
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文檔簡介
1、 .wd.1、 nand flash的兩種架構(gòu)1、 SLC-價(jià)格高、容量相對小,比擬穩(wěn)定,可擦寫次數(shù)10萬次,2、 MLC-1萬次3、 TLC-3千次SD卡、U盤一般都是nand flash。SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快壽命長,價(jià)格超貴約MLC 3倍以上的價(jià)格,約10萬次擦寫壽命 MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000-10000次擦寫壽命 TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度慢壽命短,價(jià)格廉價(jià),約500次擦寫
2、壽命,目前還沒有廠家能做到1000次。2、 NOR flash VS Nand flash1、 接口1) nand flash2) NOR flash2、 與ARM的芯片的連接NOR flash->存儲器控制器05-2 SROM controlerNAND flash->nand flash控制器05-4 nand flash controler3、 容量NOR:512KB16MBNand:64MB32GB4、 XIPNOR:可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)存儲單元的內(nèi)容,這樣我們的代碼是可以在nor中執(zhí)行的。Nand:因?yàn)闆]有地址線,所以不能隨機(jī)訪問,只能采用連續(xù)訪問,代碼是不能nand中直
3、接運(yùn)行,如果想運(yùn)行nand中的代碼,需要將代碼copy到內(nèi)存DDR2,然后在內(nèi)存中運(yùn)行。5、 訪問速度讀:NOR很快,nand較快寫:NOR非常慢、nand比擬快擦除:NOR非常慢、nand非常快。6、 nand有壞塊3、 nand的構(gòu)造分析:一般nand flash分成:數(shù)據(jù)區(qū)+存放器區(qū)數(shù)據(jù)區(qū):存放有效的數(shù)據(jù)和代碼,一般nand flash的容量只的是數(shù)據(jù)區(qū)大小。存放器區(qū)空閑區(qū):壞塊標(biāo)志、ECCError Check Code、文件系統(tǒng)相關(guān)的數(shù)據(jù)。1、 Device整片nand flash是512MB,該nand又是8bits,所以對該nand尋址時(shí),地址為:229=512MB->0x
4、0000_00000x2000_0000:A0A28注意:該地址是分周期通過I/O0I/O7傳入nand。2、 Block1device = 4096blocks,1block=64pages=64*2k+64B塊號:04095擦除是以block為單位。3、 Page1page=2048B+64B。讀寫以page單位,也可以訪問連續(xù)的多個(gè)page。四、nand訪問時(shí)序注意:210訪問nand的時(shí)候,基準(zhǔn)頻率是HCLKHCLK_PSYS=133MHz輸入給nand flash的地址分周期傳送,周期如下:5、 原理圖設(shè)計(jì)1、nand flash控制器接口2、原理圖設(shè)計(jì)6、 NAND的命令序列Nan
5、d的命令序列是一個(gè)連續(xù)的過程不能被打斷Nand flash的狀態(tài)7、 nand的訪問1、 讀ID1讀ID的時(shí)序2實(shí)驗(yàn)代碼:3) ID的含義2、 擦除nand注意:擦除nand時(shí)候,以block為單位,一次必須擦除一個(gè)block128K+4KB1) 時(shí)序圖 Only address A18to A29 is valid while A12to A17is ignored.2) 實(shí)驗(yàn)代碼3、 nand寫1時(shí)序圖2實(shí)驗(yàn)代碼:int copy_sdram_to_nand(unsigned char *sdram_addr, unsigned int nand_addr, unsigned int le
6、ngth) unsigned char status; nand_select_chip(); while(length) unsigned long i; unsigned long col, row; nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_1st);/0x80/ column address A0A11 col = nand_addr % NAND_PAGE_SIZE;/ row address A12A28 row = nand_addr / NAND_PAGE_SIZE;/ Column Address A0A7 NFADDR = col & 0x
7、ff;/ Column Address A8A11 NFADDR = (col >> 8) & 0x0f; / Row Address A12A19NFADDR = row & 0xff;/ Row Address A20A27NFADDR = (row >> 8) & 0xff;/ Row Address A28A29NFADDR = (row >> 16) & 0x03;i = col;for(; i<NAND_PAGE_SIZE && length!=0; i+,length-) nand_write(*sdram_addr); sdram_addr+; nand_addr+;nand_send_cmd(NAND_CMD_WRITE_PAGE_2st);/0x85nand_wait_idle(); nand_send_cmd(NAND_CMD_READ_STATUS);/0x70 status = nand_read(); if (status & 1 )/I/O0 = 1,fail nand_deselect_chip();printf("copy sdram to nand fail!rn");return -1; else/I/O0 =
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