材料合成與制備

1、一、簡答1. 單晶材料：均一性.同質性.各向異性。單晶材料的制備必須排除對材料性能有害的雜質原子和晶體缺陷。從熔體中結晶 ，當溫度低于熔點時，晶體開始析出。低雜質含量、結晶完美的單晶材料多由熔體生長得到。制備方法：直拉法。垂直提拉法。特點是所生長的晶體的質量高，速度快。方法：熔體置于坩堝中，一塊小單晶，稱為籽晶，與拉桿相連，并被置于熔體的液面處。加熱器使單晶爐內的溫場保證坩堝以及熔體的溫度保持在材料的熔點以上，籽晶的溫度在熔點以下，而液體和籽晶的固液界面處的溫度恰好是材料的熔點。隨著拉桿的緩緩拉伸(典型速率約為每分鐘幾毫米)，熔體不斷在固液界面處結晶，并保持了籽晶的結晶學取向。坩堝下降法（定向

2、凝固法）?；驹硎寡b有熔體的坩堝緩慢通過具有一定溫度梯度的溫場。開始時整個物料都處于熔融狀態(tài)，當坩堝下降通過熔點時，熔體結晶，隨著坩堝的移動，固液界面不斷沿著坩堝平移，直至熔體全部結晶。使用此方法，首先成核的是幾個微晶，可使用籽晶控制晶體的生長。區(qū)熔法。沿坩堝的溫場有一個峰值，在這個峰值附近很小的范圍內溫度高于材料的熔點。這樣的溫場由環(huán)形加熱器來實現。在多晶棒的一端放置籽晶，將籽晶附近原料熔化后，加熱器向遠離仔晶方向移動，熔體即在籽晶基礎上結晶。加熱器不斷移動，將全部原料熔化、結晶，即完成晶體生長過程。懸浮區(qū)熔法不用容器，污染較小，但不易得到大尺寸晶體。利用溶質分凝原理，區(qū)熔法還被用來提純單

3、晶材料，多次區(qū)熔提純后使晶體中的雜質聚集在材料的一端而達到在材料的其他部分提純的目的。溶液法可用來生長單晶材料，也可用于制備粉末、薄膜和纖維等材料。溶液是均勻、單相的，從溶液中制備晶體材料，原子無需長程擴散，因而溶液法比固相反應所需的溫度低得多?；驹硎鞘咕w原料作為溶質，溶于合適的溶劑中，用一定的方法使溶液過飽和，從而結晶。通過放置仔晶，可以對晶體的取向進行控制。溶液生長得到的單晶光學均勻性較好，但生長速率較低。溶液變溫法生長單晶。飽和溶液和仔晶置于容器中，以一定的速率降低溶液溫度，溶質在仔晶上析出，晶體得以長大。溶液生長單晶的關鍵是消除溶液中的微晶，并精確控制溫度。低溫溶液生長通常使用的

4、溶劑是水，生長有機晶體時常用丙酮、乙醇、四氯化碳等有機溶劑。制備通常條件下不溶于水的物質，如水晶(SiO2)、磷酸鋁(AlPO4)等。超臨界水是有效的溶劑，使用超臨界水作溶劑的方法稱為水熱法。水熱法制備單晶材料。水熱法的主要設備是高壓釜。水熱生長晶體的方法： 主要有溫差法、降溫法(或升溫法)及等溫法等，都是通過不同的物理化學條件使生長系統(tǒng)內的液相獲得適當的過飽和狀態(tài)而結晶。 降溫法是依靠體系緩慢降溫來獲得過飽和的，由于降溫范圍和溶解度溫度系數的限制，生長大晶體需要經過多次降溫的過程，反復操作很不方便，同時也影響晶體的質量。水熱法原理：等溫生長法基于欲生長的晶體與所用原料的溶解度不同而形成過飽和

5、狀態(tài)來生長晶體，這種方法隨著原料的同晶型化，兩者溶解度逐漸相近而會使生長速率趨于零，也不宜于生長大的晶體。 溫差水熱結晶法是目前普遍采用的方法，它依靠容器內的溶液維持溫差對流而形成過飽和狀態(tài)。這樣，可以根據需要經數周以至上百天穩(wěn)定的持續(xù)生長，并且可以根據原料與籽晶的比例，通過緩沖器和加熱帶來調整溫差。2. 濕化學合成法：溶膠凝膠法和化學沉淀法（1）化學共沉淀法制備材料：一種或多種金屬鹽在溶液中發(fā)生化學反應，生成不溶的沉淀物微粉。原理 ：K Ksp，沉淀/共沉淀?；瘜W共沉淀法一般是把化學原料以溶液狀態(tài)混合，并向溶液中加入適當的沉淀劑（pH 調整劑或難溶化合物生成劑），使溶液中已經混合均勻的各個組

6、分按化學計量比共同沉淀出來，或者在溶液中先反應沉淀出一種中間產物(前驅物)，再把它煅燒分解，制備出微細粉末產品。沉淀法、共沉淀法之優(yōu)缺點：優(yōu)點 各種離子在沉淀物中以離子狀態(tài)混合，混合程度通常非常良好，在溶解度限內不會有局部成份不均現象。 沉淀物是非晶態(tài)氫氧化物或低分解溫度的草酸鹽，且因混合程度本已良好，可以降低煅燒溫度。 由于低溫煅燒，研磨時間可縮短，較易獲得沒有受到磨球污染，粒徑很細的粉末。 化學共淀法具有自清作用，一些有害的雜質可以盡量避免沉淀下來，以提高沉淀物的純度。（2） 溶膠凝膠（SolGel)法材料制備溶膠凝膠法制備的材料化學純度高，均勻性好，此法易于控制化學劑量比，適合制備多組分

7、材料。用于制備玻璃、涂料、纖維和薄膜等多種類型的材料。溶膠是指有膠體顆粒分散懸浮其中的液體。豆?jié){，sol豆腐, gel前驅體水解，縮聚反應材料1）溶膠是指膠體粒子在溶液中的穩(wěn)定懸浮液。 2）或者說半徑在1 nm-100 nm之間的難溶物固體粒子分散在液體介質中，分散相與分散介質不同相，有很大的相界面 3） 對于穩(wěn)定溶膠存在，必須是密度大于周圍溶液，以克服粒子本身的重力而產生的沉降溶膠-凝膠（Sol-gel）技術是指金屬有機或無機化合物經過溶液、溶膠、凝膠而固化，再經過熱處理而成氧化物或其它化合物固體的方法。采用溶膠-凝膠技術，在制備過程的初期階段就可開始控制材料的微觀結構，使均勻性可以達到亞微

8、米、納米級甚至是分子級水平。并可以利用這種方法通過低溫化學手段設計、剪裁和控制材料的顯微結構，制備用傳統(tǒng)方法難以獲得的氧化物或復合氧化物材料，是一種具有極大的潛在應用價值的軟化學制備技術。(1) 將低粘度的前驅物(precursors)均勻混合、溶于適當溶劑。該前驅物一般是金屬的醇鹽（M-OR, R= CnH2n+1）或金屬鹽(有機如聚合物、或無機如離子)，它們可以提供最終所需要的金屬離子。在某些情況下，前驅物的一個成分可能就是一種氧化物顆粒溶膠(colloidal sol)。原料種類不同，所得溶膠物性亦異。 (2)水解、制成均勻的溶膠，并使之凝膠。這是決定最終陶瓷材料化學均勻性的關鍵步驟。

9、(3)在凝膠過程中或在凝膠后成型、干燥，然后煅燒或燒結。溶膠-凝膠法制備超細粉體的優(yōu)點： 溫和的制備反應條件；純度高；顆粒細，易于制備納米尺度的粉體，粒徑分布窄 ；分散性好，活性高，燒結溫度比高溫固相反應溫度低得多； 化學組成與相組成均勻，尤其對多組分體系 ；以此粉體為前驅物，所得的功能材料性質優(yōu)異。溶膠凝膠法制膜的優(yōu)點：化學組分可以精確控制、易于摻雜；設備簡單、成本低廉、并且可以在大面積上制備組分、厚度均勻的薄膜，適合工業(yè)生產。缺點：薄膜的致密性較差。3. 陶瓷結合的方法燒結就是通過加熱，使粉末微粒之間產生粘結，經過物質遷移使粉末體產生強度并導致致密化和再結晶的過程。常見的燒結方法有：熱壓或

10、熱等靜壓法、液相燒結法、反應燒結法等。熱壓燒結-模具對坯體施壓，加速擴散傳質和體積收縮。由于燒結時間短，晶粒來不及長大，細小的晶粒使熱壓燒結陶瓷的力學性能良好。熱壓燒結將干燥粉料充填入模型內，再從單軸方向邊加壓邊加熱，使成型和燒結同時完成的一種燒結方法。熱壓燒結的熱壓燒結由于加熱加壓同時進行，粉料處于熱塑性狀態(tài)，有助于顆粒的接觸擴散、流動傳質過程的進行，因而成型壓力僅為冷壓的1/10；還能降低燒結溫度，縮短燒結時間，從而抵制晶粒長大，得到晶粒細小、致密度高和機械、電學性能良好的產品。無需添加燒結助劑或成型助劑，可生產超高純度的陶瓷產品。熱壓燒結的缺點是過程及設備復雜，生產控制要求嚴，模具材料要

11、求高，能源消耗大，生產效率較低，生產成本高。液相燒結-在燒結溫度下，材料中都會或多或少的出現液相。固相在液相內有一定的溶解度，燒結通過固相的溶解和再沉淀來完成，從而使晶粒尺寸和密度增大。因為流動傳質速率比擴散傳質快，因而液相燒結致密化速率高，可使坯體在比固態(tài)燒結溫度低得多的情況下成為致密的燒結體。反應燒結-過程中伴有固相反應，它的優(yōu)點是無體積收縮，適合制備形狀復雜，尺寸精度高的陶瓷，但致密度遠不及熱壓法。微波燒結是利用微波加熱來對材料進行燒結。它同傳統(tǒng)的加熱方式不同。傳統(tǒng)的加熱是依靠發(fā)熱體將熱能通過對流、傳導或輻射方式傳遞至被加熱物而使其達到某一溫度，熱量從外向內傳遞，燒結時間長，也很難得到細

12、晶。原理-是利用微波具有的特殊波段與材料的基本細微結構耦合而產生熱量，材料的介質損耗使其材料整體加熱至燒結溫度而實現致密化的方法。是一種材料燒結工藝的新方法，它具有升溫速度快、能源利用率高、加熱效率高和安全衛(wèi)生無污染等特點，并能提高產品的均勻性和成品率，改善被燒結材料的微觀結構和性能，已經成為材料燒結領域里新的研究熱點。常壓燒結即對材料不進行加壓而使其在大氣壓力下燒結，是目前應用最普遍的一種燒結方法。它包括了在空氣條件下的常壓燒結和某種特殊氣體氣氛條件下的常壓燒結。二、實驗設計凝膠注膜成型該技術將傳統(tǒng)的陶瓷制作工藝結合有機單體聚合生成高分子的方法，利用有機單體聚合將陶瓷粉料懸浮體原位固化，之后

13、經過干燥、排膠、燒結等工藝過程制備復雜形狀的近凈尺寸陶瓷部件。特點：有機單體含量低，產品尺寸精度高，坯體強度高，可進行機械加工，明顯優(yōu)于其他復雜形狀陶瓷部件的成型工藝，有機添加劑燒后不含殘留雜質，在高質量、特殊形狀精密陶瓷元件生產中得到了廣泛應用。工藝過程時間短，所用設備廉價，制作成本低，制品的結構和密度均勻，對制品的形狀與尺寸受限制小。基本原理:在低粘度高固相含量的料漿中加入有機單體，在催化劑和引發(fā)劑的作用下，使料漿中的有機單體交聯聚合呈三維網狀結構，從而使料漿原味固化成型，然后再進行脫模、干燥、去除有機物、燒結，即可得到所需陶瓷零件。關于陶瓷增強增韌強化措施大多從消除缺陷和阻止其發(fā)展著手。

14、值得提出的有下列幾個方面。（1）微晶,高密度與高純度為了消除缺陷,提高晶體的完整性,細、密、勻、純是當前陶瓷發(fā)展的一個重要方面。近年來出現了許多微晶、高密度、高純度陶瓷,例如用熱壓工藝制造的陶瓷密度接近理論值,幾乎沒有氣孔，特別值得提出的是各種纖維材料及晶須。（2）預加應力人為地預加應力,在材料表面造成一層壓應力層,就可提高材料的抗張強度。脆性斷裂通常是在張應力作用下,自表面開始,如果在表面造成一層殘余壓應力層,則在材料使用過程中表面受到拉伸破壞之前首先要克服表面上的殘余壓應力。（3）化學強化如果要求表面殘余壓應力更高,則熱韌化的辦法就難以做到,此時就要采用化學強化(離子交換)的辦法。這種技術

15、是通過改變表面的化學組成,使表面的摩爾體積比內部的大。由于表面體積脹大受到內部材料的限制,就產生一種兩向狀態(tài)的壓應力。陶瓷材料的增韌所謂增韌就是提高陶瓷材料強度及改善陶瓷的脆性,是陶瓷材料要解決的重要問題。與金屬材料相比，陶瓷材料有極高的強度，其彈性模量比金屬大很多。韌化的主要機理有應力誘導相變增韌,相變誘發(fā)微裂紋增韌,殘余應力增韌等。幾種增韌機理并不互相排斥,但在不同條件下有一種或幾種機理起主要作用。相變增韌：利用多晶多相陶瓷中某些相成分在不同溫度的相變,從而增韌的效果,統(tǒng)稱為相變增韌。例如,利用的馬氏體相變來改善陶瓷材料的力學性能,是目前引人注目的研究領域。研究了多種?的相變增韌,由四方相

16、轉變成單斜相,體積增大3%5%,如部分穩(wěn)定,四方多晶陶瓷(TZP),增韌陶瓷(ZTA),增韌莫來石陶瓷(ZTM),增韌尖晶石陶瓷,增韌鈦酸鋁陶瓷,增韌陶瓷,增韌以及增韌等。其中PSZ陶瓷較為成熟,TZP,ZTA,ZTM研究得也較多,PSZ,TZP,ZTA等的新裂韌性已達,有的高達,但溫度升高時,相變增韌失效。當部分穩(wěn)定陶瓷燒結致密后,四方相顆粒彌散分布于其他陶瓷基體中(包括本身),冷卻時亞穩(wěn)四方相顆粒受到基體的抑制而處于壓應力狀態(tài),這時基體沿顆粒連線方向也處于壓應力狀態(tài)。材料在外力作用下所產生的裂紋尖端附近由于應力集中的作用,存在張應力場,從而減輕了對四方相顆粒的束縛,在應力的誘發(fā)作用下會發(fā)生

17、向單斜相的轉變并發(fā)生體積膨脹,相變和體積膨脹的過程除消耗能量外,還將在主裂紋作用區(qū)產生壓應力,二者均阻止裂紋的擴展,只有增加外力做功才能使裂紋繼續(xù)擴展,于是材料強度和新裂韌性大幅度提高。因此，這種微結構會產生三種不同的增韌機理。在氧化鋯中具有亞穩(wěn)態(tài)四方相的盤狀沉淀的微粒，如圖1-55所示。首先，隨著裂紋發(fā)展導致的應力增加。會使四方結構的沉淀相通過馬氏體相變轉變?yōu)閱涡苯Y構，這一相變吸收了能量并導致體積膨脹產生張應力。這種微區(qū)的形變在裂紋附近尤為明顯。其次，相變的粒子周圍的應力場會吸收額外的能量，并形成許多微裂紋。這些微結構的變化有效地降低了裂紋尖端附近的有效應力強度。第三，由于沉淀顆粒對裂紋的阻

18、滯作用和局域殘余應力場的效應，會引起裂紋的偏轉。裂紋偏轉又引起裂紋的表面積和有效表面能增加，從而增加材料的韌性。上述的情況同樣適甩于粒子和短纖維強化的復合材料中。微裂紋增韌：部分穩(wěn)定ZrO2陶瓷在燒結冷卻過程中,存在較粗四方相向單斜相的轉變,引起體積膨脹,在基體中產生彌散分布的裂紋或者主裂紋擴展過程中在其尖端過程區(qū)內形成的應力誘發(fā)相變導致的微裂紋,這些尺寸很小的微裂紋在主裂紋尖端擴展過程中會導致主裂紋分叉或改變方向,增加了主裂紋擴展過程中的有效表面能,此外裂紋尖端應力集中區(qū)內微裂紋本身的擴展也起著分散主裂紋尖端能量的作用,從而抑制了主裂紋的快速擴展,提高了材料的韌性。表面殘余壓應力增韌：陶瓷材料可以通過引入殘余壓應力達到增強韌化的目的?？刂坪瑥浬⑺姆筋w粒的陶瓷在表層發(fā)生四方相向單斜相相變,引起表面體積膨脹而獲得表面殘余壓應力。由于陶瓷斷裂往往起始于表面裂紋,表面殘余壓應力有利于阻止表面裂紋的擴展,從而起到了增強增韌的作用。彌散增韌:在基體中滲入具有一定顆粒尺寸的微細粉料,達到增韌的效果,這稱為彌散增韌。這種細粉料可能是金屬粉末,加入陶瓷基體以后,以其塑體變形,來吸收彈