LED熱隔離封裝技術(shù)及對(duì)光電性能的改善(精)_第1頁(yè)
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1、LED熱隔離封裝技術(shù)及對(duì)光電性能的改善在傳統(tǒng)的白光LED封裝結(jié)構(gòu)中,熒光粉直接涂覆于芯片上面,工作時(shí),芯片 釋放的熱量直接加載在熒光粉上面,導(dǎo)致了熒光粉的溫升,使得熒光粉在高溫下轉(zhuǎn) 化效率降低。而在熒光粉與芯片之間引入一層低導(dǎo)熱的熱隔離層能夠有效的阻止芯 片的熱量直接加載到熒光粉上,降低了熒光粉層溫度,使得白光LED在大電流注入下都能保持較高的流明效率。除了芯片釋放的熱量之外,涂覆的熒光粉受藍(lán)光激 發(fā)時(shí),因熒光粉的轉(zhuǎn)化效率尚未達(dá)到100%,另外由于散射等其它損耗的存在,熒 光粉顆粒本身也會(huì)有少量的熱量釋放,容易形成局域熱量累積,為此當(dāng)熒光粉材料 轉(zhuǎn)化效率較低時(shí),還需為熒光粉提供散熱通道,防止熒

2、光粉顆粒局域熱的生成。下 面通過(guò)傳統(tǒng)熒光粉涂覆方式和熱隔離封裝方式兩組實(shí)驗(yàn)對(duì)比了解兩種結(jié)構(gòu)中芯片和 熒光粉的熱相互作用。1. LED芯片對(duì)熒光粉的加熱為了評(píng)價(jià)LED芯片對(duì)熒光粉熱性能方面的影響,我們制作了兩組白光LED封裝結(jié)構(gòu),一組采用傳統(tǒng)的熒光粉涂覆方式,另一組采用熱隔離的熒光粉涂覆方式,圖1是該熱隔離封裝結(jié)構(gòu)的剖面制樣圖圖1傳統(tǒng)白光LED橫截面圖示(a熒光粉熱隔離封裝結(jié)構(gòu)(b,h=1mm14-16.熒 光粉熱隔離封裝結(jié)構(gòu)是通過(guò)熒光粉覆膜的方式實(shí)現(xiàn)的。熒光粉覆膜技術(shù)是我們提出 的一種新型熒光粉涂覆方法,即根據(jù)出光要求設(shè)計(jì)好熒光粉膜層的結(jié)構(gòu),在專用模 具內(nèi)完成熒光粉膜層的成型,剝離后,將熒光粉

3、膜層轉(zhuǎn)移到LED芯片上方,同時(shí)LED芯片和熒光粉膜層中間還有一層低導(dǎo)熱系數(shù)的硅膠層。為了表明兩種封裝結(jié) 構(gòu)熱性能上的差別,我們比較了兩種封裝結(jié)構(gòu)表面的溫度分布圖。圖2是兩種封裝結(jié)構(gòu)在200、350和500mA直流驅(qū)動(dòng)下表面IR Camera測(cè)得溫度徑向分布。在200 mA驅(qū)動(dòng)電流下時(shí),熱隔離封裝結(jié)構(gòu)比傳統(tǒng)封裝方式中心溫度低16C。在350mA和500mA注入電流下時(shí),熒光粉層的溫差分別達(dá)到了8.5C和16.8C,并且在500mA注入電流下時(shí),傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)熒光粉的表層最高溫 度已經(jīng)達(dá)到130.2C。另外,熱隔離封裝結(jié)構(gòu)整個(gè)熒光粉表層的溫度都很均勻,而 傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中熒光粉中心溫度較高,在大電流時(shí)尤為明顯

4、。我們通過(guò)有限元模擬來(lái)分析封裝結(jié)構(gòu)中的參數(shù)變化對(duì)白光LED性能的影響。結(jié)果表明,可以通過(guò)封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及封裝材料熱導(dǎo)率調(diào)整來(lái)調(diào)控?zé)晒夥蹖拥臏囟?。圖3是LED熱隔離封裝結(jié)構(gòu)中的溫度縱向分布,熒光粉層的溫度通過(guò)引入的熱隔離硅膠層大大降低了。圖2傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和熱隔離結(jié)構(gòu)中熒光粉表面的溫度曲線,紅色為實(shí)驗(yàn)值,藍(lán)色為模擬值14- -2 22304 45 5如302010W90807060302010W9080706011111圖3熱隔離封裝結(jié)構(gòu)中,樣品沿h2方向的徑向溫度分布(h2=1mm綜上所述,降低熒光粉層溫度的有效辦法是在芯片與熒光粉層之間引入低導(dǎo)熱 的熱隔離層,尤其對(duì)于更大功率的LED器件而言,對(duì)熒光

5、粉的熱控制技術(shù)顯得尤 為重要。2熒光粉局域熱效應(yīng)熒光粉層并不是具有均勻熱導(dǎo)率的單一介質(zhì),而是由熒光粉顆粒與低導(dǎo)熱的硅 膠混合而成,每顆熒光粉顆粒由硅膠包裹而成。我們的研究結(jié)果表明熒光粉顆粒在 不同的轉(zhuǎn)化效率下(即不同的釋熱量芯片和熒光粉的溫場(chǎng)分布。在熒光粉轉(zhuǎn)化效率 高(80%的情況下,熒光粉的溫度主要受芯片加熱的影響。熒光粉距離芯片越近, 溫度越高,熱隔離的措施能有效降低熒光粉的溫度。在熒光粉顆粒發(fā)熱明顯的情況 下,由于包裹熒光粉顆粒是低導(dǎo)熱率的硅膠,熒光粉顆粒會(huì)形成局域熱量,使得熒 光粉顆粒的溫度升高,甚至超過(guò)芯片的溫度。而出現(xiàn)熒光粉局域熱量的條件是熒光 粉的低轉(zhuǎn)化效率,導(dǎo)致熒光粉釋熱大。在

6、實(shí)際的LED封裝結(jié)構(gòu)中,熒光粉的轉(zhuǎn)化效率高,熒光粉的溫度主要是由于 芯片的加熱作用,熒光粉與芯片直接有效的熱隔離能明顯降低熒光粉的溫度。進(jìn)一 步降低熒光粉層的溫度可以通過(guò)提高熒光粉層的導(dǎo)熱率來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了表明兩種封裝結(jié)構(gòu)對(duì)白光LED光色性能的影響,我們把LED白光光譜中 藍(lán)光波段(Blue和黃光波段(Yellow提取出來(lái), 以藍(lán)光波段光譜和黃光波段光譜的積 分量比例值(B/Y作為光譜評(píng)價(jià)依據(jù)。圖4表明的是電流從50mA到800mA,兩種 情況下B/Y值跟注入電流的關(guān)系,B/Y值的變化反映了白光LED光色的變化,在 圖6中,我們展示了兩種結(jié)構(gòu)中光通量、色溫(CCT跟注入電流的變化關(guān)系。兩種 封裝結(jié)

7、構(gòu)中,注入電流在達(dá)到300mA以前,兩者光通量的值幾乎沒(méi)發(fā)生變化,隨 著注入電流的繼續(xù)升高,熱隔離圭寸裝結(jié)構(gòu)顯示了更好的光飽和性能。色溫CCT反映了白光LED光色的表現(xiàn)性能,注入電流從50mA增加到800mA,熱隔離結(jié)構(gòu)的LED色溫僅變化253K,而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED色溫變化達(dá)1773K。圖5中B/Y值的變 化也反映了這種趨勢(shì),熱隔離封裝結(jié)構(gòu)在較大的電流變化范圍內(nèi)B/Y值變化很小,而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中B/Y值的變化很大。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,電流越大時(shí),B/Y值也隨著增大,這說(shuō)明隨著電流增加,LED光譜中藍(lán)光成分增強(qiáng),而將藍(lán)光轉(zhuǎn)化為黃光的 熒光粉轉(zhuǎn)化效率下降。而造成熒光粉轉(zhuǎn)化效率下降的一個(gè)重要原因就是芯片對(duì)熒光 粉的加熱,造成了熒光粉溫度上升。-熱陽(yáng)離結(jié)構(gòu) 結(jié)構(gòu)0,10100200300400500600700800注入電流,mA圖4兩種封裝結(jié)構(gòu)中白光LED光譜中藍(lán)光段(Blue與黃光段(Yellow光強(qiáng)比(B/Y(插圖是藍(lán)

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