氧化硅反應(yīng)生成硅的絡(luò)合物（H2SiF6）與水，這樣去損傷層與制絨同時進行，從而縮短了工藝流程。資料來源編制校準工藝提供部門審定14 / 23制絨之后的硅片經(jīng)過KOH溶液去除硅片表面的多孔硅以及中和腐蝕槽中未清洗干凈的酸液，再經(jīng)過DI水沖洗去掉表面殘留的堿液。 最后利用HF與HCl的混合溶液除去硅片表面的各種金屬離子等雜質(zhì)，并用DI水沖洗硅片表面，最后用壓縮空氣將硅片表面吹干。 制絨過程的反應(yīng)方程式如下： 1) Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O 2) SiO2+4HF=SiF4+2H2O 3) SiF4+2HF=H2SiF6 6.2、工

27、藝流程：上料HNO3、HF制絨風(fēng)刀1沖洗1KOH腐蝕沖洗2HF、HCl清洗沖洗3熱風(fēng)吹干下料6.3、工藝方案：滾輪速度:1.75m/min藥液槽溫度(setpoint):腐蝕槽8攝氏度 堿槽24攝氏度腐蝕槽:配槽：硝酸205L，氫氟酸45L，純水110L;濃度：硝酸350g/L，氫氟酸40g/L。 補液量:每投入100片 補充0.35L硝酸 0.465L氫氟酸堿 槽:氫氧化鉀 維持電導(dǎo)率100ms 補液量:每投入100片，補充氫氧化鉀0.06L，每投入80片純水1L；清洗槽:配槽:鹽酸65L;氫氟酸30L；純水：165L；補液量:每100片補液 鹽酸0.19L；氫氟酸:0.09L； DI水：0

28、.6L； 、注意事項：7.1、腐蝕槽的腐蝕速率會隨著硅片清洗量的增加而改變，新?lián)Q的藥液反應(yīng)速度慢，因此需要降低帶速或者提高腐蝕槽溫度，腐蝕深度的目標值為4.3um4.7um，腐蝕量超出目標值必須進行工藝調(diào)整,一般為更改腐蝕槽溫度，如果更改腐蝕槽溫度之后腐蝕量仍舊不合格立即通知工藝人員更改工藝。合格品范圍單片值3.5um5.4um，超出此范圍應(yīng)停產(chǎn)調(diào)試。新更換的藥液在生產(chǎn)總片數(shù)<2000P時，要求每隔半小時測量一次腐蝕深度，及時調(diào)整帶速（調(diào)整帶速的原則，每提高0.1m/min，腐蝕量減少0.3um）以保證腐蝕深度在規(guī)定范圍內(nèi)，調(diào)整過程中的稱量記錄要做上備注，在腐蝕速度穩(wěn)定后每隔一個小時測量

29、一次腐蝕深度。當腐蝕深度偏離規(guī)定時最好不要更改溶液濃度、溶液比例，因為濃度、比例發(fā)生改變腐蝕速度也隨之發(fā)生變化，導(dǎo)致腐蝕后硅片表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。溫度調(diào)整控制在10度以下。16 / 237.2、腐蝕槽的藥液每個班組的手動補液次數(shù)不大于1次，當進行調(diào)整后需做相應(yīng)的記錄包括：時間、原因、更改值、技術(shù)員簽名。7.3、制冷機上制冷劑的電導(dǎo)率要維持在500us左右，因為如果電導(dǎo)率不在此范圍內(nèi)，會導(dǎo)致制冷機制冷量不足或者過高，造成制冷劑冰凍等其他問題的發(fā)生，不利于工藝、設(shè)備的穩(wěn)定。 16 / 23設(shè)計文件名稱制絨工藝操作規(guī)程T-IS-018共頁第頁8、工藝準備： 8.1、工藝潔凈管理：操作時需戴口罩、潔

30、凈手套，并保持室內(nèi)正壓，嚴禁隨便開啟門窗,以保持室內(nèi)潔凈度。 8.2、設(shè)備準備：確認設(shè)備能正常運行,工藝溫度、冷卻水、壓縮空氣等壓力及流量正常。 8.3、原材料準備：硅片需經(jīng)抽檢合格后方可投入，將不合格硅片挑揀出來。常見的不合格片包括：崩邊、缺角、裂紋、鋸痕、手印、孔洞、含氮化硅的硅片等。（詳見硅片檢驗規(guī)范） 8.4、工裝工具準備：備齊用于工藝生產(chǎn)的PVC手套、口罩、防護眼罩、防護面罩、防護套袖、防護服、防酸堿手套、防酸堿膠鞋等。 8.5、工藝準備：確認設(shè)定的制絨工藝名稱及參數(shù)正確無誤。9、工藝操作：9.1、新?lián)QHNO3/HF槽藥液后，需等到槽溫實際值降到設(shè)定值后方可進行投片生產(chǎn)。投片之前要分

31、清楚投入硅片的鋸痕方向。9.2、當工藝穩(wěn)定后，每個小時需進行一次腐蝕量的測量，以確定硅片的腐蝕量方便控制產(chǎn)品質(zhì)量。具體測量方式如下：先利用電子天平稱量5片腐蝕前硅片的質(zhì)量，將此質(zhì)量按順序填寫在工序腐蝕深度記錄表中，同時記錄好班次、稱重時間、硅片數(shù)（即稱重時設(shè)備從維護結(jié)束已生產(chǎn)的硅片數(shù)）、工藝條件（如腐蝕溫度、傳輸速度等參數(shù)），并按照第1、2、3、4、5道的順序裝片投入腐蝕槽運行工藝。制絨后按照第1、2、3、4、5道的順序取出此稱重硅片，再稱量腐蝕后硅片的重量，填入表格，利用電子表格的公式直接求出腐蝕深度值。每隔一小時輪流稱重一次腐蝕量。硅片的單面腐蝕深度（5片平均值）為4.3-4.7微米，偏差

32、值小于0.3,允許有一片的腐蝕深度不在該范圍內(nèi)，如果有大于一片超出此范圍應(yīng)當復(fù)測一次，如果仍有一片超出范圍應(yīng)當立即通知當班工藝人員進行調(diào)整。 9.3、若清洗設(shè)備隔10mins以上不投產(chǎn)，必須將HNO3/HF槽(etch bath)里的藥液排至tank里，以保證藥液濃度的不變，同時為保證滾輪不變形，所有的傳輸convyer1、convyer2、convyer3不能停止超過30分鐘。17 / 239.4、清洗制絨機的維護周期為：<46萬片?？筛鶕?jù)實際制絨效果適當延長或縮短維護周期，但增加的片數(shù)不應(yīng)超過3萬，并作出說明。新?lián)QHNO3/HF槽藥液后，需要在“腐蝕深度記錄表”中認真填寫更換時間、更

33、換班組。 9.5、硅片表面無可見污物、水印、指印、崩邊、缺角等缺陷方可轉(zhuǎn)下。 9.6、制絨工序每個班組對所有制絨設(shè)備定期進行藥液濃度的測量，每個制絨設(shè)備的三個化學(xué)藥品槽的藥品濃度都要測量。測量的結(jié)果要記錄到“藥液濃度測量記錄表”中。具體操作規(guī)范詳見“濃度分析儀操作規(guī)范”。9.7、測試腐蝕量的同時利用反射率儀測試硅片的表面反射率，校準反射率儀以后將硅片制絨面向上放入儀器中測試制絨面的反射率，反射率范圍在小于25以下，如果反射率過高，通知跟班技術(shù)人員，更改設(shè)備參數(shù)。 注：制絨機工藝的更改要由工藝人員執(zhí)行，并做好詳細的工藝更改記錄。18 / 23設(shè)計文件名稱制絨工藝操作規(guī)程T-IS-018共頁第頁10、安全操作：制絨工序大量使用強酸、堿等化學(xué)藥品，了解酸、堿的知識對安全生產(chǎn)是十分必要的。 酸堿對人體和衣物有強烈的腐蝕作用，而且有些有毒性和強