瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

1、瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品整體性能比公司現(xiàn)有產(chǎn)品提高約40%時間:2010年09月17日 字 體: 大 中 小關(guān)鍵詞:功率MOSFET筆記本電腦瑞薩電子 據(jù)外國媒體報道高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）產(chǎn)品RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池

2、提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)第12代生產(chǎn)工藝的小型化，瑞薩電子的新型MOSFET將FOM（品質(zhì)因數(shù)=導(dǎo)通電阻柵極電荷）在公司現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上降低了約40%，這使電壓轉(zhuǎn)換過程中的功率損耗大幅降低，從而實(shí)現(xiàn)了更高的DC/DC轉(zhuǎn)換器性能。 隨著信息與通信產(chǎn)品（如服務(wù)器、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時，不斷降低元件（如CPU、圖形處理單元（GPU）、存儲器、ASIC）工作電壓的發(fā)展趨勢又導(dǎo)致了電流的增加。這樣就需要DC/DC轉(zhuǎn)換器能夠處理低壓和大電流。除此之外，日益增長的節(jié)能環(huán)保需求，也提出了降低電壓轉(zhuǎn)換過程中的功率損

3、耗與提高轉(zhuǎn)換效率的要求。而瑞薩電子本次所推出的3款第12代功率MOSFET產(chǎn)品因其領(lǐng)先于業(yè)內(nèi)的性能與降低約40%的FOM，滿足了上述需求。 新產(chǎn)品所具有的25V電壓容差（VDSS）為RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA分別實(shí)現(xiàn)了40A、30A和25A的最大電流（ID）。另外，新產(chǎn)品的總品度值（VGS = 4.5V時的標(biāo)準(zhǔn)值）分別為6.84m?nC、7.83m?nC和7.2 m?nC，這比瑞薩電子第10代功率MOSFET（在用作控制功率MOSFET時，其提供了比第11代產(chǎn)品更好的總品度值）降低了約40%。 此外，新產(chǎn)品的柵-漏電荷電容（Qgd），即控制功率MOSFET

4、的主要特性分別為1.2nC、0.9nC和0.6nC，也比瑞薩電子第10代功率MOSFET（利用相同的導(dǎo)通電阻進(jìn)行測量時）低了約40%。該數(shù)值越小表明開關(guān)損耗越低，則更有助于大幅提升DC/DC轉(zhuǎn)換器性能和提高能效。 通常，DC/DC轉(zhuǎn)換器具有2個功率MOSFET：一個用于控制，另一個則用于實(shí)現(xiàn)同步整流。它們輪流開關(guān)以進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換。假設(shè)新型RJK0210DPA用于實(shí)現(xiàn)控制，同時將瑞薩電子第11代RJK0208DPA用于實(shí)現(xiàn)同步整流，那么在將電壓從12V轉(zhuǎn)換為1.05V時，其最高功率轉(zhuǎn)換效率則可實(shí)現(xiàn)90.6%（在輸出電流為18A的情況下）和86.6%（在輸出電流為40A的情況下）。（這2個數(shù)值均基于

5、300kHz的開關(guān)頻率和兩相配置。） 新產(chǎn)品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的WPAK（瑞薩電子封裝編號）封裝。同時，器件下面所裝有的壓料墊，能夠在功率MOSFET工作時將其產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至印刷電路板，并且使功率MOSFET能夠處理大電流。 今后，瑞薩電子還將不斷開發(fā)適于各類DC/DC轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體產(chǎn)品，以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗和高效率，并為開發(fā)出更小巧、更節(jié)能的系統(tǒng)做出貢獻(xiàn)。注釋1：FOM（品質(zhì)因數(shù)）：FOM是功率MOSFET公認(rèn)的性能和效率指標(biāo)。導(dǎo)通電阻（Ron）是功率MOSFET工作時的電阻。該數(shù)值越小則表明傳導(dǎo)損耗越低。柵-漏電荷電容是讓功率MOSFE

6、T運(yùn)行所需的電荷。該數(shù)值越小則表明開關(guān)性能越高。價格與供貨情況 目前，瑞薩電子的新型RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA功率MOSFET樣品已開始提供，其單價分別為0.55、0.46和0.38美元。新產(chǎn)品計劃于2010年12月開始批量生產(chǎn)，并預(yù)計在2011年7月達(dá)到月產(chǎn)量約200萬個。（價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。）欲了解瑞薩電子新型功率MOSFET的主要規(guī)格，敬請參照獨(dú)立數(shù)據(jù)表。* 其它所有注冊商標(biāo)或商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。關(guān)于瑞薩電子瑞薩電子株式會社（TSE：6723）作為全球首屈一指的MCU（微控制器）供應(yīng)商，也是先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案的首選供應(yīng)商，

7、產(chǎn)品包括MCU、SoC解決方案和廣泛的模擬及電源器件。自2010年4月，NEC電子株式會社（TSE：6723）與株式會社瑞薩科技整合之后，瑞薩電子開始正式運(yùn)營，其業(yè)務(wù)覆蓋了面向各種應(yīng)用的研究、開發(fā)、設(shè)計和生產(chǎn)。瑞薩電子總部位于日本，在全球20個國家設(shè)有分公司。欲了解更多信息，敬請?jiān)L問。獨(dú)立數(shù)據(jù)表第12代功率MOSFET產(chǎn)品規(guī)范Ta = 25C產(chǎn)品最高額定值導(dǎo)通電阻（RDS (on)）（m）Qg (nC)Qgd(nC)VDSS(V)VGSS(V)ID(A)VGS = 4.5 VVGS = 10 V典型值最大值典型值最大值RJK0210DPA25+16/-1240RJK0211DPA25+16/-1230RJK0212DPA25+16/-1225