【圖文】抗電磁輻射織物屏蔽效能的測(cè)試方法_第1頁(yè)
【圖文】抗電磁輻射織物屏蔽效能的測(cè)試方法_第2頁(yè)
【圖文】抗電磁輻射織物屏蔽效能的測(cè)試方法_第3頁(yè)
【圖文】抗電磁輻射織物屏蔽效能的測(cè)試方法_第4頁(yè)
【圖文】抗電磁輻射織物屏蔽效能的測(cè)試方法_第5頁(yè)
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小同軸測(cè)量法 在高頻率段, 配合“大樣開(kāi)窗法” 對(duì)屏蔽織物作復(fù)核測(cè)量， 測(cè)試系統(tǒng)示意圖見(jiàn)圖10所 示。 小同軸測(cè)量法也可用于測(cè)量1000MHz以上屏蔽織物屏效的測(cè)量, 而大樣開(kāi)窗法專(zhuān)門(mén)用于 1000MHz以下屏蔽織物之屏蔽效能的測(cè)量, 也可以作全頻屏效試驗(yàn)。 測(cè)量誤差分析及防止措施 (一測(cè)量系統(tǒng)誤差 由測(cè)試儀器及其配套系統(tǒng)所產(chǎn)生的測(cè)試誤差，總的控制在2dB左右。這在儀 器設(shè)計(jì)、元器件選擇與計(jì)量校驗(yàn)等環(huán)節(jié)中已采取了相關(guān)措施，進(jìn)行了有效控 制。 (二環(huán)境影響誤差 由于環(huán)境因素，比如溫、濕度；環(huán)境背景電磁場(chǎng)等的干擾也會(huì)產(chǎn)生測(cè)量誤差。 為此，要求測(cè)量工作應(yīng)在專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)屏蔽室或微波暗室中進(jìn)行。 (三待測(cè)樣品置入誤差 由待測(cè)物樣的放入狀況不一致，待測(cè)物樣與屏蔽室的相對(duì)位置不同以 及其他原因也會(huì)帶來(lái)在測(cè)量結(jié)果上的誤差。因此，在測(cè)試時(shí)，一定要 確保收、發(fā)系統(tǒng)的相對(duì)位置不變；同時(shí)，每一個(gè)數(shù)據(jù)要測(cè)3次，取其 平均值。 (四電源系統(tǒng)產(chǎn)生的誤差 由于供電源系統(tǒng)電壓及電流的波動(dòng)以及線(xiàn)路反饋外界干擾信號(hào)所引起 的誤差，有時(shí)所帶來(lái)的測(cè)量誤差也是較大的。為此，在供電源系統(tǒng)條 件允許時(shí)應(yīng)加穩(wěn)定

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