西寧IGBT項(xiàng)目合作計(jì)劃書_范文參考

1、CMC·泓域咨詢 /西寧IGBT項(xiàng)目合作計(jì)劃書報(bào)告說明根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資31841.67萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資24709.81萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的77.60%；建設(shè)期利息294.56萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的0.93%；流動(dòng)資金6837.30萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的21.47%。項(xiàng)目正常運(yùn)營(yíng)每年?duì)I業(yè)收入71000.00萬(wàn)元，綜合總成本費(fèi)用57712.32萬(wàn)元，凈利潤(rùn)9718.92萬(wàn)元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率24.18%，財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值17210.07萬(wàn)元，全部投資回收期5.28年。本期項(xiàng)目具有較強(qiáng)的財(cái)務(wù)盈利能力，其財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。本期項(xiàng)目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場(chǎng)分析、技術(shù)方案等信

2、息，并依托行業(yè)分析模型而進(jìn)行的模板化設(shè)計(jì)，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報(bào)告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。IGBT作為工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，能夠根據(jù)信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的，被稱為現(xiàn)代電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應(yīng)用于電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等

3、眾多領(lǐng)域。目錄第一章 項(xiàng)目承辦單位基本情況10一、 公司基本信息10二、 公司簡(jiǎn)介10三、 公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)11四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)12公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)12公司合并利潤(rùn)表主要數(shù)據(jù)13五、 核心人員介紹13六、 經(jīng)營(yíng)宗旨15七、 公司發(fā)展規(guī)劃15第二章 背景及必要性17一、 模塊封裝為核心競(jìng)爭(zhēng)力之一，適用于各種高電壓場(chǎng)景17二、 全方位融入國(guó)內(nèi)大循環(huán)18三、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級(jí)迭代19四、 IGBT是新能源車動(dòng)力系統(tǒng)核心中的核心21五、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性22六、 IGBT供貨周期與價(jià)格均有增長(zhǎng)，供不應(yīng)求難以緩解23七、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢(shì)23第三章 項(xiàng)目基本情

4、況27一、 項(xiàng)目名稱及投資人27二、 編制原則27三、 編制依據(jù)27四、 編制范圍及內(nèi)容28五、 項(xiàng)目建設(shè)背景28六、 打造高水平合作開放平臺(tái)29七、 結(jié)論分析29主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表31第四章 行業(yè)、市場(chǎng)分析33一、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場(chǎng)33二、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價(jià)值占比達(dá)達(dá)52%33三、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級(jí)，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新35第五章 建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案41一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容41二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)42產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表43第六章 建筑物技術(shù)方案44一、 項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)總體要求44二、 建設(shè)方案46三、 建筑工程建設(shè)指標(biāo)47建筑工程投

5、資一覽表47第七章 法人治理結(jié)構(gòu)49一、 股東權(quán)利及義務(wù)49二、 董事53三、 高級(jí)管理人員57四、 監(jiān)事60第八章 發(fā)展規(guī)劃62一、 公司發(fā)展規(guī)劃62二、 發(fā)展思路63第九章 SWOT分析65一、 優(yōu)勢(shì)分析（S）65二、 劣勢(shì)分析（W）66三、 機(jī)會(huì)分析（O）67四、 威脅分析（T）68第十章 運(yùn)營(yíng)模式74一、 公司經(jīng)營(yíng)宗旨74二、 公司的目標(biāo)、主要職責(zé)74三、 各部門職責(zé)及權(quán)限75四、 財(cái)務(wù)會(huì)計(jì)制度78五、 新能源應(yīng)用驅(qū)動(dòng)IGBT快速增長(zhǎng)85六、 晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊缺，IGBT供不應(yīng)求或延續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間88七、 IGBT基本情況89八、 工控領(lǐng)域及電源行業(yè)支撐IGBT穩(wěn)定發(fā)展91第十一章 項(xiàng)目規(guī)劃

6、進(jìn)度94一、 項(xiàng)目進(jìn)度安排94項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度計(jì)劃一覽表94二、 項(xiàng)目實(shí)施保障措施95第十二章 原輔材料供應(yīng)、成品管理96一、 項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況96二、 項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理96第十三章 工藝技術(shù)方案分析98一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析98二、 項(xiàng)目技術(shù)工藝分析100三、 質(zhì)量管理101四、 設(shè)備選型方案102主要設(shè)備購(gòu)置一覽表103第十四章 勞動(dòng)安全分析104一、 編制依據(jù)104二、 防范措施105三、 預(yù)期效果評(píng)價(jià)109第十五章 投資估算111一、 投資估算的依據(jù)和說明111二、 建設(shè)投資估算112建設(shè)投資估算表116三、 建設(shè)期利息116建設(shè)期利息估算表116固定資產(chǎn)投資估算

7、表117四、 流動(dòng)資金118流動(dòng)資金估算表119五、 項(xiàng)目總投資120總投資及構(gòu)成一覽表120六、 資金籌措與投資計(jì)劃121項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表121第十六章 經(jīng)濟(jì)效益分析123一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取123二、 經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測(cè)算123營(yíng)業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表123綜合總成本費(fèi)用估算表125利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表127三、 項(xiàng)目盈利能力分析127項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表129四、 財(cái)務(wù)生存能力分析130五、 償債能力分析130借款還本付息計(jì)劃表132六、 經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)結(jié)論132第十七章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案133一、 項(xiàng)目招標(biāo)依據(jù)133二、 項(xiàng)目招標(biāo)范圍133三、 招標(biāo)要求134四、 招標(biāo)組織

8、方式134五、 招標(biāo)信息發(fā)布137第十八章 風(fēng)險(xiǎn)防范138一、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)分析138二、 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)對(duì)策140第十九章 總結(jié)142第二十章 補(bǔ)充表格144營(yíng)業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表144綜合總成本費(fèi)用估算表144固定資產(chǎn)折舊費(fèi)估算表145無(wú)形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表146利潤(rùn)及利潤(rùn)分配表146項(xiàng)目投資現(xiàn)金流量表147借款還本付息計(jì)劃表149建設(shè)投資估算表149建設(shè)投資估算表150建設(shè)期利息估算表150固定資產(chǎn)投資估算表151流動(dòng)資金估算表152總投資及構(gòu)成一覽表153項(xiàng)目投資計(jì)劃與資金籌措一覽表154第一章 項(xiàng)目承辦單位基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx有限公司2、法定代表人：

9、陶xx3、注冊(cè)資本：1010萬(wàn)元4、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機(jī)關(guān)：xxx市場(chǎng)監(jiān)督管理局6、成立日期：2014-5-137、營(yíng)業(yè)期限：2014-5-13至無(wú)固定期限8、注冊(cè)地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營(yíng)范圍：從事IGBT相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目，開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)；依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后依批準(zhǔn)的內(nèi)容開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項(xiàng)目的經(jīng)營(yíng)活動(dòng)。）二、 公司簡(jiǎn)介公司全面推行“政府、市場(chǎng)、投資、消費(fèi)、經(jīng)營(yíng)、企業(yè)”六位一體合作共贏的市場(chǎng)戰(zhàn)略，以高度的社會(huì)責(zé)任積極響應(yīng)政府城市發(fā)展號(hào)召，融入各級(jí)城市的建設(shè)與發(fā)展，在商業(yè)模式思路上領(lǐng)先業(yè)界，對(duì)服務(wù)

10、區(qū)域經(jīng)濟(jì)與社會(huì)發(fā)展做出了突出貢獻(xiàn)。 企業(yè)履行社會(huì)責(zé)任，既是實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、環(huán)境、社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的必由之路，也是實(shí)現(xiàn)企業(yè)自身可持續(xù)發(fā)展的必然選擇；既是順應(yīng)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展趨勢(shì)的外在要求，也是提升企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力的內(nèi)在需求；既是企業(yè)轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、實(shí)現(xiàn)科學(xué)發(fā)展的重要途徑，也是企業(yè)國(guó)際化發(fā)展的戰(zhàn)略需要。遵循“奉獻(xiàn)能源、創(chuàng)造和諧”的企業(yè)宗旨，公司積極履行社會(huì)責(zé)任，依法經(jīng)營(yíng)、誠(chéng)實(shí)守信，節(jié)約資源、保護(hù)環(huán)境，以人為本、構(gòu)建和諧企業(yè)，回饋社會(huì)、實(shí)現(xiàn)價(jià)值共享，致力于實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)、環(huán)境和社會(huì)三大責(zé)任的有機(jī)統(tǒng)一。公司把建立健全社會(huì)責(zé)任管理機(jī)制作為社會(huì)責(zé)任管理推進(jìn)工作的基礎(chǔ)，從制度建設(shè)、組織架構(gòu)和能力建設(shè)等方面著手，建立了一套較為

11、完善的社會(huì)責(zé)任管理機(jī)制。三、 公司競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)（一）公司具有技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新能力突出公司在研發(fā)方面投入較高，持續(xù)進(jìn)行研究開發(fā)與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，形成企業(yè)核心的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司產(chǎn)品在行業(yè)中的始終保持良好的技術(shù)與質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)。此外，公司目前主要生產(chǎn)線為使用自有技術(shù)開發(fā)而成。（二）公司擁有技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品應(yīng)用與市場(chǎng)開拓并進(jìn)的核心團(tuán)隊(duì)公司的核心團(tuán)隊(duì)由多名具備行業(yè)多年研發(fā)、經(jīng)營(yíng)管理與市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)的資深人士組成，與公司利益捆綁一致。公司穩(wěn)定的核心團(tuán)隊(duì)促使公司形成了高效務(wù)實(shí)、團(tuán)結(jié)協(xié)作的企業(yè)文化和穩(wěn)定的干部隊(duì)伍，為公司保持持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新和不斷擴(kuò)張?zhí)峁┝吮匾娜肆Y源保障。（三）公司具有優(yōu)質(zhì)的行業(yè)頭部客戶群體公司憑借出色的技術(shù)

12、創(chuàng)新、產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)，樹立了良好的品牌形象，獲得了較高的客戶認(rèn)可度。公司通過與優(yōu)質(zhì)客戶保持穩(wěn)定的合作關(guān)系，對(duì)于行業(yè)的核心需求、產(chǎn)品變化趨勢(shì)、最新技術(shù)要求的理解更為深刻，有利于研發(fā)生產(chǎn)更符合市場(chǎng)需求產(chǎn)品，提高公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。（四）公司在行業(yè)中占據(jù)較為有利的競(jìng)爭(zhēng)地位公司經(jīng)過多年深耕，已在技術(shù)、品牌、運(yùn)營(yíng)效率等多方面形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)；同時(shí)隨著行業(yè)的深度整合，行業(yè)集中度提升，下游客戶為保障其自身原材料供應(yīng)的安全與穩(wěn)定，在現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)格局下對(duì)于公司產(chǎn)品的需求亦不斷提升。公司較為有利的競(jìng)爭(zhēng)地位是長(zhǎng)期可持續(xù)發(fā)展的有力支撐。四、 公司主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負(fù)債表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年12月2019年12月2018

13、年12月資產(chǎn)總額11868.999495.198901.74負(fù)債總額3853.153082.522889.86股東權(quán)益合計(jì)8015.846412.676011.88公司合并利潤(rùn)表主要數(shù)據(jù)項(xiàng)目2020年度2019年度2018年度營(yíng)業(yè)收入43677.9434942.3532758.46營(yíng)業(yè)利潤(rùn)9860.047888.037395.03利潤(rùn)總額9352.927482.347014.69凈利潤(rùn)7014.695471.465050.58歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)7014.695471.465050.58五、 核心人員介紹1、陶xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級(jí)工程師職稱。2

14、003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。2、龔xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級(jí)會(huì)計(jì)師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司財(cái)務(wù)經(jīng)理。2017年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、財(cái)務(wù)總監(jiān)。3、袁xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責(zé)任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責(zé)任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至

15、今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長(zhǎng)、部長(zhǎng)；2019年8月至今任公司監(jiān)事會(huì)主席。4、謝xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級(jí)工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨(dú)立董事。5、廖xx，中國(guó)國(guó)籍，無(wú)永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級(jí)經(jīng)濟(jì)師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長(zhǎng)；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。6、任xx，中國(guó)國(guó)籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、

16、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責(zé)任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理。7、劉xx，中國(guó)國(guó)籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國(guó)注冊(cè)會(huì)計(jì)師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨(dú)立董事。8、姜xx，1957年出生，大專學(xué)歷。1994年5月至2002年6月就職于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限責(zé)任公司董事。2018年3月至今任公司董事。六、 經(jīng)營(yíng)宗旨加強(qiáng)經(jīng)濟(jì)合作和技術(shù)交流，采用先進(jìn)適用的科學(xué)技

17、術(shù)和科學(xué)經(jīng)營(yíng)管理方法，提高產(chǎn)品質(zhì)量，發(fā)展新產(chǎn)品，并在質(zhì)量、價(jià)格等方面具有國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)能力，提高經(jīng)濟(jì)效益，使投資者獲得滿意的利益。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標(biāo)與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為成為百億級(jí)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實(shí)施效果公司立足于本行業(yè)，以先進(jìn)的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品日益提升的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)進(jìn)步要求，為國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻(xiàn)，同時(shí)通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司帶來(lái)穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立

18、創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來(lái)規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價(jià)比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實(shí)基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級(jí)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、智能制造和銷售，在消費(fèi)升級(jí)帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服務(wù)與整體解決方案。在未來(lái)的五至十年，以蓬勃發(fā)展的中國(guó)市場(chǎng)為核心，利用中國(guó)“一帶一路”發(fā)展機(jī)遇，利用獨(dú)立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購(gòu)和收購(gòu)等多種方法，掌握國(guó)際領(lǐng)先的技術(shù)，使得公司真正成為國(guó)際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。第二章 背景及必要性一、 模塊封裝為核心競(jìng)爭(zhēng)力之一

19、，適用于各種高電壓場(chǎng)景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對(duì)應(yīng)著不同的應(yīng)用場(chǎng)景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費(fèi)電子和太陽(yáng)能逆變器領(lǐng)域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動(dòng)車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。IGBT根據(jù)封裝形式可分為IGBT分立器件、IGBT模塊以及IPM。從封裝形式上來(lái)看，IGBT可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品。IGBT分立器件指一個(gè)IGBT單管和一個(gè)反向并聯(lián)二

20、極管組成的器件；IGBT模組指將多個(gè)（兩個(gè)及以上）IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，并進(jìn)行模塊化封裝；IPM則指將功率器件（主要為IGBT）和驅(qū)動(dòng)電路、過壓和過流保護(hù)電流、溫度監(jiān)視和超溫保護(hù)電路等外圍電路集成再一起生產(chǎn)的一種組合型器件。IGBT。模塊的封裝工藝主要分為焊接式和壓接式。IGBT在工作過程中或產(chǎn)生一定的損耗，當(dāng)每個(gè)IGBT芯片在工作過程中產(chǎn)生的損耗只集中在1平方厘米左右的面積向外傳播時(shí)，這樣的高熱流密度對(duì)器件的安全有效工作而言則成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)，所以，IGBT需要依靠一定的封裝形式以便進(jìn)行散熱，從而保證產(chǎn)品可靠性。IGBT模塊的封裝工藝主要分為焊接式與壓接式。

21、高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則多采用壓接式封裝工藝。壓接式IGBT結(jié)構(gòu)與焊接式IGBT結(jié)構(gòu)差別較大，且壓接式IGBT封裝結(jié)構(gòu)還可細(xì)分為凸臺(tái)式和彈簧式，彈簧式壓接型封裝結(jié)構(gòu)的專利由ABB公司持有，東芝、Westcode、Dynex等公司則采用凸臺(tái)式封裝結(jié)構(gòu)。二、 全方位融入國(guó)內(nèi)大循環(huán)積極對(duì)接國(guó)內(nèi)大市場(chǎng)，強(qiáng)化擴(kuò)大內(nèi)需政策支撐，實(shí)施產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)再造工程，打牢基礎(chǔ)零部件、基礎(chǔ)工藝、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料等基礎(chǔ)，補(bǔ)齊優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)更高效的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈循環(huán)。立體多維多元整合提升產(chǎn)業(yè)鏈，構(gòu)建循環(huán)鏈和產(chǎn)業(yè)集群，優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，提升供給體系適配性。建設(shè)完善的現(xiàn)代化流通體系，推動(dòng)上下游、產(chǎn)供儲(chǔ)銷

22、有效銜接，大中小企業(yè)整體配套。加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)跨區(qū)域科技資源對(duì)接，推動(dòng)建立品牌優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)國(guó)家級(jí)、區(qū)域性創(chuàng)新平臺(tái)，完善市場(chǎng)導(dǎo)向的創(chuàng)新成果轉(zhuǎn)化政策，以高水平的創(chuàng)新增強(qiáng)供給體系質(zhì)量，增強(qiáng)區(qū)域發(fā)展的協(xié)同性和聯(lián)動(dòng)性。推進(jìn)蘭西城市群合作共建，加強(qiáng)重點(diǎn)領(lǐng)域一體化政策協(xié)同和跨區(qū)域重大項(xiàng)目建設(shè)，逐步形成蘭西城市群合作市場(chǎng)。主動(dòng)對(duì)接成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈，探索建立西寧成都區(qū)域發(fā)展合作機(jī)制，參與打造向西向南開放的經(jīng)貿(mào)共同體。密切黃河流域城市合作，強(qiáng)化與國(guó)內(nèi)友城經(jīng)濟(jì)合作。強(qiáng)化輻射全省的產(chǎn)業(yè)鏈、服務(wù)鏈、創(chuàng)新鏈、價(jià)值鏈，成為服務(wù)全省的物資集散中心和發(fā)展基地。圍繞守好“第三極”服務(wù)基地，密切與省內(nèi)外相關(guān)市州在生態(tài)保護(hù)修復(fù)、能源資源等領(lǐng)域的合

23、作，建立平衡聯(lián)動(dòng)發(fā)展機(jī)制。三、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級(jí)迭代以特色工藝需要工藝與設(shè)計(jì)的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導(dǎo)體主要以特色工藝為主，器件的技術(shù)迭代像邏輯、存儲(chǔ)芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產(chǎn)品、服務(wù)、平臺(tái)等多個(gè)維度；功率器件產(chǎn)品性能與應(yīng)用場(chǎng)景密切相關(guān)，導(dǎo)致平臺(tái)多、產(chǎn)品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺(tái)的多樣性。在這樣的背景下，由于IDM可以按需生產(chǎn)不同電性功能的功率器件，加速技術(shù)及應(yīng)用積累，在深度及廣度上覆蓋客戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產(chǎn)模式以IDM為主，國(guó)內(nèi)相比海外發(fā)展較晚，因

24、此催生出Fabless找代工廠生產(chǎn)的模式，專業(yè)化分工加速對(duì)海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機(jī)、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產(chǎn)大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產(chǎn)品對(duì)產(chǎn)線工藝依賴性較強(qiáng)，目前國(guó)際IGBT大廠主要采用8英寸生產(chǎn)線。為進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關(guān)工藝。英飛凌作為IGBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產(chǎn)的IGBT器件。同時(shí)，斯達(dá)半導(dǎo)12英

25、寸IGBT產(chǎn)能也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。未來(lái)，隨著各家IGBT廠商工藝的進(jìn)步，IGBT產(chǎn)品也將轉(zhuǎn)向12英寸晶圓，并采用更先進(jìn)的制程。IGBT需求增長(zhǎng)擴(kuò)廠計(jì)劃持續(xù)推進(jìn)，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，隨著數(shù)字化和電氣化進(jìn)程的加快，公司預(yù)計(jì)未來(lái)幾年全球?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，因此當(dāng)前正是新增產(chǎn)能的最好時(shí)機(jī)。2021年3月東芝公告準(zhǔn)備開工建設(shè)300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他電氣設(shè)備功耗的重要部件，公司預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車、工廠自動(dòng)化和可再生能源領(lǐng)域的增長(zhǎng)將繼續(xù)推動(dòng)功率器件的需求增長(zhǎng)。2

26、020年12月士蘭微12英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目由廈門士蘭集科微電子有限公司負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng)，第一條12英寸產(chǎn)線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)片。本次投產(chǎn)的產(chǎn)線就是其中的一期項(xiàng)目，總投資50億元，規(guī)劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片；項(xiàng)目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產(chǎn)能4萬(wàn)片。第二條12英寸生產(chǎn)線預(yù)計(jì)總投資100億元，將建設(shè)工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。四、 IGBT是新能源車動(dòng)力系統(tǒng)核心中的核心新能源車的制動(dòng)原理是利用電磁效應(yīng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，IGBT優(yōu)異的開關(guān)特性可以實(shí)現(xiàn)交直流轉(zhuǎn)換、電壓轉(zhuǎn)換和頻率轉(zhuǎn)換幾個(gè)核心功能，電動(dòng)車充電時(shí)，通過IGBT將外部電源轉(zhuǎn)變成直流電，并把外部2

27、20V電壓轉(zhuǎn)換成適當(dāng)?shù)碾妷航o電池組充電。電動(dòng)車制動(dòng)時(shí)，通過IGBT把直流電轉(zhuǎn)變成交流電機(jī)使用的交流電，同時(shí)精確調(diào)整電壓和頻率，驅(qū)動(dòng)電動(dòng)車運(yùn)動(dòng)。一臺(tái)車的加速能力、最高時(shí)速、能源效率主要看車規(guī)級(jí)功率器件的性能，硅基IGBT作為主導(dǎo)型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動(dòng)控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個(gè)子系統(tǒng)中，約占整車成本的7%-10%，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。新能車市場(chǎng)銷量：根據(jù)中汽協(xié)發(fā)布的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年新能源車新產(chǎn)銷分別完成124.2萬(wàn)輛和120.6萬(wàn)輛，其中絕大部分為純電動(dòng)汽車，產(chǎn)銷為102萬(wàn)輛和97.2萬(wàn)輛，插電式混合動(dòng)力汽車產(chǎn)銷為22.0萬(wàn)輛

28、和23.2萬(wàn)輛，2020年國(guó)內(nèi)新能源車銷量為136.7萬(wàn)輛。2021年5月，新能源汽車產(chǎn)銷環(huán)比略增，同比繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，產(chǎn)銷均為21.7萬(wàn)輛，環(huán)比增長(zhǎng)0.5%和5.4%，同比增長(zhǎng)1.5倍和1.6倍。單臺(tái)新能源車用量：電動(dòng)汽車單車IGBT的價(jià)格在A00級(jí)車的主控IGBT模塊價(jià)值量800-1000元，A級(jí)車1500左右，混動(dòng)車在2000元左右，再綜合空調(diào)、充電等部分，平均電動(dòng)汽車單車IGBT價(jià)值量為1000-4000不等。根據(jù)Yole的統(tǒng)計(jì)，2016年全球電動(dòng)車IGBT管用量約為9億美元，單車的IGBT管用量約為450美元。新能源車IGBT市場(chǎng)空間推算：據(jù)IDC預(yù)計(jì)，受政策推動(dòng)等因素的影響，中國(guó)

29、新能源汽車市場(chǎng)將在未來(lái)5年迎來(lái)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，2020年至2025年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到36.1%，假設(shè)單臺(tái)車IGBT用量3000元左右來(lái)預(yù)估，至2025年，國(guó)內(nèi)新能源車IGBT模塊市場(chǎng)規(guī)模為191億左右。五、 項(xiàng)目實(shí)施的必要性（一）提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力項(xiàng)目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)，補(bǔ)充流動(dòng)資金將提高公司應(yīng)對(duì)短期流動(dòng)性壓力的能力，降低公司財(cái)務(wù)費(fèi)用水平，提升公司盈利能力，促進(jìn)公司的進(jìn)一步發(fā)展。同時(shí)資金補(bǔ)充流動(dòng)資金將為公司未來(lái)成為國(guó)際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務(wù)商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅(jiān)實(shí)支持，提高公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。六、 IGBT供貨周期與價(jià)格均有增長(zhǎng)，供不應(yīng)求難以緩解晶體管（含IGBT）交期周

30、數(shù)高于大部分半導(dǎo)體產(chǎn)品交期。由于疫情所導(dǎo)致的供需失衡，半導(dǎo)體產(chǎn)品交期在過去的812個(gè)月中大幅延長(zhǎng)，雖然部分產(chǎn)品交期在7月略有縮短，但已于8月再次出現(xiàn)延長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。在各類半導(dǎo)體產(chǎn)品中，晶體管（含IGBT）整體交期已超過35周。IGBT大多為成熟制程（8英寸為主），8英寸制程由于前幾年數(shù)量和產(chǎn)線不斷下滑，部分設(shè)備大廠已不再生產(chǎn)8英寸晶圓所需的相關(guān)設(shè)備，設(shè)備緊缺導(dǎo)致擴(kuò)產(chǎn)較12英寸晶圓廠少，供不應(yīng)求導(dǎo)致成熟制程產(chǎn)能持續(xù)緊缺；同理，IGBT產(chǎn)能緊缺導(dǎo)致今年產(chǎn)品的交期周數(shù)大幅度提升。國(guó)際龍頭企業(yè)TIGBT產(chǎn)品價(jià)格與拉貨周期，均呈現(xiàn)上漲態(tài)勢(shì)。由于產(chǎn)能持續(xù)緊缺，2021年IGBT產(chǎn)品貨期持續(xù)拉長(zhǎng)，且在Q3仍未出

31、現(xiàn)緩解的現(xiàn)象。英飛凌與Microsemi部分IGBT產(chǎn)品的交貨周期已延長(zhǎng)至50周。此外，ST、安森美、IXYS等國(guó)際龍頭企業(yè)IGBT產(chǎn)品交貨周期也呈現(xiàn)出繼續(xù)延長(zhǎng)的趨勢(shì)，且相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格也表現(xiàn)出上漲的趨勢(shì)。七、 IGBT技術(shù)發(fā)展歷程及趨勢(shì)IGBT技術(shù)的整體發(fā)展趨勢(shì)是大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化、高可靠性。從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了7代升級(jí)，從平面穿通型（PT）到溝槽型電場(chǎng)截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6500V以上。第一代：PT-IGBT，使用重?fù)诫s的P+襯底作為

32、起始層，在此之上依次生長(zhǎng)N+buffer，N-base外延，最后在外延層表面形成原胞結(jié)構(gòu)，由于體內(nèi)晶體結(jié)構(gòu)本身原因造成“負(fù)溫度系數(shù)”，各IGBT原胞通態(tài)壓降不一致，不利于并聯(lián)運(yùn)行，第一代IGBT電流只有25A，且容量小速度低，目前已基本退出市場(chǎng)。第二代：改進(jìn)版PT-IGBT，采用精細(xì)平面柵結(jié)構(gòu)，增加一個(gè)“緩沖層”，在相同的擊穿電壓下實(shí)現(xiàn)了更薄的晶片厚度，從而降低了IGBT導(dǎo)通電阻，降低了IGBT工作過程中的損耗，提高了IGBT的耐壓程度。第三代：Trench-IGBT，采用Trench結(jié)構(gòu)，通過挖槽工藝去掉柵極下面的JFET區(qū)，把溝道從表面變到垂直面，基區(qū)的PIN效應(yīng)增強(qiáng)，柵極附近載流子濃度增

33、大，提高了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)減小了導(dǎo)通電阻，有效降低導(dǎo)通壓降及導(dǎo)通損耗。第四代：NPT-IGBT，使用低摻雜的N-襯底作為起始層，先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu)，然后從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要的厚度，再?gòu)谋趁嬗秒x子注入工藝形成P+集電極，在截止時(shí)電場(chǎng)沒有貫穿N-漂移區(qū)，因此稱為NPT“非穿通”型IGBT?？梢跃珳?zhǔn)的控制結(jié)深而控制發(fā)射效率，盡可能地增快載流子抽取速度來(lái)降低關(guān)斷損耗，保持基區(qū)原有的載流子壽命而不會(huì)影響穩(wěn)態(tài)功耗，同時(shí)具有正溫度系數(shù)特點(diǎn)。第五代：FS-IGBT，采用先進(jìn)的薄片技術(shù)并且在薄片上形成電場(chǎng)終止層，大大的減小了芯片的總厚度，使得導(dǎo)通壓降和動(dòng)態(tài)損耗都有大幅的下降，從而進(jìn)一步降

34、低IGBT工作中過程中的損耗。第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎(chǔ)上改進(jìn)溝槽柵結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步增加芯片的電流導(dǎo)通能力，優(yōu)化芯片內(nèi)的載流子濃度和分布，減小了芯片的綜合損耗。第七代：微溝槽柵-場(chǎng)截止型IGBT，溝槽密度更高，原胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)5kv/us下的最佳開關(guān)性能?？傮w而言，不同代際升級(jí)趨勢(shì)為升高耐壓成都，降低開關(guān)損耗，在結(jié)構(gòu)上大體表現(xiàn)在以下兩方面：柵極結(jié)構(gòu)方面：早期IGBT是平面柵結(jié)構(gòu)，隨著Trench（干法刻槽）工藝的成熟，將平面型柵極結(jié)構(gòu)變成垂直于芯片表面的溝槽型結(jié)構(gòu)，IGBT的本質(zhì)是通過控制柵極與發(fā)射級(jí)之間的電壓大小，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGB

35、T導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的控制。當(dāng)柵極-發(fā)射級(jí)電壓0時(shí)，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)，當(dāng)集電極-發(fā)射級(jí)電壓0且柵極-發(fā)射級(jí)電壓閾值電壓，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)。溝槽型結(jié)構(gòu)單元面積小、電流密度大、通態(tài)損耗降低約30%，擊穿電壓更高?？v向結(jié)構(gòu)方面：早期是穿通型（PT）和非穿通型（NPT）結(jié)構(gòu)。PTIGBT是最早商業(yè)化生產(chǎn)的IGBT，隨著使用應(yīng)用中電壓等級(jí)越來(lái)越高，對(duì)NPT結(jié)構(gòu)的基區(qū)寬帶要求越來(lái)越寬，又有了在高壓領(lǐng)域向穿通結(jié)構(gòu)的回歸。第三章 項(xiàng)目基本情況一、 項(xiàng)目名稱及投資人（一）項(xiàng)目名稱西寧IGBT項(xiàng)目（二）項(xiàng)目投資人xxx有限公司（三）建設(shè)地點(diǎn)本期項(xiàng)目選址位于xx（以選址意見書為準(zhǔn)）。二、 編制原則1、立足于本地區(qū)產(chǎn)

36、業(yè)發(fā)展的客觀條件，以集約化、產(chǎn)業(yè)化、科技化為手段，組織生產(chǎn)建設(shè)，提高企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的大目標(biāo)。2、因地制宜、統(tǒng)籌安排、節(jié)省投資、加快進(jìn)度。三、 編制依據(jù)1、國(guó)家建設(shè)方針，政策和長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃；2、項(xiàng)目建議書或項(xiàng)目建設(shè)單位規(guī)劃方案；3、可靠的自然，地理，氣候，社會(huì)，經(jīng)濟(jì)等基礎(chǔ)資料；4、其他必要資料。四、 編制范圍及內(nèi)容1、項(xiàng)目提出的背景及建設(shè)必要性；2、市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)；3、建設(shè)規(guī)模及產(chǎn)品方案；4、建設(shè)地點(diǎn)與建設(shè)條性；5、工程技術(shù)方案；6、公用工程及輔助設(shè)施方案；7、環(huán)境保護(hù)、安全防護(hù)及節(jié)能；8、企業(yè)組織機(jī)構(gòu)及勞動(dòng)定員；9、建設(shè)實(shí)施與工程進(jìn)度安排；10、投資估算及資金籌措；11、經(jīng)濟(jì)

37、評(píng)價(jià)。五、 項(xiàng)目建設(shè)背景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產(chǎn)品，不同電壓范圍對(duì)應(yīng)著不同的應(yīng)用場(chǎng)景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費(fèi)電子和太陽(yáng)能逆變器領(lǐng)域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動(dòng)車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域。六、 打造高水平合作開放平臺(tái)加快培育平臺(tái)經(jīng)濟(jì)，加強(qiáng)與國(guó)家級(jí)交易平臺(tái)合作，做大做強(qiáng)青稞和牛羊肉交易中心，建設(shè)青海牛羊活畜和農(nóng)副產(chǎn)品交易平臺(tái)，搭建生態(tài)產(chǎn)業(yè)國(guó)際平臺(tái)，推進(jìn)特色產(chǎn)品交易平臺(tái)建設(shè)。優(yōu)化建設(shè)電力交

38、易中心。繼續(xù)發(fā)揮經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)、青海高新區(qū)的對(duì)外開放平臺(tái)作用，運(yùn)營(yíng)好西寧綜合保稅區(qū)、跨境電商綜合試驗(yàn)區(qū)，開展跨境電商零售進(jìn)口試點(diǎn)。借鑒自貿(mào)區(qū)改革試點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)，參與申報(bào)中國(guó)(青海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)。加快西寧口岸建設(shè)，申報(bào)設(shè)立鐵路口岸，建設(shè)海關(guān)指定監(jiān)管場(chǎng)地。參加中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)，促進(jìn)國(guó)際采購(gòu)、投資促進(jìn)、人文交流、開放合作。建成青海國(guó)際會(huì)展中心，擴(kuò)大城洽會(huì)品牌外溢效應(yīng)，打造會(huì)展城市名片。七、 結(jié)論分析（一）項(xiàng)目選址本期項(xiàng)目選址位于xx（以選址意見書為準(zhǔn)），占地面積約66.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項(xiàng)目正常運(yùn)營(yíng)后，可形成年產(chǎn)xxx個(gè)IGBT的生產(chǎn)能力。（三）項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度本期項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。

39、（四）投資估算本期項(xiàng)目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動(dòng)資金。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)估算，項(xiàng)目總投資31841.67萬(wàn)元，其中：建設(shè)投資24709.81萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的77.60%；建設(shè)期利息294.56萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的0.93%；流動(dòng)資金6837.30萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的21.47%。（五）資金籌措項(xiàng)目總投資31841.67萬(wàn)元，根據(jù)資金籌措方案，xxx有限公司計(jì)劃自籌資金（資本金）19818.83萬(wàn)元。根據(jù)謹(jǐn)慎財(cái)務(wù)測(cè)算，本期工程項(xiàng)目申請(qǐng)銀行借款總額12022.84萬(wàn)元。（六）經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)1、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年預(yù)期營(yíng)業(yè)收入（SP）：71000.00萬(wàn)元。2、年綜合總成本費(fèi)用（TC）：57712.32萬(wàn)元

40、。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年凈利潤(rùn)（NP）：9718.92萬(wàn)元。4、財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：24.18%。5、全部投資回收期（Pt）：5.28年（含建設(shè)期12個(gè)月）。6、達(dá)產(chǎn)年盈虧平衡點(diǎn)（BEP）：25645.87萬(wàn)元（產(chǎn)值）。（七）社會(huì)效益本期項(xiàng)目技術(shù)上可行、經(jīng)濟(jì)上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計(jì)優(yōu)良。本期項(xiàng)目的投資建設(shè)和實(shí)施無(wú)論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益等方面都是積極可行的。本項(xiàng)目實(shí)施后，可滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，增加國(guó)家及地方財(cái)政收入，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)發(fā)展，為社會(huì)提供更多的就業(yè)機(jī)會(huì)。另外，由于本項(xiàng)目環(huán)保治理手段完善，不會(huì)對(duì)周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項(xiàng)目建設(shè)具有良好的社會(huì)效益。（八）主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)

41、指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積44000.00約66.00畝1.1總建筑面積83304.721.2基底面積26840.001.3投資強(qiáng)度萬(wàn)元/畝358.522總投資萬(wàn)元31841.672.1建設(shè)投資萬(wàn)元24709.812.1.1工程費(fèi)用萬(wàn)元21288.702.1.2其他費(fèi)用萬(wàn)元2793.322.1.3預(yù)備費(fèi)萬(wàn)元627.792.2建設(shè)期利息萬(wàn)元294.562.3流動(dòng)資金萬(wàn)元6837.303資金籌措萬(wàn)元31841.673.1自籌資金萬(wàn)元19818.833.2銀行貸款萬(wàn)元12022.844營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元71000.00正常運(yùn)營(yíng)年份5總成本費(fèi)用萬(wàn)元57712.32"&qu

42、ot;6利潤(rùn)總額萬(wàn)元12958.56""7凈利潤(rùn)萬(wàn)元9718.92""8所得稅萬(wàn)元3239.64""9增值稅萬(wàn)元2742.70""10稅金及附加萬(wàn)元329.12""11納稅總額萬(wàn)元6311.46""12工業(yè)增加值萬(wàn)元21639.74""13盈虧平衡點(diǎn)萬(wàn)元25645.87產(chǎn)值14回收期年5.2815內(nèi)部收益率24.18%所得稅后16財(cái)務(wù)凈現(xiàn)值萬(wàn)元17210.07所得稅后第四章 行業(yè)、市場(chǎng)分析一、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場(chǎng)變頻空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)的核心控

43、制部件是變頻控制器，它承擔(dān)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)、PFC功率校正以及相關(guān)執(zhí)行器件的變頻控制功能。而變頻控制器很重要的一環(huán)就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無(wú)源元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅(qū)動(dòng)電機(jī)，配合白家電實(shí)現(xiàn)低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。中國(guó)作為全球最大的家電市場(chǎng)和生產(chǎn)基地，IPM的應(yīng)用潛力十分強(qiáng)勁。以空調(diào)行業(yè)為例，根據(jù)產(chǎn)業(yè)在線的數(shù)據(jù)，2020年我國(guó)變頻空調(diào)銷量達(dá)7485萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)10.02%，并且未來(lái)變頻空調(diào)有望在空調(diào)市場(chǎng)進(jìn)一步滲透，面向變頻空調(diào)應(yīng)用的IGBT的市場(chǎng)空間將十分廣闊。同時(shí)，作為

44、變頻白色家電的另外兩大市場(chǎng)，變頻冰箱和變頻洗衣機(jī)市場(chǎng)增速顯著。2020年，中國(guó)變頻冰箱銷量為2507萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)26.38%，中國(guó)變頻洗衣機(jī)銷量為2627萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng)0.91%。二、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價(jià)值占比達(dá)達(dá)52%新能源汽車核心三電系統(tǒng)（電池、電機(jī)、電控）。1）電池是新能源汽車的能量來(lái)源，替換傳統(tǒng)燃油汽車的油箱；動(dòng)力電池系統(tǒng)主要由電芯、電池管理系統(tǒng)等組成。2）電機(jī)負(fù)責(zé)將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能，包含定子、轉(zhuǎn)子等；3）電控如同汽車的大腦，用來(lái)控制電機(jī)的啟動(dòng)、暫停、轉(zhuǎn)速、扭矩等各項(xiàng)“動(dòng)作”。三電系統(tǒng)需要大量的半導(dǎo)體產(chǎn)品包括功率半導(dǎo)體、模擬芯片、控制芯片等；隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展與普

45、及，汽車半導(dǎo)體迎來(lái)快速發(fā)展期。電力系統(tǒng)主要分為四大類：DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)(BMS)、逆變器、車載充電器。逆變器是汽車的關(guān)鍵部件，主要用到的半導(dǎo)體芯片為為IGBT。逆變器類似于燃油車的發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)EMS，決定著駕駛行為。無(wú)論電機(jī)是同步、異步還是無(wú)刷直流電機(jī)，逆變器始終以類似的方式運(yùn)行，其設(shè)計(jì)應(yīng)最大限度地減少開關(guān)損耗并最大限度地提高熱效率。IGBT是電動(dòng)汽車逆變器的核心電子器件，重要性類似電腦里的CPU。DC-DC。轉(zhuǎn)換器供電給汽車低壓電子系統(tǒng)。DC/DC變換器是新能源汽車必須配置的功能，類似燃油汽車中配置的低電壓發(fā)電機(jī)總成，其功能是給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部

46、的低壓供電。在新能源汽車中會(huì)配置一個(gè)DC/DC變換器作為能量傳遞部件，從車載動(dòng)力電池取電，提高能源的利用率，給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓電子系統(tǒng)供電。BMS電池管理系統(tǒng)是電動(dòng)汽車中電池組的大腦。BMS可根據(jù)起動(dòng)能力對(duì)充電狀態(tài)、健康狀態(tài)和功能狀態(tài)進(jìn)行快速、可靠的監(jiān)測(cè)，以提供必要的信息。因此，BMS能夠最大限度地降低因?yàn)殡姵匾馔馐Ф鴮?dǎo)致的汽車故障次數(shù)，從而盡可能地提升電池使用壽命和電池效率，并實(shí)現(xiàn)二氧化碳減排功能。OBC車載充電器主要功能是為電池充電。OBC的核心功能是整流電源輸入，并將其轉(zhuǎn)換為適合電池的充電電壓可能是400V或越來(lái)越多的800V。一個(gè)典型的OBC由多

47、個(gè)級(jí)聯(lián)級(jí)組成，包括功率因數(shù)校正（PFC）、DC/DC轉(zhuǎn)換器、次級(jí)整流、輔助電源、控制及驅(qū)動(dòng)電路。OBC具有多種功率等級(jí)，功率等級(jí)越高，充電時(shí)間就越短。最流行的OBC功率等級(jí)是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)中，器逆變器IGBT價(jià)值量比占比52%。在電動(dòng)傳統(tǒng)系統(tǒng)中，主逆變器負(fù)責(zé)控制電動(dòng)機(jī)，是汽車中的一個(gè)關(guān)鍵元器件，決定了駕駛行為和車輛的能源效率。并且，主逆變器還用于捕獲再生制動(dòng)釋放的能量并將此能量回饋給電池，所以，車輛的最大行程與主逆變器的效率直接相關(guān)。三、 IGBT結(jié)構(gòu)不斷升級(jí)，協(xié)同第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新IGBT是一個(gè)電路開關(guān)，透過開關(guān)控制改變電壓。IGBT（絕緣柵

48、雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個(gè)三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時(shí)控制開通與關(guān)斷，具有自關(guān)斷的特征，即是一個(gè)非通即斷的開關(guān)。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通。IGBT結(jié)合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢(shì)。IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)點(diǎn)，既有MOSFET的開關(guān)速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電

49、路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜。IGBT被各類下游市場(chǎng)廣泛使用，是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件。IGBT工藝與設(shè)計(jì)難度高，產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)。IGBT芯片結(jié)構(gòu)分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術(shù)從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術(shù)從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳?chǎng)截止型（F

50、S,FieldStop）。技術(shù)的迭代對(duì)改善IGBT的開關(guān)性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)對(duì)于工藝有著相當(dāng)高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當(dāng)減薄至100200um后極易破碎）以及背面工藝（因正面金屬熔點(diǎn)的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導(dǎo)致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產(chǎn)品具有生命周期長(zhǎng)的特點(diǎn)，以英飛凌IGBT產(chǎn)品為例，該產(chǎn)品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術(shù)在3300V、4500V、6500V等高壓應(yīng)用領(lǐng)域依舊占據(jù)主導(dǎo)地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術(shù)，其IGBT4產(chǎn)品的

51、收入增長(zhǎng)趨勢(shì)甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產(chǎn)品技術(shù)已成為本土廠商的對(duì)標(biāo)。截至2021年，英飛凌產(chǎn)品已迭代至第七代。其中，第五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對(duì)于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來(lái)，IGBT會(huì)朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結(jié)溫、可靠性等方面的提升來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)芯片結(jié)束的進(jìn)步。此外，IGBT模塊的未來(lái)趨勢(shì)也將朝著更高的熱導(dǎo)率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導(dǎo)體

52、物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域至今經(jīng)歷了多個(gè)發(fā)展階段，相較而言，第三代半導(dǎo)體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢(shì)。第一代半導(dǎo)體材料主要包括硅（Si）和鍺（Ge），于20世紀(jì)40年代開始登上舞臺(tái)，目前主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結(jié)構(gòu)，在光電子器件和高頻高功率器件的應(yīng)用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進(jìn)新產(chǎn)品發(fā)展，高壓高頻領(lǐng)域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場(chǎng)界強(qiáng)度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產(chǎn)品SiC的面積會(huì)比S

53、i還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產(chǎn)品，SiC可以做到1700V以上且低導(dǎo)通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來(lái)的導(dǎo)通電阻增大主要采用IGBT結(jié)構(gòu)，但由于其存在開關(guān)損耗大產(chǎn)生發(fā)熱、高頻驅(qū)動(dòng)受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產(chǎn)品性能。SiC在MOSFET的結(jié)構(gòu)就可實(shí)現(xiàn)高耐壓，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高耐壓、低導(dǎo)通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速M(fèi)OSFET結(jié)構(gòu)。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢(shì)，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶

54、隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運(yùn)行，同時(shí)仍然能夠以高頻率進(jìn)行開關(guān)。這些特性可轉(zhuǎn)化為系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產(chǎn)品良率影響，SiC產(chǎn)品價(jià)格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導(dǎo)通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內(nèi)，比MOSFET可降低導(dǎo)通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時(shí)產(chǎn)生尾電流、造成開關(guān)的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導(dǎo)度調(diào)變，可用高速組件構(gòu)造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，

55、可實(shí)現(xiàn)開關(guān)損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應(yīng)用方面又面臨很高的技術(shù)要求，因此SiCMosfet價(jià)格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域各有不同。雖然IGBT結(jié)合了MOSFET與BJT的優(yōu)勢(shì)，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢(shì)，都有適合的應(yīng)用領(lǐng)域。BJT更強(qiáng)調(diào)工作功率，MOSFET更強(qiáng)調(diào)工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢(shì)，常被用于低功率低頻率應(yīng)用市場(chǎng)，MOSFET適用于中功率高頻率應(yīng)用市場(chǎng)，IGBT適用于高功率中頻率應(yīng)用市場(chǎng)。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)仍會(huì)是汽車電動(dòng)化的主流器件。SiC組件具有

56、高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，在縮小體積的同時(shí)提高了效率，相關(guān)產(chǎn)品則主要用于高壓高頻領(lǐng)域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產(chǎn)業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進(jìn)行布局。英飛凌于2018年收購(gòu)德國(guó)廠商Siltectra，彌補(bǔ)自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長(zhǎng)期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領(lǐng)域的產(chǎn)品供應(yīng)，旗下CoolSiC系列產(chǎn)品已走入量產(chǎn)。2019年，意法半導(dǎo)體與Cree簽署價(jià)值2.5億美元的長(zhǎng)單協(xié)議，且收購(gòu)了瑞典SiC晶圓廠商N(yùn)orstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對(duì)MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導(dǎo)體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達(dá)半導(dǎo)、華潤(rùn)微、等本土廠商也已在SiC領(lǐng)域布局。第五章 建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項(xiàng)目場(chǎng)地規(guī)模該項(xiàng)目總占地面積44000.00