清華大學(xué)化學(xué)系

1、圖2 x射線管剖面示意圖 管電壓的增加而增大。ka和kb兩個特征射線有臨界電壓moseley定律決定特征x射線的波長u=35u激發(fā)陽極靶元素 原子序數(shù)z k系特征譜波長（埃） u（kv）(3-5)uk k1k2k kcr 24 2.28970 2.29306 2.29100 2.08487 20_25 fe 26 1.936042 1.939980 1.937355 1.75661 25_30 co 27 1.788965 1.792850 1.790262 1.62079 30 ni 28 1.657910 1.661747 1.659189 1.500135 30_35 cu 29 1.5

2、40542 1.544390 1.541838 1.392218 35_40 mo 42 0.709300 0.713590 0.710730 0.632288 50_55 x射線非相干散射示意圖 第1部分 1a,1b,1c為三根最強(qiáng)衍射線的晶面間，1d為試樣的最大面間距； 第2部分 2a,2b,2c，2d為上述四根衍射線條的相對強(qiáng)度； 第3部分 所用實(shí)驗(yàn)條件 第4部分 物相的結(jié)晶學(xué)數(shù)據(jù) 第5部分 物相的光學(xué)性質(zhì)數(shù)據(jù) 第6部分 化學(xué)分析、試樣來源、分解溫度、轉(zhuǎn)變點(diǎn)、熱處理、實(shí)驗(yàn)溫度等 第7部分 物相的化學(xué)式和名稱 第8部分 礦物學(xué)通用名稱、有機(jī)物結(jié)構(gòu)式。又上角標(biāo)號表示數(shù)據(jù)高度可靠；表示可靠性較

3、低；無符號者表示一般；i表示已指數(shù)化和估計強(qiáng)度，但不如有星號的卡片可靠；有c表示數(shù)據(jù)為計算值。 第9部分 面間距、相對強(qiáng)度和干涉指數(shù) 第10部分 卡片序號 materials rad. (hkl) 2q (deg.) k (mpa/deg.) a -fe crka (211) 156.08 -297.23 a -fe coka (310) 161.35 -230.4 g -fe crkb (311) 149.6-355.35 al crka (222) 156.7 -92.12 cu cuka (420) 144.7 -258.92 ti coka (114) 154.2 -171.6 圖圖5

4、 xrd5 xrd研究研究au /siau /si薄膜材料的界面物相分布薄膜材料的界面物相分布102030405060counts a.u.2 o substrate of al2o3/sioriginal film of lacoo3poisoned at 500oc, 3hrspoisoned at 700oc, 3hrs2030405060abcdef 2 。 counts a.u.44.5433.1424.0625.3237.6047.9735.5249.4054.02g圖6 不同材料狀態(tài)以及相應(yīng)的xrd譜示意圖1. 對于tio2納米粉體，其主要衍射峰2為21.5 ，可指標(biāo)化為101晶

5、面。2. 當(dāng)采用cuk作為x射線源，波長為0.154nm，衍射角的2為25.30 ，測量獲得的半高寬為0.375 ，一般sherrer常數(shù)取0.89。3. d101k/b1/2cos0.890.15457.3、（0.3750.976）21.5 nm。temperature/, for 2 hours500600700800900average grain size, dg/nm15-202025100-150200average crystal size, dc/nmamorphous15.318.623.732.8tin/aln納米多層膜的xrd小角度衍射譜 粘土的小角粘土的小角xrd衍射圖

6、衍射圖 已二胺處理后粘土的小角已二胺處理后粘土的小角xrd衍射圖衍射圖 1.31nm1.4nm246810ab圖6-10 ticl4-peg法制備中孔粉體xrd結(jié)果（a）煅燒前 （b）400下煅燒1小時510ab鈦酸酯-十八胺法制備中孔粉體前驅(qū)體xrd結(jié)果（a）常溫常壓下沉化（b）加溫加壓下沉化 203040506070500oc600oc700oc800oc900occounts / a.u.2/ o2030405060702 / ocounts / a.u.1h4h6h8h amorphous intermediate203040506070500oc600oc700oc800oc900o

7、ccounts / a.u.2/ o2030405060702 / ocounts / a.u.1h4h6h8h amorphous intermediate圖7不同溫度下煅燒2小時所得樣品的xrd圖圖8 600下煅燒不同時間所得樣品的xrd圖2030405060abedc2/ degreecounts / a.u.(a)85090095010000102030temperature / occrystalline size / nm (b)圖9 合成溫度對sral2o4物相結(jié)構(gòu)的影響a: 800; b:850; c: 900; d: 950; e: 1000圖10 合成溫度對晶粒大小的影響102030405060702 / ocountsab圖11 水解納米線產(chǎn)物圖12 納米線的xrd分析圖13六方孔形mcm-41密堆積排列示意圖圖14合成產(chǎn)物的xrd圖譜2030405060tio2 filmtio2 filmdoped pdtio2 filmdoped pt25.328.5 si substrate47.92counts a.u.anatasetio22030405060tio2 filmtio2 filmdoped pdtio2 filmdoped ptexpanded 1/50025.328.54