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1、光伏組件選型:?jiǎn)尉?、多晶的可靠性與經(jīng)濟(jì)性比較分析本文摘要:?jiǎn)尉Ч杵c多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面有顯著差異。下面的圖1是晶體硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈的完整圖示,從硅料到硅棒、硅片、電池、組件再到系統(tǒng)。如圖中紅色邊框標(biāo)示,單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面,單晶是直拉提升法,多晶是鑄錠方法,后端制造工藝只有一些細(xì)微差別。單多晶硅片性能對(duì)比單晶硅片與多晶硅片在晶體品質(zhì)、電學(xué)性能、機(jī)械性能方面有顯著差異。下面的圖1是晶體硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈的完整圖示,從硅料到硅棒、硅片、電池、組件再到系統(tǒng)。如圖中紅色邊框標(biāo)示,單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面,單晶是直拉提升法,多晶是鑄錠方法,后端制造工藝只

2、有一些細(xì)微差別。圖1晶體硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈圖示晶體品質(zhì)差異圖2展示了單晶和多晶硅片的差異。硅片性質(zhì)的差異性是決定單晶和多晶系統(tǒng)性能差異的關(guān)鍵。左圖是單晶硅片,是一種完整的晶格排列;右圖是多晶硅片,它是多個(gè)微小的單晶的組合,中間有大量的晶界,包含了很多的缺陷,它實(shí)際上是一個(gè)少子復(fù)合中心,因此降低了多晶電池的轉(zhuǎn)換效率。另一方面,單晶硅片的位錯(cuò)密度和金屬雜質(zhì)比多晶硅片小得多,各種因素綜合作用使得單晶的少子壽命比多晶高出數(shù)十倍,從而表現(xiàn)出轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)。圖2單晶硅片與多晶硅片外觀圖示 單晶是一種完整的晶格排列,在同樣的切片工藝條件下表面缺陷少于多晶,在電池制造環(huán)節(jié),單晶電池的碎片率也是小于1%的,通

3、常情況下是0.8%左右。單晶硅片可以穩(wěn)定應(yīng)用金剛線切割工藝,顯著降低切片成本,并提高電池轉(zhuǎn)換效率。對(duì)多晶而言,晶體結(jié)構(gòu)的缺陷導(dǎo)致在電池環(huán)節(jié)的碎片率一般大于2%,并且硅片切割工藝的改進(jìn)難度很大,因?yàn)樗鼪]法用金剛線切割,只能用傳統(tǒng)的砂線來切,成本上基本沒有多大的下降空間。電學(xué)性能差異圖3是單多晶的少子壽命對(duì)比。藍(lán)色代表少子壽命較高的區(qū)域,紅色代表少子壽命較低的區(qū)域。很明顯,單晶的少子壽命是明顯高于多晶的。圖3單晶與多晶少子壽命分布比較 機(jī)械性能差異圖4是單晶硅片和多晶硅片的機(jī)械性能電腦分析對(duì)比數(shù)據(jù)??梢钥闯?,多晶硅片的最大彎曲位移比單晶硅片低1/4,因此在電池的生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中更容易破碎

4、。我們今天講電站的質(zhì)量問題,很重要的一點(diǎn),組件在運(yùn)輸安裝過程中可能產(chǎn)生電池片破碎、隱裂等問題,相對(duì)多晶而言,單晶在運(yùn)輸中的抗破壞性能比較好。另外,在電站長期的高低溫交替過程中,多晶組件更容易發(fā)生隱裂,這樣就降低了組件的輸出功率。圖4單晶硅片與多晶硅片機(jī)械性能比較單多晶電池對(duì)比晶硅電池發(fā)展歷程1839年,法國科學(xué)家貝克雷爾發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)。1917年,波蘭科學(xué)家切克勞斯基發(fā)明CZ技術(shù),后經(jīng)改良發(fā)展成為太陽能用單晶硅的主要制備方法。1941年,奧爾在硅材料上發(fā)現(xiàn)了光伏效應(yīng)。1954年,美國科學(xué)家恰賓和皮爾松在美國貝爾實(shí)驗(yàn)室首次制成了實(shí)用的單晶硅太陽能電池。1955-1975年,由于單晶電池成

5、本較高,產(chǎn)業(yè)界不斷致力于降低晶體制造成本,并提出鑄錠單晶工藝。1976年,鑄錠單晶技術(shù)失敗,德國瓦克公司率先將鑄錠多晶用于太陽能電池生產(chǎn),犧牲晶體品質(zhì)以降低發(fā)電成本。2005-2010年,多晶電池技術(shù)基于相對(duì)便宜的成本快速擴(kuò)大份額。2013年,松下HIT單晶電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到25.6%,突破了光伏產(chǎn)業(yè)界最高理論效率極限,人們?cè)俅卧u(píng)估各種技術(shù)的性能和成本區(qū)間。2013-2015年,連續(xù)快速拉晶技術(shù)和金剛線切片技術(shù)的導(dǎo)入使得單晶組件成本與多晶組件成本差距縮小到3%以內(nèi),采用單晶組件與采用多晶組件的電站單位投資成本持平。預(yù)計(jì)到2016年,隨著PERC等高效技術(shù)的應(yīng)用,單晶組件與多晶組件成本將達(dá)到一致。

6、轉(zhuǎn)換效率對(duì)比影響轉(zhuǎn)換效率的3項(xiàng)主要參數(shù)是:Voc(開路電壓)、Isc(短路電流)、FF(填充因子),公式為:Eta=Voc×Isc×FF從光電轉(zhuǎn)換效率參數(shù)分解來看,單晶電池的各項(xiàng)參數(shù)全面領(lǐng)先于多晶,詳見表1。一般來講目前工藝下國內(nèi)單晶電池量產(chǎn)效率是19.55%左右,做得好的話可以達(dá)到19.8%-19.9%,取決于它是三柵線還是四柵線;多晶電池量產(chǎn)效率一般是18.12%左右。 表1  量產(chǎn)單晶電池與多晶電池的典型電學(xué)參數(shù)  Jsc(mA/cm2)Voc(V)FF(%)Eta(%)IRev2(A)Rs()Rsh()單晶電池38.

7、140.64379.719.550.0200.0011153多晶電池35.960.63779.118.120.0560.002502下面的表2是單晶電池和多晶電池在量產(chǎn)層面轉(zhuǎn)換效率發(fā)展?jié)摿Φ臄?shù)據(jù),單晶優(yōu)勢(shì)非常明顯:表2  單晶電池與多晶電池已實(shí)現(xiàn)的最高量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率差異  單晶電池多晶電池一般效率19.55%-19.9%18.0%-18.5%改良效率(PERC)20.5%-21%18.6%-19.0%最高效率(HIT、IBC等)22%-23%尚無量產(chǎn)在實(shí)驗(yàn)室記錄方面,單晶技術(shù)潛力的優(yōu)勢(shì)更加顯著。多年前澳大利亞新南威爾士大學(xué)開發(fā)出的P型單晶硅電池(PERL)

8、最高轉(zhuǎn)換效率可達(dá)25%,這一紀(jì)錄多年沒有被打破。PERL與我們現(xiàn)在做的PERC差別就在于,PERL在BSF上不使用鋁擴(kuò)散,而是采用了硼擴(kuò)散,因此轉(zhuǎn)換效率比PERC更高一點(diǎn)。目前SunPower開發(fā)出的N型單晶硅IBC電池的最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)25%,松下N型單晶硅HIT異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率高達(dá)24.7%,去年推出的"HIT+IBC"電池的效率高達(dá)創(chuàng)記錄的25.6%(Panasonic)。以上數(shù)據(jù)全部是基于單晶硅技術(shù)的實(shí)驗(yàn)室記錄,而多晶硅電池最高實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率僅為20.8%,差別是比較大的。單晶硅電池在各項(xiàng)主要參數(shù)上均全面高于多晶硅電池,在未來高效率發(fā)展方面具有更大的潛力。下圖5是單

9、多晶量子效率的對(duì)比,結(jié)果顯示單晶電池?zé)o論是在短波還是近紅外波段,量子效率都明顯高于多晶。這主要是由于多晶硅片存在較高的晶界和位錯(cuò)缺陷,少子壽命普遍低于單晶。圖5單多晶量子效率比較另外,單晶具有更好的弱光響應(yīng)。從圖6可以看出,在輻照高的地方單多晶相差不大,但在輻照低的地方,單晶電池的弱光響應(yīng)是明顯高于多晶的,這也反映在全年的發(fā)電量差別上面。圖6單多晶弱光響應(yīng)能力比較制程差異在制程方面,單晶比多晶更環(huán)保、成本更低。電池的制程工藝包括制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、印刷、燒結(jié)等,單晶電池和多晶電池的制備工藝主要差別在制絨環(huán)節(jié),其余環(huán)節(jié)僅僅是控制標(biāo)準(zhǔn)的差異。單晶制絨采用堿溶液腐蝕,腐蝕過程中產(chǎn)生硅酸鹽和氫氣副

10、產(chǎn)物,通過應(yīng)用制絨輔助液代替或部分代替異丙醇(IPA),可實(shí)現(xiàn)更低的BOD、COD污水排放,且單晶制絨體系對(duì)于設(shè)備硬件的要求很低,更容易實(shí)現(xiàn)環(huán)保和工藝控制。多晶采用酸溶液腐蝕,需要使用高濃度的硝酸和氫氟酸,主要副產(chǎn)物為氟硅酸和NOx,而Nox是一種很難徹底處理的大氣污染物,考慮到這些因素,需要使用嚴(yán)格封閉的自動(dòng)化設(shè)備。多晶制絨的設(shè)備購置和維護(hù)成本遠(yuǎn)高于單晶。溫度系數(shù)對(duì)比單晶材料沒有晶界,材料純度高,內(nèi)阻小,溫度升幅較?。涣硪环矫?,多晶電池的光電轉(zhuǎn)換效率較低,它將更多的光能轉(zhuǎn)換為熱能而非電能,也導(dǎo)致多晶的溫度升高更明顯。在最高光強(qiáng)下,單晶工作溫度比多晶低56左右,部分地區(qū)的多晶工作溫度可以比單晶

11、高出10以上,因而多晶的功率損失較大,單晶的功率損失較小。從溫度系數(shù)本身來看,單晶溫度系數(shù)是略低于多晶的,因此同樣升高1的情況下單晶功率損失也少于多晶。PERC電池技術(shù)簡(jiǎn)述幾年前光伏工業(yè)界把高效電池的注意力主要放在選擇性發(fā)射極電池技術(shù)?現(xiàn)在業(yè)內(nèi)不再做選擇性發(fā)射極電池而更加關(guān)注PERC電池,因?yàn)檫x擇性發(fā)射極電池主要是提高了短波段吸收能力,但是反映在組件上,由于EVA本身吸收的也是紫外光的短波段,所以它在組件方面沒有體現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì),選擇性發(fā)射極技術(shù)就被淘汰了。而PERC電池主要是表現(xiàn)在近紅外、紅外波段的吸收,而EVA不吸收紅外波段的太陽能,所以PERC技術(shù)更好的把電池效率的提升反應(yīng)到到組件效率的提

12、升。PERC電池具有以下特點(diǎn):電池效率絕對(duì)值在單晶上可提高1%,在多晶上可提高0.5%,因此在單晶上采用PERC技術(shù)優(yōu)勢(shì)更大。PERC技術(shù)具有與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容度高,易于進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí),并可降低電池片每瓦成本。PERC電池已經(jīng)成為行業(yè)主流技術(shù)并逐步替代常規(guī)電池。通過工藝優(yōu)化,在近1-2年內(nèi)可逐步將量產(chǎn)效率提升至21%,SolarWorld公司近期在實(shí)驗(yàn)室的P型單晶硅PERC電池效率已經(jīng)達(dá)到了21.7%。以上所述的為P型PERC電池技術(shù),下一代的N型PERC技術(shù),不僅可以解決LID的問題,而且量產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率可以進(jìn)一步提升至22%。樂葉光伏2015年下半年將會(huì)在合肥基地量產(chǎn)高效PERC單晶電池組件,接下來

13、在江蘇泰州將會(huì)新增2GW的PERC電池產(chǎn)能。圖6PERC電池結(jié)構(gòu)與工藝圖示 HIT電池技術(shù)簡(jiǎn)述 HIT電池具有以下特點(diǎn):采用N型單晶硅片,完全避免了LID現(xiàn)象。目前實(shí)驗(yàn)室最高轉(zhuǎn)換效率24.7%,量產(chǎn)效率可達(dá)22%,結(jié)合IBC工藝的效率可以達(dá)到25.6%。采用非晶硅薄層進(jìn)行雙面鈍化,電池開壓可提升至740毫伏。全程采用低溫制造工藝,可以形成全對(duì)稱雙面電池構(gòu)造,避免高溫制程對(duì)硅片的損傷以及彎片現(xiàn)象,能夠有效降低組件封裝時(shí)的碎片率,并且制作雙玻組件也非常有優(yōu)勢(shì)。制程相對(duì)簡(jiǎn)單,但工藝難度高,要做好是非常不容易的,主要是非晶硅薄膜層非常薄,只有5-10個(gè)納米,所以均勻性控制很不容易。

14、另外,它目前的成本比PERC要高,一是設(shè)備投入高,二是HIT使用N型硅片,低溫銀漿和TCO等原材料成本高。溫度系數(shù)很低,大約-0.25%/,比一般的晶體硅要低很多,因此總體的發(fā)電量比較高。另外,可制成雙面電池,背面也可以貢獻(xiàn)發(fā)電量。圖7HIT電池結(jié)構(gòu)圖示IBC電池技術(shù)簡(jiǎn)述IBC電池也是采用N型單晶硅片生產(chǎn),目前實(shí)驗(yàn)室最高效率可達(dá)到25%,量產(chǎn)平均效率23%。從圖8可以看到,IBC電池正面沒有柵線,所有的柵線全部集中在后面。它最大的特點(diǎn)是制程比較復(fù)雜,目前有十六七道的制程工藝,成本比較高昂,限制了該技術(shù)的發(fā)展。目前工業(yè)界著重開發(fā)低成本IBC技術(shù)。圖8IBC電池結(jié)構(gòu)圖示 松下將IBC和H

15、IT技術(shù)相結(jié)合,創(chuàng)造了新的轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄,高達(dá)25.6%。它的開路電壓達(dá)到740mV,Jsc是41.8mA/cm2,F(xiàn)F是82.7%,硅片厚度是150m。圖9HIT+IBC電池參數(shù)圖示 IBC電池的應(yīng)用示例:陽光動(dòng)力2號(hào)采用高效N型IBC單晶電池覆蓋機(jī)翼,轉(zhuǎn)換效率23%,完全依靠太陽能電力完成環(huán)球飛行。圖10IBC電池在陽光動(dòng)力2號(hào)的應(yīng)用電池技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè)未來單晶的市場(chǎng)份額將逐步超越多晶。N型高效電池的市場(chǎng)份額將逐步升高,取決于N型電池成本降低的速度。PERC電池的市場(chǎng)份額將在2018年后超越目前常規(guī)電池,且份額將逐步擴(kuò)大。PERC電池將有很長的生命周期,在相當(dāng)長一段時(shí)間內(nèi)和N型

16、電池共存于市場(chǎng)中。圖11ITRPV對(duì)電池技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的預(yù)測(cè)單多晶電站投資收益對(duì)比目前60片封裝的高功率組件,單晶量產(chǎn)功率為275W,多晶量產(chǎn)功率為260W,單晶組件價(jià)格為4.11元/W左右,多晶為3.98元/W左右。由于單晶組件在每個(gè)方陣中使用的數(shù)量較少,有效節(jié)約了支架、夾具、匯流箱、光伏電纜、基礎(chǔ)工程、安裝工程等,因此在總的投資成本上,單晶系統(tǒng)與多晶系統(tǒng)基本相同。具體的分析數(shù)據(jù)下表1所示發(fā)電量和長期可靠性對(duì)比目前為止經(jīng)歷過長期運(yùn)行考驗(yàn)的電站絕大多數(shù)采用單晶組件,典型案例包括:1982年,歐洲第一個(gè)并網(wǎng)光伏系統(tǒng)在瑞士建成,采用單晶組件,裝機(jī)容量10KW,年均衰減0.4%。1984年,加州1MW

17、光伏電站采用單晶組件,至今仍運(yùn)行完好。1984年,蘭州最早的光伏電站采用單晶組件,年均衰減0.37%。1994年,浙江寧波最早的單晶電站,21年總功率衰減13.1%。德國至今已運(yùn)行18年的MW級(jí)屋頂電站,采用西門子單晶組件年衰減約0.4%,至今無質(zhì)量問題。"尋找最美老組件"首站云南,屋頂單晶系統(tǒng)運(yùn)行接近30年,最近15年修正光衰不超過8%。目前國內(nèi)有大量的電站運(yùn)行實(shí)例,證明在同一地區(qū)、同樣的建設(shè)條件和BOS條件下,每瓦單晶發(fā)電量顯著高于多晶,典型案例包括:青島隆盛光伏車棚,單晶每瓦發(fā)電量比多晶高6.6%。中山大學(xué)六種太陽電池光伏陣列實(shí)際發(fā)電性能比較(2008.1-2008.7)證實(shí)每瓦單晶發(fā)電量比多晶高5.7%。浙江大學(xué)硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)數(shù)據(jù)(2013.7-2014.6):同樣標(biāo)稱容量的單晶發(fā)電量比多晶高7%以上。呼和浩特市某光伏項(xiàng)目單、多晶陣列數(shù)據(jù)比較:同一項(xiàng)目同等容量的單晶陣列比多晶年發(fā)電量高7%。寧夏中衛(wèi)、同心各30MW電站比較,單晶發(fā)電量高6.52%。格爾木陽光能源10MW單晶系統(tǒng)/10MW多晶系統(tǒng)比較:?jiǎn)尉Оl(fā)電量比多晶高5.12%??偨Y(jié)單晶硅片比多晶硅片有更高的機(jī)械強(qiáng)度,更低的碎片率。單晶硅電池比多晶硅電池有更高的轉(zhuǎn)換效率和更大的效率提升空間。

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