學(xué)習(xí)情境1 單元2 選購計(jì)算機(jī)硬件--內(nèi)存

1、計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)了解內(nèi)存的分類了解內(nèi)存的分類 1熟悉熟悉DDR2內(nèi)存參數(shù)內(nèi)存參數(shù)4知知 識識 目目 標(biāo)標(biāo)了解內(nèi)存芯片封裝技術(shù)了解內(nèi)存芯片封裝技術(shù) 5單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 熟悉內(nèi)存的主要性能指標(biāo)熟悉內(nèi)存的主要性能指標(biāo) 2熟悉內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)熟悉內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu)3計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)能識別能識別DDR2DD3內(nèi)存的編號內(nèi)存的編號

2、 1能選購合適的內(nèi)存能選購合適的內(nèi)存 2技技 能能 目目 標(biāo)標(biāo)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.1 任務(wù)描述4.2 相關(guān)知識 4.3 內(nèi)存的選購計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.1 任務(wù)描述 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的核心部件之一，內(nèi)存的質(zhì)量決定了計(jì)算機(jī)能否充分發(fā)揮其工作性能、能否穩(wěn)定的工作。那么，如何認(rèn)識和選購合適的內(nèi)存呢？計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)

3、訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2 內(nèi)存相關(guān)知識 4.2.1 內(nèi)存的分類 4.2.2 內(nèi)存的主要性能指標(biāo) 4.2.3 雙通道內(nèi)存 4.2.4 DDR3 SDRAM 內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu) 4.2.5 DDR2 SDRAM的主要參數(shù) 4.2.6 內(nèi)存芯片封裝 4.2.7 常見的DDR SDRAM 內(nèi)存芯片 4.2.8 常見的DDR23 SDRAM內(nèi)存標(biāo)識 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.1 內(nèi)存的分類

4、 1. 按內(nèi)存的外觀分類（1）雙列直插內(nèi)存芯片（2）內(nèi)存模塊（內(nèi)存條）2. 按工作原理分類（1）FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速翻頁動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）（2）EDO DRAM（Extended Date Out DRAM，擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）（3）SDRAM（Synchronous DRAM，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）（4）DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）（5）RDRAM（Ram bus DRAM，存儲(chǔ)器總線式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）（6）DDR2內(nèi)存（7）DDR 3內(nèi)存條計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)

5、知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.2 內(nèi)存的主要性能指標(biāo)1. 容量2. 內(nèi)存電壓3. 內(nèi)存速度4. 時(shí)鐘周期5. 存取時(shí)間6. 數(shù)據(jù)寬度和帶寬7. 內(nèi)存的“線”數(shù)8. SPD（Serial presence Detect）9. 奇偶校驗(yàn)（Parity）、非奇偶校驗(yàn)（Non-Parity）10. ECC（Error Checking and Correcting 錯(cuò)誤檢查和糾正）計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 1. 容量每個(gè)時(shí)期內(nèi)存條的容量都分為多種規(guī)格，168

6、線SDRAM內(nèi)存條常見的內(nèi)存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB甚至1GB，單條DDR和DDR2/3內(nèi)存條常見的內(nèi)存容量為128MB、256MB、512MB、1GB 、2GB和4GB等幾種。主板上通常都至少提供兩個(gè)內(nèi)存插槽，因此，如果同時(shí)在計(jì)算機(jī)中安裝多條內(nèi)存，計(jì)算機(jī)中內(nèi)存的總?cè)萘渴撬袃?nèi)存容量之和。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 2. 內(nèi)存電壓內(nèi)存能穩(wěn)定工作時(shí)的電壓叫內(nèi)存電壓。必須對內(nèi)存不間斷地進(jìn)行供電，才能保證其正常工作。SDRAM內(nèi)存一般使用3.3V電壓，R

7、DRAM和DDR均采用2.5V工作電壓，DDR 2采用1.8V工作電壓，DDR3采用1.5V工作電壓。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 3. 內(nèi)存速度內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz為單位來計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高正常工作頻率。目前市面上的內(nèi)存最高能達(dá)到800MHz的主頻，而較為主流的是533MHz和667MHz的DDR2內(nèi)存。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)

8、計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4. 時(shí)鐘周期內(nèi)存時(shí)鐘周期代表著內(nèi)存運(yùn)行的最大工作頻率，一般在內(nèi)存上標(biāo)識為“X”。X越小說明內(nèi)存芯片所能運(yùn)行的頻率就越高，通常與內(nèi)存的運(yùn)行頻率成反比。對于一條DDR2來說，它芯片上的標(biāo)識-5代表它可運(yùn)行的最高時(shí)鐘周期為5ns，內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1/51000=200MHz，即可以在200MHz的外頻下正常工作。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 5. 存取時(shí)間代表讀取數(shù)據(jù)所延遲

9、的時(shí)間。不同于系統(tǒng)時(shí)鐘頻率，二者之間有著本質(zhì)的區(qū)別。6. 數(shù)據(jù)寬度和帶寬 內(nèi)存的數(shù)據(jù)寬度是指內(nèi)存同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)的位數(shù)，以bit為單位。內(nèi)存帶寬指內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率。 內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬與內(nèi)存的總線頻率和帶寬的計(jì)算公式為：內(nèi)存的數(shù)據(jù)帶寬（總線頻率帶寬位數(shù)）8。其中，總線頻率是指DDR 333和DDR 400中的數(shù)字。在選購時(shí)要注意內(nèi)存的總線頻率要與CPU的前端總線頻率相匹配。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 7. 內(nèi)存的“線”數(shù)內(nèi)存的“線”數(shù)是指內(nèi)存條與主板插接時(shí)的接觸點(diǎn)數(shù)，這些接觸點(diǎn)就是“金手指

10、”。目前，SDRAM內(nèi)存條采用168線，DDR內(nèi)存條采用184線，RDRAM內(nèi)存條采用184線，DDR2/3采用240線。8. SPD（Serial presence Detect） SPD是1個(gè)8針SOIC封裝的EEPROM芯片，容量為256字節(jié)，型號多為24LC01B，位置一般處在內(nèi)存條正面的右側(cè)，里面主要保存了該內(nèi)存條的相關(guān)資料，如容量、廠商、工作速度、電壓與行、列地址、帶寬及是否具備ECC校驗(yàn)等。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 9. 奇偶校驗(yàn)、非奇偶校驗(yàn)根據(jù)內(nèi)存中是否存在奇偶校驗(yàn)

11、位，又可將DRAM分為非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存和奇偶校驗(yàn)內(nèi)存。非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存的每1字節(jié)只有8位，而奇偶校驗(yàn)內(nèi)存在每1字節(jié)（8位）外又額外增加了一位作為錯(cuò)誤檢測之用。10. ECC（Error Checking and Correcting 錯(cuò)誤檢查和糾正） ECC也是在原來的數(shù)據(jù)位上再外加若干位來實(shí)現(xiàn)的。對于8位數(shù)據(jù)，則需1位用于Parity檢驗(yàn)，5位用于ECC，這額外的5位是用來重建數(shù)據(jù)的。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.3 雙通道內(nèi)存 雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴

12、于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。 雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.4 DDR3 SDRAM 內(nèi)存的物理結(jié)構(gòu) 以一品牌為威剛(A-DATA)的DDR3內(nèi)存條為例講述DDR3內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)，如圖4.8所示。內(nèi)存固定卡缺口PCB板內(nèi)存芯片標(biāo)簽SPD金手指內(nèi)存引腳缺口圖4.8 DDR3SDRAM內(nèi)存條的結(jié)構(gòu)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)

13、情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 1. PCB板 PCB板的電氣性能也是決定內(nèi)存穩(wěn)定性的關(guān)鍵，各種電子元件以及內(nèi)存芯片都集中在其中一面，導(dǎo)線則集中在另一面。內(nèi)存條的PCB板多數(shù)都是綠色的。PCB板設(shè)計(jì)很精密，采用了多層設(shè)計(jì)，例如，4層或6層等，其內(nèi)部也有金屬的布線。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 2. 金手指 金手指實(shí)際上是在一層銅皮（也叫覆銅板）上通過特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸩灰妆谎趸?，具有超?qiáng)的導(dǎo)通性。內(nèi)存處理單元的所有數(shù)據(jù)流、電子流正

14、是通過金手指與內(nèi)存插槽的接觸點(diǎn)與PC機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行交換，作為輸出輸入端口。做工出色的內(nèi)存其金手指富有金屬光澤，圓潤無毛刺。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 3. 內(nèi)存芯片 內(nèi)存上的芯片也稱為內(nèi)存顆粒，是內(nèi)存的靈魂所在，內(nèi)存的性能、速度、容量都是由內(nèi)存芯片決定的。內(nèi)存芯片上都印刷者芯片標(biāo)簽，這是了解內(nèi)存性能參數(shù)的重要依據(jù)。不同廠商的內(nèi)存顆粒在速度、性能上也有很多不同。內(nèi)存芯片顆粒如圖4. 9所示。圖4.9 內(nèi)存芯片計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系

15、統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4. 內(nèi)存芯片空位 一般內(nèi)存每面焊接8片內(nèi)存芯片，如果多出一個(gè)空位沒有焊接芯片，則這個(gè)空位是預(yù)留ECC校驗(yàn)?zāi)K的位置。5. 電容 PCB板上還有一些必不可少的電子元件就是電容和電阻，這是為了提高內(nèi)存條電氣性能，增加內(nèi)存抗電磁干擾的作用。 電容一般在PCB邊緣以及DRAM芯片周圍，如圖4.10所示。圖4.10 內(nèi)存條上的電容計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 6. 電阻 內(nèi)存上的電阻采用貼片式電阻，因?yàn)樵跀?shù)據(jù)傳輸?shù)倪^程中要對不同的信號進(jìn)

16、行阻抗匹配和信號衰減，所以很多地方都要用到電阻。一般好的內(nèi)存條電阻的分布規(guī)劃也很整齊合理。7. 內(nèi)存固定卡缺口 內(nèi)存條插到主板上后，主板上的內(nèi)存插槽會(huì)有兩個(gè)夾子牢固地扣住內(nèi)存，這個(gè)缺口便是用于固定內(nèi)存用的。8. 內(nèi)存針腳缺口 內(nèi)存針腳上的缺口一是用來防止內(nèi)存插反，二是用來區(qū)分不同的內(nèi)存，以前的SDRAM內(nèi)存條是有兩個(gè)缺口的，而DDR則只有一個(gè)缺口，不能混插。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 9. SPD SPD（Serial Presence Detect，串行存在檢測）是一個(gè)8針腳的小芯

17、片，它實(shí)際上是一個(gè)EEPROM可擦寫存儲(chǔ)器，容量為256字節(jié)，可以寫入一點(diǎn)信息，信息中包括芯片廠商、內(nèi)存廠商、工作頻率、容量、電壓、行地址列地址數(shù)量、是否具備ECC校驗(yàn)、各種主要操作時(shí)序（如CL、tRCD、tRP、tRAS）等，以協(xié)調(diào)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更好地工作。10. 標(biāo)簽 內(nèi)存條上一般有芯片標(biāo)簽，通常包括廠商名稱、單片容量、芯片類型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識在里面。芯片標(biāo)簽是觀察內(nèi)存條性能參數(shù)的重要依據(jù)。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.

18、5 DDR2 SDRAM的主要參數(shù)1. CAS和RAS CAS（Column Address Strobe或Column Address Select）列地址選通脈沖。在整個(gè)內(nèi)存矩陣中，CAS按列地址管理物理地址，因此在穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，這個(gè)參數(shù)值越低越好。RAS（Row Address Strobe）行地址選通脈沖，在DRAM數(shù)據(jù)位中，用列地址和行地址的交叉點(diǎn)定位每個(gè)單元的存儲(chǔ)地址。行地址的選通由RAS控制。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 2. CAS等待時(shí)間CL CAS Latency又

19、稱為CAS的延遲時(shí)間，意思是CAS信號需要經(jīng)過多少個(gè)時(shí)鐘周期之后才能讀寫數(shù)據(jù)，即縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，內(nèi)存的速度越快，設(shè)置參數(shù)一般為：2.0、2.5、3.0。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 3. tRCD tRCD（Time of RAS to CAS Delay）表示內(nèi)存RAS傳輸?shù)紺AS的延遲時(shí)間。該參數(shù)可以控制SDRAM RAS信號與CAS信號之間的延遲，一般為2、3、4。4. tRP t

20、RP（Time of ROW Precharge）表示內(nèi)存RAS預(yù)充電時(shí)間。該參數(shù)可以控制在進(jìn)行SDRAM刷新操作之前RAS預(yù)充電所需要的時(shí)鐘周期數(shù)，一般為2、3、4。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 5. tRAS tRAS（Time of Row Active Strobe tRAS）表示行地址選通脈沖時(shí)間，從收到一個(gè)請求后到初始化RAS真正開始接收數(shù)據(jù)的間隔時(shí)間，一般為58。6. TCK 即TCLK，系統(tǒng)時(shí)鐘周期。它可以反映內(nèi)存所能運(yùn)行的最大頻率，數(shù)字越小說明內(nèi)存芯片所能運(yùn)行的頻率越

21、高。許多內(nèi)存標(biāo)號的尾數(shù)就是tCK，如標(biāo)明“-6”，就說明運(yùn)行時(shí)鐘周期為6ns。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 7. tAC Access Time from CLK，最大CAS延遲時(shí)的最大訪問時(shí)間。PC100規(guī)范要求在CL=3時(shí)tAC不大于6ns，而PC133規(guī)范要求tAC不超過5.4ns。DDR內(nèi)存對tAC也有一定的要求，對于DDR266，tAC的允許范圍是0.75ns；對于 DDR333和DDR400，則是0.7ns。8. Bank Bank數(shù)表示該內(nèi)存的物理存儲(chǔ)體的數(shù)量，相當(dāng)于列的

22、意思。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 9. Parity Check 奇偶校驗(yàn)，是通過在每1字節(jié)上加一個(gè)數(shù)據(jù)位對數(shù)據(jù)進(jìn)行檢查的一種校驗(yàn)方法，這個(gè)附加位用來表示該字節(jié)中的“1”的數(shù)目是奇數(shù)還是偶數(shù)。通過這個(gè)附加位就可以驗(yàn)證讀寫的過程中是否出現(xiàn)了錯(cuò)誤。奇偶校驗(yàn)內(nèi)存可以檢測出部分錯(cuò)誤，但不能糾正錯(cuò)誤。10. Bank interleave 在大量數(shù)據(jù)寫入或讀取分散性數(shù)據(jù)的時(shí)候，如果在當(dāng)前Bank讀取完成后再轉(zhuǎn)移到其它Bank，就要經(jīng)過一個(gè)預(yù)充電時(shí)間。通過使不同Bank的讀取和預(yù)充電時(shí)間交錯(cuò)進(jìn)行

23、而互不干擾，會(huì)減少充電周期對工作效率的影響，從而提高內(nèi)存的性能。常見的有2路Bank interleave、4路Bank interleave等模式。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.6 內(nèi)存芯片封裝1. TSOP封裝2. BGA封裝3. CSP封裝計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 1. TSOP封裝 TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封

24、裝）封裝是在芯片的周圍做出針腳，采用SMT技術(shù)（表面安裝技術(shù)）直接附著在PCB的表面。是目前主流的封裝形式。改進(jìn)型的TSOP技術(shù)TSOPII目前廣泛應(yīng)用于SDRAM、DDR SDRAM內(nèi)存上。如圖3.12所示。圖3.12 TSOP內(nèi)存封裝技術(shù)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 2. BGA封裝 BGA(Ball Grid Array Package，球柵陣列封裝)封裝的最大特點(diǎn)是BGA芯片的邊緣沒有針腳，而是通過芯片下面的球狀引腳與印制板連接。目前DDR2采用的FBGA（Fine-Pitch

25、 Ball Grid Array，細(xì)密球柵陣列封裝）封裝也屬于BGA體系，為BGA的改進(jìn)型。如圖3.13所示。圖3.13 FBGA內(nèi)存封裝技術(shù)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 3. CSP封裝 CSP（Chip Scale Package，芯片級封裝）是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)。該封裝比較脆弱，PCB板的變形有可能引起芯片破裂。目前該封裝技術(shù)主要用于DDR3內(nèi)存，如圖3.14技術(shù)。圖3.14 CSP內(nèi)存封裝技術(shù)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算

26、機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.7 常見的DDR SDRAM 內(nèi)存芯片 雖然內(nèi)存條的品牌較多，如：Kingston（金士頓）、Leadram（超勝）、Samsung（三星）、Apacer（宇瞻）、Kingmax（勝創(chuàng)）等。但內(nèi)存芯片的制造商只有幾家，所以許多不同品牌的內(nèi)存條上焊接著相同型號的內(nèi)存芯片，常見的內(nèi)存芯片制造商有：Samsung、Micron Hynix（現(xiàn)代）、Mosel Vitelic、Infineon、Nanya等。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選

27、購計(jì)算機(jī)硬件 4.2.8 常見的DDR23 SDRAM內(nèi)存標(biāo)識 各種內(nèi)存都有各自的編號，在內(nèi)存芯片上的編號提供各種內(nèi)存都有各自的編號，在內(nèi)存芯片上的編號提供了內(nèi)存關(guān)鍵參數(shù)的相關(guān)信息，主要包括：了內(nèi)存關(guān)鍵參數(shù)的相關(guān)信息，主要包括：1.芯片的容量2.芯片的位寬3.芯片的邏輯Bank數(shù)量4.芯片的工作速度計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 1. 海力士DDR23 內(nèi)存編號 例如：海力士DDR2內(nèi)存編碼規(guī)則（HY XX X XX XX X X X X X X-XX X）第一字段（第1、2位）：表示芯

28、片品牌，HY代表海歷士（Hynix）內(nèi)存芯片。第二字段（第3、4位）：表示芯片品牌產(chǎn)品類型，5P代表DDR2 SDRAM內(nèi)存。第三字段（第5位）：表示工作電壓，S代表VDD=1.8VVDDQ=1.8V。第四字段（第6、7位）：表示容量與刷新速度，28代表128Mb、4K/64ms；56代表256Mb、8K/64ms；12代表512Mb、8K/64ms；1G代表1Gb、8K/64ms；2G代表2Gb、8K/64ms。第五字段（第8、9位）：表示芯片結(jié)構(gòu)，4代表4，8代表8，16代表16，32代表32。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系

29、統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 第六字段（第10位）：表示內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成，1代表2Bank，2代表4Bank，3代表8Bank。第七字段（第11位）：表示電氣接口，1代表SSTL_18；2代表SSTL_2。第八字段（第12位）：表示內(nèi)存芯片的修正版本，空白代表第一版，A代表第二版，B代表第三版，C代表第四版。第九字段（第13位）：表示功率消耗能力，空白代表正常功耗；L代表低功耗；K代表Reduced Power 。第十字段（第14位）：表示內(nèi)存芯片的封裝方式， F代表FBGA single Die封裝，S代表FBGA Stack封裝（Hynix），M代表FBGA D

30、DP封裝。第十一字段（第15位）：表示內(nèi)存芯片的封裝材料，空白代表正常，P代表Lead free；R代表Lead&Halogen free。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 第十二字段（第16、17位）：表示內(nèi)存芯片的速度標(biāo)識，E3代表DDR2-400（3-3-3）；E4代表DDR2-400（4-4-4）；C3代表DDR2-533（3-3-3）；C4代表DDR2-533（4-4-4）；C5代表DDR2-533（5-5-5）；Y4代表DDR2-667（4-4-4）；Y5代表DDR2-667（

31、5-5-5）；Y6代表DDR2-667（6-6-6）；S5代表DDR2-800（5-5-5）；S6代表DDR2-800（6-6-6）。第十三字段（第18位）：表示工作溫度類型（此字段也可空白），I代表工業(yè)溫度（400C850C）；E代表擴(kuò)大溫度（250C850C）。例如，一條海力士DDR2內(nèi)存，使用HY5PS2G431CMPS6內(nèi)存芯片，表示一款DDR2 800，容量2GB，F(xiàn)BGA封裝的內(nèi)存。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 2. 三星DDR2內(nèi)存編號 三星DDR2內(nèi)存編碼規(guī)則（K 4

32、T XX XX X X X - X X XX）如下：第一字段（第1位）：表示芯片品牌，K代表是三星內(nèi)存芯片。第二字段（第2位）：表示芯片類型，4代表DRAM。第三字段（第3位）：表示芯片的細(xì)分類型說明，T代表DDR2 SDRAM。第四字段（第4、5位）：表示容量，56代表256Mb；51代表512Mb；1G代表1Gbit；2G代表2Gb；4G代表4Gb。計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)情境實(shí)訓(xùn)學(xué)習(xí)情境一學(xué)習(xí)情境一 認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)認(rèn)知計(jì)算機(jī)系統(tǒng)單元單元22選購計(jì)算機(jī)硬件選購計(jì)算機(jī)硬件 第五字段（第6、7位）：表示芯片結(jié)構(gòu)（位寬），08代表8，16代表16，32代表32。第六字段（第8位）：表示邏輯Bank數(shù)量，3代表4Bank，4代表8Bank。第七字段（第9位）：表示接口類型與電壓，Q代表SSTL-1.8V(1.8V、1.8V)。第八字段（第10位）：表示產(chǎn)品版本，字母越靠后越新，用M、A、B、C、D、E、F、G、H、Q分別代表第1、2、3、4、5、6、7、8、9、17版。第九字段（第11位）：表示封裝類型， Z代表FBGA（Lead-free）；J代表FBGA DDP（Lead-free）；H代表FBGA（Lead-freeHalogen-free）；M代表FBGA D